JPH0258718A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0258718A JPH0258718A JP20984388A JP20984388A JPH0258718A JP H0258718 A JPH0258718 A JP H0258718A JP 20984388 A JP20984388 A JP 20984388A JP 20984388 A JP20984388 A JP 20984388A JP H0258718 A JPH0258718 A JP H0258718A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドに係り、特に磁気抵抗が小さく
、高精度の磁気ギャップを備えた薄膜磁気ヘッド及びそ
の製造方法に関する。
、高精度の磁気ギャップを備えた薄膜磁気ヘッド及びそ
の製造方法に関する。
薄膜磁気ヘッドは情報の高記録密度化に伴って。
その加工精度も厳しくなり、電磁変換効率に大きな影響
を及ぼす磁気ギャップ深さに０．８±０．２μｍ以下の
高い精度を有することが要求されてきている。
を及ぼす磁気ギャップ深さに０．８±０．２μｍ以下の
高い精度を有することが要求されてきている。
磁気ギャップ加工は９例えば特開昭６２−６５２２１号
公報に記載のように、コイルに直流バイアスを流した場
合と流がさない場合のインピーダンスの変化幅を検出し
研磨加工においてギャップ開きの開始位置を知る方法が
採用されている。一方磁気ギャップの形成は、特開昭６
１−３２２１２号公報に記載のように有機絶縁膜たとえ
ばポリイミド系樹脂（ＰＩＱ）をマスクとし、ギャップ
材にアルミナ（ＡＩ１２０３）を使用しＣＦ４ガスを用
いてエツチングする方法が知られている。
公報に記載のように、コイルに直流バイアスを流した場
合と流がさない場合のインピーダンスの変化幅を検出し
研磨加工においてギャップ開きの開始位置を知る方法が
採用されている。一方磁気ギャップの形成は、特開昭６
１−３２２１２号公報に記載のように有機絶縁膜たとえ
ばポリイミド系樹脂（ＰＩＱ）をマスクとし、ギャップ
材にアルミナ（ＡＩ１２０３）を使用しＣＦ４ガスを用
いてエツチングする方法が知られている。
上記従来技術における磁気ギャップの形成は有機絶縁膜
とギャップ材のエツチング速度がほぼ同じである為、ギ
ャップ材は有機絶縁膜の持つテーパ角度にならった形状
にパターニングされる。そのように形成されたギャップ
材はテーパ角度を有するため、ギャップ深さの加工にあ
たり、ギャップ開きの開始位置ではその位置を検出する
信号とノイズとの区別が出来ず高精度で検出出来なかっ
た。ギャップ開きの開始位置を高精度で検出するには、
ギャップ材を出来るだけ垂直にパターニングしその位置
で検出信号を大きく変化させてノイズに打ち勝つ必要が
ある。更に高記録密度化に伴って磁路長の高精度化や上
部磁性体、下部磁性体の接続部分であるバックギャップ
の磁気抵抗を小さくするという点について配慮がされて
おらず、ギャップ深さ寸法が小さくなるとその寸法バラ
ツキが大きくなり製品の歩留まりが悪くなるという問題
と、バックギャップの接続面積における磁気抵抗が大き
いという問題があった。
とギャップ材のエツチング速度がほぼ同じである為、ギ
ャップ材は有機絶縁膜の持つテーパ角度にならった形状
にパターニングされる。そのように形成されたギャップ
材はテーパ角度を有するため、ギャップ深さの加工にあ
たり、ギャップ開きの開始位置ではその位置を検出する
信号とノイズとの区別が出来ず高精度で検出出来なかっ
た。ギャップ開きの開始位置を高精度で検出するには、
ギャップ材を出来るだけ垂直にパターニングしその位置
で検出信号を大きく変化させてノイズに打ち勝つ必要が
ある。更に高記録密度化に伴って磁路長の高精度化や上
部磁性体、下部磁性体の接続部分であるバックギャップ
の磁気抵抗を小さくするという点について配慮がされて
おらず、ギャップ深さ寸法が小さくなるとその寸法バラ
ツキが大きくなり製品の歩留まりが悪くなるという問題
と、バックギャップの接続面積における磁気抵抗が大き
いという問題があった。
本発明の目的は、磁気ギャップ加工を高精度で歩留まり
よく出来、バックギャップの磁気抵抗が小さい薄膜磁気
ヘッド及びその製造方法を提供することにある。
よく出来、バックギャップの磁気抵抗が小さい薄膜磁気
ヘッド及びその製造方法を提供することにある。
上記目的は、基板上に下地膜と下部磁性体とギャップ材
と有機絶縁膜と導体コイルと上部磁性体と保護膜を形成
した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部磁性体と前記下
部磁性体が接続する部分であるバックギャップ位置で前
記ギャップ材の端面を前記下部磁性体に対し垂直又はほ
ぼ垂直に形成することにより達成される。更に薄膜磁気
ヘッド前駆体において、前記上部磁性体と前記下部磁性
体が前記ギャップ材を介して対向する部分であるフロン
トギャップ位置で前記ギャップ材の端面を前記下部磁性
体に対し垂直又はほぼ垂直に形成することにより達成さ
れる。かがる薄膜磁気ヘッドは、基板上に下地膜と下部
磁性体とギャップ材と有機絶縁膜と導体コイルと上部磁
性体と保護膜を順次形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において。
と有機絶縁膜と導体コイルと上部磁性体と保護膜を形成
した薄膜磁気ヘッドにおいて、前記上部磁性体と前記下
部磁性体が接続する部分であるバックギャップ位置で前
記ギャップ材の端面を前記下部磁性体に対し垂直又はほ
ぼ垂直に形成することにより達成される。更に薄膜磁気
ヘッド前駆体において、前記上部磁性体と前記下部磁性
体が前記ギャップ材を介して対向する部分であるフロン
トギャップ位置で前記ギャップ材の端面を前記下部磁性
体に対し垂直又はほぼ垂直に形成することにより達成さ
れる。かがる薄膜磁気ヘッドは、基板上に下地膜と下部
磁性体とギャップ材と有機絶縁膜と導体コイルと上部磁
性体と保護膜を順次形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法
において。
前記有機絶縁膜をマスクにして前記ギャップ材を反応ガ
スを用いたドライエツチングによって加工することによ
り得られる。
スを用いたドライエツチングによって加工することによ
り得られる。
基板」二に下地膜と下部磁性体とギャップ材と有機絶縁
膜とを所定の順序に従って形成し、前記有機絶縁膜をマ
スクにして前記ギャップ材をＣＩ−Ｉ Ｆ、、 ＣＨＦ
３． ＣＨ２Ｆ２． ＣＨ３Ｆ、 Ｃ２Ｈ３Ｆ、の内か
ら選ばれた反応ガス又はＣＦ４． Ｃ，ＦＣ。
膜とを所定の順序に従って形成し、前記有機絶縁膜をマ
スクにして前記ギャップ材をＣＩ−Ｉ Ｆ、、 ＣＨＦ
３． ＣＨ２Ｆ２． ＣＨ３Ｆ、 Ｃ２Ｈ３Ｆ、の内か
ら選ばれた反応ガス又はＣＦ４． Ｃ，ＦＣ。
Ｃ３ＦＢ、 ＳＦ、、及びＮＦ、、の内から選ばれたガ
スに５〜３０ＶｏＱ％の水素を添加した反応ガスを用い
てドライエツチングによって加工すると、」一部磁性体
と下部磁性体が接続する部分であるバックギャップ位置
でギャップ材の端面が下部磁性体番こ対し垂直又はほぼ
垂直になる。
スに５〜３０ＶｏＱ％の水素を添加した反応ガスを用い
てドライエツチングによって加工すると、」一部磁性体
と下部磁性体が接続する部分であるバックギャップ位置
でギャップ材の端面が下部磁性体番こ対し垂直又はほぼ
垂直になる。
更に薄膜磁気ヘッド前駆体において、上部磁性体と下部
磁性体がギャップ材を介して対向する部分であるフロン
トギャップ位置でギャップ材の端面が下部磁性体に対し
垂直又はほぼ垂直になる。
磁性体がギャップ材を介して対向する部分であるフロン
トギャップ位置でギャップ材の端面が下部磁性体に対し
垂直又はほぼ垂直になる。
このように薄膜磁気ヘッドのバックギャップ位置でギャ
ップ材の端面が下部磁性体に対し垂直又はほぼ垂直にな
ることにより、上部磁性体と下部磁性体の接触面積が最
大となり磁気抵抗が最小となり、薄膜磁気ヘッド前駆体
のフロン１−ギャップ位置で研磨加工するに当りギャッ
プ開きの開始位置を高精度で検出出来る。
ップ材の端面が下部磁性体に対し垂直又はほぼ垂直にな
ることにより、上部磁性体と下部磁性体の接触面積が最
大となり磁気抵抗が最小となり、薄膜磁気ヘッド前駆体
のフロン１−ギャップ位置で研磨加工するに当りギャッ
プ開きの開始位置を高精度で検出出来る。
本発明の実施例を図や表を用いて説明する。
第１図は本実施例の薄膜磁気ヘッドの製造工程の一部を
示した断面図である。
示した断面図である。
第１ａ図において、基板」−」−に下地膜２を介して、
結晶質磁性体、非晶質磁性体、または多層磁性膜からな
る下部磁性体３を形成、ギャップ材４のＡｆ１２０．の
形成、１層若しくは２層以上の多層コイルからなる導体
コイル５と導体コイル５相互間及び導体コイル５と下地
膜２．結晶質磁性体。
結晶質磁性体、非晶質磁性体、または多層磁性膜からな
る下部磁性体３を形成、ギャップ材４のＡｆ１２０．の
形成、１層若しくは２層以上の多層コイルからなる導体
コイル５と導体コイル５相互間及び導体コイル５と下地
膜２．結晶質磁性体。
非晶質磁性体、又は多層磁性膜からなる上部磁性体７と
の間を絶縁する有機絶縁膜６の形成を順次行う。有機絶
縁膜６はスピン塗布、熱硬化により形成され、ネガ型ホ
トレジストを用いたウエッ１−エツチングにより、３０
〜５０度のテーパ形状を持つようにパターニングされる
。
の間を絶縁する有機絶縁膜６の形成を順次行う。有機絶
縁膜６はスピン塗布、熱硬化により形成され、ネガ型ホ
トレジストを用いたウエッ１−エツチングにより、３０
〜５０度のテーパ形状を持つようにパターニングされる
。
第１ｂ図に示すように有機絶縁膜６をマスクとしてギャ
ップ材４のＡｆ１２０．をエツチングする。
ップ材４のＡｆ１２０．をエツチングする。
この方法はウェットエツチングによってもよいが。
素子への影響の少ないドライエツチングが望ましい。ギ
ャップ材４のＡＱ、０３を垂直に加工する為には、有機
絶縁膜６よりもギャップ材４のＡＱ２０３のエツチング
速度は出来るだけ速いほうが良し）。
ャップ材４のＡＱ、０３を垂直に加工する為には、有機
絶縁膜６よりもギャップ材４のＡＱ２０３のエツチング
速度は出来るだけ速いほうが良し）。
例えばイオンミリング装置を用い、ＣＨＦ３ガス、加速
電圧８００Ｖ、イオン電流０．１５Ａ、減速電圧１５０
Ｖ、イオン入射角０°、圧力２Ｘ１０ −４Ｔｏｒｒ
の条件でエツチングすると第２図からギャップ材４のＡ
ｌ２．Ｏ，と有機絶縁膜６のエツチング選択比は３：］
−程度になり、ギャップ材４のＡＱ２０３はパターニン
グされる。このように選択比の大きいガスを用いると有
機絶縁膜６のテーパ角は転写されずにギャップ材４のＡ
Ｑ、０３を垂直に加工することが出来る。なお、これら
の条件を±１０％の範囲内で変動してもよい。
電圧８００Ｖ、イオン電流０．１５Ａ、減速電圧１５０
Ｖ、イオン入射角０°、圧力２Ｘ１０ −４Ｔｏｒｒ
の条件でエツチングすると第２図からギャップ材４のＡ
ｌ２．Ｏ，と有機絶縁膜６のエツチング選択比は３：］
−程度になり、ギャップ材４のＡＱ２０３はパターニン
グされる。このように選択比の大きいガスを用いると有
機絶縁膜６のテーパ角は転写されずにギャップ材４のＡ
Ｑ、０３を垂直に加工することが出来る。なお、これら
の条件を±１０％の範囲内で変動してもよい。
なお、Ｃ，Ｆ、Ｈを含む他の単体ガスとして、ＣＨ２Ｆ
２．ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｈ３Ｆ、ＣＨＦ３ガスを用いても上
記と同様の結果が得られることを確認している。
２．ＣＨ３Ｆ、Ｃ２Ｈ３Ｆ、ＣＨＦ３ガスを用いても上
記と同様の結果が得られることを確認している。
第１ｃ図に示すように再び有機絶縁膜６をエツチングす
る。これはキャップ深さ加工停止点より有機絶縁膜６の
先端（ギャップ深さ１０のＯ位置）を後退させるためで
あり、有機絶縁膜６だけを選択的にエツチングすること
が出来る方法を選べばよい。例えばイオンミリング装置
を用い、０２ガス、加速電圧４００Ｖ、イオン電流０．
１５Ａ 、イオン入射角Ｏ０，圧力１．８Ｘ１０ −
４Ｔｏｒｒの条件で５分間エツチングすると有機絶縁膜
６はギャップ材４のＡｌ１２０３のパターンより２．５
〜３μｍ小さくなる。従って、第１ｄ図に示すＡ点が有
機絶縁膜６の先端点となり、ギャップ深さ１０のＯ位置
となる。
る。これはキャップ深さ加工停止点より有機絶縁膜６の
先端（ギャップ深さ１０のＯ位置）を後退させるためで
あり、有機絶縁膜６だけを選択的にエツチングすること
が出来る方法を選べばよい。例えばイオンミリング装置
を用い、０２ガス、加速電圧４００Ｖ、イオン電流０．
１５Ａ 、イオン入射角Ｏ０，圧力１．８Ｘ１０ −
４Ｔｏｒｒの条件で５分間エツチングすると有機絶縁膜
６はギャップ材４のＡｌ１２０３のパターンより２．５
〜３μｍ小さくなる。従って、第１ｄ図に示すＡ点が有
機絶縁膜６の先端点となり、ギャップ深さ１０のＯ位置
となる。
第１ｄ図に示すように、上部磁性体７．保護膜８を順次
形成し、薄膜磁気ヘッド素子が完成する。
形成し、薄膜磁気ヘッド素子が完成する。
第１ｄ図に示すＢ方向からギャップ深さ１０の加工を行
い、必要なギャップ長となる０点まで研磨することによ
り薄膜磁気ヘッドが完成する。
い、必要なギャップ長となる０点まで研磨することによ
り薄膜磁気ヘッドが完成する。
次に、本発明の方法を適用した他の製造方法について第
１ｂ図により説明する。前述の第１実施例とは、混合ガ
スによる点と有機絶縁膜６にホトレジストを用いた点で
相違している。第１ｂ図において、有機絶縁膜６のホト
レジストをマスクにして、ギャップ材４のＡＱ２０３を
エツチングする場合、ＣＦ、＋Ｈ２の混合ガスを用いた
イオンミリングを行なってもよい。
１ｂ図により説明する。前述の第１実施例とは、混合ガ
スによる点と有機絶縁膜６にホトレジストを用いた点で
相違している。第１ｂ図において、有機絶縁膜６のホト
レジストをマスクにして、ギャップ材４のＡＱ２０３を
エツチングする場合、ＣＦ、＋Ｈ２の混合ガスを用いた
イオンミリングを行なってもよい。
例えば、イオンミリング装置を用いて、ＣＦ４＋２０％
Ｈ２混合ガス、圧力２．４ Ｘ Ｉ Ｏ−−４Ｔｏｒｒ
、加速電圧８００■イオン電流０．１５Ａ、イオン入射
角０度の条件でエツチングすると、ギャップ材４のＡ
ｎ ２０ ａは下部磁性体３に対して８３°にパターニ
ングすることができる。本実施例によれば、安価なＣＦ
４とＨ２を用いることができるので製造コストの低減が
可能となる。なお、ＣＦ、以外の他のガスとしてＣ３Ｆ
ｌｌ、Ｃ２ＦＧ、ＳＦＧ、ＮＦ、等を用いても同様の効
果を示すことを確認している。
Ｈ２混合ガス、圧力２．４ Ｘ Ｉ Ｏ−−４Ｔｏｒｒ
、加速電圧８００■イオン電流０．１５Ａ、イオン入射
角０度の条件でエツチングすると、ギャップ材４のＡ
ｎ ２０ ａは下部磁性体３に対して８３°にパターニ
ングすることができる。本実施例によれば、安価なＣＦ
４とＨ２を用いることができるので製造コストの低減が
可能となる。なお、ＣＦ、以外の他のガスとしてＣ３Ｆ
ｌｌ、Ｃ２ＦＧ、ＳＦＧ、ＮＦ、等を用いても同様の効
果を示すことを確認している。
第２図は、ＣＨＦ３の反応性ガスをプラズマでイオン化
し、加速して試料に衝突させる一種の反応率イオンミリ
ングを行なった場合のＰＩＱ（０）とＡｎ、０３（Δ）
のそれぞれのエツチング速度の一例を示したものである
。第３図は、従来方法でＣＦ４ガスで反応性イオンミリ
ングを行なった場合の例を示したものである。この両図
から、ＣＦ４ガスの場合、Ａ Ｑ２０３７Ｐ Ｉ Ｑの
選択比は、約１．０で選択性はほとんどないが、ＣＨＦ
３ガスの場合（１）Ａ Ｑ２０３／Ｐ Ｉ Ｑ（１’）
選択比は約３．０とＣＦ４の３倍の選択が得られること
がわかる。これは、ＣＦ、ガスにＨ分子を含むＣＨＦ３
ガスは、Ｈが有機絶縁膜６の表面のポリマー化を加速さ
せるため、耐エツチング性が増し、ミリング速度が小さ
くなっていると考える。したがって、ＣＨＦ３は有機絶
縁膜６をマスクにしてＡΩ２０３を選択的にエツチング
できるので、ギャップ材４を垂直にパターニングできる
。これにより、ギヤツブ加−月一 工開始位置が高い精度で検出できるようになり加工精度
が著しく向上した。
し、加速して試料に衝突させる一種の反応率イオンミリ
ングを行なった場合のＰＩＱ（０）とＡｎ、０３（Δ）
のそれぞれのエツチング速度の一例を示したものである
。第３図は、従来方法でＣＦ４ガスで反応性イオンミリ
ングを行なった場合の例を示したものである。この両図
から、ＣＦ４ガスの場合、Ａ Ｑ２０３７Ｐ Ｉ Ｑの
選択比は、約１．０で選択性はほとんどないが、ＣＨＦ
３ガスの場合（１）Ａ Ｑ２０３／Ｐ Ｉ Ｑ（１’）
選択比は約３．０とＣＦ４の３倍の選択が得られること
がわかる。これは、ＣＦ、ガスにＨ分子を含むＣＨＦ３
ガスは、Ｈが有機絶縁膜６の表面のポリマー化を加速さ
せるため、耐エツチング性が増し、ミリング速度が小さ
くなっていると考える。したがって、ＣＨＦ３は有機絶
縁膜６をマスクにしてＡΩ２０３を選択的にエツチング
できるので、ギャップ材４を垂直にパターニングできる
。これにより、ギヤツブ加−月一 工開始位置が高い精度で検出できるようになり加工精度
が著しく向上した。
以上の結果により、Ｃ，Ｆ、Ｈを含む混合ガスを用いる
と、ＰＩＱをマスクにして、ＡＱ２０３を選択的にエツ
チングできることを明らかにした。
と、ＰＩＱをマスクにして、ＡＱ２０３を選択的にエツ
チングできることを明らかにした。
したがって、Ｆを含む反応性ガスにＨを加えても同様の
結果が得られており、これは前述の原理から当然の帰結
である。
結果が得られており、これは前述の原理から当然の帰結
である。
第４図は、ＣＦ４＋Ｈ２混合ガスでイオンミリングを行
なった場合のエツチング速度の例を示したものである。
なった場合のエツチング速度の例を示したものである。
第２図と比較してＨ２添加によりＡρ２０３／Ｐ Ｉ
Ｑの選択比が増大していることがわかる。ＣＦ、＋１０
％Ｈ２の場合のＡΩ２０３／ＰＩＱの選択比は、約１．
４である。ＣＦを含むガスへのＨ２添加量は５％以上と
しないと、有機絶縁膜６と八ρ２０３の選択比を１．２
以上にすることができないのでＨ２添加の効果がない。
Ｑの選択比が増大していることがわかる。ＣＦ、＋１０
％Ｈ２の場合のＡΩ２０３／ＰＩＱの選択比は、約１．
４である。ＣＦを含むガスへのＨ２添加量は５％以上と
しないと、有機絶縁膜６と八ρ２０３の選択比を１．２
以上にすることができないのでＨ２添加の効果がない。
Ｈ２添加量を増すと、有機絶縁膜６とＡＱ２０３との選
択比は増すが、３０％以上では選択比が１ ： ２．６
とほぼ一定となること、及びＡＱ２０３のイオンミリン
グ速度が低下するのでプロセス工程が長くなり不適当で
ある。更に、Ｈ２ガス取扱いの危険性からＨ２添加量は
３０％以下がよい。
択比は増すが、３０％以上では選択比が１ ： ２．６
とほぼ一定となること、及びＡＱ２０３のイオンミリン
グ速度が低下するのでプロセス工程が長くなり不適当で
ある。更に、Ｈ２ガス取扱いの危険性からＨ２添加量は
３０％以下がよい。
本実施例によれば、ギャップ材４を垂直にパタニングす
ることができるので、ギャップ深さｌＯの加工における
ギャップ開き位置が一定となり、ギャップ深さ１０の寸
法０．８μｍ以下で±０．２μｍの高精度が得られる。
ることができるので、ギャップ深さｌＯの加工における
ギャップ開き位置が一定となり、ギャップ深さ１０の寸
法０．８μｍ以下で±０．２μｍの高精度が得られる。
さらに、限られたバックギャップ内における上下磁性膜
の接続面積が増加するため、特に高周波領域での磁気抵
抗の低減により、Ｓ／Ｎ比が改善できる。これにより磁
気ディスクの記憶容量が１５ギガバイト／台以上の高記
録密度磁気ディスク装置に用いるのに好適な電磁気特性
の安定した高性能高記録密度用薄膜磁気ヘッドを高い歩
留りで製造できるようになった。また、実素子による並
び精度が良くなり、基板内の素子間の並び精度は問題に
ならなくなる。したがって、複数素子の多量同時切断が
可能になり、切断加工工程の大幅な短縮が図れる効果が
ある。
の接続面積が増加するため、特に高周波領域での磁気抵
抗の低減により、Ｓ／Ｎ比が改善できる。これにより磁
気ディスクの記憶容量が１５ギガバイト／台以上の高記
録密度磁気ディスク装置に用いるのに好適な電磁気特性
の安定した高性能高記録密度用薄膜磁気ヘッドを高い歩
留りで製造できるようになった。また、実素子による並
び精度が良くなり、基板内の素子間の並び精度は問題に
ならなくなる。したがって、複数素子の多量同時切断が
可能になり、切断加工工程の大幅な短縮が図れる効果が
ある。
本発明によればギャップ材をほぼ垂直にパタニングする
ことができるので、ギャップ加工の開始位置が一定とな
り、ギャップ深さ加工を高精度で行い、ギャップ深さ寸
法が均一な薄膜磁気ヘッドを製造することが出来る効果
がある。
ことができるので、ギャップ加工の開始位置が一定とな
り、ギャップ深さ加工を高精度で行い、ギャップ深さ寸
法が均一な薄膜磁気ヘッドを製造することが出来る効果
がある。
更にバックギャップもほぼ垂直にパターニングすること
ができるので、磁性体の接触面積が増大して磁気抵抗が
低減しＳ／Ｎ比を改善出来る効果がある。
ができるので、磁性体の接触面積が増大して磁気抵抗が
低減しＳ／Ｎ比を改善出来る効果がある。
第１ａ図から第１ｄ図は本発明の実施例に係る薄膜磁気
ヘッドの各製造工程における縦断面図、第２図は本発明
の実施例に係るギャップ材対有機絶縁膜とのミリングレ
ートを示す特性図、第３図は従来技術に係るギャップ材
対有機絶縁膜とのミリングレートを示す特性図、第４図
は本発明の他の実施例に係るギャップ材対有機絶縁膜と
のミリングレートを示す特性図である。 １・・・基板、２・・下地膜、３・・・下部磁性体。 ４ ・ギャップ材、５・・・導体コイル。 ６・・・有機絶縁膜、７・・・上部磁性体。 ８・・・保護膜、９・・・バックギャップ。 １０・・・ギャップ深さ
ヘッドの各製造工程における縦断面図、第２図は本発明
の実施例に係るギャップ材対有機絶縁膜とのミリングレ
ートを示す特性図、第３図は従来技術に係るギャップ材
対有機絶縁膜とのミリングレートを示す特性図、第４図
は本発明の他の実施例に係るギャップ材対有機絶縁膜と
のミリングレートを示す特性図である。 １・・・基板、２・・下地膜、３・・・下部磁性体。 ４ ・ギャップ材、５・・・導体コイル。 ６・・・有機絶縁膜、７・・・上部磁性体。 ８・・・保護膜、９・・・バックギャップ。 １０・・・ギャップ深さ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に下地膜と下部磁性体とギャップ材と有機絶
縁膜と導体コイルと上部磁性体と保護膜を具備する薄膜
磁気ヘッドにおいて、前記上部磁性体と前記下部磁性体
が接続する部分であるバックギャップ位置の前記ギャッ
プ材の端面を前記下部磁性体に対し垂直又はほぼ垂直に
形成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 ２、基板上に下地膜と下部磁性体とギャップ材と有機絶
縁膜と導体コイルと上部磁性体と保護膜を具備する薄膜
磁気ヘッド前駆体において、前記上部磁性体と前記下部
磁性体が前記ギャップ材を介して対向する部分であるフ
ロントギャップ位置で前記ギャップ材の端面を前記下部
磁性体に対し垂直又はほぼ垂直に形成したことを特徴と
する薄膜磁気ヘッド。３、前記ギャップ材の前記下部磁
性体に対する角度が前記有機絶縁膜の前記下部磁性体に
対する角度より大きい請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド
。 ４、前記上部磁性体及び下部磁性体は結晶質磁性体、非
晶質磁性体、又は多層磁性体から選ばれた１種である請
求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。 ５、前記有機絶縁膜はポリイミド系樹脂又はホトレジス
トの何れか１種又はポリイミド系樹脂とホトレジストの
組合せ構造である請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。 ６、磁気ディスクに体して情報の書き込み又は読み取り
を行う手段として用いることを特徴とする請求項１に記
載の薄膜磁気ヘッド。 ７、前記磁気ディスクの記憶容量が１５ギガバイト／台
以上の高記録密度磁気ディスク装置に用いる請求項１に
記載の薄膜磁気ヘッド。 ８、基板上に下地膜と下部磁性体とギャップ材と有機絶
縁膜と導体コイルと上部磁性体と保護膜を順次形成する
薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記有機絶縁膜を
マスクにして前記ギヤップ材を反応ガスを用いたドライ
エッチングによって加工することを特徴とする薄膜磁気
ヘッドの製造方法。 ９、前記反応ガスとしてＣＨＦ＿２、ＣＨＦ＿３、ＣＨ
＿２Ｆ＿２、ＣＨ＿３Ｆ、Ｃ＿２Ｈ＿３Ｆ、の内から選
ばれたガスを用いる請求項８に記載の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。１０、前記反応ガスとしてＣＦ＿４、Ｃ＿２
Ｆ＿６、Ｃ＿３Ｆ＿８、ＳＦ＿６、及びＮＦ＿３、の内
から選ばれたガスに水素を添加したガスを用いる請求項
８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 １１、前記水素の混合比率は５〜３０Ｖｏｌ％である請
求項１０に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 １２、前記反応ガスを用いてドライエッチングする為の
イオンミリング条件は、加速電圧８００Ｖ、イオン電流
０．１５Ａ、減速電圧１５０Ｖ、イオン入射角０°、圧
力２×１０＾−＾４Ｔｏｒｒ或はそれらの±１０％前後
の範囲である請求項８から請求項１１のいずれかに記載
の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20984388A JPH0810482B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20984388A JPH0810482B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0258718A true JPH0258718A (ja) | 1990-02-27 |
| JPH0810482B2 JPH0810482B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=16579540
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20984388A Expired - Fee Related JPH0810482B2 (ja) | 1988-08-24 | 1988-08-24 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810482B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282776B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-09-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| US6510024B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-01-21 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
-
1988
- 1988-08-24 JP JP20984388A patent/JPH0810482B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282776B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-09-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| US6510024B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-01-21 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0810482B2 (ja) | 1996-01-31 |
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