JPH0260704B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0260704B2 JPH0260704B2 JP63027749A JP2774988A JPH0260704B2 JP H0260704 B2 JPH0260704 B2 JP H0260704B2 JP 63027749 A JP63027749 A JP 63027749A JP 2774988 A JP2774988 A JP 2774988A JP H0260704 B2 JPH0260704 B2 JP H0260704B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- zns
- activator
- added
- mol
- firing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Description
[産業上の利用分野]
本発明は螢光体の製造方法に関し、特にエレク
トロルミネツセンス(EL)用の螢光体の製造方
法に関する。 [従来の技術] 螢光体として硫化亜鉛(ZnS)は古くから広く
用いられている。螢光体として用いる場合付活剤
を添加している。 付活剤として銅(Cu)を添加する場合、硫化
亜鉛(ZnS)に発光中心を有効に形成するため、
付活剤としてのCuを0.1―1.0mol%添加し、さら
に共付活剤として塩素(Cl)を適量添加し、硫化
水素(H2S)雰囲気中で900―1100℃の焼成をす
る。 次にZnSに固溶しなかつたCuをシアンエツチ
ングで除去し、乾燥して、EL用螢光体を得てい
た。 [発明が解決しようとする問題点] ZnSにCuを多く添加すると、寿命は比較的長
くなるが輝度が低下する。これは、多量に添加し
たCuがZnSに入りきれず表面にCuxSとして析出
し、シアンエツチングしても十分に除去できない
ためである。 本発明の目的は、ZnSに付活剤としてCuを十
分量添加し、かつ表面にCuxSを多く折出し、輝
度を低く、寿命を短くすることを防ぐことのでき
るEL用螢光体の製造方法を提供することである。 [問題点を解決するための手段] 本発明のEL用螢光体の製造方法は、硫化亜鉛
に付活剤として銅、共付活剤としてハロゲンを添
加、焼成する方法を、硫化水素中900―1100℃の
高温焼成と不活性ガス中500―800℃の低温焼成の
2段階で行い、前記高温焼成では0.01〜0.20mol
%の銅と、共付活剤としてのハロゲンを添加し、
前記低温焼成では0.01〜0.30mol%の銅と、共付
活剤としてのハロゲンを添加したことを特徴とす
る。 [作用] 高温焼成で螢光体として適当な粒径にすると共
に硫化亜鉛を付活し、低温焼成で硫化水素を雰囲
気とすることでSの欠陥発生を防止し、さらに銅
を添加して付活することで長寿命と高輝度とが実
現されると考えられる。 [実施例] まず、硫化亜鉛(ZnS)に付活剤として銅
(Cu)を0.01―0.20mol%添加し、硫化水素雰囲
気中、900―1100℃で高温焼成(1回目の焼成)
をする。 次にCu等を既に添加したZnSに再度Cuを0.01
―0.30mol%添加し、不活性雰囲気中500―800℃
で低温焼成(2回目の焼成)をする。 なお、1回目および2回目の焼成するとき、共
付活剤としてアルミニウム、塩素、臭素、よう
素、のうち1種類以上をCuと同時に添加してお
くのがよい。 以下、より具体的に述べる。 ZnSに付活剤であるCuを多く添加しすぎると
輝度が低下するので、EL発光させるのに必要な
量、すなわちCuを0.01―0.20mol%、共付活剤と
してBrを10.0mol%添加した後、硫化水素雰囲気
中で900―1100℃の高温焼成をする。 次にCu,Brを既に添加したZnSに、再度Cuを
0.01―0.30mol%、Brを2.0mol%添加した後、不
活性雰囲気(N2.Ar等)中、500―800℃で低温焼
成をする。 2回目の焼成が低温で行えるのは、1回目の高
温焼成でZnSを螢光体として十分な粒径にしてお
くので、2回目の焼成はZnSへCuおよびBrの導
入を行えばよいため500―800℃の低温で焼成を行
えるのであると考えられる。 この方法によりZnS表面に析出するCuxSの量
が低下し、シアンエツチングによつてCuの除去
が行なわれ、輝度を下げないで寿命を長くするこ
とができる。 例を上げて説明する。 例 1 高純度硫化亜鉛(ZnS)粉末に付活剤として銅
(Cu)を硝酸銅(Cu(NO3)2)の形で0.05mol%、
共付活剤として臭素(Br)を臭化アンモニウム
(NH4Br)の形で10.0mol%、さらに螢光体の粒
径を揃えるためバリウム(Ba)を硝酸バリウム
(Ba(NO3)2)の形で0.5mol%添加し、湿式混合
を行つた。次にこれを乾燥し、硫化水素雰囲気中
で1000℃で4時間高温焼成した。ここで、湿式混
合は付活剤、共付活剤等を純水に溶解させ、この
溶液にZnS粉末を分散、撹拌した後、水分を蒸発
除去することで行つた。 Cu,Br,Baを含むZnSに再びCu(NO3)2を
0.05mol%NH4Brを2.0mol%添加し湿式混合し
た。次にこれを乾燥し、窒素雰囲気中で750℃で
1時間低温焼成した。その後10%のシアン化ナト
リウム水溶液でZnSに固溶しなかつたCuをエツ
チングし、乾燥し、ふるいにかけて、平均粒径
25μmのZnS:Cu,Br螢光体を得た。 以上のように作製された螢光体をシアノエチル
セルロースに分散し、アルミウム電極上の発光層
としてスクリーン印刷し、さらにその上に透明電
極を形成して厚膜EL素子を作製した。発光層に
400Hzの交流電界を印加し、電界強度を1.5×
103V/cmとし輝度をフオトメータ(テクトロニ
クス社製)で測定した。寿命は400Hzの交流電界
を印加し、初期輝度を60cd/m2に調整し、
30cd/m2に半減するまでに要する時間とした。 例2―例11 例1と同様の方法でZnS:Cu,Br螢光体を作
製した。ただし、Cu(NO3)2の添加量と高温焼成
時の温度および低温焼成時の温度、雰囲気を変え
た。素子作製方法と輝度、寿命の測定方法は例1
と同様である。 比較例 1 ZnSにCu(NO3)2を0.3mol%NH4Brを10.0mol
%とBa(NO3)2を0.5mol%添加し、湿式混合し
た。次にこれを乾燥し、硫化水素雰囲気中で1000
℃で4時間焼成した。その後10%のシアン化ナト
リウム水溶液でZnSに固溶しなかつたCuをエツ
チングし、乾燥し、ふるいにかけて平均粒径
27μmのZnS:Cu,Br螢光体を得た。素子作製方
法と輝度、寿命の測定方法は例1と同様である。 比較例 2 比較例1と同様の方法でZnS:Cu,Br螢光体
を作製した。ただし、Cu(NO3)2の添加量を
0.5mol%とした。素子作製方法と輝度、寿命の
測定方法は比較例1と同様である。 結果を次頁の表に示した。 比較例1,2から明らかなようにCu(NO3)2の
添加量が多くなると輝度は低下するが寿命は長く
なつている。それに対して本発明による例では、
輝度も高く、寿命も長くなり、特に例5では比較
例1に対して輝度で1.4倍、寿命で1.5倍の優れた
特性が得られた。 以上ZnS:Cu,Br螢光体で説明を行つたがBr
に変えてAl,Cl,Iを用いることができ
トロルミネツセンス(EL)用の螢光体の製造方
法に関する。 [従来の技術] 螢光体として硫化亜鉛(ZnS)は古くから広く
用いられている。螢光体として用いる場合付活剤
を添加している。 付活剤として銅(Cu)を添加する場合、硫化
亜鉛(ZnS)に発光中心を有効に形成するため、
付活剤としてのCuを0.1―1.0mol%添加し、さら
に共付活剤として塩素(Cl)を適量添加し、硫化
水素(H2S)雰囲気中で900―1100℃の焼成をす
る。 次にZnSに固溶しなかつたCuをシアンエツチ
ングで除去し、乾燥して、EL用螢光体を得てい
た。 [発明が解決しようとする問題点] ZnSにCuを多く添加すると、寿命は比較的長
くなるが輝度が低下する。これは、多量に添加し
たCuがZnSに入りきれず表面にCuxSとして析出
し、シアンエツチングしても十分に除去できない
ためである。 本発明の目的は、ZnSに付活剤としてCuを十
分量添加し、かつ表面にCuxSを多く折出し、輝
度を低く、寿命を短くすることを防ぐことのでき
るEL用螢光体の製造方法を提供することである。 [問題点を解決するための手段] 本発明のEL用螢光体の製造方法は、硫化亜鉛
に付活剤として銅、共付活剤としてハロゲンを添
加、焼成する方法を、硫化水素中900―1100℃の
高温焼成と不活性ガス中500―800℃の低温焼成の
2段階で行い、前記高温焼成では0.01〜0.20mol
%の銅と、共付活剤としてのハロゲンを添加し、
前記低温焼成では0.01〜0.30mol%の銅と、共付
活剤としてのハロゲンを添加したことを特徴とす
る。 [作用] 高温焼成で螢光体として適当な粒径にすると共
に硫化亜鉛を付活し、低温焼成で硫化水素を雰囲
気とすることでSの欠陥発生を防止し、さらに銅
を添加して付活することで長寿命と高輝度とが実
現されると考えられる。 [実施例] まず、硫化亜鉛(ZnS)に付活剤として銅
(Cu)を0.01―0.20mol%添加し、硫化水素雰囲
気中、900―1100℃で高温焼成(1回目の焼成)
をする。 次にCu等を既に添加したZnSに再度Cuを0.01
―0.30mol%添加し、不活性雰囲気中500―800℃
で低温焼成(2回目の焼成)をする。 なお、1回目および2回目の焼成するとき、共
付活剤としてアルミニウム、塩素、臭素、よう
素、のうち1種類以上をCuと同時に添加してお
くのがよい。 以下、より具体的に述べる。 ZnSに付活剤であるCuを多く添加しすぎると
輝度が低下するので、EL発光させるのに必要な
量、すなわちCuを0.01―0.20mol%、共付活剤と
してBrを10.0mol%添加した後、硫化水素雰囲気
中で900―1100℃の高温焼成をする。 次にCu,Brを既に添加したZnSに、再度Cuを
0.01―0.30mol%、Brを2.0mol%添加した後、不
活性雰囲気(N2.Ar等)中、500―800℃で低温焼
成をする。 2回目の焼成が低温で行えるのは、1回目の高
温焼成でZnSを螢光体として十分な粒径にしてお
くので、2回目の焼成はZnSへCuおよびBrの導
入を行えばよいため500―800℃の低温で焼成を行
えるのであると考えられる。 この方法によりZnS表面に析出するCuxSの量
が低下し、シアンエツチングによつてCuの除去
が行なわれ、輝度を下げないで寿命を長くするこ
とができる。 例を上げて説明する。 例 1 高純度硫化亜鉛(ZnS)粉末に付活剤として銅
(Cu)を硝酸銅(Cu(NO3)2)の形で0.05mol%、
共付活剤として臭素(Br)を臭化アンモニウム
(NH4Br)の形で10.0mol%、さらに螢光体の粒
径を揃えるためバリウム(Ba)を硝酸バリウム
(Ba(NO3)2)の形で0.5mol%添加し、湿式混合
を行つた。次にこれを乾燥し、硫化水素雰囲気中
で1000℃で4時間高温焼成した。ここで、湿式混
合は付活剤、共付活剤等を純水に溶解させ、この
溶液にZnS粉末を分散、撹拌した後、水分を蒸発
除去することで行つた。 Cu,Br,Baを含むZnSに再びCu(NO3)2を
0.05mol%NH4Brを2.0mol%添加し湿式混合し
た。次にこれを乾燥し、窒素雰囲気中で750℃で
1時間低温焼成した。その後10%のシアン化ナト
リウム水溶液でZnSに固溶しなかつたCuをエツ
チングし、乾燥し、ふるいにかけて、平均粒径
25μmのZnS:Cu,Br螢光体を得た。 以上のように作製された螢光体をシアノエチル
セルロースに分散し、アルミウム電極上の発光層
としてスクリーン印刷し、さらにその上に透明電
極を形成して厚膜EL素子を作製した。発光層に
400Hzの交流電界を印加し、電界強度を1.5×
103V/cmとし輝度をフオトメータ(テクトロニ
クス社製)で測定した。寿命は400Hzの交流電界
を印加し、初期輝度を60cd/m2に調整し、
30cd/m2に半減するまでに要する時間とした。 例2―例11 例1と同様の方法でZnS:Cu,Br螢光体を作
製した。ただし、Cu(NO3)2の添加量と高温焼成
時の温度および低温焼成時の温度、雰囲気を変え
た。素子作製方法と輝度、寿命の測定方法は例1
と同様である。 比較例 1 ZnSにCu(NO3)2を0.3mol%NH4Brを10.0mol
%とBa(NO3)2を0.5mol%添加し、湿式混合し
た。次にこれを乾燥し、硫化水素雰囲気中で1000
℃で4時間焼成した。その後10%のシアン化ナト
リウム水溶液でZnSに固溶しなかつたCuをエツ
チングし、乾燥し、ふるいにかけて平均粒径
27μmのZnS:Cu,Br螢光体を得た。素子作製方
法と輝度、寿命の測定方法は例1と同様である。 比較例 2 比較例1と同様の方法でZnS:Cu,Br螢光体
を作製した。ただし、Cu(NO3)2の添加量を
0.5mol%とした。素子作製方法と輝度、寿命の
測定方法は比較例1と同様である。 結果を次頁の表に示した。 比較例1,2から明らかなようにCu(NO3)2の
添加量が多くなると輝度は低下するが寿命は長く
なつている。それに対して本発明による例では、
輝度も高く、寿命も長くなり、特に例5では比較
例1に対して輝度で1.4倍、寿命で1.5倍の優れた
特性が得られた。 以上ZnS:Cu,Br螢光体で説明を行つたがBr
に変えてAl,Cl,Iを用いることができ
【表】
る。また高温焼成と低温焼成の際、共付活剤の種
類を変えても同様の効果が得られる。 [発明の効果] 本発明は一度にCuを多量添加するとZnS表面
にCuxSが多く析出し、輝度が低下するのでCu添
加を2段階で行い、、高温焼成時にCuxSを多く
析出させないところに特徴がある。 すなわち、1回目の焼成(高温焼成)でEL発
光に必要な分だけCuを添加し、螢光体として十
分な粒径を得た後、2回目の焼成(低温焼成)で
は再度適量のCuをZnSに導入する。処理温度が
低いのでCuxSが多く析出しない。これにより、
輝度を高く、寿命を長くすることができる。
類を変えても同様の効果が得られる。 [発明の効果] 本発明は一度にCuを多量添加するとZnS表面
にCuxSが多く析出し、輝度が低下するのでCu添
加を2段階で行い、、高温焼成時にCuxSを多く
析出させないところに特徴がある。 すなわち、1回目の焼成(高温焼成)でEL発
光に必要な分だけCuを添加し、螢光体として十
分な粒径を得た後、2回目の焼成(低温焼成)で
は再度適量のCuをZnSに導入する。処理温度が
低いのでCuxSが多く析出しない。これにより、
輝度を高く、寿命を長くすることができる。
Claims (1)
- 1 硫化亜鉛に付活剤として銅、共付活剤として
ハロゲンを添加、焼成する方法を、硫化水素中
900―1100℃の高温焼成と不活性ガス中500―800
℃の低温焼成の2段階で行い、前記高温焼成では
0.01〜0.20mol%の銅と、共付活剤としてのハロ
ゲンを添加し、前記低温焼成では0.01〜0.30mol
%の銅と、共付活剤としてのハロゲンを添加した
ことを特徴とするEL用螢光体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63027749A JPH01204991A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | El用螢光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63027749A JPH01204991A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | El用螢光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01204991A JPH01204991A (ja) | 1989-08-17 |
| JPH0260704B2 true JPH0260704B2 (ja) | 1990-12-18 |
Family
ID=12229679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63027749A Granted JPH01204991A (ja) | 1988-02-10 | 1988-02-10 | El用螢光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01204991A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5339683B2 (ja) * | 2007-03-02 | 2013-11-13 | キヤノン株式会社 | 蛍光体膜の多元真空蒸着法を用いた製造方法 |
| US20090212686A1 (en) * | 2008-02-21 | 2009-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Inorganic el blue-light emitting body, method for manufacturing the same, and light emitting device |
| JP5352304B2 (ja) | 2008-04-02 | 2013-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アントラセン誘導体、発光材料、発光素子用材料、塗布用組成物、発光素子、及び発光装置 |
| JP5501656B2 (ja) | 2008-05-16 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 組成物、薄膜の作製方法、及び発光素子の作製方法 |
| JP2010244686A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-28 | Fujifilm Corp | 分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3082344A (en) * | 1960-09-28 | 1963-03-19 | Westinghouse Electric Corp | Method for improving electroluminescent phosphor and electroluminescent lamp |
-
1988
- 1988-02-10 JP JP63027749A patent/JPH01204991A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01204991A (ja) | 1989-08-17 |
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