JPH0258347A - 半導体装置の信号検出方法 - Google Patents
半導体装置の信号検出方法Info
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- JPH0258347A JPH0258347A JP63209877A JP20987788A JPH0258347A JP H0258347 A JPH0258347 A JP H0258347A JP 63209877 A JP63209877 A JP 63209877A JP 20987788 A JP20987788 A JP 20987788A JP H0258347 A JPH0258347 A JP H0258347A
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- Japan
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- wiring layer
- potential
- semiconductor device
- layer
- signal
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- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置内の信号を非接触で測定する半導
体装置の信号検出方法に係り、詳しくは、特に、半導体
装置内の信号変化の絶対値を容易で、かつ確実に求める
ことができる半導体装置の信号検出方法に関するもので
ある。
体装置の信号検出方法に係り、詳しくは、特に、半導体
装置内の信号変化の絶対値を容易で、かつ確実に求める
ことができる半導体装置の信号検出方法に関するもので
ある。
半導体装置の集積化が進むにつれ、半導体装置の動作解
析および故障解析のため、その半導体装置内部の各回路
の信号変化（電圧変化）を測定する必要が生じている。
析および故障解析のため、その半導体装置内部の各回路
の信号変化（電圧変化）を測定する必要が生じている。
半導体装置内部の信号変化を測定する際、その動作状態
を変化させないことが重要であり、動作状態を変化させ
ないことが可能な半導体装置の信号検出方法としては、
ニレクロンビームによるＥＢテスタ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｂｅａｍ ｔｅｓｅｅｒ）を用いる方法が挙げられる
。その他の方法としては、最近、ポッケルス効果を利用
した電気光サンプリング（電気−光計測、あるいはＥ１
０サンプリングとも言われる）によるものが注目されて
いる。これは例えばＧａＡｓ、ＩｎＰのような異方性光
学結晶半導体での電界による屈折率変化を利用して、半
導体装置内の信号変化の絶対値を求めようというもので
ある。異方性光学結晶半導体は、電圧が印加されると結
晶方位で誘電率の差が生じ、屈折率が結晶方位で変化す
るという性質がある。
を変化させないことが重要であり、動作状態を変化させ
ないことが可能な半導体装置の信号検出方法としては、
ニレクロンビームによるＥＢテスタ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ
ｂｅａｍ ｔｅｓｅｅｒ）を用いる方法が挙げられる
。その他の方法としては、最近、ポッケルス効果を利用
した電気光サンプリング（電気−光計測、あるいはＥ１
０サンプリングとも言われる）によるものが注目されて
いる。これは例えばＧａＡｓ、ＩｎＰのような異方性光
学結晶半導体での電界による屈折率変化を利用して、半
導体装置内の信号変化の絶対値を求めようというもので
ある。異方性光学結晶半導体は、電圧が印加されると結
晶方位で誘電率の差が生じ、屈折率が結晶方位で変化す
るという性質がある。
具体的には例えばＧａＡｓからなる異方性光学結晶半導
体を用いた半導体装置の場合、装置内に電圧が印加され
ると、配線層の信号変化により配線層下のＧａＡｓ中の
電界が変化し、結晶方位で誘電率の差が生じて屈折率が
結晶方位で変化する。
体を用いた半導体装置の場合、装置内に電圧が印加され
ると、配線層の信号変化により配線層下のＧａＡｓ中の
電界が変化し、結晶方位で誘電率の差が生じて屈折率が
結晶方位で変化する。
この屈折率が変化した結晶部分に光が透過すると、屈折
率変化に対応して偏光面がずれる。この偏光面のずれを
検出することにより、半導体装置内の電圧変化を求める
ことができるのである。
率変化に対応して偏光面がずれる。この偏光面のずれを
検出することにより、半導体装置内の電圧変化を求める
ことができるのである。
第４図（ａ）、（ｂ）は従来の半導体装置の信号検出方
法を説明する図である。
法を説明する図である。
この図において、２１は半導体装フ、２２は例えばＧａ
Ａｓ （ＩｎＰでもよい）からなる異方性光学結晶半
導体で、光学的に異方性のある半導体として機能するも
のである。２３ａ、２３ｂは例えばＡＩ！からなる配線
層で、電極として機能しうるちのである。２４ａ、２４
ｂはレーザ光である。
Ａｓ （ＩｎＰでもよい）からなる異方性光学結晶半
導体で、光学的に異方性のある半導体として機能するも
のである。２３ａ、２３ｂは例えばＡＩ！からなる配線
層で、電極として機能しうるちのである。２４ａ、２４
ｂはレーザ光である。
従来の信号検出方法は、まず、第４図（ａ）に示すよう
に、電気光サンプリングのレーザ光２４ａを半導体装置
２１の裏面から入射させて配線層２３に到達させる。そ
して、配線層２３ａで反射された光を光検出器等で検出
することにより、配線層２３ａのまわりの電位変化を測
定することができる。
に、電気光サンプリングのレーザ光２４ａを半導体装置
２１の裏面から入射させて配線層２３に到達させる。そ
して、配線層２３ａで反射された光を光検出器等で検出
することにより、配線層２３ａのまわりの電位変化を測
定することができる。
また、その他の方法としては第４図（ｂ）に示すように
、レーザ光２４ｂを半導体装置２１の表面から入射させ
て配線層２３ｂに到達させる。そして、配線層２３ｂで
反射された光を光検出器等で検出することにより、装置
内の電位変化を測定することができる。
、レーザ光２４ｂを半導体装置２１の表面から入射させ
て配線層２３ｂに到達させる。そして、配線層２３ｂで
反射された光を光検出器等で検出することにより、装置
内の電位変化を測定することができる。
これは、検出系の較正は原理的にできるが、例えばＧａ
Ａｓからなる半導体層中の電界分布は、隣接する配線層
の配置（配線幅とか配線間の間隔）によって容易に変化
してしまうことによるものと考えられる。また、基阜電
位部分がないことや、第４図（ｂ）に示すように、光（
レーザ光２４ｂ）を半導体装置２１の表面から入射させ
る場合では、配線層２３ａにどれくらい近づけて光を入
射させるかによって、電気光サンプリングの信号強度が
大きく変わることによるものと考えられる。
Ａｓからなる半導体層中の電界分布は、隣接する配線層
の配置（配線幅とか配線間の間隔）によって容易に変化
してしまうことによるものと考えられる。また、基阜電
位部分がないことや、第４図（ｂ）に示すように、光（
レーザ光２４ｂ）を半導体装置２１の表面から入射させ
る場合では、配線層２３ａにどれくらい近づけて光を入
射させるかによって、電気光サンプリングの信号強度が
大きく変わることによるものと考えられる。
そこで本発明は、半導体装置内の信号変化の絶対値を容
易で、かつ確実に求めるこきができる半導体装置の信号
検出方法を従供することを目的としている。
易で、かつ確実に求めるこきができる半導体装置の信号
検出方法を従供することを目的としている。
しかしながら、従来の半導体装置の信号検出方法にあっ
ては、半導体装置内の信号変化の絶対値を求めることは
困難であるという問題点があった。
ては、半導体装置内の信号変化の絶対値を求めることは
困難であるという問題点があった。
特に、微細化すればする程顕著になる傾向がある。
本発明による半導体装置の信号検出方法は上記目的達成
のため、半導体装置内のある一定の電位にある第１の配
線層と、該第１の配線層に隣接し、信号が伝わることに
より電位が変化する第２の配線層とに、それぞれ同期し
た２つの光パルスを前記半導体装置裏面より入射し、前
記第１の配線層及び前記第２の配線層より反射された光
パルスの、ポッケルス効果による偏光面の変化を検出し
、前記第１の配線層と前記第２の配線層の検出信号の差
を求めることにより、前記第２の配線層の電位の絶対値
を求めるものである。
のため、半導体装置内のある一定の電位にある第１の配
線層と、該第１の配線層に隣接し、信号が伝わることに
より電位が変化する第２の配線層とに、それぞれ同期し
た２つの光パルスを前記半導体装置裏面より入射し、前
記第１の配線層及び前記第２の配線層より反射された光
パルスの、ポッケルス効果による偏光面の変化を検出し
、前記第１の配線層と前記第２の配線層の検出信号の差
を求めることにより、前記第２の配線層の電位の絶対値
を求めるものである。
本発明は、半導体装置内のある一定の電位にある第１の
配線層と、第１の配線層に隣接し、信号が伝わることに
より電位の変化する第２の配線層とに、それぞれ同期し
た２つの光パルスが半導体装置裏面より入射され、第１
の配線層及び第２の配線層より反射された光パルスの、
ポッケルス効果による偏光面の変化が検出され、第１の
配″４ｊＡ層及び第２の配線層からの検出信号の差が求
められることにより、第２の配線層の電位の絶対、値が
求められる。
配線層と、第１の配線層に隣接し、信号が伝わることに
より電位の変化する第２の配線層とに、それぞれ同期し
た２つの光パルスが半導体装置裏面より入射され、第１
の配線層及び第２の配線層より反射された光パルスの、
ポッケルス効果による偏光面の変化が検出され、第１の
配″４ｊＡ層及び第２の配線層からの検出信号の差が求
められることにより、第２の配線層の電位の絶対、値が
求められる。
したがって、第２の配線層の電位の絶対値を容易でかつ
確実に求めることができるようになる。
確実に求めることができるようになる。
以下、本発明を図面に基づいて説明する。
第１図〜第３図は本発明に係る半導体装置の信号検出方
法の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の
原理を説明する図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は一実施例の
電位の関係を説明する図、第３図は一実施例の測定系を
説明する図である。
法の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の
原理を説明する図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は一実施例の
電位の関係を説明する図、第３図は一実施例の測定系を
説明する図である。
これらの図において、１は半導体装置、２は例えばＧａ
Ａｓ （ＩｎＰでもよい）からなる異方性光学結晶半
導体、３は第１の配線層、４は第２の配線層、５ａ、５
ｂは対物レンズ、６は波長板、７はプリズム、８はアナ
ライザ、９はハーフミラ、１０は全反射ミラ、１１は光
源で、波長が例えば１．０６μｍの例えばＹＡＧレーザ
で構成されている。１２ａ、１２ｂはフォトダイオード
、１３は差動増幅器、１４は表示装置、１５ａ、１５ｂ
は光入射経路、１６は等電位線、１７は電気力線である
。
Ａｓ （ＩｎＰでもよい）からなる異方性光学結晶半
導体、３は第１の配線層、４は第２の配線層、５ａ、５
ｂは対物レンズ、６は波長板、７はプリズム、８はアナ
ライザ、９はハーフミラ、１０は全反射ミラ、１１は光
源で、波長が例えば１．０６μｍの例えばＹＡＧレーザ
で構成されている。１２ａ、１２ｂはフォトダイオード
、１３は差動増幅器、１４は表示装置、１５ａ、１５ｂ
は光入射経路、１６は等電位線、１７は電気力線である
。
なお、ここで第１の配線層３及び第２の配線層４は電極
として機能しうるものであり、異方性光学結晶半導体２
上に設けられている。第１の配線層３は例えば接地（あ
るいは電源線）として、半導体装置１内のある一定の電
位に保たれており、第２の配線層４には測定すべき信号
が伝わるようになっている。
として機能しうるものであり、異方性光学結晶半導体２
上に設けられている。第１の配線層３は例えば接地（あ
るいは電源線）として、半導体装置１内のある一定の電
位に保たれており、第２の配線層４には測定すべき信号
が伝わるようになっている。
すなわち、上記実施例では、半導体装置１内のある一定
の電位にある第１の配線層３と、該第１の配線層３に隣
接し、信号が伝わることにより電位の変化する第２の配
線層４とに、それぞれ同期した２つの光パルス（光パル
ス幅は例えば１〜２０ｐｓである）を半導体装置１裏面
より入射し、第１の配線層３及び第２の配線層４より反
射された光パルスの、ポッケルス効果による偏光面の変
化を検出して、第１の配線層３及び第２の配線層４から
の検出信号の差を求めることにより、第２の配線層４の
電位の絶対値を求めるようにしたので、半導体装置１内
の信号変化の絶対値を容易で、かつ確実に求めることが
できるようになる。
の電位にある第１の配線層３と、該第１の配線層３に隣
接し、信号が伝わることにより電位の変化する第２の配
線層４とに、それぞれ同期した２つの光パルス（光パル
ス幅は例えば１〜２０ｐｓである）を半導体装置１裏面
より入射し、第１の配線層３及び第２の配線層４より反
射された光パルスの、ポッケルス効果による偏光面の変
化を検出して、第１の配線層３及び第２の配線層４から
の検出信号の差を求めることにより、第２の配線層４の
電位の絶対値を求めるようにしたので、半導体装置１内
の信号変化の絶対値を容易で、かつ確実に求めることが
できるようになる。
ここで、第２の配線層４と第１の配線層３があると、電
気力線１７と等電位線１６は第１図に示すように分布し
ており、第４図（ａ）、（ｂ）で説明した従来法の１箇
所での電気光サンプリングでは等電位線１６としては第
１の配線層３と第２の配線層４周辺の電圧に対して半分
位の電圧しか読むことができないが、上記実施例のよう
に、２箇所での電気光サンプリングにより第１の配線層
３と第２の配線層４周辺の電圧をほぼ完全に読むことが
できる。具体的には、第２図（ａ）〜（Ｃ）に示すよう
に、電位Ｖ！ （ｔ）、電位Ｖ、Ｄ）の比率は電気力
線１７の間隔と幅によって変化するが、結局２箇所の電
気光サンプリングを行って、電位Ｖ、（ｔ）、電位Ｖ、
（ｔ）を求め、その和を求めることにより第２の配線層
４の電位Ｖ （ｔ）は求められるのである。なお、電位
Ｖ、（ｔ）は異方性光学結晶半導体２の第２の配線層４
下の部分の電位差であり、電位Ｖ、（ｔ）は異方性光学
結晶半導体ｌの第１の配線層３下の部分の電位差である
。即ち、光入射経路１５ａ及び光入射経路１５ｂの２つ
の電気光サンプリングにより第２の配線層４の電位Ｖ
（ｔ）を求めることができるのである。
気力線１７と等電位線１６は第１図に示すように分布し
ており、第４図（ａ）、（ｂ）で説明した従来法の１箇
所での電気光サンプリングでは等電位線１６としては第
１の配線層３と第２の配線層４周辺の電圧に対して半分
位の電圧しか読むことができないが、上記実施例のよう
に、２箇所での電気光サンプリングにより第１の配線層
３と第２の配線層４周辺の電圧をほぼ完全に読むことが
できる。具体的には、第２図（ａ）〜（Ｃ）に示すよう
に、電位Ｖ！ （ｔ）、電位Ｖ、Ｄ）の比率は電気力
線１７の間隔と幅によって変化するが、結局２箇所の電
気光サンプリングを行って、電位Ｖ、（ｔ）、電位Ｖ、
（ｔ）を求め、その和を求めることにより第２の配線層
４の電位Ｖ （ｔ）は求められるのである。なお、電位
Ｖ、（ｔ）は異方性光学結晶半導体２の第２の配線層４
下の部分の電位差であり、電位Ｖ、（ｔ）は異方性光学
結晶半導体ｌの第１の配線層３下の部分の電位差である
。即ち、光入射経路１５ａ及び光入射経路１５ｂの２つ
の電気光サンプリングにより第２の配線層４の電位Ｖ
（ｔ）を求めることができるのである。
以下、更に具体的に電位Ｖｚ （ｔ） 、Ｖ＋ （
Ｌ）、Ｖ （ｔ）の求め方について説明する。なお、電
位Ｖ、（ｔ）、Ｖ□ （１）は偏光面のずれ量を検出す
ることにより求めることができ、これは光が結晶部分に
透過した際、屈折率変化に対応して偏光面がずれること
を利用するものである。
Ｌ）、Ｖ （ｔ）の求め方について説明する。なお、電
位Ｖ、（ｔ）、Ｖ□ （１）は偏光面のずれ量を検出す
ることにより求めることができ、これは光が結晶部分に
透過した際、屈折率変化に対応して偏光面がずれること
を利用するものである。
第２図に示すように、第２の配線層４の電位をＶ （ｔ
） 、第１の配線層３の電位をＯＶとする。
） 、第１の配線層３の電位をＯＶとする。
光入射経路１５ａでは偏光面のずれ量（回転）は以下の
式のように表すことができる。
式のように表すことができる。
バ
ここで、Δφ２は偏光面のずれ量、λは光の波長、ｎｏ
は異方性光学結晶半導体２の屈折率、γ４、は異方性光
学結晶半導体２特有の比例係数である。
は異方性光学結晶半導体２の屈折率、γ４、は異方性光
学結晶半導体２特有の比例係数である。
また、光入射経路１５ｂでは偏光面のずれ量は以下の式
のように表すことができる。
のように表すことができる。
ス
ここで、Δφ１は偏光面のずれ量である。
したがって、第１の配線層３と第２の配線層４の検出信
号の差、即ち偏光面のずれ量の差Δφ１Δφ２を求める
ことにより、第２図（Ｃ）に示す ｖ、（ｔ）＋Ｌ （ｔ）＝Ｖ （ｔ）というように第
２の配線Ｎ４の電位Ｖ（Ｌ）を求めることができる。
号の差、即ち偏光面のずれ量の差Δφ１Δφ２を求める
ことにより、第２図（Ｃ）に示す ｖ、（ｔ）＋Ｌ （ｔ）＝Ｖ （ｔ）というように第
２の配線Ｎ４の電位Ｖ（Ｌ）を求めることができる。
具体的に、例えばγ４１＝１．２ ｘｌＱ−１２（ｍ／
ｖ）、Ｉｌ、 ＝３．４４、λ＝１．３ μｍ、Δφ
Ｉ ＝３．３ Ｘｌ０−’（ラジアン）、ΔφＺ ＝−
１，４Ｘｌ０−’ （ラジアン）とすると、第２の配線
層４の電位Ｖ（ｔ）は（１）、（２）弐より以下のよう
に求めることができる。
ｖ）、Ｉｌ、 ＝３．４４、λ＝１．３ μｍ、Δφ
Ｉ ＝３．３ Ｘｌ０−’（ラジアン）、ΔφＺ ＝−
１，４Ｘｌ０−’ （ラジアン）とすると、第２の配線
層４の電位Ｖ（ｔ）は（１）、（２）弐より以下のよう
に求めることができる。
Ｖ（ｔ）＝Ｖ、 （む ） ＋ｖｚ（ｔ）λ
ス
＝ （３，３Ｘｌ０−’＋
１．４ ＸｌＯ４π ｎｏ Ｔ ｓ＋ λ ＝１（Ｖ） この場合、異方性光学結晶半導体２１！に面の電位が測
定中変化しても、差をとるため余分な電圧を測定するこ
とはない。
１．４ ＸｌＯ４π ｎｏ Ｔ ｓ＋ λ ＝１（Ｖ） この場合、異方性光学結晶半導体２１！に面の電位が測
定中変化しても、差をとるため余分な電圧を測定するこ
とはない。
ここで測定系としては、第３図に示すような測定系で具
体化することができる。以下簡単に説明する。
体化することができる。以下簡単に説明する。
まず、光源１１からのレーザ光をハーフミラ９に当てて
レーザ光を分割する。この時、分割された光は全反射ミ
ラ１０で反射される。次いで、ハーフミラ９及び全反射
ミラ１０を通った光はプリズム７、波長板６及び対物レ
ンズ５ａを介して異方性光学結晶半導体２の裏面から入
射して第２の配線層４及び第１の配線層３に到達する。
レーザ光を分割する。この時、分割された光は全反射ミ
ラ１０で反射される。次いで、ハーフミラ９及び全反射
ミラ１０を通った光はプリズム７、波長板６及び対物レ
ンズ５ａを介して異方性光学結晶半導体２の裏面から入
射して第２の配線層４及び第１の配線層３に到達する。
到達した光は第２の配線ＦＪ４及び第１の配線層３で反
射し、この反射された光は対物レンズ５ａ、波長板６、
プリズム７、アナライザ８及び対物レンズ５ｂを介して
フォトダイオード１２ａ、１２ｂで検出される。そして
、この検出された信号が差動増幅器Ｉ３で増幅されて表
示装置１４で表示される。
射し、この反射された光は対物レンズ５ａ、波長板６、
プリズム７、アナライザ８及び対物レンズ５ｂを介して
フォトダイオード１２ａ、１２ｂで検出される。そして
、この検出された信号が差動増幅器Ｉ３で増幅されて表
示装置１４で表示される。
なお、上記実施例では、光′ａ１１をＹＡＧレーザで構
成する場合について説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、半導体レーザで構成する場合であっ
てもよ（、好ましくはＩ ｎＧａＡｓＰからなる半導体
レーザであり、この場合、波長は１．３ ａｍ−１，５
ａｍ、光パルス幅は５〜５゜ｐｓのもので好ましく具体
化することができる。そして第３図に示すハーフミラ９
及び全反射ミラ■。
成する場合について説明したが、本発明はこれに限定さ
れるものではなく、半導体レーザで構成する場合であっ
てもよ（、好ましくはＩ ｎＧａＡｓＰからなる半導体
レーザであり、この場合、波長は１．３ ａｍ−１，５
ａｍ、光パルス幅は５〜５゜ｐｓのもので好ましく具体
化することができる。そして第３図に示すハーフミラ９
及び全反射ミラ■。
を用いずに２個の半導体レーザを用いてそれぞれ同期し
た信号で駆動させることができる。
た信号で駆動させることができる。
〔効果］
本発明によれば、半導体装置内の信号変化の絶対値を容
易で、かつ確実に求めることができるという効果がある
。
易で、かつ確実に求めることができるという効果がある
。
第１図〜第３図は本発明に係る半導体装置の信号検出方
法の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の
原理を説明する図、第２図は一実施例の電位の関係を説
明する図、第３図は一実施例の測定系を説明する図、第
４図は従来の半導体装置の信号検出方法を説明する図で
ある。 １・・・・・・半導体装置、 ２・・・・・・異方性光学結晶半導体、３・・・・・・
第１の配線層、 ４・・・・・・第２の配線層、 １５ａ、１５ｂ・・・・・・光入射経路。 第 図 一失先例の今哩２説明す口 第１図 −Ｕ列のｔイ立５関係１４し明ｔ１コ 第２図 一災坊芭４四の側７定−余を説明でる図第３図
法の一実施例を説明する図であり、第１図は一実施例の
原理を説明する図、第２図は一実施例の電位の関係を説
明する図、第３図は一実施例の測定系を説明する図、第
４図は従来の半導体装置の信号検出方法を説明する図で
ある。 １・・・・・・半導体装置、 ２・・・・・・異方性光学結晶半導体、３・・・・・・
第１の配線層、 ４・・・・・・第２の配線層、 １５ａ、１５ｂ・・・・・・光入射経路。 第 図 一失先例の今哩２説明す口 第１図 −Ｕ列のｔイ立５関係１４し明ｔ１コ 第２図 一災坊芭４四の側７定−余を説明でる図第３図
Claims (1)
- 半導体装置内のある一定の電位にある第１の配線層と、
該第１の配線層に隣接し、信号が伝わることにより電位
が変化する第２の配線層とに、それぞれ同期した２つの
光パルスを前記半導体装置裏面より入射し、前記第１の
配線層及び前記第２の配線層より反射された光パルスの
、ポッケルス効果による偏光面の変化を検出し、前記第
１の配線層と前記第２の配線層の検出信号の差を求める
ことにより、前記第２の配線層の電位の絶対値を求める
ことを特徴とする半導体装置の信号検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209877A JPH0258347A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体装置の信号検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63209877A JPH0258347A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体装置の信号検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258347A true JPH0258347A (ja) | 1990-02-27 |
Family
ID=16580127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63209877A Pending JPH0258347A (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 半導体装置の信号検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0258347A (ja) |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP63209877A patent/JPH0258347A/ja active Pending
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