JPH0261773B2 - - Google Patents

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JPH0261773B2
JPH0261773B2 JP58090918A JP9091883A JPH0261773B2 JP H0261773 B2 JPH0261773 B2 JP H0261773B2 JP 58090918 A JP58090918 A JP 58090918A JP 9091883 A JP9091883 A JP 9091883A JP H0261773 B2 JPH0261773 B2 JP H0261773B2
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JP
Japan
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voltage
ripple
electron beam
ripples
accelerating voltage
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Expired
Application number
JP58090918A
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English (en)
Other versions
JPS59215648A (ja
Inventor
Seiichi Tsukamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Co Ltd filed Critical Nippon Electric Co Ltd
Priority to JP58090918A priority Critical patent/JPS59215648A/ja
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Granted legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02Details
    • H01J37/24Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
    • H01J37/241High voltage power supply or regulation circuits

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、電子ビーム溶接機や電子ビーム加
工機などの電子ビーム機器の改良に関するもの
で、特に、ビーム電流中のリツプル含有率の低減
を図つた電子ビーム発生装置に関する。
電子ビーム機器で溶接、加工等を行う場合、そ
の加速電圧中にリツプルが多く含まれると、ビー
ムの絞りの色収差が大きくなり、シヤープに集束
されたビームが得られない事は良く知られている
所である。ところが、実際に微細な溶接や加工を
行わせると、その他に、ビーム電流中のリツプル
も、溶接又は加工の仕上がり精度に多大に影響
し、ビーム電流中のリツプルを低く抑える為、色
収差からの要求以上に加速電圧中のリツプルを減
少させて使用しているのが現状である。第1図
が、従来のこの種装置の構成を示すブロツクダイ
ヤグラムで、13は、交流電源1からの交流電力
を制御して、昇圧トランス2に供給するためのト
ライアツクやSCRなどの電力制御素子で、サー
ポアンプ12の出力により駆動される。サーポア
ンプ12は、加速電圧出力を分圧するための倍率
器9と8′で接地される検出抵抗9′により得られ
る加速電圧検出信号と基準電源10と加速電圧設
定器11により作成される加速電圧指令信号を比
較し、誤差があれば、それをなくす方向に電力制
御素子13に対して信号を出す。3は整流器で、
昇圧トランス2により所要の電圧にされた交流を
整流し、チヨーク4、平滑コンデンサ5により構
成される平滑回路に供給する。31は直熱型カソ
ードのフイラメントで加熱電源6により加熱さ
れ、一端を加速電圧出力、すなわち平滑コンデン
サ5の高圧側に接続されている。32は、グリツ
ドで、バイアス電源7より供給される、バイアス
電圧によりビーム電流34を制御する。33は、
アノードで8″で接地される。35は、ビーム被
照射物、すなわちワークで8で接地される。50
はフイラメント6、グリツド32、アノード33
を収容する電子ビーム室で、図示されない排気装
置で、その内部を所要の真空度まで排気されてい
るものとする。この様な構成で示される装置のビ
ーム電流中に含まれるリツプル分ipは、バークハ
ウゼンの方程式より、次のように示される。
ip=gmeg+1/ρep ここで、 ip…ビーム電流中の微小変動分(リツプル) ep…バイアス電圧中の微小変動分(リツプル) gm…電子銃の増幅率 ρ…電子銃の内部抵抗 egは、一般に殆んどゼロに近い値に選ばれる
ので、この項を無視すると、ビーム電流中のリツ
プルは、加速電圧中のリツプルにより決定され
る。したがつてビーム電流中のリツプルを減らし
て、特性の良いビームを得ようとする時は、高圧
のリツプルを減らしてepを少なくする方法が用
いられて来た。ところが十分なリツプル低減効果
を得ようとする場合、平滑チヨーク4、平滑コン
デンサ5の容量が多大なものとなり、サーポアン
プ12のレスポンス特性を悪化し、急速な負荷変
動や電源電圧変動に追従できなくなるという欠点
を有していた。
この発明は、かかる不具合をなくすべく構成し
たもので、加速電圧中のリツプルを、ビームの絞
りの色収差を所要の値に収めるため必要な値ま
で、許容値をひろげ、平滑用チヨーク4、平滑用
コンデンサ5の値を必要最小限に留めてサーボア
ンプ12のレスポンス特性を所要の値まで向上さ
せ、ビーム電流中のリツプルは、アノードに加速
電圧中のリツプルと、同相で振幅の同じ交流補正
信号を印加する事により、アノードとカソード間
の電圧に含まれるリツプル成分を相殺し、極めて
わずかな値にしようとするものである。
第2図は、この発明の一実施例を示す図であ
る。図で第1図の構成要素と同じものには、同一
番号を付してあるので、説明を省略する。14
は、コンデンサに流れるリツプル電流から、補正
信号を作成するための補正用昇圧トランスで、一
次側は平滑コンデンサ5と直列に加速電圧出力端
に接続され、二次側は、一次側と同相となるよう
に、一端は8で接地、他端はアノードに接続さ
れる。15は補助電極で、8′′′′で接地される。
したがつて実質的な加速電圧はフイラメント31
と、この補助電極15の間の電圧という事にな
る。アノード33を補助電極15間には静電レン
ズが構成される事になるが、補助電極に印加され
る電圧が、加速電圧の数%である事から、その影
響は無視出来る。このような構成の装置では、干
滑コンデンサ5の容量は、ビームの絞りの色収差
だけを考えて選定出来るので、その値は小さくサ
ーボアンプ12のレスポンスに悪影響を与える事
はない。又、アノードに印加される補正電圧は、
位相が加速電圧のリツプルと同相で、振幅が同じ
であり、かつビーム電流の増減に伴つて、リツプ
ル電圧が変化しても、それに追従して、補正電圧
も増減するので、フイラメントとアノード間の電
圧のリツプル電圧成分は常に極めて小さな値に保
たれる。その結果、ビーム電流中のリツプルも極
めて小さな値となり、特性の良いビームを得る事
が出来る。
以上を要するに、この発明は簡単な構成で、加
速電圧制御のレスポンスが良く、ビーム電流中の
リツプルも極めて少ない特性の良いビームが得ら
れるものであり、工業的価値の極めて高いもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、従来のこの種装置の構成を示すブロ
ツクダイヤグラム、第2図は、この発明の一実施
例を示すブロツクダイヤグラムである。 図で、1は交流電源、2は昇圧トランス、3は
整流器、4は平滑チヨーク、5は平滑コンデン
サ、6はフイラメント31の加熱電源、7はグリ
ツド32にバイアス電圧を供給するバイアス電
源、33はアノード、34は電子ビーム、35は
ビーム被照射物、9は倍率器、9′は加速電圧検
出器、8,8′,8″,8,8′′′′は接地点であ
る。13は電力制御素子、50は電子ビーム室、
12はサーボアンプ、10は基準電源、11は加
速電圧調整器、14は補正用昇圧トランス、15
は補助電極である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 カソードを加速電圧分だけ負の高電位に置
    き、接地電位に置かれたビーム被照射物に加速さ
    れた電子ビームを照射する電子ビーム発生装置に
    おいて、アノード電極に加速電圧中のリツプル分
    電圧と同相で約同量の補正電圧を接地に対して印
    加するようにしたことを特徴とする電子ビーム発
    生装置。
JP58090918A 1983-05-24 1983-05-24 電子ビ−ム発生装置 Granted JPS59215648A (ja)

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JP58090918A JPS59215648A (ja) 1983-05-24 1983-05-24 電子ビ−ム発生装置

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JP58090918A JPS59215648A (ja) 1983-05-24 1983-05-24 電子ビ−ム発生装置

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Publication Number Publication Date
JPS59215648A JPS59215648A (ja) 1984-12-05
JPH0261773B2 true JPH0261773B2 (ja) 1990-12-21

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