JPH0260500B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0260500B2 JPH0260500B2 JP60203262A JP20326285A JPH0260500B2 JP H0260500 B2 JPH0260500 B2 JP H0260500B2 JP 60203262 A JP60203262 A JP 60203262A JP 20326285 A JP20326285 A JP 20326285A JP H0260500 B2 JPH0260500 B2 JP H0260500B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin tablet
- resin
- tablet
- upper electrode
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
- B29C45/17—Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
- B29C45/46—Means for plasticising or homogenising the moulding material or forcing it into the mould
- B29C45/462—Injection of preformed charges of material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトランスフアーモールド法による樹脂
封止方法およびその方法に使用する高周波予備加
熱装置に関するものである。
封止方法およびその方法に使用する高周波予備加
熱装置に関するものである。
半導体装置の製造過程に金型を有する成形機に
レジン（樹脂）タブレツトを供給して加熱溶融せ
しめ、溶融したレジンを金型のキヤビテイ内に加
圧注入してキヤビテイ内に封入された半導体素子
および半導体素子の電極と接続された金属リード
の一部を覆うように樹脂封止体を形成する所謂ト
ランスフアーモールド法による樹脂封止工程があ
る。このような方法においてはレジンタブレツト
を約170℃に加熱された金型のポツト内に投入し、
加熱溶融せしめプランジヤーにより押圧しキヤビ
テイ内にレジンを注入している。また金型ポツト
内での加熱溶融を効率的に行うためレジンタブレ
ツトを金型ポツト内に投入する前に予めレジンタ
ブレツトを溶融しない程度例えば約100℃に加熱
し軟化させている。レジンタブレツトを予備加熱
する手段としては高周波予備加熱装置が使用され
ている。従来の高周波予備加熱装置は互いに水平
方向に離間して配置された１対の回転しうるロー
ラーからなる高周波加熱用下部電極と、この下部
電極上に配置された高周波加熱用上部電極とを有
し、この電極間に高周波電圧を印加せしめられる
ように構成されている。加熱する際は前記１対の
ローラからなる下部電極上に断面が円形を呈し所
定の長さを有するレジンタブレツトを載置し、ロ
ーラーを回転せしめることによりレジンタブレツ
トを回転させながら、上部電極と下部電極との間
に高周波電圧を印加し、加熱している。本願発明
者はこのような方法ではレジンタブレツトの断面
中心部よりも外周部により多く高周波エネルギー
が吸収されてしまうという問題のあること、その
ため外周部の方が中心部よりもより高温に加熱さ
れ、外周部のみが先に軟化溶融した状態となり、
取扱いが難しくなり、樹脂封止を効率的に行うこ
とができないという欠点のあることを発見した。
レジン（樹脂）タブレツトを供給して加熱溶融せ
しめ、溶融したレジンを金型のキヤビテイ内に加
圧注入してキヤビテイ内に封入された半導体素子
および半導体素子の電極と接続された金属リード
の一部を覆うように樹脂封止体を形成する所謂ト
ランスフアーモールド法による樹脂封止工程があ
る。このような方法においてはレジンタブレツト
を約170℃に加熱された金型のポツト内に投入し、
加熱溶融せしめプランジヤーにより押圧しキヤビ
テイ内にレジンを注入している。また金型ポツト
内での加熱溶融を効率的に行うためレジンタブレ
ツトを金型ポツト内に投入する前に予めレジンタ
ブレツトを溶融しない程度例えば約100℃に加熱
し軟化させている。レジンタブレツトを予備加熱
する手段としては高周波予備加熱装置が使用され
ている。従来の高周波予備加熱装置は互いに水平
方向に離間して配置された１対の回転しうるロー
ラーからなる高周波加熱用下部電極と、この下部
電極上に配置された高周波加熱用上部電極とを有
し、この電極間に高周波電圧を印加せしめられる
ように構成されている。加熱する際は前記１対の
ローラからなる下部電極上に断面が円形を呈し所
定の長さを有するレジンタブレツトを載置し、ロ
ーラーを回転せしめることによりレジンタブレツ
トを回転させながら、上部電極と下部電極との間
に高周波電圧を印加し、加熱している。本願発明
者はこのような方法ではレジンタブレツトの断面
中心部よりも外周部により多く高周波エネルギー
が吸収されてしまうという問題のあること、その
ため外周部の方が中心部よりもより高温に加熱さ
れ、外周部のみが先に軟化溶融した状態となり、
取扱いが難しくなり、樹脂封止を効率的に行うこ
とができないという欠点のあることを発見した。
本発明は上記した従来技術の問題および欠点に
着目して成されたものであり、その目的はレジン
タブレツトの外周部よりも中心部をより軟化した
状態となるように予備加熱し、レジンタブレツト
の取扱いを容易に、また樹脂封止を効率的に行い
うるような高周波予備加熱装置を提供することに
ある。
着目して成されたものであり、その目的はレジン
タブレツトの外周部よりも中心部をより軟化した
状態となるように予備加熱し、レジンタブレツト
の取扱いを容易に、また樹脂封止を効率的に行い
うるような高周波予備加熱装置を提供することに
ある。
本発明の要旨は、円柱形状のレジンタブレツト
と、前記レジンタブレツトを高周波加熱するため
に前記レジンタブレツトの上方および下方にそれ
ぞれ配置した上部電極および下部電極と、前記上
部電極と前記下部電極との間に高周波電圧を印加
するための高周波電源を有する高周波予備加熱装
置において、前記上部電極は前記レジンタブレツ
トの一端上方に配置され、前記下部電極は前記上
部電極に対して対向するように、かつ、前記レジ
ンタブレツトの他端上方に配置され、前記高周波
電圧印加により前記レジンタブレツトに加えられ
る単位時間当たりのエネルギは前記レジンタブレ
ツトの円形断面の中心部の部分の方が前記円形断
面の外周部の部分よりも大となるように、前記上
部電極および前記下部電極の形状および相対的な
位置関係が規定されていることを特徴とする高周
波予備加熱装置にある。
と、前記レジンタブレツトを高周波加熱するため
に前記レジンタブレツトの上方および下方にそれ
ぞれ配置した上部電極および下部電極と、前記上
部電極と前記下部電極との間に高周波電圧を印加
するための高周波電源を有する高周波予備加熱装
置において、前記上部電極は前記レジンタブレツ
トの一端上方に配置され、前記下部電極は前記上
部電極に対して対向するように、かつ、前記レジ
ンタブレツトの他端上方に配置され、前記高周波
電圧印加により前記レジンタブレツトに加えられ
る単位時間当たりのエネルギは前記レジンタブレ
ツトの円形断面の中心部の部分の方が前記円形断
面の外周部の部分よりも大となるように、前記上
部電極および前記下部電極の形状および相対的な
位置関係が規定されていることを特徴とする高周
波予備加熱装置にある。
第１図は一参考例であつて、レジンタブレツト
の予備加熱状態を示すものである。第１図ａは斜
視図、第１図ｂは第１図ａの−′線矢視断面
図である。断面が円形を呈し所定の長さを有する
レジンタブレツト１を互いに離間して配置された
二つのローラー２および３上に載置する。４，５
はそれぞれ二つのローラ２，３上に載置されたレ
ジンタブレツト１の上、下に配置された高周波加
熱装置の上部電極および下部電極である。この上
部電極および下部電極の巾Ｗはレジンタブレツト
の径W′よりも小さく形成されている。また上部
電極および下部電極の長さＬはレジンタブレツト
の長さL′よりも大きく形成されている。二つのロ
ーラ２，３を例えば同図矢印Ａで示すように同じ
方向に回転させることによりレジンタブレツト１
を同図矢印Ｂで示す方向に回転させながら、上部
電極４および下部電極５間に高周波電圧を印加
し、レジンタブレツトを加熱する。このような加
熱によれば、レジンタブレツトの外周部は回転に
より二つの電極間に位置したときのみエネルギー
が加えられるが、断面中心部は常に二つの電極間
に位置してエネルギーが加えられるため単位時間
当りにレジンタブレツト１に加えられるエネルギ
ーは外周部より中心部の方が多くなり、結果的に
外周部よりも中心部の方がより高温に加熱され軟
化した状態となる。このようにして約100℃の温
度に予備加熱したレジンタブレツト１を成形機の
金型に設けられたポツト（図示せず）に投入す
る。金型は約170℃位に予め加熱しておく。前記
予備加熱されたレジンタブレツトは約170℃位に
加熱された金型ポツト内に投入されることにより
さらに高温に加熱され溶融する。このポツト内で
溶融されたレジンは成形機に設けられたプランジ
ヤー（図示せず）により加圧され、金型に設けら
れた流路（ランナー）を通り、各キヤビテイ内に
注入される。このようにして各キヤビテイ内に封
入された半導体素子および半導体素子の電極と接
続された金属リードの一部を注入されたレジンで
被覆する。
の予備加熱状態を示すものである。第１図ａは斜
視図、第１図ｂは第１図ａの−′線矢視断面
図である。断面が円形を呈し所定の長さを有する
レジンタブレツト１を互いに離間して配置された
二つのローラー２および３上に載置する。４，５
はそれぞれ二つのローラ２，３上に載置されたレ
ジンタブレツト１の上、下に配置された高周波加
熱装置の上部電極および下部電極である。この上
部電極および下部電極の巾Ｗはレジンタブレツト
の径W′よりも小さく形成されている。また上部
電極および下部電極の長さＬはレジンタブレツト
の長さL′よりも大きく形成されている。二つのロ
ーラ２，３を例えば同図矢印Ａで示すように同じ
方向に回転させることによりレジンタブレツト１
を同図矢印Ｂで示す方向に回転させながら、上部
電極４および下部電極５間に高周波電圧を印加
し、レジンタブレツトを加熱する。このような加
熱によれば、レジンタブレツトの外周部は回転に
より二つの電極間に位置したときのみエネルギー
が加えられるが、断面中心部は常に二つの電極間
に位置してエネルギーが加えられるため単位時間
当りにレジンタブレツト１に加えられるエネルギ
ーは外周部より中心部の方が多くなり、結果的に
外周部よりも中心部の方がより高温に加熱され軟
化した状態となる。このようにして約100℃の温
度に予備加熱したレジンタブレツト１を成形機の
金型に設けられたポツト（図示せず）に投入す
る。金型は約170℃位に予め加熱しておく。前記
予備加熱されたレジンタブレツトは約170℃位に
加熱された金型ポツト内に投入されることにより
さらに高温に加熱され溶融する。このポツト内で
溶融されたレジンは成形機に設けられたプランジ
ヤー（図示せず）により加圧され、金型に設けら
れた流路（ランナー）を通り、各キヤビテイ内に
注入される。このようにして各キヤビテイ内に封
入された半導体素子および半導体素子の電極と接
続された金属リードの一部を注入されたレジンで
被覆する。
第２図は本発明の一実施例である高周波予備加
熱装置におけるレジンタブレツトの予備加熱状態
を示すものである。第２図ａは斜視図、第２図ｂ
は第２図ａの−′線にそつた断面図である。
断面が円形を呈し所定の長さを有するレジンタブ
レツト６を例えばフツ素樹脂のように耐熱性を有
し、レジンに対し接着性の良くない絶縁材からな
る支持板７上に載置する。支持板７にはレジンタ
ブレツト６の径よりも小さい径の開孔８を形成し
ておく。タブレツト６は断面中心部が前記開孔内
に露出されるように載置する。９，１０はそれぞ
れ高周波加熱用の上部電極、下部電極である。前
記電極９，１０は例えば円形でその径がレジンタ
ブレツトの径よりも小さいものを使用する。前記
レジンタブレツトと電極９，１０とは同心状に位
置せしめ、上部電極９と下部電極１０との間に高
周波電圧を印加し、レジンタブレツトを印加す
る。このような加熱法によれば電極９，１０の径
はレジンタブレツトの径よりも小さく、またレジ
ンタブレツトと同心状に位置するから、レジンタ
ブレツト６の外周部は電極９，１０に高周波電圧
を印加して形成される高周波電界から外れるため
レジンタブレツトの断面中心部に多くのエネルギ
ーが加えられ、加熱される。したがつてレジンタ
ブレツトの外周部よりも中心部の方をより軟化し
た状態とすることができる。このようにして約
100℃位の温度に予備加熱したレジンタブレツト
６を成形機の金型に設けられたポツト（図示せ
ず）に投入する。金型は約170℃の高温に予め加
熱しておく。金型ポツト内に投入されたレジンタ
ブレツトはさらに高温に加熱されるため溶融す
る。このポツト内で溶融したレジンは成形機に設
けられたプランジヤー（図示せず）により印加さ
れ、金型に設けられたランナーを通り、金型の各
キヤビテイ内に注入される。このようにして各キ
ヤビテイ内に封入された半導体素子等の被封止物
を注入されたレジンで被覆する。
熱装置におけるレジンタブレツトの予備加熱状態
を示すものである。第２図ａは斜視図、第２図ｂ
は第２図ａの−′線にそつた断面図である。
断面が円形を呈し所定の長さを有するレジンタブ
レツト６を例えばフツ素樹脂のように耐熱性を有
し、レジンに対し接着性の良くない絶縁材からな
る支持板７上に載置する。支持板７にはレジンタ
ブレツト６の径よりも小さい径の開孔８を形成し
ておく。タブレツト６は断面中心部が前記開孔内
に露出されるように載置する。９，１０はそれぞ
れ高周波加熱用の上部電極、下部電極である。前
記電極９，１０は例えば円形でその径がレジンタ
ブレツトの径よりも小さいものを使用する。前記
レジンタブレツトと電極９，１０とは同心状に位
置せしめ、上部電極９と下部電極１０との間に高
周波電圧を印加し、レジンタブレツトを印加す
る。このような加熱法によれば電極９，１０の径
はレジンタブレツトの径よりも小さく、またレジ
ンタブレツトと同心状に位置するから、レジンタ
ブレツト６の外周部は電極９，１０に高周波電圧
を印加して形成される高周波電界から外れるため
レジンタブレツトの断面中心部に多くのエネルギ
ーが加えられ、加熱される。したがつてレジンタ
ブレツトの外周部よりも中心部の方をより軟化し
た状態とすることができる。このようにして約
100℃位の温度に予備加熱したレジンタブレツト
６を成形機の金型に設けられたポツト（図示せ
ず）に投入する。金型は約170℃の高温に予め加
熱しておく。金型ポツト内に投入されたレジンタ
ブレツトはさらに高温に加熱されるため溶融す
る。このポツト内で溶融したレジンは成形機に設
けられたプランジヤー（図示せず）により印加さ
れ、金型に設けられたランナーを通り、金型の各
キヤビテイ内に注入される。このようにして各キ
ヤビテイ内に封入された半導体素子等の被封止物
を注入されたレジンで被覆する。
第３図は本発明の他の実施例である高周波予備
加熱装置におけるレジンタブレツトの予備加熱状
態を示す。第３図ａはその斜視図、第３図ｂは第
３図ａの−′線にそつた断面図である。本実
施例では第２図の実施例で示した円板状の電極に
代えてそれぞれ半球状の上部電極１１、下部電極
１２を使用することにより電極間距離の最も近い
所が電界が最も強くなることを利用したレジンタ
ブレツト６の中心部を最も高温度に加熱し、中心
部から外周部に向かうに従つてリニアに加熱温度
を変化させることができる。
加熱装置におけるレジンタブレツトの予備加熱状
態を示す。第３図ａはその斜視図、第３図ｂは第
３図ａの−′線にそつた断面図である。本実
施例では第２図の実施例で示した円板状の電極に
代えてそれぞれ半球状の上部電極１１、下部電極
１２を使用することにより電極間距離の最も近い
所が電界が最も強くなることを利用したレジンタ
ブレツト６の中心部を最も高温度に加熱し、中心
部から外周部に向かうに従つてリニアに加熱温度
を変化させることができる。
以上、実施例で述べたように本発明によればレ
ジンタブレツトの中心部を外周よりも軟化した状
態に予備加熱することができるので、レジンタブ
レツトの変形を防止することができ、取扱いが容
易となり、樹脂封止を効果的に行うことが可能と
なる。またレジンタブレツトの変形を防止しうる
ことから、従来のようにレジンタブレツトの変形
に起因して生じるレジンモールドの際の気泡の発
生を防止することができるため樹脂封止の歩留り
向上を図ることができる。
ジンタブレツトの中心部を外周よりも軟化した状
態に予備加熱することができるので、レジンタブ
レツトの変形を防止することができ、取扱いが容
易となり、樹脂封止を効果的に行うことが可能と
なる。またレジンタブレツトの変形を防止しうる
ことから、従来のようにレジンタブレツトの変形
に起因して生じるレジンモールドの際の気泡の発
生を防止することができるため樹脂封止の歩留り
向上を図ることができる。
第１図ａは参考例である高周波予備加熱装置に
おけるレジンタブレツトの予備加熱状態を示す斜
視図、同図ｂは同図ａの−′線にそつた断面
図である。第２図ａは本発明の一実施例である高
周波予備加熱装置におけるレジンタブレツトの予
備加熱状態を示す斜視図、同図ｂは同図ａの−
′線にそつた断面図である。第３図ａは本発明
の他の実施例である高周波予備加熱装置における
レジンタブレツトの予備加熱状態を示す斜視図、
同図ｂは同図ａの−′線にそつた断面図であ
る。 １，６……レジンタブレツト、２，３……ロー
ラー、４，９，１１……高周波加熱用上部電極、
５，１０，１２……高周波加熱用下部電極、７…
…支持板。
おけるレジンタブレツトの予備加熱状態を示す斜
視図、同図ｂは同図ａの−′線にそつた断面
図である。第２図ａは本発明の一実施例である高
周波予備加熱装置におけるレジンタブレツトの予
備加熱状態を示す斜視図、同図ｂは同図ａの−
′線にそつた断面図である。第３図ａは本発明
の他の実施例である高周波予備加熱装置における
レジンタブレツトの予備加熱状態を示す斜視図、
同図ｂは同図ａの−′線にそつた断面図であ
る。 １，６……レジンタブレツト、２，３……ロー
ラー、４，９，１１……高周波加熱用上部電極、
５，１０，１２……高周波加熱用下部電極、７…
…支持板。
Claims (1)
- １ 円柱形状のレジンタブレツトと、前記レジン
タブレツトを高周波加熱するために前記レジンタ
ブレツトの上方および下方にそれぞれ配置した上
部電極および下部電極と、前記上部電極と前記下
部電極との間に高周波電圧を印加するための高周
波電源を有する高周波予備加熱装置において、前
記上部電極は前記レジンタブレツトの一端上方に
配置され、前記下部電極は前記上部電極に対して
対向するように、かつ、前記レジンタブレツトの
他端上方に配置され、前記高周波電圧印加により
前記レジンタブレツトに加えられる単位時間当た
りのエネルギは前記レジンタブレツトの円形断面
の中心部の部分の方が前記円形断面の外周部の部
分よりも大となるように、前記上部電極および前
記下部電極の形状および相対的な位置関係が規定
されていることを特徴とする高周波予備加熱装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20326285A JPS6176332A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 高周波予備加熱装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20326285A JPS6176332A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 高周波予備加熱装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4531778A Division JPS54137970A (en) | 1978-04-19 | 1978-04-19 | High-frequency standby heater and method for resin sealing |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6176332A JPS6176332A (ja) | 1986-04-18 |
| JPH0260500B2 true JPH0260500B2 (ja) | 1990-12-17 |
Family
ID=16471119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20326285A Granted JPS6176332A (ja) | 1985-09-17 | 1985-09-17 | 高周波予備加熱装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6176332A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62261410A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Mitsubishi Electric Corp | プリヒ−タ装置 |
| NL1026407C2 (nl) * | 2004-06-11 | 2005-12-14 | Fico Bv | Werkwijze en inrichting voor het beheersbaar omhullen van elektronische componenten. |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5221019A (en) * | 1975-08-08 | 1977-02-17 | Tamotsu Nishi | Production of multilayered glass in frame |
-
1985
- 1985-09-17 JP JP20326285A patent/JPS6176332A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6176332A (ja) | 1986-04-18 |
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