JPH0258191A - メモリカードの使用方法 - Google Patents
メモリカードの使用方法Info
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- JPH0258191A JPH0258191A JP63208268A JP20826888A JPH0258191A JP H0258191 A JPH0258191 A JP H0258191A JP 63208268 A JP63208268 A JP 63208268A JP 20826888 A JP20826888 A JP 20826888A JP H0258191 A JPH0258191 A JP H0258191A
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- Japan
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- capacitor
- memory card
- data
- clock signal
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、例えば物流システムにおける物品の認識や、
ゲートにおける大退出者のチエツク等に用いて良好なメ
モリカードに関する。
ゲートにおける大退出者のチエツク等に用いて良好なメ
モリカードに関する。
本発明は、情報を記憶する記憶手段を有するメモリカー
ドにおいて、該メモリカードの電源にコンデンサを用い
ることによって、簡単な構造で安価なメモリカードの供
給が可能であり、また、このコンデンサの充電を制御す
ることにより、メモリカードの使用可能時間を任意に設
定することを特徴とするものである。
ドにおいて、該メモリカードの電源にコンデンサを用い
ることによって、簡単な構造で安価なメモリカードの供
給が可能であり、また、このコンデンサの充電を制御す
ることにより、メモリカードの使用可能時間を任意に設
定することを特徴とするものである。
従来、物流システムにおける物品の認識及びゲートにお
ける入退出者のチエツク等には、タグ(付は札)状また
はカード状に形成されたメモリカードが使用されており
、無線でデータを送受信するもの(非接触式メモリカー
ド)がよく用いられている。
ける入退出者のチエツク等には、タグ(付は札)状また
はカード状に形成されたメモリカードが使用されており
、無線でデータを送受信するもの(非接触式メモリカー
ド)がよく用いられている。
上記非接触型のメモリカードには、反射型または能動型
のものが用いられており、反射型のメモリカードは、メ
モリカード本体に電波反射用のアンテナを設け、認識装
置から送信された電波をアンテナに反射させて認識装置
に送り返すようにしたものである。また、能動型のメモ
リカードはデ−タの発生回路、データを伝送するための
送信回路、認識装置から送信された電波を受信するため
の受信回路等が設けられていて、認識装置からの電波に
呼応して認識用のデータを送ることができるものである
。
のものが用いられており、反射型のメモリカードは、メ
モリカード本体に電波反射用のアンテナを設け、認識装
置から送信された電波をアンテナに反射させて認識装置
に送り返すようにしたものである。また、能動型のメモ
リカードはデ−タの発生回路、データを伝送するための
送信回路、認識装置から送信された電波を受信するため
の受信回路等が設けられていて、認識装置からの電波に
呼応して認識用のデータを送ることができるものである
。
このような非接触型のメモリカードの具体例は、例えば
、特開昭59−112376号公報、特開昭62−26
591号公報、特開昭62−38643号公報において
先願技術として開示されている。
、特開昭59−112376号公報、特開昭62−26
591号公報、特開昭62−38643号公報において
先願技術として開示されている。
本件出願人も先に特願昭63−6292号の明細書及び
図面によりメモリカードに通用可能な反射型送信装置を
提案している。
図面によりメモリカードに通用可能な反射型送信装置を
提案している。
すなわち、この反射型送信装置は、入射する連続波の電
波を反射させるアンテナと、送信データの発生回路と、
上記送信データに対応させて上記アンテナのインピーダ
ンスを変化させるインピーダンス変化回路とを具備して
なり、アンテナの反射特性がアンテナのインピーダンス
の変化に応じて変わるのを利用してデータを送信するこ
とを特徴としており、データを搬送するための電波とし
てアンテナの反射波を利用し、搬送波を発生させる送信
回路や送信用電源を設けなくてもよいため、極めて低電
力で動作するデータ送信装置を簡単な回路構成で製造す
ることができるものである。
波を反射させるアンテナと、送信データの発生回路と、
上記送信データに対応させて上記アンテナのインピーダ
ンスを変化させるインピーダンス変化回路とを具備して
なり、アンテナの反射特性がアンテナのインピーダンス
の変化に応じて変わるのを利用してデータを送信するこ
とを特徴としており、データを搬送するための電波とし
てアンテナの反射波を利用し、搬送波を発生させる送信
回路や送信用電源を設けなくてもよいため、極めて低電
力で動作するデータ送信装置を簡単な回路構成で製造す
ることができるものである。
しかし、上述のメモリカードには通常、電源として電池
が使用されているため高価となるうえ、電池寿命の把握
が困難であり、メモリカードのはっきりした使用可能期
間がわからなかった。
が使用されているため高価となるうえ、電池寿命の把握
が困難であり、メモリカードのはっきりした使用可能期
間がわからなかった。
また、一般に電源として使用されている電池の寿命は長
い程良いが、用途によっては長時間の使用を必要としな
いメモリカードも多く、このような、所謂、短時間用の
メモリカードに電池を使用していては、電池がきれる前
にメモリカードの使用目的が失われ、電池が無駄になる
。更に、有効期限付きの入退出考証等への適用を考える
とき、使用可能時間を積極的にしかも任急に設定するこ
とのできるメモリカードの開発が望まれている。
い程良いが、用途によっては長時間の使用を必要としな
いメモリカードも多く、このような、所謂、短時間用の
メモリカードに電池を使用していては、電池がきれる前
にメモリカードの使用目的が失われ、電池が無駄になる
。更に、有効期限付きの入退出考証等への適用を考える
とき、使用可能時間を積極的にしかも任急に設定するこ
とのできるメモリカードの開発が望まれている。
そこで、本発明は上述の課題に鑑み、簡単な構造のコン
デンサを用いることで安価な提供を可能とし、使用可能
時間を任意に設定することのできるようなメモリカード
の提供を目的とするものである。
デンサを用いることで安価な提供を可能とし、使用可能
時間を任意に設定することのできるようなメモリカード
の提供を目的とするものである。
本発明に係るメモリカードは、上述の課題を解決するた
めに、電源供給手段と、該電源供給手段からの電源供給
を受ける記1、α手段とを備えたメモリカートにおいて
、上記電源供給手段として、充電を制御することにより
放電状態を調整可能なコンデンサを用い、酸コンデンサ
からの電源供給により、記憶手段の記憶内容の読み出し
を可能とすることを特徴としている。
めに、電源供給手段と、該電源供給手段からの電源供給
を受ける記1、α手段とを備えたメモリカートにおいて
、上記電源供給手段として、充電を制御することにより
放電状態を調整可能なコンデンサを用い、酸コンデンサ
からの電源供給により、記憶手段の記憶内容の読み出し
を可能とすることを特徴としている。
本発明に係るメモリカードは、電源として一般に電池よ
りも構造が簡単で安価なコンデンサを使用しており、こ
のコンデンサの充電を制御することによって、任意に使
用可能時間を設定することができる。
りも構造が簡単で安価なコンデンサを使用しており、こ
のコンデンサの充電を制御することによって、任意に使
用可能時間を設定することができる。
以下、本発明に係るメモリカードの実施例について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
第1図は本発明の実施例となるメモリカードの要部を示
すブロック図である。
すブロック図である。
この第1図において、後に説明する充電器等でチャージ
電圧入力端子1より逆流防止用のダイオードDを介して
、該ダイオードDと接地との間に設けられたコンデンサ
Cが充電される。このコンデンサCからの電源供給によ
り、記tq手段であるRAM (ランダムアクセスメモ
リ)3が作動状態となる。そして、データ入出力端子2
より書き込み手段(図示せず)からのデータ信号が入力
されると同時にクロック信号入力端子4からクロック信
号が入力され上記RAM3にデータが書き込まれる。こ
のRAM3に書き込まれたデータは、例えば、クロック
信号入力端子4より入力されるクロック信号に応じて上
記データ入力端子2より読み出される。そしてこの読み
出された信号は図示しない情報認識手段にアンテナを介
して非接触(無線)送信、または、端子を介して接触(
有線)伝送される。
電圧入力端子1より逆流防止用のダイオードDを介して
、該ダイオードDと接地との間に設けられたコンデンサ
Cが充電される。このコンデンサCからの電源供給によ
り、記tq手段であるRAM (ランダムアクセスメモ
リ)3が作動状態となる。そして、データ入出力端子2
より書き込み手段(図示せず)からのデータ信号が入力
されると同時にクロック信号入力端子4からクロック信
号が入力され上記RAM3にデータが書き込まれる。こ
のRAM3に書き込まれたデータは、例えば、クロック
信号入力端子4より入力されるクロック信号に応じて上
記データ入力端子2より読み出される。そしてこの読み
出された信号は図示しない情報認識手段にアンテナを介
して非接触(無線)送信、または、端子を介して接触(
有線)伝送される。
次に第2図を用いて、上記コンデンサCの充放電の関係
を説明する。
を説明する。
この第2図において、コンデンサCにT1時間の充電を
行い電圧を■1ポルトにし、この時点Pより放電、つま
り、第1図中に示すRAM3への電源供給を開始すると
、T2−T、の放電時間で電圧はVoボルトに低下する
ことが分かる。この図中点線で示すVoボルトラインは
、RAM3の動作可能最低電圧である。すなわち、RA
M3は最低電圧VOまで記憶内容であるデータの読み出
しが可能であるという特性を持っているため、上記RA
M3に電源を供給している上記コンデンサCにT1時間
(■□ボルト)の充電を行えば、上記RAM3のデータ
の読み出しは、上記コンデンサCの電圧が■oボルトま
で低下するまでの時間可能、つまり、T2−’ri時間
メモリカードの使用が可能ということが分かる。したが
って、上記コンデンサCの充電を調整することによって
、メモリカードの使用可能時間を積極的且つ任急に設定
することができる。
行い電圧を■1ポルトにし、この時点Pより放電、つま
り、第1図中に示すRAM3への電源供給を開始すると
、T2−T、の放電時間で電圧はVoボルトに低下する
ことが分かる。この図中点線で示すVoボルトラインは
、RAM3の動作可能最低電圧である。すなわち、RA
M3は最低電圧VOまで記憶内容であるデータの読み出
しが可能であるという特性を持っているため、上記RA
M3に電源を供給している上記コンデンサCにT1時間
(■□ボルト)の充電を行えば、上記RAM3のデータ
の読み出しは、上記コンデンサCの電圧が■oボルトま
で低下するまでの時間可能、つまり、T2−’ri時間
メモリカードの使用が可能ということが分かる。したが
って、上記コンデンサCの充電を調整することによって
、メモリカードの使用可能時間を積極的且つ任急に設定
することができる。
上記は、コンデンサCの蓄積電荷が0のときがら充電す
る場合の例であるが、上記第2図のコンデンサ端子電圧
と放電時間の関係を利用することにより、コンデンサC
に電荷が残存しているような、再使用時の充電の場合で
も、コンデンサCの端子電圧を見ることでメモリカード
の使用可能時間を積極的且つ任意に設定することができ
る。
る場合の例であるが、上記第2図のコンデンサ端子電圧
と放電時間の関係を利用することにより、コンデンサC
に電荷が残存しているような、再使用時の充電の場合で
も、コンデンサCの端子電圧を見ることでメモリカード
の使用可能時間を積極的且つ任意に設定することができ
る。
すなわち、電池の場合は、保存状態での放電等により、
メモリカードの使用中に寿命がきれて、使用不可能にな
る虞れがあるが、コンデンサを用い、メモリカードの使
用直前に(必要分だけ)充電することによって、所定時
間以上の有効使用を保証することができる。
メモリカードの使用中に寿命がきれて、使用不可能にな
る虞れがあるが、コンデンサを用い、メモリカードの使
用直前に(必要分だけ)充電することによって、所定時
間以上の有効使用を保証することができる。
なお、もし、このようなメモリカードをカード回収場所
で回収することができなくても、上述のように72−7
1時間(放電時間)後には、コンデンサの電圧がVaま
で低下するため、メモリカードの使用は不可能となり、
悪用されることはない。
で回収することができなくても、上述のように72−7
1時間(放電時間)後には、コンデンサの電圧がVaま
で低下するため、メモリカードの使用は不可能となり、
悪用されることはない。
上記コンデンサCへの充電手段としては、例えば第3図
に示すような充電器が考えられる。
に示すような充電器が考えられる。
この充電器の充電端子11に第1図で示したメモリカー
ドのチャージ電圧入力端子1をセットし、キーボード1
2の操作入力により、時間設定手段13で充電時間を設
定する。この充電時間は、表示手段14によって表示さ
れ、同時に定電圧回路15により上記メモリカード内の
コンデンサCにチャージ電圧が印加されるようになって
いる。
ドのチャージ電圧入力端子1をセットし、キーボード1
2の操作入力により、時間設定手段13で充電時間を設
定する。この充電時間は、表示手段14によって表示さ
れ、同時に定電圧回路15により上記メモリカード内の
コンデンサCにチャージ電圧が印加されるようになって
いる。
以上の説明から明らかなように、構造が簡単なコンデン
サを用いることにより、電池に比べて安価に作製できる
。
サを用いることにより、電池に比べて安価に作製できる
。
このようなメモリカードとしては、使用時間の短くて済
むようなものに適用するのが望ましく、例えば、施設の
入場券等や物流システムにおけるIDタグ等のようなも
のに適用すると効果大である。
むようなものに適用するのが望ましく、例えば、施設の
入場券等や物流システムにおけるIDタグ等のようなも
のに適用すると効果大である。
次に第4図を用いて、本発明にかかるメモリカードの第
2の実施例を説明する。
2の実施例を説明する。
第4図は本件出願人が先に開示した特願昭636292
号の反射型送信装置に本発明を通用した第2の実施例を
示す図である。
号の反射型送信装置に本発明を通用した第2の実施例を
示す図である。
この第4図において、メモリカードである反射型送信装
置はIDタグ装置として構成されている。
置はIDタグ装置として構成されている。
タグ本体21は例えば、合成樹脂により薄い付は礼状に
形成されていて、フレキシブル基板等に印刷配線された
ダイポールアンテナ22が表面に設けられている。また
、その内部には発振データを形成する識別コート発生器
23と、この識別コード発生器23の駆動用電源である
コンデンサ24が埋設されている。このコンデンサ24
には、例えば、電解二vfiMコンデンサが用いられて
おり、チャージ電圧入力端子31より、逆流防止用のダ
イオードDsを介して例えば、上述した第3図に示す充
電器等により必要時間分の充電がされている。
形成されていて、フレキシブル基板等に印刷配線された
ダイポールアンテナ22が表面に設けられている。また
、その内部には発振データを形成する識別コート発生器
23と、この識別コード発生器23の駆動用電源である
コンデンサ24が埋設されている。このコンデンサ24
には、例えば、電解二vfiMコンデンサが用いられて
おり、チャージ電圧入力端子31より、逆流防止用のダ
イオードDsを介して例えば、上述した第3図に示す充
電器等により必要時間分の充電がされている。
識別コード発生器23は、発振器25、アドレスカウン
タ26、記憶手段であるFROM (プログラマブルリ
ードオンリーメモリ)27、FETトランジスタ28が
一体に組み込まれたワンチフプICで構成されていて、
上記コンデンサ24からの電源が回路電源供給端子32
を介して供給されている。なお、消費電力は極めて小さ
い。
タ26、記憶手段であるFROM (プログラマブルリ
ードオンリーメモリ)27、FETトランジスタ28が
一体に組み込まれたワンチフプICで構成されていて、
上記コンデンサ24からの電源が回路電源供給端子32
を介して供給されている。なお、消費電力は極めて小さ
い。
上記PROM27には、例えば書き込み器(図示せず)
等により所望のデータが書き込まれるようになっている
。
等により所望のデータが書き込まれるようになっている
。
識別コード発生器23に設けられている端子29a、2
9bにコンデンサ24のプラス電極と、マイナス電極と
がそれぞれ直結されていて、識別コード発生器23は常
に動作している。従って、発振器25、アドレスカウン
タ26、PROM27から成るデータ発生回路30が常
に動作していて、所定の周波数のクロック信号ckが発
振器25からアドレスカウンタ26に常時導出されてい
る。
9bにコンデンサ24のプラス電極と、マイナス電極と
がそれぞれ直結されていて、識別コード発生器23は常
に動作している。従って、発振器25、アドレスカウン
タ26、PROM27から成るデータ発生回路30が常
に動作していて、所定の周波数のクロック信号ckが発
振器25からアドレスカウンタ26に常時導出されてい
る。
アドレスカウンタ26がPROM27のアドレスをt旨
定しており、指定された番地に書き込まれているデータ
が読み出される。アドレスカウンタ26は、クロック信
号ckが与えられるごとにカウントアツプして次の番地
を指定するので、PROM27に書き込まれているデー
タが次々と読み出されていく。読み出されたデータは、
デジタル信号よりなる一連の識別コードIDとしてPI
F、Tトランジスタ28のゲート電極に与えられる。こ
のため、ゲート電極の電位が識別コードIDのデータに
応じて高電位及び低電位に変化するので、FETl−ラ
ンジスタ28は識別コードIDに応したオン、オフ動作
を行う。
定しており、指定された番地に書き込まれているデータ
が読み出される。アドレスカウンタ26は、クロック信
号ckが与えられるごとにカウントアツプして次の番地
を指定するので、PROM27に書き込まれているデー
タが次々と読み出されていく。読み出されたデータは、
デジタル信号よりなる一連の識別コードIDとしてPI
F、Tトランジスタ28のゲート電極に与えられる。こ
のため、ゲート電極の電位が識別コードIDのデータに
応じて高電位及び低電位に変化するので、FETl−ラ
ンジスタ28は識別コードIDに応したオン、オフ動作
を行う。
FETトランジスタ28は、ソース電極が接地されてい
ると共に、ドレイン電極が識別コード発生器23の端子
29aに接続されている。このため、FETトランジス
タ28がオン、オフ動作することにより端子29aと2
9bとの間のインピーダンスが変化する。この端子29
a、29bにアンテナ22の給電点22a、22bが接
続されている。
ると共に、ドレイン電極が識別コード発生器23の端子
29aに接続されている。このため、FETトランジス
タ28がオン、オフ動作することにより端子29aと2
9bとの間のインピーダンスが変化する。この端子29
a、29bにアンテナ22の給電点22a、22bが接
続されている。
そしてこの反射型送信装置は、上述した第1の実施例と
同様にコンデンサ24への充電を第2図の充放電特性に
従って制御することにより、放電時間(使用可能時間)
を調整している。
同様にコンデンサ24への充電を第2図の充放電特性に
従って制御することにより、放電時間(使用可能時間)
を調整している。
次に、この反射型送信装置の動作説明をする。
認識手段であるコミュニケータ(図示せず)より放射さ
れたマイクロ波帯の連続波の送信波31を受信すると、
ダイポールアンテナ22に電圧が誘起されて受信電流I
が流れる。このため、ダイポールアンテナ22からは受
信した電波、すなわち上記コミュニケータから放射され
た送信波31が再放射される。再放射された電波、すな
わちダイポールアンテナ22からの反射波32をコミュ
ニケータが受信して復調する。
れたマイクロ波帯の連続波の送信波31を受信すると、
ダイポールアンテナ22に電圧が誘起されて受信電流I
が流れる。このため、ダイポールアンテナ22からは受
信した電波、すなわち上記コミュニケータから放射され
た送信波31が再放射される。再放射された電波、すな
わちダイポールアンテナ22からの反射波32をコミュ
ニケータが受信して復調する。
FETトランジスタ28のオン、オフに応じて端子29
a、29b間(給電点22a、22b間)のインピーダ
ンスが変化する。FETトランジスタ28がオンしたと
きに、給電点22a、22b間のインピーダンスが例え
ば50(Ω〕となって、ダイポールアンテナ22が2.
45(GHz)の送信波31とマツチングする。また、
FETトランジスタ28がオフしたときには給電点22
a、22bのインピーダンスが例えば100 (Ω〕と
なり、ダイポールアンテナ22のマツチングがくずれる
。マツチングがとれているときは、ダイポールアンテナ
22の反射特性が異なる。このため、マツチングしてい
るときの反射波32とマツチングしていないときの反射
波とでは位相や振幅に差が生じる。すなわち、このID
タグ装置は、FETトランジスタ28をオン、オフして
、受信した電eL(コミュニケータからの送信波31)
を位相(または振幅)変調してコミュニケータに反射さ
せていることになる。従ってコミュニケータにおいて、
反射波32と送信波31との合成波を受信して位相、ま
たは、振幅復調することによりデータを受信することが
できる。
a、29b間(給電点22a、22b間)のインピーダ
ンスが変化する。FETトランジスタ28がオンしたと
きに、給電点22a、22b間のインピーダンスが例え
ば50(Ω〕となって、ダイポールアンテナ22が2.
45(GHz)の送信波31とマツチングする。また、
FETトランジスタ28がオフしたときには給電点22
a、22bのインピーダンスが例えば100 (Ω〕と
なり、ダイポールアンテナ22のマツチングがくずれる
。マツチングがとれているときは、ダイポールアンテナ
22の反射特性が異なる。このため、マツチングしてい
るときの反射波32とマツチングしていないときの反射
波とでは位相や振幅に差が生じる。すなわち、このID
タグ装置は、FETトランジスタ28をオン、オフして
、受信した電eL(コミュニケータからの送信波31)
を位相(または振幅)変調してコミュニケータに反射さ
せていることになる。従ってコミュニケータにおいて、
反射波32と送信波31との合成波を受信して位相、ま
たは、振幅復調することによりデータを受信することが
できる。
上述のように、ダイポールアンテナ22のマツチング状
態がFET)ランジスタ28のオン、オフが識別コード
IDに対応しているので、コミュニケータにおいて識別
コードIDの検出が可能となる。従って、識別コードI
Dをコミュニケータに送信するための搬送波(キャリア
)をIDタグ装置で作る必要が無いので送信回路および
送信用の電源を設ける必要が無い。
態がFET)ランジスタ28のオン、オフが識別コード
IDに対応しているので、コミュニケータにおいて識別
コードIDの検出が可能となる。従って、識別コードI
Dをコミュニケータに送信するための搬送波(キャリア
)をIDタグ装置で作る必要が無いので送信回路および
送信用の電源を設ける必要が無い。
従って、電力を消費するのは識別コード発生器23だけ
なので、消費電力が少ない。そして、この電源としてコ
ンデンサを使用することにより、IDタグ装置(メモリ
カード)を安価に作成することができ、第1の実施例の
説明で述べたように、コンデンサ24の充電を調整する
ことにより、このIDタグ装置の使用可能時間を任意に
設定することができる。
なので、消費電力が少ない。そして、この電源としてコ
ンデンサを使用することにより、IDタグ装置(メモリ
カード)を安価に作成することができ、第1の実施例の
説明で述べたように、コンデンサ24の充電を調整する
ことにより、このIDタグ装置の使用可能時間を任意に
設定することができる。
なお、上記コンデンサ24として電解2重層コンデンサ
を用いたが、例えばペーパーコンデンサ等にしてもよい
。また、上記記憶手段として用いたPROM27を例え
ばRAM (ランダムアクセスメモリ)等にしてもよい
ことは勿論である。
を用いたが、例えばペーパーコンデンサ等にしてもよい
。また、上記記憶手段として用いたPROM27を例え
ばRAM (ランダムアクセスメモリ)等にしてもよい
ことは勿論である。
すなわち、ROMの場合は不揮発性であるため、電源が
切れても書き込まれたデータ内容は保持されており、電
源であるコンデンサの再充電だけでIDタグ装置の再使
用が可能である。このため例えば、記憶されているデー
タが秘密性でないもの等に通用するのが好ましい。
切れても書き込まれたデータ内容は保持されており、電
源であるコンデンサの再充電だけでIDタグ装置の再使
用が可能である。このため例えば、記憶されているデー
タが秘密性でないもの等に通用するのが好ましい。
逆に、RAMの場合は揮発性であるため、電源が切れる
と書き込まれたデータ内容は消失してしまい、再使用に
関しては再充電及び再書き込みが必要である。このため
、例えば記憶されているデータが秘密性を有するもの等
に適用すると好ましい。
と書き込まれたデータ内容は消失してしまい、再使用に
関しては再充電及び再書き込みが必要である。このため
、例えば記憶されているデータが秘密性を有するもの等
に適用すると好ましい。
以上は無線でデータを送受信する、非接触型のメモリカ
ードのうち、メモリカード本体に電波反射用のアンテナ
を設け、認識装置から送信された電波をアンテナに反射
させて認識装置に送り返す、所謂、反射型とよばれるも
のについて説明してきたが、同じく非接触型のメモリカ
ードで、データ発生回路、データを伝送するための送信
回路、認識装置から送信された電波を受信するための受
信回路を具備し、認識装置からの電波に応じて認識用の
データを送る、所謂、能動型とよばれるものに通用して
もよい。
ードのうち、メモリカード本体に電波反射用のアンテナ
を設け、認識装置から送信された電波をアンテナに反射
させて認識装置に送り返す、所謂、反射型とよばれるも
のについて説明してきたが、同じく非接触型のメモリカ
ードで、データ発生回路、データを伝送するための送信
回路、認識装置から送信された電波を受信するための受
信回路を具備し、認識装置からの電波に応じて認識用の
データを送る、所謂、能動型とよばれるものに通用して
もよい。
また、メモリカードに端子を有し、この端子を認識装置
に接触させてデータを伝送する、所謂、接触型とよばれ
るものに応用してもよい。
に接触させてデータを伝送する、所謂、接触型とよばれ
るものに応用してもよい。
〔発明の効果]
本発明に係るメモリカードでは、電源として簡単な構成
のコンデンサを用いることにより、安価に作製すること
ができる。
のコンデンサを用いることにより、安価に作製すること
ができる。
また、このコンデンサの充電量を調整することにより、
メモリカードを常に所定時間以上使用可能とすることが
できるうえ、積極的に任意の使用可能時間に設定するこ
とができる。
メモリカードを常に所定時間以上使用可能とすることが
できるうえ、積極的に任意の使用可能時間に設定するこ
とができる。
特に、使用時間が短期間であるメモリカードに用いると
、効果大である。
、効果大である。
第1図は、本発明に係る第1の実施例としてのメモリカ
ードの要部を示すブロック図、第2図は、本発明のメモ
リカードに使用されているコンデンサの特性を説明する
ための図、第3図は、充電器を示すブロック図、第4図
は、本発明に係る第2の実施例を示すブロック図である
。 1・・・チャージ電圧入力端子 2・・・データ入出力端子 3・・・RAM (、ランダムアクセスメモリ)4・・
・クロック信号入力端子 ダイポールアンテナ 識別コード発生器 2重層電解コンデンサ FROM (プログラマブルリードオンリーメモリ) 28・・FET)ランジスタ 31・・送信波 32・・反射波
ードの要部を示すブロック図、第2図は、本発明のメモ
リカードに使用されているコンデンサの特性を説明する
ための図、第3図は、充電器を示すブロック図、第4図
は、本発明に係る第2の実施例を示すブロック図である
。 1・・・チャージ電圧入力端子 2・・・データ入出力端子 3・・・RAM (、ランダムアクセスメモリ)4・・
・クロック信号入力端子 ダイポールアンテナ 識別コード発生器 2重層電解コンデンサ FROM (プログラマブルリードオンリーメモリ) 28・・FET)ランジスタ 31・・送信波 32・・反射波
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電源供給手段と、該電源供給手段からの電源供給を受け
る記憶手段とを備えたメモリカードにおいて、 上記電源供給手段として、充電を制御することにより放
電状態を調整可能なコンデンサを用い、該コンデンサか
らの電源供給により、記憶手段の記憶内容の読み出しを
可能とすることを特徴とするメモリカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208268A JP2811679B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | メモリカードの使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63208268A JP2811679B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | メモリカードの使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258191A true JPH0258191A (ja) | 1990-02-27 |
| JP2811679B2 JP2811679B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=16553429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63208268A Expired - Fee Related JP2811679B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | メモリカードの使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2811679B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993018485A1 (en) * | 1992-03-09 | 1993-09-16 | Control Module Inc. | Identification means with integral memory device |
| JP2003526148A (ja) * | 2000-02-28 | 2003-09-02 | マゼラン テクノロジー ピーティーワイ.エルティーディー. | 無線周波数識別トランスポンダ |
| US8487745B2 (en) | 2006-12-07 | 2013-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62144294A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Ricoh Co Ltd | 表示機能付カ−ド |
| JPS6391793A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | Icカ−ド及びicカ−ド取引処理方式 |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63208268A patent/JP2811679B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62144294A (ja) * | 1985-12-18 | 1987-06-27 | Ricoh Co Ltd | 表示機能付カ−ド |
| JPS6391793A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | Icカ−ド及びicカ−ド取引処理方式 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1993018485A1 (en) * | 1992-03-09 | 1993-09-16 | Control Module Inc. | Identification means with integral memory device |
| US5374818A (en) * | 1992-03-09 | 1994-12-20 | Control Module Inc. | Identification means with integral memory device |
| JP2003526148A (ja) * | 2000-02-28 | 2003-09-02 | マゼラン テクノロジー ピーティーワイ.エルティーディー. | 無線周波数識別トランスポンダ |
| JP4919569B2 (ja) * | 2000-02-28 | 2012-04-18 | マゼラン テクノロジー ピーティーワイ.エルティーディー. | 無線周波数識別トランスポンダ |
| US8487745B2 (en) | 2006-12-07 | 2013-07-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2811679B2 (ja) | 1998-10-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |