JPH0258802A - 白金測温抵抗体及びその製造方法 - Google Patents

白金測温抵抗体及びその製造方法

Info

Publication number
JPH0258802A
JPH0258802A JP63210318A JP21031888A JPH0258802A JP H0258802 A JPH0258802 A JP H0258802A JP 63210318 A JP63210318 A JP 63210318A JP 21031888 A JP21031888 A JP 21031888A JP H0258802 A JPH0258802 A JP H0258802A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
platinum
film
substrate
resistance
platinum film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63210318A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Takeuchi
寛 竹内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP63210318A priority Critical patent/JPH0258802A/ja
Publication of JPH0258802A publication Critical patent/JPH0258802A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は温度センサとして用いられる白金を主成分とす
る白金測温抵抗体及びその製造方法に関するものである
従来の技術 白金は化学的て安定で高純艶のものが得られ易く、シか
も電気抵抗の温度依存性が大きいという理由で、@度セ
ンサ材料として古くから用いられている。極1刑の白金
線をマイカ等の絶縁体に葆旋状に巻き付けた状態で保護
管に挿入した形のものは、広く測呂抵抗体として実用さ
れ、JISC−1604に詳訓に規格が決められている
。この種の白金抵抗体は、高精度である反面、 ■ 機械的強度が弱い。
■ 構造上、製造に手間がかかる。
■ 形状が大きい。
■ 高価である。
等多くの欠点を有していた。
これらの欠点を無くしたものが、厚膜もしくは薄膜の白
金を用いた測温抵抗体で、近年盛んに開発され、一部市
販されている。しかし、厚膜白金測@抵抗体は、ヌクリ
ーン印刷技術によるため、100μm以下の微細パター
ンが困難で、#運上のばらつきが犬きく、その材料成分
の関係上、高いTCR特性が潜られにくい等の欠点を有
してぃる。一方、薄膜白金測温抵抗体は。
■ パターンの微、剤化が容易なだめ、小型化を計るこ
とが出来、丈高抵抗化による高感度化を達成することが
出来る。
■ 悸賊的強度が強い。
■ ウェハー処理によってバラツキを小さくする事が出
来、量産に適し、低価格化が可能である。
等の利点を有する。
薄膜白金による測温抵抗体の製造方法としては。
まず、真空蒸着法、スパッタリング法等により絶禄基板
上に数千オングストローム厚の白金膜、・漢を生成し、
湿式エツチング法、ヌパッタエッチング法などでこの白
金薄、摸を微細パターン化し、大気中で800〜140
0’Cの高温熱処理を施すのが−V的である。その後、
トリミングによる抵抗値調整、チップ化、リード線取り
付けを行って測温抵抗体とする。
しかし、このような方法で作成した白金薄膜の温度係数
は、バルクの抵抗温度係数に比べてかなり小さい1直を
示す。その理由としては以下のようなことが考えられる
即ち、このような薄膜の材料としての特徴の中で物性に
大きく影冴するものに、サイズ効果と構造欠陥がある。
サイズ効果とは、薄膜の中の電子の非弾性散乱によシ、
実効的だ電子の平均自由工程が減少したことに起因する
いわゆる電子の輸送現象に現れる影響である。特に膜厚
が電子の平均自由行程と同程度かそれ以下である時には
影響が顕著になる。
また、薄膜の生成課程は、多かれ少なかれ薄膜物質とは
無関係な気体分子やイオンが存在している空間中で、気
層から固層への急激な凝集を伴うことが多いため、薄膜
中には空孔、格子間原子。
各種の私立、格子欠陥、結晶粒界など結晶に固有のあら
ゆる構造欠陥が導入されると共に、異種原子や異種分子
が不純物として混入し、電子の散乱原因となる。
これらの影響のために、薄膜の比抵抗はバルクに比べて
大きくなる等の特徴が現れ、従って白金薄膜の抵抗温度
係数は、バルクに比べて低くなり。
薄膜白金の測l見低抗体としての感度が低下する原因と
なっている。
これを改善するため、白金測温抵抗体の製造方法で・は
前述のように熱処理を施すが、生成した白金の膜厚が1
μm以下の場合には熱処理温度が1100℃を毬すと熱
処理中に白金膜が凝集して島状の不均一な膜になり測温
抵抗体としての特性が得られなかった。
このため高い抵抗温度係数を安定して得るためには白金
の、膜厚を1μm以上にしなければならず、材料半固の
高い白金を厚く生成することは工業的に満足できるもの
ではなかった。
発明が解決しようとする課題 本発明は上記従来技術の欠点を解消し、薄い白金膜で高
い抵抗温度係数を有する白金測温抵抗体を提供すること
を目的とする。
課題を解決するための手段 本発明者らは白金、摸を生成する基板の種類、構造を種
々検討した結果、基体の表面VcT102層を形成し、
その表面に生成した白金膜は他の基板材料の場合に比べ
薄い膜厚で高い抵抗温度係数が得られることを見い出し
だものである。
作用 表−1は本発明よシ成る基本上に形成したTiO2層の
上に生成した白金膜と、基板上に直接生成した白金膜の
熱処理後の結晶性をX線回折法により比較した結果を示
したものである。
表−1に示すように本発明よりなる白金膜は(111)
面Dピーク強度が強く、半値11@も小さくなっており
、共に配向性が高いことが解る。このように本発明によ
れば熱処理によって白金膜の結晶性が高まる結果、TC
R特性が改善されるのである。
表−1X線回折法による白金薄膜の解析結果(熱処理後
)実施例 以下1図面と共に本発明を具体的に説明する。
(実施例−1) 第1図は本発明の第1の実施例を示す白金測温抵抗体の
断面図で、第2図c&)〜(c)は第1図の測温抵抗体
の製造段階における断面図である。
ム120.基F!i、11の表面にスパッタリング法に
より(I X 10−6(Torr)に排気後、 6X
10−’(Torr)迄02ガスを注入し、400 (
W)の電力で約1μmのTie2膜12全12しだ後(
第2図2L)、その表面に真空蒸着法、スパッタリング
法などによシTiO□膜12上に04〜1.6μmの白
金膜13を生成する(第2図b)。
白金膜13を所望形状にパターニングした後(第2図C
)、9oO〜950′Cで熱処理を行いトリミングによ
る抵抗値調整後1個片に分割し。
リード線14を接続する。
(実施例−2) 第3図は本発明の第2の実施例を示す白金測温抵抗体の
断面図である。
実施例−1と同様、ム4203  基板11の表面にス
パッタリング法により(I X 10−6(Torr 
)に排気後、6×1O−3(Torr)迄0□ガスを注
入し。
400 (W)の電力で約1 μmのTiO□膜12を
生成した後、その表面に真空蒸着法、スパッタリング法
等によりTiO2膜12上に0.4〜1.6μmの白金
膜13を生成した後、白金膜13をTiO2膜12と共
に所望形状にパターニングL、900〜960℃で熱処
理を行い、トリミングによる抵抗値調整後1個片に分割
し、リード線14を接続する。
(実施例−3) 第4図は本発明の第3の実施例を示す白金測温抵抗体の
断面図である。
チタニウム(Ti )基板16を入れた反応室を(I 
X 10″′’(Torr)迄排気後、4 X 1O−
2(Torr)迄02を注入し、3oo℃に加熱したT
i基板15に1.5 KVの直流電圧を印加してイオン
酸化法により表面に厚さ約1μmのTiO□膜を生成し
た後。
その表面に真空蒸着法、スパッタリング法等によりT1
基板15上に0.4〜1.6 μmの白金膜13を生成
し、白金膜13をTiO□層と共に所望形状にパターニ
ング後、9oO〜5eso’cで熱処理を行い、トリミ
ングによる抵抗値調整後1個片に分割し、リード線14
を接続する。
(実施例−4) 第5図は本発明の第4の実施例を示す白金測温抵抗体の
断面図である。
チタニア(T102)基板16の表面にその表面に真空
蒸着法、スパッタリング法等によりTiO2基板16上
に0.4〜1.6μmの白金ノ摸13を生成した後、白
金膜13を所望形状にパターニングし。
900〜950℃で熱処理を行い、トリミングによる抵
抗値調整後1個片に分割し、リード線14を接続する。
(比較例) 第6図は本発明の比較例を示す白金測温抵抗体の断面図
である。
ム1205 基板11の表面に真空蒸着法、スパッタリ
ング法等によシ基板上に0.4〜1.6/Amの白金膜
13を生成した後、白金膜13を所望形状にパターニン
グした後、900〜960℃で熱処理を行い、トリミン
グによる抵抗1直調整後1個片に分割し、リード線14
を接続する。
得られた白金測温抵抗体の両端より電流を流し。
o’C〜100°Cの温度間における抵抗値の変化を測
定し抵抗温度係2孜(TCR)を測定した結果。
表−2に示すように本発明よりなる白金測温抵抗体はT
iO2層を用いない従来の物に比べ高い値を得ることが
出来る。
表−2本発明の基板材料とTICR特性の関係(白金膜
厚0.4μ)また、これらの実施例−1,2,3,4,
比較例における白金測温抵抗体について、白金の膜厚と
TCRとの関係を調べると第7図のようになり、本発明
によれば、薄い白金膜でも高いTCRを得ることが出来
る。
発明の効果 以上のように本発明によれば、白金薄膜は、従来よシも
薄い漢で高い抵抗温度係数が安定して得られ、材料単価
の高い白金の使用量を低減し、高感度の薄膜白金測温抵
抗体を安価に提供し得るものである。
また1本発明による別の効果として基板の基体が自由に
選択できるため基板の熱容量、比熱等の熱特性の制御が
可能となり、測温抵抗体に求められる第二の特性である
熱応答性の向上が容易に出来、安圃で高性能な測温抵抗
体を提供することが可能となる。尚1本発明の効果の一
例としてTiO□層を形成した効果を絶碌性基体(ム1
203)上にTlO2層を形成した基板の例で説明した
が、基体が半導体(例えばS工等)、導体(例えばム5
.Ti等)の場合でも同様の効果を得ることが出来る。
またTiO□層の形成方法、白金膜の生成方法について
も本発明の実施例に限定されるものではない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例による白金測温抵抗体の
断面図、第2図aNCは第1図の白金測温抵抗体の製造
段階における断面図、第3図は本発明の第2の実施例に
よる白金測温抵抗体の断面図、第4図は本発明の第3の
実施例による白金測温抵抗体の断面図、第6図は本発明
の第4の実施例を示す白金測温抵抗体の断面図、第6図
は本発明の比較例を示す白金測温抵抗体の断面図、第7
図1ま本発明の実施例、比較例よりなる白金測温抵抗体
の抵抗温度係数(TCR)と白金膜厚の関係を示す特性
図である。 11・・・・・・ムC203基板、12・・・・・Ti
O□膜、13・・・・・白金膜、15・・・・・・Ti
基板、16・・・・・・TiO□基板。 代理人の氏名 弁理士 粟 野 重 孝 ほか1名1 
図 第3図 第4図 2図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基体の表面に異種の絶縁層を形成し、その絶縁層
    上に白金膜を生成し、前記絶縁層を酸化チタニウム(T
    iO_2)で構成したことを特徴とする白金測温抵抗体
  2. (2)基板を酸化チタニウム(TiO_2)で構成した
    ことを特徴とする請求項1記載の白金測温抵抗体。
  3. (3)基体上に酸化チタニウム(TiO_2)層、白金
    膜を順次形成した後、白金膜とTiO_2層を同一形状
    にパターニングしたことを特徴とする白金測温抵抗体の
    製造方法。
JP63210318A 1988-08-24 1988-08-24 白金測温抵抗体及びその製造方法 Pending JPH0258802A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63210318A JPH0258802A (ja) 1988-08-24 1988-08-24 白金測温抵抗体及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63210318A JPH0258802A (ja) 1988-08-24 1988-08-24 白金測温抵抗体及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0258802A true JPH0258802A (ja) 1990-02-28

Family

ID=16587440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63210318A Pending JPH0258802A (ja) 1988-08-24 1988-08-24 白金測温抵抗体及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0258802A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007243173A (ja) * 2006-02-09 2007-09-20 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 積層体、薄膜センサ及び薄膜センサモジュール

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007243173A (ja) * 2006-02-09 2007-09-20 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 積層体、薄膜センサ及び薄膜センサモジュール

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004319737A (ja) サーミスタ用材料及びその製造方法
JPS62158311A (ja) 薄いフイルム コンデンサおよびその製造方法
JPH0590011A (ja) 感温抵抗体及びその製造方法
JPH0258802A (ja) 白金測温抵抗体及びその製造方法
US3503030A (en) Indirectly-heated thermistor
JPH053895B2 (ja)
JPH11271145A (ja) ボロメータ用検知膜とその製造方法、及びボロメータ素子
CN114807859A (zh) 一种高电阻温度系数铂薄膜及其制备方法
JPS61181104A (ja) 白金測温抵抗体
JPH0258801A (ja) 白金測温抵抗体及びその製造方法
KR101121399B1 (ko) 서미스터 박막 및 그 형성 방법
Song et al. Growth of ultra thin vanadium dioxide thin films using magnetron sputtering
JP2002118004A (ja) 感温抵抗変化膜およびその製造方法並びに感温抵抗変化膜を用いた赤外線センサ
JPH0340483B2 (ja)
Zhu et al. Electrical properties of ferroelectric (solid solution
JPS62159401A (ja) 測温抵抗体
JP3455146B2 (ja) 感温材料膜の製造方法および当該製造方法により製造される感温材料膜を利用した遠赤外線センサ
JPS59141427A (ja) 強誘電体薄膜
JP2582290B2 (ja) インジウム薄膜測温抵抗体
TWI801222B (zh) 多元合金材料層、其製造方法及半導體裝置的電容結構
Koshy The resistivity and temperature coefficient of resistivity of polycrystalline rhodium thin films
JP2919864B2 (ja) No▲下2▼センサ及びその製造方法
JPH01134901A (ja) サーミスタ
JPH0342683B2 (ja)
JP2000321124A (ja) 酸化バナジウム薄膜の形成方法及び酸化バナジウム薄膜を用いたボロメータ型赤外線センサ