JPH026094A

JPH026094A - 位置情報の入力方法および装置

Info

Publication number: JPH026094A
Application number: JP63156641A
Authority: JP
Inventors: Takashi Kamimura; 隆上村; Mikio Hongo; 幹雄本郷; Hidezo Sano; 秀造佐野; Katsuro Mizukoshi; 克郎水越; Sadao Ohara; 大原　貞雄; Keiichi Okamoto; 啓一岡本; Takahiko Takahashi; 高橋　貴彦
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1988-06-27
Filing date: 1988-06-27
Publication date: 1990-01-10
Anticipated expiration: 2014-10-18
Also published as: JP2965040B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は位置情報の入力方法および装置にかかわり、特
に、ＬＳＩの補修（切断あるいは接続）を行う場合に、
簡単な位置情報の指示により自動的に所定の位置を記憶
、探索、移動するのに好適な位置情報の入力方法および
装置に関する。

〔従来の技術〕

半導体集積回路（ＬＳＩ）の高性能化、高速化を月差し
て、その微細化、高集積化が行われているが、これに伴
い、ＬＳＩの開発が殖しくなっており、開発期間の長期
化を招いている。このような状況下においては、試作し
たＬＳＩチップ上の不良部分を特定し、当該部分に存在
する配線を切断したり、任意の部分に配線を形成して不
良配線の補修を行って、暫定的に完全な動作が得られる
ＬＳＩを製造すれば、それに引き続く特性評価や設計変
更が迅速に行えることになる。

ＬＳＩの補修に関する従来技術としては、例えばニソク
ステンデド・アブストラクッ・オブ・ザ・セブンティー
ンス・コンファレンス・オン・ソリッドステイト・デバ
イセズ・アンド・マテリアルズ、東京、１９８５年、第
１９３頁から第１９６頁（Ｅｘｔｅｎｄｅｄ　Ａｂｓｔ
：ｒａｃｔｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　１７ｔｈ　Ｃｏｎｆｅｒ
ｅｎｃｅ　ｏｎＳｏｌｉｄ　５ｔａｔｅ　Ｄｅｖｉｃｅ
ｓ　ａｎｄ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ、　Ｔｏｋｙｏ。

１９８５、　ｐｐｌ、９３〜１９６）なる文献に記載さ
れた任意の箇所を接続する方法を論じたものがある。こ
れには、Ｘ−Ｙステージ上に設置されたＬＳＩチップに
対し、Ｍｏ（Ｃｏ）、蒸気を導入し、レーザ光照射によ
る光化学反応によりＭｏ膜を析出させ、Ｘ−Ｙステージ
の移動によりＭＯ配線を形成するレーザＣＶ　Ｄ　（Ｃ
ｈａｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）
技術が示されている。

また、例えば特開昭５９−１１９８５３号公報には、レ
ーザＣＶＤ技術を用いてスルーホールを導電材料で埋め
込む技術が示されている。

保護膜下あるいは多層配線が形成されている場合は、そ
のＪｆｆ１間絶縁膜に窓あけを行い、前記レーザＣＶＤ
技術を利用して穴（窓あけ部）に導電性物質を埋め込み
、その後配線を形成することにより、任意箇所を接続す
ることができる。

しかし、ＬＳＩチップ内配線の微細化、多層化に伴い、
接続に必要な窓あけ部も微細化、高アスペクト比化せざ
るを得ない。このため、特に窓あけ部に導電性物質を埋
め込む際には、窓あけ部とレーザ光照射位置とを正確に
合わせる必要性から、位置決めの高精度化が不可欠であ
る。

位置決めに関する従来技術としては、例えば特開昭５３
−９０９５５号公報に開示されているように、ＬＳＩを
製造する際に使用されるオートアライナが知られている
。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術（アライナ技術）は、ＬＳＩ製造工程にお
ける回路パターンの露光工程において、Ｘ−Ｙステージ
に搭載されているウェハあるいはチップ上の位置合わせ
マーク（アライメントマーク）と、転写すべき回路パタ
ーンのマスクパターンとの位置ずれが零になるまで調整
することにより、ウェハあるいはチップと回路パターン
とを所望の位置関係に合わせるものである。

位置合わせの手順は次のとおりである。まず、ウェハあ
るいはチップ上でアライメントマークは設計データによ
ってその概略位置がわがっているので、この位置情報に
よって、アライメントマークの中心が検出しやすい位置
になるようにＸ−Ｙステージを移動させる（粗アライメ
ントもしくはプリアライメントという。）。次に、アラ
イメントマークの中心を光学的に取り込み、画像処理等
の手段によりずれ量を正確に検出して、このずれが零と
なるようにＸ−Ｙステージを微調する（精アライメント
という。）。

このように、アライナの技術は、ＬＳＩ製造工程におい
て、概略位置のわかっているアライメントマークを高精
密に位置検出するのには有効であるが、完成したチップ
の任意箇所を補修する場合には、次の不都合を生じる。

すなわち、補修箇所がチップ」二の任意箇所である４τ
とから、この位置が実際にどこであるかが即座にわから
ない。もちろん、どこを補修すべきかという補修箇所の
位置データがＬＳＩの設計データから得られる場合は、
■設計データ内の位置データに従って、直接補修位置に
なるようにＸ−Ｙステージを移動させる、または、■前
記アライナの技術により、アライメントマークを検出し
、アライメントマークと補修箇所の位置関係（設計デー
タにより既知）からＸ−Ｙステージを補修位置へ動かす
、等の方法により、問題は生じない。しかし、補修の多
くの場合は、不良の配線上で、切断しやすい箇所、接続
しやすい箇所を、作業者がチップ上配線のレイアウト図
に書き入れたり、光学顕微鏡の写真にマークしたりして
、場所を特定している。すなわち、位置は設計データで
特定されていない。従って、レイアラ１〜図や写真上に
特定された箇所が実際のチップ上のどこであり、Ｘ−Ｙ
ステージをどう動かせばよいか即座にはわからない。結
局のところ、作業者の勘でＸ−Ｙステージを動かし、補
修箇所を示す光学顕微鏡の写真とチップ上の画像とを見
比べ、両者が一致するように試行錯誤でＸ−Ｙステージ
を動かして、補修位置データを人力するという作業が、
従来は必要であった。しかし、このような位置データの
入力方法は、煩雑で時間がかかるばかりでなく、補修箇
所を間違える可能性もあり、ＬＳＩの開発（特にデバッ
グ関係）が遅延するという問題があり、部用な方法で正
確に位置データを入力することが課題となっていた。

本発明の目的は、補修箇所の位置データの入力を簡単に
かつ正確に行うことのできる位置情報の入力方法および
装置を提供することにある。

〔課題を解決するための手段〕

上記目的は、補修箇所を示したレイアウト図または光学
顕微鏡写真（以下、両方併せて″図″という）上のあら
かじめ定めた１点と、これに対応するＬＳＩチップ上の
１点とを基準点とし１図とＬＳＩチップの方向を合わせ
、基準点および補修箇所を図上で指示し、それぞれの位
置情報を読み込み、次に、図上の基準点と指示された補
修箇所との距離を、図の倍率を用いてＬＳＩチップ上の
実距離に換算、Ｌ、、ＬＳＩチップ上の基準点からこの
実距離だけ離れた位置付近をモニタ装置により探索して
ＬＳＩチップ上の補修箇所を特定し、その位置情報を入
力することにより、達成される。

〔作　　用〕

上記構成において、図上の基準点と補修箇所との距離は
、図の倍率を用い演算手段によりＬＳＩチップ上の実距
離に換算されるので、ＬＳＩチップ上の基準点からその
実距離だけ離れた箇所がＬＳＩチップ上の補修箇所とな
る筈である。しかし、実際上は種々な誤差が累積され、
ずれが生じる。

そこで、上記の箇所をモニタ装置の画面に表示し。

ＬＳＩチップ上の画像を見ながら、駆動装置によってＬ
ＳＩチップの位置を微調して、最終的なＬＳＩチップ上
の補修箇所の位置を探索し、その位置情報を読み込み手
段により取り込む。

このようにすることにより、簡単に補修箇所の位置情報
を入力できる。

なお、上記の方法のほか、コンピュータ、ＣＲＴ、デジ
タイザ等を用いて、ＬＳＩチップ上の探索すべき補修箇
所を求めることもできる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を、ＬＳＩの配線補修の場合を例
に挙げ、第１図ないし第５図により説明する。

第１図は本発明による位置情報の入力装置の一実施例の
構成図、第２図は第１図中の演算処理装置の実行する処
理手順を示すフローチャー１・、第３図は第１図中のモ
ニタ装置に表示されるＬＳＩチップの画面の例、第４図
は第１図に示す位置情報の入力装置を応用したＬＳＩ配
線形成装置の構成図、第５図は本発明による位置情報の
入力装置の他の実施例の構成図である。

まず、第１図ないし第３図により本発明の一実施例の構
成と動作を説明する。第１図において、１はテーブルで
、マトリクス状に配列した応力センサ２が埋め込まれて
いる。テーブル１上には入力すべきレイアウト図３（例
えばＬＳＩのレイアウト図）を、また駆動装置１２に接
続されているＸ−Ｙステージ４９上にはＬＳＩチップ４
８を、それぞれ載置する。このとき、レイアウト図３の
Ｘ、　Ｙ方向とＬＳＩチップ４８のＸ、Ｙ方向とを一致
させておく。そして、レイアウト図３上の基準とすべき
点Ｏに対応するＬＳＩチップ４８上の点を、あらかじめ
、駆動装置１２に接続された方向指示スイッチ１１を操
作することによってＸ−Ｙステージ４９を駆動し、光学
系倍率切換器９によって所定の倍率に設定された対物レ
ンズ６０を含んでなる光学系および撮像装置１３を通じ
て、モニタ装置１４の中心Ｃに合わせる。次に、レイア
ウト図３上の点Ｏを、ポインタ４を用いて直接ポイント
指定し、さらにポイント指定スイッチ５を押して、その
点が基準点であることを演算処理装置１０に指令する。

この場合、応力センサ２および基準点用のポイン１〜指
定スイツチ５はデコーダ７に接続されており、デコーダ
７は、いまポインタ４によって押された箇所に対応する
応力センサ２が押されたことを検知するとともに、ポイ
ント指定スイッチ５が押されたことを認識することによ
って、レイアウト図３上の点Ｏであることを判断し、そ
の点Ｏのデータを演算処理装置１０にセットする（第２
図のステップ２＋、）。次に、このレイアウト図３にか
かわる倍率を倍率設定器８で指定し、この倍率データを
演算処理装置１０にセットする（第２図のステップ２２
）。

その後、レイアウト図３上の補修箇所Ｐをポインタ４に
よりポイント指定し、補修箇所用のポイント指定スイッ
チ６を押すと、前述の基準点のときと同様にデコーダ７
が動作し、演算処理￥２置１０に補修箇所Ｐのデータが
セットされる（第２図のステップ２３）、演算処理装置
１０では、前記基準点（０点）、補修箇所（Ｐ点）のデ
ータ、および設定されたレイアウト図３の倍率から、距
離ＯＰをＬＳＩチップ４８上での実距離に換算し、その
結果をｌ原動装置１２に出力し、この距離に従ってＸ−
Ｙステージ４９が移動する（第２図のステップ２４）。

Ｘ−Ｙステージ４９が移動すると、モニタ装置１４には
、補修位置の画面が第３図（ａ）の画面３１のように表
示される。このとき、補修箇所は画面内しこ表示されて
いるが、前記応力センサ２の配置密度および倍率設定器
８の設定精度（分解能）、さらに基準点の設定精度等に
起因する誤差が累積され、モニタ画面の中心（第３図の
３２ａと３２ｂとの交点）と補修箇所の中心（同図３３
ａと３３ｂとの交点）とにずわを生じている。そこで、
光学系倍率切換器９によって光学系の対物レンズ６０を
高倍率にし、方向指示スイッチ１１によって能動装置！
２に指令を出しく第２図のステップ２５）、Ｘ−Ｙステ
ージ４９を移動させて、第３図（ｂ）の画面３４のよう
に、モニタ画面の中心（３２ａと３２ｂとの交点）に補
修箇所の中心（３３ａと３３ｂとの交点）が来るように
する（第２図のステップ２６）。このように合わせた後
、ポイント指定スイッチ６を押す。演算処理装置１０は
、ポイント指定スイッチ６が押されることを検知しく第
２図のステップ２７）　、　Ｘ−ＹステージのＸ、Ｙ座
標を読み込むことによってＬＳＩチップ上の補修箇所の
位置データを取り込む（第２図のステップ２８）。

このようにして、実チップ上で補修箇所をｆ＋ｆｆ　ｊ
）′Ｌに探索することができる。なお、基１（Ｈ２点か
ら補修箇所を得るのに、］４枚のレイアラ１〜図、１枚
の光学顕微鏡写真から即時得られない場合は、し、ｒア
ラト図と光学顕微鏡写真の組み合わせや、光学顕わ微鏡写真の複数枚を組み合せて用いることも可能ハである。すなわち、最初は低倍率のレイアウトｌ’にや
光学顕微鏡写真により補修箇所の近傍を第２図の手順に
従って探し出し、さらに高倍率の光学顕微鏡写真をテー
ブル１上にセントし直し、第２図の手順を繰り返して基
７（６点を逐次更新しながら。

最終的に所望の補修位置を得るようにしてもよい。

次に、上記実施例の応用を、エネルギービーム加工装置
の一つであるＬＳＩ配線形成装置（レーザＣＶＤ装置）
の場合を例に挙げ、第４図により説明する。

第４図は」二記実施例の位置情報の入力装置を備えたＬ
ＳＩ配線形成装置の全体構成を示す図である。図中にお
いて第１図と同一符号を付したものは、すでに説明した
ものと同一もしくは等価のものを示し、その説明は省略
する。

まず、配線形成について説明する。第４図において、ロ
ードロック室４１はゲートバルブ４２を介してメインチ
ャンバ４３と連結されており、各々真空ポンプ４４．４
４′　により配管４５．４５′およびバルブ４６．４６
′　を介して排気できる構成となっている。

メインチャンバ４３内には、試料台４７上にウェハ（あ
るいは必要に応じてチップ）４８ａが載置され、Ｘ−Ｙ
ステージ１１９と駆動装置１２により移動可能に構成さ
れている。ウェハ（あるいはチップ）４８ａは、試料台
４７と共に搬送機構５１によりメインチャンバ４３内に
供給される。また、メインチャンバ４３には、配管５２
、バルブ５３を介してＣＶＤ材料ガスボンベ５４が結合
されている。レーザ発振器５５から出力されたレーザ光
５６は、シャッタ機構５７、出力調整機構５８を介して
ミラー５９で曲げられた後、対物レンズ６０ａで集光し
つつウィンド６１を介してウェハ４８ａ上に照射される
。また、照明光′ｒＸ６２からの照明光６３は、フィル
タ６４を介してミラー６５で曲げられた後、対物レンズ
６０ａ、ウィンド６１を介してウェハ４８ａ上を照明す
る。ウェハ４８ａ表面は、ミラー６６、接眼レンズ６７
により観察可能であり、また撮像装置６８およびそれに
接続したモニタ装置１４しこよっても観察可能である。

また、制御装置６９により、シャッタ機構５７．出力調
整機構５８、フィルタ６４などの制御が行える構成とな
っている。

次に、各部の機能および配線形成の手順について説明す
る。

配線を形成すべきウェハ（あるいはチップ）４８ａを試
料台４７上に固定し、これらを搬送機構５１によりメイ
ンチェンバ４３内のＸ−Ｙステージ４９上に載置する。

メインチャンバ４３内を真空ポンプ４４′により十分排
気した後、バルブ４６′　を閉じるとともにバルブ５３
を開いて、ボンベ５４内のガス、例えばＭ　Ｏ（ｃ　Ｏ
）　Ｇを配管５２を介してメインチャンバ４３内に導入
する。Ｍ　ｏ　（ＣＯ）６のガス圧が所定の圧力、例え
ば０．ＩＴｏｒｒとなった時点で、バルブ５３を閉じる
。

そして、あらかじめ視野中心とレーザスポットの中心と
が一致するように調整しておき、制御装置６９かもの指
令で、出力調整機構５８を適当な値に設定した後、シャ
ッタ機構５７を駆動して、レーザ発振器５５から出力さ
れたレーザ光５６をウェハ（あるいはチップ）４８ａに
照射する。照射されたウェハ（あるいはチップ）４８ａ
上の任意の箇所は、レーザ光５６の照射により加熱され
、Ｍｏ（ＣＯ）−が分解してＭｏが析出する。このとき
Ｘ−Ｙステージ４９を移動させると、析出したＭｏがチ
ップの膜上に付着して、配線が形成される。以上の手順
によって、ＬＳＩチップ内の不良箇所を補修（接続）で
きる。

以上が配線形成の説明であるが、次に、補修箇所の特定
について説明する。

ＬＳＩの補修の多くは、ＬＳＩチップ上の配線をプロッ
トしたレイアラ１−図で不良の配線をたどり、補修箇所
（補修のやりやすい箇所）が書き込まれるか、もしくは
、開発途中のＬＳＩチップそのものを光学顕微鏡で配線
チエツクし、光学顕微鏡写真上に補修箇所が記入された
ものを用いて行われる。

そこで、前に説明した位置情報の入力装置が、この配線
形成装置に応用されており、その動作は次のとおりであ
る。すなわち、第４図において、応力センサ２を埋め込
み配置したテーブル１上に、レイアウト図３あるいは光
学顕微鏡写真３′を、Ｘ−Ｙステージ４９上のＬＳＩチ
ップ４８の方向に合わせて載置する。そして、ポインタ
４、ポイント指定スイッチ５．６および倍率設定器８に
よって、基準点と補修箇所をこれら図上でポイント指定
し、図上での距はを演算処理装置１０によってＬＳＩチ
ップ４８上の実距離に換算する。その得られた距離に従
ってＸ−Ｙステージ４９を移動させ、ＬＳＩチップ上の
補修位置をモニタ装置１４に表示する。その表示画面に
応じて、さらにＸ−Ｙステージ４９を微動し、最終的な
補修箇所の位置を探し出して補修箇所を特定し、前述の
配線形成を行う。

以上本発明の応用例としてレーザビームＣＶＤによる配
線形成装置について説明したが、イオンビームＣＶＤに
よる配線形成に適用することも、イオンビームによる配
線を切断する装置、また電子ビームによる加工装置であ
っても、本発明の位置情報の入力装置が応用可能である
ことは言うまでもない。

次に、本発明の他の実施例を第５図により説明する。第
５図において、７０はコンピュータ、７１はＣＲＴ、７
２はタッチパネル、７３はライトペン、７４はマウス、
７５はフロッピディスク装置、７６はキーボード、７７
はハードディスク装置、７８はデジタイザ、７９はデジ
タイズペン、８０は１−ラックボールである。コンピュ
ータ７０はＣＲＴ７１．ライトペン７３、マウス７４、
フロッピディスク装置７５、キーボード７６、ハードデ
ィスク装置７７、デジタイザ７８．１−ラックボール８
ｏとそれぞれ接続した４１！成である。また、コンピュ
ータ７０は、前述の配線形成装置ｉ！！（図示せず）と
接続されている。

本実施例の操作方法には２通りの方法がある。

その第１は、レイアウト図（もしくは光学顕微鏡写真）
３をデジタイザ７８上にセットシ、デジタイズペン７９
を操作して、コンピュータ７０に補修箇所の位置情報を
入力する方法である。この場合、倍率および原点の指定
もデジタイズペン７９により行う。また第２は、デジタ
イザ７８」二のレイアウト図（もしくは光学顕微鏡写真
）３の画面情報全部をデジタイザのイメージスキャン機
能によっていったんコンピュータ７０へ入力し、その情
報をＣＲＴ７１に表示し、タッチパネル７２上でライ１
−ペン７３を操作して、コンピュータ７０に補修箇所の
位置情報を記憶させる方法である。このとき、ＣＲＴ７
１に表示する画面情報としては、前述のレイアラ１−図
等をデジタイザ７８に載置して行うという手動操作とは
別に、ＬＳＩの設計データそのものをあらかじめフロッ
ピディスク装置７５やハードディスク装置７７に入れて
おき、自動的にこの情報を引き出して表示するようにし
てもよい。なお、補修箇所の位置情報をコンピュータ７
０に記憶させるには、まずＣＲＴ７１上にカーソル等の
位置指定マークを表示し、次いでマウス７４、キーボー
ド７６、トラックボール８０等を操作してカーソル等を
動かし、マウス７４のスイッチ、キーボー１−７６のキ
ーや、ポイント指定スイッチ５．６によって位置情報を
入力することもできる。

ＬＳＩの補修は、前記配線形成の手順で述べたように、
真空チャンバ内で行われ、装置そのものはクリーンルー
ムに置かれている。これに対し、本実施例の方法を用い
れば、最終的にコンピュータからの位置情報を通信ケー
ブルで配線形成装置へ送信するだけでよく５補修位置の
特定等はクリーンルームの外から遠隔操作で行うことが
できる。

また、本実施例の方法によれば、複数台の補修装置に対
して同時に位置情報を提供するごともでき、操作性の向
上とともに省力化ができるという効果がある。

〔発明の効果〕

本発明によれば、ＬＳＩのレイアラ１−図や光学顕微鏡
写真」−の特定の位置から、実際のＬＳＩチップ上の対
応する位置の位置情報を簡単に入力することができるの
で、不良部分をもつＬＳＩチップを補修する際に、配線
補修（切断もしくは接続）用の”ＡＷＬに対して補修箇
所の位置情報を即刻提供することができる。これにより
、ＬＳ丁開発にｊ′；けるデバッグが迅速に行うことが
できる。

また、本発明による入力方式を用いれば、遠隔操作が可
能になるので、半導体補修の完全クリーン化と、複数台
装置への同時入ツバ、−よる省力化とを図ることができ
る。

１１、図面の涌（１１−な説明第１−図は本発明の一実施例である位置情報の入力装置
の（）４成図、第２図は第１図中の演算処理装置の実行
する処理手順を示すフローチャー１・、第３図は第】図
中のモニタ装置に表示されるＬ　８丁チップの画面の例
、第４図は該実施例の（ひ置情報の人力装置を応用した
ＬＳＩ配線形成装置の構成図、第５図は本発明の他の実
施例である位置情報の入力装置の構Ｊ戊図である。

符号の説明１・・・テーブル　　　　　２・・・応力センサ３・・
・レイアウト図　　　４・・・ポインタ５．６・・・ポ
イン１−指定スイッチ７・・デコーダ　　　　　８・・・倍率設定器１０・・
・演算処理装置　　　１１・・・方向指示スイッチ１２
・・駆動装置ユ　　　　　１４・・モニタ装置４８・・
ＬＳＩチップ　　　４９・・Ｘ−Ｙステージ７０・・・
コンピュータ　　　７Ｉ・・・ＣＲＴ７２・・タッチパ
ネル　　　７３・・・ライトペン７４・・・マウス　　
　　　　７６・・・キーボード７８・・・デジタイザ　
　　　７９・・・デジタイズペン８０・・・１〜ラツク
ボール

Claims

【特許請求の範囲】１、図面または写真等の図形に指定した位置情報に基づ
いて試料上のエネルギービームの照射位置を決めること
を特徴とするエネルギービーム加工装置。２、特許請求の範囲第１項に記載のエネルギービーム加
工装置において、エネルギービームをレーザビームで構
成し、ＣＶＤにより試料上に成膜することを特徴とする
エネルギービーム加工装置。３、特許請求の範囲第２項に記載のエネルギービーム加
工装置において、ＬＳＩ上に配線を形成することを特徴
とするエネルギービーム加工装置。４、特許請求の範囲第１項に記載のエネルギービーム加
工装置において、エネルギービームをイオンビームで構
成し、試料に対してスパッタ加工することを特徴とする
エネルギービーム加工装置。５、特許請求の範囲第４項に記載のエネルギービーム加
工装置において、微細回路パターン上に加工を施すこと
を特徴とするエネルギービーム加工装置。６、特許請求の範囲第１項に記載のエネルギービーム加
工装置において、エネルギービームをイオンビームで構
成し、ＣＶＤにより試料上に成膜することを特徴とする
エネルギービーム加工装置。７、特許請求の範囲第６項に記載のエネルギービーム加
工装置において、ＬＳＩ上に配線を形成することを特徴
とするエネルギービーム加工装置。８、特許請求の範囲第１項に記載のエネルギービーム加
工装置において、エネルギービームを電子ビームで構成
し、試料に対して加工または成膜することを特徴とする
エネルギービーム加工装置。９、試料上の位置情報を記した図面または写真上の第１
の点から、該第１の点に対応する該試料上の第２の点を
特定し、その位置情報を入力する方法であって、該図面
または写真上のあらかじめ定めた第３の点と、該第３の
点が示す該試料上の第４の点とを基準点とし、図面また
は写真上の第３の点から第１の点までの距離を、該図面
または写真の倍率によって該試料上の実距離に換算し、
該試料上の第４の点から該実距離だけ離れた、該図面ま
たは写真上の前記第１の点にほぼ対応する位置を求め、
該位置付近をモニタ装置を用いて探索することにより、
前記第２の点を特定することを特徴とする位置情報の入
力方法。１０、特許請求の範囲第９項に記載の位置情報の入力方
法を実行するために、試料を載置したＸ、Ｙ方向に移動
可能なステージと、該試料上の位置情報を記した図面ま
たは写真を、該試料とＸ、Ｙ方向を合わせて載置したテ
ーブルと、該テーブル上に載置された図面または写真上
の任意の１点を差し示し、該点の位置情報を出力する手
段と、該図面または写真の倍率を設定する手段と、該図
面または写真上のあらかじめ定めた基準点と差し示され
た特定点の位置情報を入力し、該基準点と該特定点との
距離を、前記倍率によって試料上での実距離に換算する
演算処理手段と、試料上の基準点から該実距離だけ離れ
た、図面または写真上の前記特定点にほぼ対応する位置
を求めるとともに、該位置付近を探索するためのモニタ
装置とを具備してなることを特徴とする位置情報の入力
装置。１１、コンピュータと、デジタイザと、該デジタイザ上
の位置情報を記した図と、デジタイズペンとを具備し、
該図上の所定の位置を該デジタイズペンにより指定して
、その位置情報を記憶することにより所定の位置を探索
し、求める位置の位置情報を入力することを特徴とする
位置情報の入力装置。１２、デジタイザと、該デジタイザ上の位置情報を記し
た図と、デジタイズペンと、コンピュータと、ＣＲＴと
、該ＣＲＴの前面に設けられたタッチパネルおよびライ
トペン　またはキーボード、またはマウス、またはトラ
ックボールのうちの少なくとも１つを含む所定位置指定
手段とを具備し、前記図の位置情報をすべて取り込んで
ＣＲＴ上に表示した後、前記所定位置指定手段のいずれ
かにより、図上の所定の位置を指定して、その位置情報
を記憶することにより所定の位置を探索し、求める位置
の位置情報を入力することを特徴とする位置情報の入力
装置。１３、特許請求の範囲第１０項ないし第１２項のいずれ
か１項に記載の位置情報の入力装置を含んで構成された
ＬＳＩの配線補修装置。