JPH0260203A - 電気磁気装置 - Google Patents
電気磁気装置Info
- Publication number
- JPH0260203A JPH0260203A JP63211006A JP21100688A JPH0260203A JP H0260203 A JPH0260203 A JP H0260203A JP 63211006 A JP63211006 A JP 63211006A JP 21100688 A JP21100688 A JP 21100688A JP H0260203 A JPH0260203 A JP H0260203A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- static magnetic
- coil
- electromagnetic device
- garnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は高周波回路に使用するイツトリウム。
鉄、ガーネット（以下、ＹＩＧと記述する）共振回路や
ＹＩＧフィルタに用いて育効な電気磁気装置である。
ＹＩＧフィルタに用いて育効な電気磁気装置である。
従来の技術
静磁界の強さにより共振周波数を変えることのできる電
気磁気装置としてＹＩＧの結晶球を用いたものがあり高
周波回路のフィルタ回路や発振器の共振回路に利用され
ている。以下図面を参照しながら、上述した電気磁気回
路について説明する。
気磁気装置としてＹＩＧの結晶球を用いたものがあり高
周波回路のフィルタ回路や発振器の共振回路に利用され
ている。以下図面を参照しながら、上述した電気磁気回
路について説明する。
第２図はＹＩＧのフィルタの構成図である。第２図にお
いて第１のコイル２０と第２のコイル２１は互いの軸が
直交しており、その中心にＹ［Ｇの結晶球２２を置いた
ものに静磁界２３を両コイルの軸に直交するように加え
ている。静磁界２３が加わっていない場合コイル２１か
らマイクロ波を投入してもこれと直交するコイル２０に
は出力があられれない、ところが静磁界２３を加えると
コイル２１によるマイクロ波磁界が、静磁界２３によっ
て生じたＹＩＧの結晶球２２の磁気モーメントを回転さ
せ、この回転している磁気モーメントがコイル２０にマ
イクロ波を誘導する。このコイル２０に誘導されるマイ
クロ波は周波数がＹＩＧの結晶球２２の自然共振周波数
と一致した時最大となる。このようにしてＹＩＧの結晶
球２２の共振特性を利用して帯域通過フィルタを構成す
ることができる。ＹＩＧの結晶球２２の共振周波数は静
磁界２３の大きさに比例するので静磁界２３の大きさを
変えることで上記帯域通過フィルタの通過帯域の周波数
を変えることができる。コイル２０を取りさりコイル２
１だけにすれば共振器となり負性抵抗と接続すると発振
器となる。第３図にＦＥＴを用いた上記発振回路の例を
示す。フィルタの場合と同様に静磁界の大きさを変える
ことにより周波数を可変することができる。
いて第１のコイル２０と第２のコイル２１は互いの軸が
直交しており、その中心にＹ［Ｇの結晶球２２を置いた
ものに静磁界２３を両コイルの軸に直交するように加え
ている。静磁界２３が加わっていない場合コイル２１か
らマイクロ波を投入してもこれと直交するコイル２０に
は出力があられれない、ところが静磁界２３を加えると
コイル２１によるマイクロ波磁界が、静磁界２３によっ
て生じたＹＩＧの結晶球２２の磁気モーメントを回転さ
せ、この回転している磁気モーメントがコイル２０にマ
イクロ波を誘導する。このコイル２０に誘導されるマイ
クロ波は周波数がＹＩＧの結晶球２２の自然共振周波数
と一致した時最大となる。このようにしてＹＩＧの結晶
球２２の共振特性を利用して帯域通過フィルタを構成す
ることができる。ＹＩＧの結晶球２２の共振周波数は静
磁界２３の大きさに比例するので静磁界２３の大きさを
変えることで上記帯域通過フィルタの通過帯域の周波数
を変えることができる。コイル２０を取りさりコイル２
１だけにすれば共振器となり負性抵抗と接続すると発振
器となる。第３図にＦＥＴを用いた上記発振回路の例を
示す。フィルタの場合と同様に静磁界の大きさを変える
ことにより周波数を可変することができる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような構成では外部から磁界をうけ
ると共振周波数の変動を受けやすくフィルタの共振周波
数や発振器の発振周波数の変動を受けやすいという問題
点を有していた６本発明は上記問題に鑑み、外部からの
磁界によって共振周波数の影響を受けない電気磁気装置
を提供するものである。
ると共振周波数の変動を受けやすくフィルタの共振周波
数や発振器の発振周波数の変動を受けやすいという問題
点を有していた６本発明は上記問題に鑑み、外部からの
磁界によって共振周波数の影響を受けない電気磁気装置
を提供するものである。
課題を解決するための手段
上記課題を解決するために本発明の電気磁気装置はＹＩ
Ｇの結晶球と１個以上のコイルを囲む２重に超電導で囲
み、内側の超電導質に穴から静磁界をかけるという構成
を備えたものである。
Ｇの結晶球と１個以上のコイルを囲む２重に超電導で囲
み、内側の超電導質に穴から静磁界をかけるという構成
を備えたものである。
作用
本発明は上記した構成により外部からの磁気による共振
周波数の変動を防ぐとともに、静磁界発生回路からの静
磁界をむだなくＹ（Ｇの結晶球に与えることができるた
め高い共振周波数が実現できる。
周波数の変動を防ぐとともに、静磁界発生回路からの静
磁界をむだなくＹ（Ｇの結晶球に与えることができるた
め高い共振周波数が実現できる。
実施例
以下本発明の一実施例の電気磁気装置について図面を参
照しながら説明する。第１図は本発明の電気磁気装置の
構造を示すものである。第１図において１１はＹＩＧの
結晶球、１２はコイル状の導体、１５．１６は超電導物
質で構成されるシールドケース、１４は磁性体、１７は
可変電源、１１０は負性抵抗、１０は出力端子である。
照しながら説明する。第１図は本発明の電気磁気装置の
構造を示すものである。第１図において１１はＹＩＧの
結晶球、１２はコイル状の導体、１５．１６は超電導物
質で構成されるシールドケース、１４は磁性体、１７は
可変電源、１１０は負性抵抗、１０は出力端子である。
外部が電気磁気装置に加わった場合、ＹＩＧの結晶球１
１は超電導物質で構成されるシールドケース１５．１６
により磁気シールドされるためＹＩＧの結晶球１工に加
わる磁界は、磁性体１４．コイル１８．を源１７から構
成される静磁界発生装置から磁性体１４の両端１３及び
１９を通して加えられる静磁界のみである。
１は超電導物質で構成されるシールドケース１５．１６
により磁気シールドされるためＹＩＧの結晶球１工に加
わる磁界は、磁性体１４．コイル１８．を源１７から構
成される静磁界発生装置から磁性体１４の両端１３及び
１９を通して加えられる静磁界のみである。
またシールドケース１５は磁性体１４の両端１３．１９
からの静磁界がむだなくＹＩＧの結晶球を通ることにな
る。静磁界の強さと共振周波数は比例するのでより高い
周波数で共振が可能となり、より高い周波数で発振が可
能である。超電導物質で構成されるシールドケース、１
５と１６の間に冷却用のガスを注入しておけば、シール
ドケース１５，１６は必ずしも常温で超電導物質でなく
てもよい。また負性抵抗１１０が冷却ガス中にあるため
負性抵抗から発生される雑音が小さく発振出力は高いＣ
／Ｎレベルが確保される。尚、負性抵抗としてはＧａＡ
ｓＦＥＴやガンダイオードなどの半導体が用いられる。
からの静磁界がむだなくＹＩＧの結晶球を通ることにな
る。静磁界の強さと共振周波数は比例するのでより高い
周波数で共振が可能となり、より高い周波数で発振が可
能である。超電導物質で構成されるシールドケース、１
５と１６の間に冷却用のガスを注入しておけば、シール
ドケース１５，１６は必ずしも常温で超電導物質でなく
てもよい。また負性抵抗１１０が冷却ガス中にあるため
負性抵抗から発生される雑音が小さく発振出力は高いＣ
／Ｎレベルが確保される。尚、負性抵抗としてはＧａＡ
ｓＦＥＴやガンダイオードなどの半導体が用いられる。
実施例では発振器としたが、たとえば、共振器の替りに
フィルタ、負性抵抗の代りに増幅器としても高い周波数
で雑音指数の低い増幅器を構成することができる。
フィルタ、負性抵抗の代りに増幅器としても高い周波数
で雑音指数の低い増幅器を構成することができる。
発明の効果
以上のように本発明はＹＩＧの結晶球と１個以上のコイ
ルを２重に囲み、内側の超電導物質の穴から静磁界を加
えることにより外部磁界の影響がなく高い共振周波数が
可能となった。また２個の超電導物質の間に冷却ガスを
入れその中に半導体装置くことにより雑音レベルの低い
回路が実現できる。
ルを２重に囲み、内側の超電導物質の穴から静磁界を加
えることにより外部磁界の影響がなく高い共振周波数が
可能となった。また２個の超電導物質の間に冷却ガスを
入れその中に半導体装置くことにより雑音レベルの低い
回路が実現できる。
第１図は本発明の第１の実施例における電気磁気回路の
構成図、第２図は従来の電気磁気回路の構成図、第３図
は従来の電気磁気回路を用いた発振回路の回路図である
。 １０・・・・・・出力端子、１１・・・・・・ＹＩＧの
結晶球、１２．．１８・・・・・・コイル、１４・・・
・・・磁性体、１５゜１６・・・・・・超電導物質、１
７・・・・・・電源、１１０・・・・・・負性抵抗。
構成図、第２図は従来の電気磁気回路の構成図、第３図
は従来の電気磁気回路を用いた発振回路の回路図である
。 １０・・・・・・出力端子、１１・・・・・・ＹＩＧの
結晶球、１２．．１８・・・・・・コイル、１４・・・
・・・磁性体、１５゜１６・・・・・・超電導物質、１
７・・・・・・電源、１１０・・・・・・負性抵抗。
Claims (2)
- （１）１つ以上のコイルと、前記コイルの中心部と近傍
との少なくとも一方にイットリウム，鉄，ガーネットか
らなる結晶球と、前記コイルとイットリウム，鉄，ガー
ネットからなる結晶球とを格納する超電導物質で被覆さ
れた第１のシールド手段と前記第１のシールド手段に形
成された穴からイットリウム，鉄，ガーネットからなる
結晶球に静磁界を印加する静磁界印加手段と前記第１の
シールド手段と静磁界印加手段とを格納する超電導物質
で被覆された第２のシールド手段とを具備することを特
徴とする電気磁気装置。 - （２）第１のシールド手段と第２のシールド手段に冷却
ガスと冷却液のうち少なくとも一方が充填されているこ
とを特徴とする請求項（１）記載の電気磁気装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63211006A JPH0260203A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 電気磁気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63211006A JPH0260203A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 電気磁気装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0260203A true JPH0260203A (ja) | 1990-02-28 |
Family
ID=16598769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63211006A Pending JPH0260203A (ja) | 1988-08-25 | 1988-08-25 | 電気磁気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0260203A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0487418A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-19 | Omron Corp | 近接スイッチ |
| EP0744827A1 (en) * | 1995-05-25 | 1996-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | High frequency system including a superconductive device |
| EP0738021A3 (en) * | 1995-04-11 | 1998-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Wireless communication filter operating at low temperature |
| US6178339B1 (en) | 1995-04-11 | 2001-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wireless communication filter operating at low temperature |
| JPWO2005019507A1 (ja) * | 2003-08-26 | 2007-11-01 | 株式会社アドバンテスト | 磁性ガーネット単結晶及びｙｉｇデバイス |
| WO2025003560A1 (en) * | 2023-06-27 | 2025-01-02 | Bluefors Oy | Frequency-tunable components for cryogenically cooled megahertz- and gigahertz-range applications |
-
1988
- 1988-08-25 JP JP63211006A patent/JPH0260203A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0487418A (ja) * | 1990-07-30 | 1992-03-19 | Omron Corp | 近接スイッチ |
| EP0738021A3 (en) * | 1995-04-11 | 1998-03-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Wireless communication filter operating at low temperature |
| US6178339B1 (en) | 1995-04-11 | 2001-01-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Wireless communication filter operating at low temperature |
| EP0744827A1 (en) * | 1995-05-25 | 1996-11-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | High frequency system including a superconductive device |
| US5757243A (en) * | 1995-05-25 | 1998-05-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | High frequency system including a superconductive device and temperature controlling apparatus |
| JPWO2005019507A1 (ja) * | 2003-08-26 | 2007-11-01 | 株式会社アドバンテスト | 磁性ガーネット単結晶及びｙｉｇデバイス |
| WO2025003560A1 (en) * | 2023-06-27 | 2025-01-02 | Bluefors Oy | Frequency-tunable components for cryogenically cooled megahertz- and gigahertz-range applications |
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