JPH0260163B2 - - Google Patents
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- JPH0260163B2 JPH0260163B2 JP59133641A JP13364184A JPH0260163B2 JP H0260163 B2 JPH0260163 B2 JP H0260163B2 JP 59133641 A JP59133641 A JP 59133641A JP 13364184 A JP13364184 A JP 13364184A JP H0260163 B2 JPH0260163 B2 JP H0260163B2
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- laser
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- semiconductor
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- Facsimile Scanning Arrangements (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
(発明の分野)
本発明は半導体レーザから射出されたレーザビ
ームを機械式の光偏向器により走査する半導体レ
ーザ走査装置、特に詳細には高エネルギーの走査
ビームが得られ、しかも走査ビームの走査線と直
交する方向のずれを補正可能にした半導体レーザ
走査装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of the Invention) The present invention relates to a semiconductor laser scanning device that scans a laser beam emitted from a semiconductor laser using a mechanical optical deflector. Moreover, the present invention relates to a semiconductor laser scanning device that is capable of correcting deviations of a scanning beam in a direction perpendicular to a scanning line.
(発明の技術的背景および先行技術)
従来より、光ビームを光偏向器により偏向して
走査する光ビーム走査装置が、例えば各種走査記
録装置、走査読取装置等において広く実用に供さ
れている。このような光ビーム走査装置において
光ビームを発生する手段の1つとして、半導体レ
ーザが従来から用いられている。この半導体レー
ザは、ガスレーザ等に比べれば小型、安価で消費
電力も少なく、また駆動電流を変えることによつ
て直接変調が可能である等、数々の長所を有して
いる。(Technical Background and Prior Art of the Invention) Conventionally, light beam scanning devices that scan a light beam by deflecting it with an optical deflector have been widely put into practical use, for example, in various scanning recording devices, scanning reading devices, and the like. A semiconductor laser has conventionally been used as one of the means for generating a light beam in such a light beam scanning device. This semiconductor laser has many advantages, such as being smaller, cheaper, and consumes less power than gas lasers, and can be directly modulated by changing the drive current.
しかしながら、その反面この半導体レーザは、
連続発振させる場合には現状では出力がたかだか
20〜30mwと小さく、したがつて高エネルギーの
走査光を必要とする光ビーム走査装置、例えば感
度の低い記録材料(金属膜、アモルフアス膜等の
DRAW材料等)に記録する走査記録装置等に用
いるのは極めて困難である。 However, on the other hand, this semiconductor laser
Currently, the output is at most when generating continuous oscillation.
Light beam scanning devices that are small (20 to 30 mw) and therefore require high-energy scanning light, such as recording materials with low sensitivity (metal films, amorphous films, etc.)
It is extremely difficult to use it in scanning recording devices that record on DRAW materials, etc.).
また、ある種の螢光体に放射線(X線、α線、
β線、γ線、紫外線等)を照射すると、この放射
線エネルギーの一部が螢光体中に蓄積され、この
螢光体に可視光等の励起光を照射すると、蓄積さ
れたエネルギーに応じて螢光体が輝尽発光を示す
ことが知られており、このような蓄積性螢光体を
利用して、人体等の被写体の放射線画像情報を一
旦蓄積性螢光体からなる層を有する蓄積性螢光体
シートに記録し、この蓄積性螢光体シートをレー
ザ光等の励起光で走査して輝尽発光光を生ぜし
め、得られた輝尽発光光を光電的に読み出して画
像信号を得、この画像信号に基づき被写体の放射
線画像を写真感光材料等の記録材料、CRT等に
可視像として出力させる放射線画像情報記録再生
システムが本出願人により既に提案されている
(特開昭55−12429号、同55−116340号、同55−
163472号、同56−11395号、同56−104645号な
ど)。このシステムにおいて放射線画像情報が蓄
積記録された蓄積性螢光体シートを走査して画像
情報の読取りを行なうのに、半導体レーザを用い
た光ビーム走査装置を使用することが考えられて
いるが、蓄積性螢光体の輝尽発光させるためには
十分に高エネルギーの励起光を該螢光体に照射す
る必要があり、したがつて前記半導体レーザを用
いた光ビーム走査装置を、この放射線画像情報記
録再生システムにおいて画像情報読取りのために
使用することは極めて難しい。 Also, some types of fluorophores are exposed to radiation (X-rays, alpha rays,
When irradiated with beta rays, gamma rays, ultraviolet rays, etc., some of this radiation energy is accumulated in the phosphor, and when this phosphor is irradiated with excitation light such as visible light, it It is known that phosphors exhibit stimulated luminescence, and by using such stimulable phosphors, radiation image information of a subject such as a human body can be stored in a storage layer containing a layer of stimulable phosphors. This stimulable phosphor sheet is scanned with excitation light such as a laser beam to generate stimulated luminescent light, and the resulting stimulated luminescent light is read out photoelectrically to produce an image signal. The applicant has already proposed a radiation image information recording and reproducing system that outputs the radiation image of the subject as a visible image to a recording material such as a photographic light-sensitive material, CRT, etc. based on this image signal (Japanese Patent Application Laid-Open No. No. 55-12429, No. 55-116340, No. 55-
(No. 163472, No. 56-11395, No. 56-104645, etc.) In this system, it has been considered to use a light beam scanning device using a semiconductor laser to scan a stimulable phosphor sheet on which radiation image information is stored and read the image information. In order to stimulate the stimulable luminescence of a stimulable phosphor, it is necessary to irradiate the phosphor with excitation light of sufficiently high energy. It is extremely difficult to use it for reading image information in an information recording and reproducing system.
そこで半導体レーザを光ビーム走査装置に用い
るに際して、半導体レーザと光学レンズとからな
る複数のビーム照射系から射出された複数のレー
ザビームを共通の走査スポツトに集束するように
合成して、高エネルギーの走査ビームを得ること
が考えられている。この場合、各レーザビームは
走査スポツトに達する前に1本のビームに合成さ
れていてもよいし、また走査スポツトにおいて互
いに重なるように合成されてもよい。 Therefore, when using semiconductor lasers in optical beam scanning devices, multiple laser beams emitted from multiple beam irradiation systems consisting of semiconductor lasers and optical lenses are combined so as to be focused on a common scanning spot. It has been considered to obtain a scanning beam. In this case, each laser beam may be combined into a single beam before reaching the scanning spot, or may be combined so that they overlap each other at the scanning spot.
一方光ビームを偏向する光偏向器として従来よ
り、例えば回転多面鏡やホログラムスキヤナ等、
光偏向部を複数有する回転式の光偏向器が広く使
用されている。この種の回転式光偏向器を用いる
光ビーム走査装置においては、回転式偏向器の偏
向部(例えば回転多面鏡にあつては鏡面、ホログ
ラムスキヤナにあつては回折格子)の面倒れによ
り走査ビームが基準走査位置から走査方向と直角
な方向に偏位して、走査線に歪みが生じることが
ある。このような走査線の歪みを補正する方法と
して従来より光学的手段を用いる方法や、走査ビ
ームを走査方向と直角な方向に補正偏向する補正
用光偏向器を設け、検出された上記歪みの量に基
づいて該補正用光偏向器を駆動する方法が知られ
ている。 On the other hand, conventional optical deflectors that deflect light beams include rotating polygon mirrors, hologram scanners, etc.
Rotating optical deflectors having a plurality of optical deflecting sections are widely used. In a light beam scanning device that uses this type of rotary optical deflector, scanning is performed by the surface tilt of the deflection part of the rotary deflector (for example, a mirror surface in the case of a rotating polygon mirror, or a diffraction grating in the case of a hologram scanner). The beam may deviate from the reference scan position in a direction perpendicular to the scan direction, resulting in distortion of the scan line. Conventional methods for correcting such distortions in the scanning line include methods that use optical means, and the provision of a correction optical deflector that deflects the scanning beam in a direction perpendicular to the scanning direction. A method of driving the correction optical deflector based on the following is known.
ところが上記光学的手段や、補正用光偏向器を
設けると走査装置が大型化し、また補正用光偏向
器は高価であるので、該光偏向器を用いる場合に
は走査装置のコストも大幅に上昇してしまう。 However, if the above-mentioned optical means and a correction optical deflector are provided, the scanning device becomes larger, and the correction optical deflector is expensive, so when the optical deflector is used, the cost of the scanning device also increases significantly. Resulting in.
(発明の目的)
そこで本発明は、前述のように複数のレーザビ
ームを合成し、回転式光偏向器により走査ビーム
を偏向、走査する半導体レーザ走査装置におい
て、光学的手段や補正用光偏向器を用いずに、前
記回転式光偏向器の面倒れによる走査線の歪みを
補正することができる半導体レーザ走査装置を提
供することを目的とするものである。(Objective of the Invention) Therefore, the present invention provides an optical means and a correction optical deflector in a semiconductor laser scanning device that combines a plurality of laser beams and deflects and scans a scanning beam using a rotating optical deflector as described above. It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser scanning device capable of correcting the distortion of the scanning line due to the surface tilt of the rotary optical deflector without using the rotary optical deflector.
(発明の構成)
本発明の半導体レーザ走査装置は、前述のよう
に複数のレーザビームを合成して走査する、回転
式光偏向器を用いる半導体レーザ走査装置におい
て、半導体レーザと光学レンズとからなる複数の
ビーム照射系を、各レーザビームが走査スポツト
において走査方向と直角な方向に互いに微小ピツ
チでずれるように構成し、半導体レーザを駆動す
るレーザ駆動回路は各々独自にビーム光量を調節
可能に形成し、そして上記走査スポツトの中心の
基準走査位置からの偏位(走査方向と直角な方向
の偏位)を検出するビーム位置検出器を設け、こ
のビーム位置検出器の出力を受け上記偏位に応じ
て上記各レーザ駆動回路を制御する光量重み制御
回路により、各レーザビームの光量に重み付けを
して、走査スポツトの実効的な中心を基準走査位
置に保つようにしたことを特徴とするものであ
る。(Structure of the Invention) The semiconductor laser scanning device of the present invention is a semiconductor laser scanning device using a rotary optical deflector that combines and scans a plurality of laser beams as described above, and includes a semiconductor laser and an optical lens. A plurality of beam irradiation systems are configured so that each laser beam is shifted by a minute pitch from each other in a direction perpendicular to the scanning direction at the scanning spot, and each laser drive circuit that drives the semiconductor laser is formed so that the beam light intensity can be independently adjusted. A beam position detector is provided to detect the deviation of the center of the scanning spot from the reference scanning position (deviation in a direction perpendicular to the scanning direction), and the beam position detector receives the output of the beam position detector and detects the deviation from the reference scanning position. A light amount weighting control circuit that controls each of the laser drive circuits accordingly weights the light amount of each laser beam to maintain the effective center of the scanning spot at the reference scanning position. be.
(実施態様)
以下、図面に示す実施態様に基づいて本発明を
詳細に説明する。(Embodiments) Hereinafter, the present invention will be described in detail based on embodiments shown in the drawings.
第1図は本発明の一実施態様による半導体レー
ザ走査装置に示すものである。一例として4つの
半導体レーザ11,12,13,14は互いにビ
ーム射出軸をほとんど平行に揃えて(この点は後
に詳述する)配置され、これらの半導体レーザ1
1,12,13,14のそれぞれに対してコリメ
ータレンズ21,22,23,24と、反射ミラ
ー31,32,33,34が設けられている。各
半導体レーザ11,12,13,14はそれぞれ
レーザ駆動回路51,52,53,54によつて
独自に光量調節可能に駆動され、これら半導体レ
ーザ11,12,13,14から射出された光ビ
ームは、上記コリメータレンズ21,22,2
3,24によつて平行ビーム41,42,43,
44とされ、この平行ビーム41,42,43,
44は上記反射ミラー31,32,33,34に
より反射されて、共通の回転多面鏡5に入射す
る。 FIG. 1 shows a semiconductor laser scanning device according to one embodiment of the present invention. As an example, four semiconductor lasers 11, 12, 13, and 14 are arranged with their beam emission axes aligned almost parallel to each other (this point will be explained in detail later), and these semiconductor lasers 1
Collimator lenses 21, 22, 23, 24 and reflecting mirrors 31, 32, 33, 34 are provided for each of lenses 1, 12, 13, and 14, respectively. Each of the semiconductor lasers 11, 12, 13, and 14 is driven by a laser drive circuit 51, 52, 53, and 54 so that the amount of light can be adjusted independently, and the light beam emitted from these semiconductor lasers 11, 12, 13, and 14 is is the collimator lens 21, 22, 2
Parallel beams 41, 42, 43,
44, and these parallel beams 41, 42, 43,
44 is reflected by the reflecting mirrors 31, 32, 33, and 34, and enters the common rotating polygon mirror 5.
上記回転多面鏡5は図中矢印A方向に回転さ
れ、平行ビーム41,42,43,44を偏向す
る。偏向された平行ビーム41,42,43,4
4は、共通の集束レンズ6によつて1つの走査ス
ポツトSに集中されるとともに、それぞれがこの
スポツトSにおいて集束される。したがつて上記
スポツトSが照射される位置に被走査面7を配置
すれば、該被走査面7は、各半導体レーザ11,
12,13,14から射出された平行ビーム4
1,42,43,44が合成されて高エネルギー
となつた走査ビームによつて矢印B方向に走査さ
れる。なお通常上記被走査面7は平面とされ、そ
のために上記集束レンズ6としてfθレンズが用い
られる。 The rotating polygon mirror 5 is rotated in the direction of arrow A in the figure and deflects parallel beams 41, 42, 43, and 44. Deflected parallel beams 41, 42, 43, 4
4 are focused into one scanning spot S by a common focusing lens 6 and are each focused in this spot S. Therefore, if the surface to be scanned 7 is placed at a position where the spot S is irradiated, the surface to be scanned 7 will be exposed to the respective semiconductor lasers 11,
Parallel beam 4 emitted from 12, 13, 14
1, 42, 43, and 44 are combined and scanned in the direction of arrow B by a scanning beam that has high energy. Note that the surface to be scanned 7 is usually a flat surface, and therefore an fθ lens is used as the focusing lens 6.
ここで半導体レーザ11,12,13,14お
よび反射ミラー31,32,33,34は、上記
スポツトSにおいて各平行ビーム41,42,4
3,44が完全に1点に重ならず、走査方向と直
角な方向に互いに微小ピツチでずれるように(第
2図参照)配置されている。 Here, the semiconductor lasers 11, 12, 13, 14 and the reflecting mirrors 31, 32, 33, 34 produce parallel beams 41, 42, 4 at the spot S.
3 and 44 are arranged so that they do not completely overlap at one point, but are shifted by a minute pitch from each other in a direction perpendicular to the scanning direction (see FIG. 2).
前述したように回転多面鏡5は各鏡面が面倒れ
を有していることがあり、この面倒れが有る場合
に上記走査スポツトSは基準走査装置(第2図に
Lで示す)から、走査方向Bと直角な方向に(第
2図においては上下方向)に偏位する。この偏位
を検出するために被走査面7上の有効走査幅から
走査開始側に外れた位置には、半導体位置検出素
子60が配され、この半導体位置検出素子60の
出力は該半導体位置検出素子60とともにビーム
位置検出器を構成する信号処理回路61に入力さ
れる。第3図は上記信号処理回路61の構成を詳
しく示すものである。半導体位置検出素子60の
上方端子出力I1と下方端子出力I2は信号処理回路
61の加算回路62と減算回路63に入力され、
それぞれ加算信号(I1+I2)と、減算信号(I1−
I2)が求められる。これらの加算信号(I1+I2)
と減算信号(I1−I2)は次に除算回路64に入力
される。該除算回路64において減算信号(I1−
I2)を加算信号(I1+I2)で除してノーマライズ
した信号(I1−I2)/(I1+I2)はスポツトSの
偏位の方向と量を示すものとなる。この偏位信号
(I1−I2)/(I1+I2)は光量重み制御回路65に
入力される。 As mentioned above, each mirror surface of the rotating polygon mirror 5 may have a surface tilt, and when this surface tilt exists, the scanning spot S is scanned from the reference scanning device (indicated by L in FIG. 2). It deviates in a direction perpendicular to direction B (vertical direction in FIG. 2). In order to detect this deviation, a semiconductor position detection element 60 is disposed at a position on the surface to be scanned 7 away from the effective scanning width toward the scanning start side, and the output of this semiconductor position detection element 60 is used to detect the semiconductor position. The signal is input to a signal processing circuit 61 which together with the element 60 constitutes a beam position detector. FIG. 3 shows the configuration of the signal processing circuit 61 in detail. The upper terminal output I 1 and the lower terminal output I 2 of the semiconductor position detection element 60 are input to the addition circuit 62 and subtraction circuit 63 of the signal processing circuit 61.
Addition signal (I 1 + I 2 ) and subtraction signal (I 1 −
I 2 ) is required. These added signals (I 1 + I 2 )
and the subtraction signal (I 1 −I 2 ) are then input to the division circuit 64. The division circuit 64 generates a subtraction signal (I 1 −
The normalized signal (I 1 -I 2 )/(I 1 +I 2 ) obtained by dividing I 2 ) by the sum signal (I 1 +I 2 ) indicates the direction and amount of deviation of the spot S. This deviation signal (I 1 −I 2 )/(I 1 +I 2 ) is input to the light amount weight control circuit 65.
光量重み制御回路65は偏位信号(I1−I2)/
(I1+I2)が担持する前記偏位の方向と量に応じ
て前記レーザ駆動回路51,52,53,54を
制御する。すなわち第2図を参照して説明する
と、スポツトSが基準走査位置Lから下側に偏位
し、その量が例えば各ビーム41,42,43,
44のずれの2ピツチ分程度の場合は、半導体レ
ーザ11を最も高出力とし、平行ビーム41が他
の平行ビーム42,43,44よりも大光量とな
るように重み付けをして、各レーザ駆動回路5
1,52,53,54を制御する。また同じくス
ポツトSが基準走査位置Lから下側に偏位し、そ
の量が例えば上記各ビーム41,42,43,4
4のずれの1ピツチ分程度の場合は、平行ビーム
42が他のビーム41,43,44よりも大光量
となるように各レーザ駆動回路51,52,5
3,54を制御する。また反対にスポツトSが基
準走査位置Lから上方に偏位した場合には、平行
ビーム43、あるいは平行ビーム44が大光量と
なるように重み付けをする。 The light amount weight control circuit 65 receives a deviation signal (I 1 −I 2 )/
The laser drive circuits 51, 52, 53, and 54 are controlled according to the direction and amount of the deviation carried by (I 1 +I 2 ). That is, to explain with reference to FIG. 2, the spot S is deviated downward from the reference scanning position L, and the amount of deviation is, for example, for each beam 41, 42, 43,
44, the semiconductor laser 11 is set to the highest output, and the parallel beam 41 is weighted to have a larger amount of light than the other parallel beams 42, 43, and 44, and each laser is driven. circuit 5
1, 52, 53, and 54. Similarly, the spot S is deviated downward from the reference scanning position L, and the amount thereof is, for example,
4, each laser drive circuit 51, 52, 5 is adjusted so that the parallel beam 42 has a larger light intensity than the other beams 41, 43, 44.
3,54 is controlled. On the other hand, when the spot S is deviated upward from the reference scanning position L, the parallel beam 43 or the parallel beam 44 is weighted to have a large amount of light.
上記のような重み付けがなされるように半導体
レーザ11,12,13,14を駆動することに
より、スポツトSの実効中心は、前記偏位と相殺
されるように移動し、結局は常に基準走査位置L
上に留り、上記スポツトSの偏位が補正される。
このような補正は走査の開始毎に行なわれ、回転
多面鏡5の各鏡面の面倒れによる走査線の歪みが
適正に補正される。 By driving the semiconductor lasers 11, 12, 13, and 14 in such a manner that the weighting is performed as described above, the effective center of the spot S moves so as to cancel out the deviation, and in the end, it always remains at the reference scanning position. L
The deviation of the spot S is corrected.
Such correction is performed every time a scan is started, and the distortion of the scanning line due to the inclination of each mirror surface of the rotating polygon mirror 5 is appropriately corrected.
なおスポツトSの偏位を検出するビーム位置検
出器としては、前記半導体位置検出素子60と信
号処理回路61の組合せの他に、例えばCCD等
の撮像素子やビジコン等の撮像管、フオトダイオ
ードアレイ等その他の公知のものが使用されても
よい。また回転式の光偏向器としては前記回転多
面鏡5の他に、ホログラムスキヤナが用いられて
もよい。 In addition to the combination of the semiconductor position detection element 60 and the signal processing circuit 61, the beam position detector for detecting the deviation of the spot S may be, for example, an image pickup device such as a CCD, an image pickup tube such as a vidicon, a photodiode array, etc. Other known materials may also be used. In addition to the rotating polygon mirror 5, a hologram scanner may be used as the rotating optical deflector.
以上ビーム照射系が、半導体レーザ11,1
2,13,14とコリメータレンズ21,22,
23,24と集束レンズ6とで構成された実施態
様について説明したが、コリメータレンズ21,
22,23,24の代わりにレーザビームを集れ
んさせるレンズを用いるとともに集束レンズ6を
除き、半導体レーザ11,12,13,14の互
いの向きを適当に設定しても、4本の集れんビー
ムを、それらの集れん点が1つのスポツトに集中
するように合成することが可能であり、本発明は
そのようにビームを合成する場合においても適用
可能である。さらには複数のレーザビームを、例
えばホログラム素子や2軸性結晶素子等を用い
て、走査スポツトよりも前において1本のビーム
に合成することも可能であり、本発明はそのよう
にビームを合成する場合においても適用可能であ
る。 As described above, the beam irradiation system includes semiconductor lasers 11, 1
2, 13, 14 and collimator lenses 21, 22,
23, 24 and the focusing lens 6 has been described, but the collimator lens 21,
Even if lenses that focus the laser beams are used instead of the laser beams 22, 23, and 24, and the focusing lens 6 is removed, and the directions of the semiconductor lasers 11, 12, 13, and 14 are appropriately set, the four laser beams will not be focused. It is possible to combine beams so that their convergence points are concentrated in one spot, and the present invention is also applicable to the case where beams are combined in this way. Furthermore, it is also possible to combine multiple laser beams into a single beam in front of the scanning spot using, for example, a hologram element or a biaxial crystal element, and the present invention can combine the beams in this way. It is also applicable in cases where
(発明の効果)
以上詳細に説明した通り本発明の半導体レーザ
走査装置は、複数のレーザビームを合成して高エ
ネルギーの走査ビームが得られるものであるか
ら、前述したDRAW材料への記録や、放射線画
像情報記録再生システムにおける画像情報読取り
のために好適に使用されうる。また本発明の半導
体レーザ走査装置は、光偏向器の面倒れによる走
査線の歪みを補正可能であるので、精密な走査を
行なうことが可能であり、しかもその補正のため
に光学的手段や補正用光偏向器等を使用しないの
で、小型、安価に形成されるものとなる。(Effects of the Invention) As explained in detail above, the semiconductor laser scanning device of the present invention is capable of synthesizing a plurality of laser beams to obtain a high-energy scanning beam. It can be suitably used for reading image information in a radiation image information recording and reproducing system. Furthermore, since the semiconductor laser scanning device of the present invention can correct the distortion of the scanning line due to the surface tilt of the optical deflector, it is possible to perform precise scanning. Since no optical deflector or the like is used, the device can be formed compactly and inexpensively.
第1図は本発明の半導体レーザ走査装置の一実
施態様を示す概略図、第2図は上記実施態様にお
ける走査スポツトを詳しく示す説明図、第3図は
上記実施態様におけるビーム位置検出器の電気回
路を示すブロツク図である。
5……回転多面鏡、6……集束レンズ、7……
被走査面、11,12,13,14……半導体レ
ーザ、21,22,23,24……コリメータレ
ンズ、41,42,43,44……平行ビーム
(レーザビーム)、51,52,53,54……レ
ーザ駆動回路、60……半導体位置検出素子、6
1……信号処理回路、65……光量重み制御回
路、S……走査スポツト、L……基準走査位置。
FIG. 1 is a schematic diagram showing one embodiment of the semiconductor laser scanning device of the present invention, FIG. 2 is an explanatory diagram showing details of the scanning spot in the above embodiment, and FIG. 3 is an electrical diagram of the beam position detector in the above embodiment. FIG. 3 is a block diagram showing the circuit. 5...Rotating polygon mirror, 6...Focusing lens, 7...
Scanned surface, 11, 12, 13, 14... Semiconductor laser, 21, 22, 23, 24... Collimator lens, 41, 42, 43, 44... Parallel beam (laser beam), 51, 52, 53, 54... Laser drive circuit, 60... Semiconductor position detection element, 6
1...Signal processing circuit, 65...Light amount weight control circuit, S...Scanning spot, L...Reference scanning position.
Claims (1)
ビーム照射系から射出された各レーザビームを共
通の走査スポツトに集束させて走査する、回転式
光偏向器を用いた半導体レーザ走査装置におい
て、前記ビーム照射系が、各レーザビームが前記
スポツトにおいて走査方向と直角な方向に互いに
微小ピツチでずれるように構成され、前記光偏向
器の面倒れによる前記スポツトの中心の、基準走
査位置からの偏位を検出するビーム位置検出器
と、前記半導体レーザを各々独自にビーム光量調
節可能に駆動するレーザ駆動回路と、前記ビーム
位置検出器の出力を受け、前記偏位に応じて各レ
ーザビームの光量に重み付けをし、前記スポツト
の実効的な中心を前記基準走査位置上に保つよう
に前記各レーザ駆動回路を制御する光量重み制御
回路とを備えたことを特徴とする半導体レーザ走
査装置。1. In a semiconductor laser scanning device using a rotary optical deflector that focuses each laser beam emitted from a plurality of beam irradiation systems consisting of a semiconductor laser and an optical lens onto a common scanning spot and scans, the beam irradiation The system is configured such that each laser beam is shifted from each other by a minute pitch in a direction perpendicular to the scanning direction at the spot, and detects a deviation of the center of the spot from a reference scanning position due to a surface tilt of the optical deflector. a laser drive circuit that drives each of the semiconductor lasers so that the beam intensity can be adjusted independently; and a laser drive circuit that receives the output of the beam position detector and weights the light intensity of each laser beam according to the deviation. and a light amount weight control circuit for controlling each of the laser drive circuits so as to maintain the effective center of the spot on the reference scanning position.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59133641A JPS6113215A (en) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | Semiconductor laser scanner |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59133641A JPS6113215A (en) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | Semiconductor laser scanner |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6113215A JPS6113215A (en) | 1986-01-21 |
| JPH0260163B2 true JPH0260163B2 (en) | 1990-12-14 |
Family
ID=15109563
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59133641A Granted JPS6113215A (en) | 1984-06-28 | 1984-06-28 | Semiconductor laser scanner |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6113215A (en) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0744634B2 (en) * | 1986-03-07 | 1995-05-15 | キヤノン株式会社 | Image processing device |
| GB8613223D0 (en) * | 1986-05-30 | 1986-07-02 | Crosfield Electronics Ltd | Half-tone reproduction |
| JPS63142316A (en) * | 1986-12-04 | 1988-06-14 | Fuji Xerox Co Ltd | Semiconductor laser array light source device and laser scanner using the same |
| US5181137A (en) * | 1988-08-24 | 1993-01-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Light scanning apparatus |
-
1984
- 1984-06-28 JP JP59133641A patent/JPS6113215A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6113215A (en) | 1986-01-21 |
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|---|---|---|---|
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