JPH0260072B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0260072B2 JPH0260072B2 JP60133798A JP13379885A JPH0260072B2 JP H0260072 B2 JPH0260072 B2 JP H0260072B2 JP 60133798 A JP60133798 A JP 60133798A JP 13379885 A JP13379885 A JP 13379885A JP H0260072 B2 JPH0260072 B2 JP H0260072B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- connector
- solar cell
- silicon layer
- vapor deposition
- silicon wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
- H10F19/90—Structures for connecting between photovoltaic cells, e.g. interconnections or insulating spacers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この発明は太陽電池の製造方法に関し、特にコ
ネクタ付きの太陽電池の製造方法に関する。
ネクタ付きの太陽電池の製造方法に関する。
(ロ) 従来の技術
従来の太陽電池１００ａの製造方法は、一般に
以下に述べる通りに行なわれていた（第７図、第
８図に示す）。
以下に述べる通りに行なわれていた（第７図、第
８図に示す）。
まず、シリコン母材を用意し、これに不純物を
ドーピングすることでＮ型シリコン層１ａとＰ型
シリコン層２ａの積層状態とする。ここで、３ａ
はPN接合部である。次に、Ｎ型シリコン層１ａ
上面の所定位置に蒸着マスク４ａをかぶせ、蒸着
によりＮ電極５ａを形成付設する。更に、Ｐ型シ
リコン層２ａの底面にＰ電極７ａを蒸着により形
成付設する。最後にＮ電極５ａに、モジユール化
のためのインターコネクタ６ａを溶接により付設
して製造していた。
ドーピングすることでＮ型シリコン層１ａとＰ型
シリコン層２ａの積層状態とする。ここで、３ａ
はPN接合部である。次に、Ｎ型シリコン層１ａ
上面の所定位置に蒸着マスク４ａをかぶせ、蒸着
によりＮ電極５ａを形成付設する。更に、Ｐ型シ
リコン層２ａの底面にＰ電極７ａを蒸着により形
成付設する。最後にＮ電極５ａに、モジユール化
のためのインターコネクタ６ａを溶接により付設
して製造していた。
(ハ) 発明が解決しようとする問題点
しかし、この方法は、コネクタを別個に溶接に
よつて付設するので、製造工程数が多く、又、電
極とコネクタとの位置合せがむつかしいという問
題点もあつた。
よつて付設するので、製造工程数が多く、又、電
極とコネクタとの位置合せがむつかしいという問
題点もあつた。
この発明はこの問題点に鑑みてなされたもの
で、太陽電池の簡便な製造方法を提供するもので
ある。
で、太陽電池の簡便な製造方法を提供するもので
ある。
(ニ) 問題点を解決するための手段
この発明は、電極の蒸着時にコネクタを一体に
付設するものである。
付設するものである。
その詳細な構成は、Ｎ型シリコン層とＰ型シリ
コン層とからなるシリコンウエハ面に電極を蒸着
形成するに際し、シリコンウエハに当接するよう
にコネクタ形成板を並設し、シリコンウエハとコ
ネクタ形成板上の所定位置にマスキング材料を設
けた状態において導電性材料を蒸着し、その後コ
ネクタ形成板とマスキング材料を取り除き、電極
とともにシリコンウエハから側方に突出するコネ
クタを一体に形成することを特徴とする太陽電池
の製造方法である。
コン層とからなるシリコンウエハ面に電極を蒸着
形成するに際し、シリコンウエハに当接するよう
にコネクタ形成板を並設し、シリコンウエハとコ
ネクタ形成板上の所定位置にマスキング材料を設
けた状態において導電性材料を蒸着し、その後コ
ネクタ形成板とマスキング材料を取り除き、電極
とともにシリコンウエハから側方に突出するコネ
クタを一体に形成することを特徴とする太陽電池
の製造方法である。
(ホ) 実施例
この発明を図面とともに実施例によつて詳述す
るが、これによつてこの発明が限定されるもので
はない。
るが、これによつてこの発明が限定されるもので
はない。
まず、Ｐ型シリコン層（シリコン母材）の上面
に不純物をドーピングすることによつて、Ｐ型シ
リコン層２にＮ型シリコン層１が積層状態となつ
たシリコンウエハＸを得る。尚、３はPN接合面
である。
に不純物をドーピングすることによつて、Ｐ型シ
リコン層２にＮ型シリコン層１が積層状態となつ
たシリコンウエハＸを得る。尚、３はPN接合面
である。
このようにして得られたシリコンウエハＸのＰ
型シリコン層２の底面に蒸着によりＰ電極７を形
成する。次に、Ｎ電極５を蒸着形成するに際し、
第１図に示すようにシリコンウエハＸの一側部８
にコネクタ形成板なるサポータ９を当接するよう
に並設する。
型シリコン層２の底面に蒸着によりＰ電極７を形
成する。次に、Ｎ電極５を蒸着形成するに際し、
第１図に示すようにシリコンウエハＸの一側部８
にコネクタ形成板なるサポータ９を当接するよう
に並設する。
このサポータ９は、蒸着によるインターコネク
タ６の底面を規定するとともに、蒸着により形成
中のインターコネクタ６を支えるものである。な
お、サポータ９は、例えばフツ素樹脂をコーテイ
ングした金属からできており、形成されるインタ
ーコネクタ６との剥離が容易で、また真空中にお
いてガス放出の少ないものである。
タ６の底面を規定するとともに、蒸着により形成
中のインターコネクタ６を支えるものである。な
お、サポータ９は、例えばフツ素樹脂をコーテイ
ングした金属からできており、形成されるインタ
ーコネクタ６との剥離が容易で、また真空中にお
いてガス放出の少ないものである。
更に、Ｎ型シリコン層１の上面およびサポータ
９の上面に蒸着マスク４をセツトする。蒸着マス
ク４は、Ｎ型シリコン層１の受光部分を覆うとと
もに所定形状のインターコネクタ６が得られる形
状となつている。
９の上面に蒸着マスク４をセツトする。蒸着マス
ク４は、Ｎ型シリコン層１の受光部分を覆うとと
もに所定形状のインターコネクタ６が得られる形
状となつている。
ここで、所定の厚さになるまで導電性材料の蒸
着（矢印方向）を行なうと、Ｎ型シリコン層１の
上面にＮ電極５が形成され、さらにこのＮ電極５
と一体に側方に突出するインターコネクタ６が形
成付設される。
着（矢印方向）を行なうと、Ｎ型シリコン層１の
上面にＮ電極５が形成され、さらにこのＮ電極５
と一体に側方に突出するインターコネクタ６が形
成付設される。
最後に、蒸着マスク４およびサポータ９のセツ
ト状態を解く。ここで、第２図に示すような太陽
電池１００を得ることができる。
ト状態を解く。ここで、第２図に示すような太陽
電池１００を得ることができる。
この太陽電池は、その製造過程でＮ電極にコネ
クタを溶接して付設するという煩雑な工程を省略
しており、製造が簡便となつている。また、Ｎ電
極とコネクタを一体化しており、従来のようにそ
れらの溶接のための接合面を広くとる必要がない
ので、Ｎ型シリコン層１を広く受光面に使え発電
効果をあげている。
クタを溶接して付設するという煩雑な工程を省略
しており、製造が簡便となつている。また、Ｎ電
極とコネクタを一体化しており、従来のようにそ
れらの溶接のための接合面を広くとる必要がない
ので、Ｎ型シリコン層１を広く受光面に使え発電
効果をあげている。
蒸着マスク４およびサポータ９の形状と、これ
らのセツト位置とを変えることにより、Ｎ電極５
およびインターコネクタ６は適宜所定の形状とす
ることができる。
らのセツト位置とを変えることにより、Ｎ電極５
およびインターコネクタ６は適宜所定の形状とす
ることができる。
又、蒸着マスク４およびサポータ９の形状を変
えることにより、ストレスリリーフ機能を有する
インターコネクタ６を得ることができる。
えることにより、ストレスリリーフ機能を有する
インターコネクタ６を得ることができる。
例えば第３図に示す蒸着マスク４′を用いて蒸
着を行なう。この蒸着マスク４′はマスク開口部
１０でインターコネクタに対応する部分に細長い
突出部１１を有している。なお、１２はマスク開
口１０でインターコネクタ６に対応する部分であ
る。よつて、この蒸着マスク４′を用いると、第
４図に示す太陽電池１００′を得ることができる。
この太陽電池１００′は、インターコネクタ６に
切込み部１３が形成されている。よつて、この太
陽電池１００′では矢印Ａ方向の力が加わつても、
この切込み部１３がストレスリリーフ機能を示
し、破損などの問題が生じない。
着を行なう。この蒸着マスク４′はマスク開口部
１０でインターコネクタに対応する部分に細長い
突出部１１を有している。なお、１２はマスク開
口１０でインターコネクタ６に対応する部分であ
る。よつて、この蒸着マスク４′を用いると、第
４図に示す太陽電池１００′を得ることができる。
この太陽電池１００′は、インターコネクタ６に
切込み部１３が形成されている。よつて、この太
陽電池１００′では矢印Ａ方向の力が加わつても、
この切込み部１３がストレスリリーフ機能を示
し、破損などの問題が生じない。
又、第５図に示すように、凸部分１４を持つサ
ポータ９′を用いると、第６図に示す太陽電池１
００″が得られる。この太陽電池１００″は、矢印
Ｂ方向に対してインターコネクタ６の凸部分１４
でやはりストレスリリーフ機能を有し、インター
コネクタ６の破損が起きにくくなつている。
ポータ９′を用いると、第６図に示す太陽電池１
００″が得られる。この太陽電池１００″は、矢印
Ｂ方向に対してインターコネクタ６の凸部分１４
でやはりストレスリリーフ機能を有し、インター
コネクタ６の破損が起きにくくなつている。
(ト) 発明の効果
この発明によればコネクタが電極と一体に形成
されるので製造工程数が減少され、またシリコン
ウエハ面上に従来のように広い電極とコネクタと
の接合面を必要としないので、得られる太陽電池
は広い受光面積を備え発電効率が良いものとな
る。
されるので製造工程数が減少され、またシリコン
ウエハ面上に従来のように広い電極とコネクタと
の接合面を必要としないので、得られる太陽電池
は広い受光面積を備え発電効率が良いものとな
る。
第１図はこの発明の製造方法の一実施例を説明
する説明図、第２図はその製造方法によつて得ら
れる太陽電池の側面図、第３図はその製造方法で
用いる蒸着マスクの他の例を示す平面図、第４図
はこれを用いて得られた太陽電池の平面図、第５
図は他の実施例を説明する第１図相当図、第６図
はこれによつて得られた太陽電池の側面図、第７
図は従来例を説明する第１図相当図、第８図は従
来の太陽電池の側面図である。 １００……太陽電池、Ｘ……シリコンウエハ、
１……Ｎ型シリコン層、２……Ｐ型シリコン層、
３……PN接合部、４……蒸着マスク（マスキン
グ材料）、５……Ｎ電極、６……インターコネク
タ（コネクタ）、７……Ｐ電極、８……側部、９
……サポータ（コネクタ形成板）、１０……マス
ク開口部、１１……突出部、１２……コネクタ対
応部、１３……切込み部、１４，１５……凸部
分。
する説明図、第２図はその製造方法によつて得ら
れる太陽電池の側面図、第３図はその製造方法で
用いる蒸着マスクの他の例を示す平面図、第４図
はこれを用いて得られた太陽電池の平面図、第５
図は他の実施例を説明する第１図相当図、第６図
はこれによつて得られた太陽電池の側面図、第７
図は従来例を説明する第１図相当図、第８図は従
来の太陽電池の側面図である。 １００……太陽電池、Ｘ……シリコンウエハ、
１……Ｎ型シリコン層、２……Ｐ型シリコン層、
３……PN接合部、４……蒸着マスク（マスキン
グ材料）、５……Ｎ電極、６……インターコネク
タ（コネクタ）、７……Ｐ電極、８……側部、９
……サポータ（コネクタ形成板）、１０……マス
ク開口部、１１……突出部、１２……コネクタ対
応部、１３……切込み部、１４，１５……凸部
分。
Claims (1)
- １ Ｎ型シリコン層とＰ型シリコン層とからなる
シリコンウエハ面に電極を蒸着形成するに際し、
シリコンウエハに当接するようにコネクタ形成板
を並設し、シリコンウエハとコネクタ形成板上の
所定位置にマスキング材料を設けた状態において
導電性材料を蒸着し、その後コネクタ形成板とマ
スキング材料を取り除き、電極とともにシリコン
ウエハから側方に突出するコネクタを一体に形成
することを特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60133798A JPS61292380A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60133798A JPS61292380A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61292380A JPS61292380A (ja) | 1986-12-23 |
| JPH0260072B2 true JPH0260072B2 (ja) | 1990-12-14 |
Family
ID=15113270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60133798A Granted JPS61292380A (ja) | 1985-06-19 | 1985-06-19 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61292380A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3511082A1 (de) * | 1985-03-27 | 1986-10-02 | Telefunken electronic GmbH, 7100 Heilbronn | Solarzelle |
| JP2512188B2 (ja) * | 1990-02-27 | 1996-07-03 | 三菱電機株式会社 | Ｓｉ基板上化合物半導体光電変換素子 |
| US5100808A (en) * | 1990-08-15 | 1992-03-31 | Spectrolab, Inc. | Method of fabricating solar cell with integrated interconnect |
| JP2009130116A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Sharp Corp | 素子間配線部材、光電変換素子およびこれらを用いた光電変換素子接続体ならびに光電変換モジュール |
-
1985
- 1985-06-19 JP JP60133798A patent/JPS61292380A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61292380A (ja) | 1986-12-23 |
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