JPH0261981A - 高周波加熱装置 - Google Patents

高周波加熱装置

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JPH0261981A
JPH0261981A JP63212043A JP21204388A JPH0261981A JP H0261981 A JPH0261981 A JP H0261981A JP 63212043 A JP63212043 A JP 63212043A JP 21204388 A JP21204388 A JP 21204388A JP H0261981 A JPH0261981 A JP H0261981A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、電磁調理器や電子レンジ等の高周波加熱装置
に関し、特に小型化およびコストの低減を図るようにし
た高周波加熱装置に関するものである。
（従来の技術） 従来の電磁調理器等の高周波加熱装置では、準Ｅ級型の
インバータ回路を内蔵しており、この準Ｅ級型のインバ
ータ回路をオンオフ動作させることにより所定の高周波
電流を発生させるようにしている。
ところで従来の準Ｅ級型のインバータ回路にはスイッチ
ング素子としてバイポーラ型のトランジスタを用いてお
り、このバイポーラ型のトランジスタは電流各層を大き
くとることができず、またスイッチング速度をそれほど
速くできなかった。
従って、このようなバイポーラ型のトランジスタを用い
た準Ｅ級インバータ回路においては入力電力を大きく設
定することができず、このため被加熱物を加熱するため
の大きな火力を得ることが困難であった。
そこでスイッチング素子として大きな耐圧を得ることの
できるＩＧＢＴ　（ｌＮ５ＵＬＡＴＥＤＧＡＴＥ　　Ｂ
ＩＰＯＬＡＲＴＲＡＮＳＩＳＴＥＲ）を用いたものが提
案されている。
インバータ回路にＩＧ８Ｔを用いた従来の電磁調理器と
しては第６図に示すようなものが知られている。
第６図に示すように直流電源回路１０１からの所定の直
流電圧をインバータ回路１０３へ供給している。駆動回
路１１５がＩＧＢＴ１１３をオンＡフ動作させることに
より、加熱フィル１０７と共振用コンデンサ１０９とが
直列共振状態に設定される。これによって加熱コイル１
０７から発生する磁束による電磁誘導作用により図示し
ない鋼等の被加熱物に渦電流を発生して加熱するように
なっている。
パルス幅変調回路（ＰＵＬＳＥ　　ＷＩＤＴＨＭＯＤＵ
ＬＡＴ　ｌ０Ｎ）によるＰ、Ｗ、Ｍ発振器１１９は入力
設定回路１２１からの信号に基づいて発振パルスのパル
ス幅を変調する。駆動回路１１５はＰ、Ｗ、Ｍ発振器１
１９からのパルス信号を入力すると、このパルス信号の
パルス幅に相応する時間だけＩＧＢＴ１１３をオンさせ
る。
第７図はスイッチング素子どして用いられるｌＧ３Ｔ１
１３の等価回路図である。第７図に示すようにｌＧ３Ｔ
１１３はＭＯＳ型の電界効果トランジスタＦＥＴｌ０Ｉ
と、ＰＮＰ型のトランジスタＴＲ１０１と、このトラン
ジスタＴＲ１０１と電界効果トランジスタＦＥＴｌ０Ｉ
との間に接続された抵抗ＲＩＯＩとで示される。ゲート
端子ＰＧには駆動回路１１５からのＯボルトから１５ボ
ルトへ立上るパルス信号が与えられており、第８図（Ａ
＞に示すようにＮＧＢＴ１１３のスレッシュホールド電
圧ＶＴＨ，例えば３ボルト以上の電圧がゲート端子ＰＧ
へ入力すると、まずｆｔ１段に位置する電界効果トラン
ジスタＦＥＴｌ０Ｉがオンする。電界効果トランジスタ
ＦＥＴｌ０ＩがオンするとトランジスタＴＲｌ０Ｉがオ
ンして第８図（８）に示すようにコレクタ電流［Ｃが直
線状に増加する。
所定時間の経過後、駆動回路１１５から出力されるパル
ス信号のパルス電圧が１５ボルトからＯボルトに立下が
ると、ＩＧＢＴ１１３がオフする。
このＩＧＢＴ１１３のオフ期間内においては、第８図＜
Ｃ＞に示すようにトランジスタＴＲｌ０Ｉのコレクタ〜
エミッタ間の電圧、すなわち共振電圧ＶＣＥが正弦波形
で得られる。
電磁調理器が電圧２００ボルト仕様で入力電力が最大２
キロワツトである場合には、第８図（Ｃ）に示すように
最大の共振電圧が１０００ボルトに達する。
（発明が解決しようとする課題） しかしながらＩＧＢＴ１１３では電界効果トランジスタ
ＦＥＴ１０１のゲートとエミッタとの間に容量分が存在
すると共に、この電界効果トランジスタＦＥＴｌ０Ｉの
ゲートと駆動回路１１５との間の配線材等によるインダ
クタンス分が存在する。これらの容量分とインダクタン
スによってＩＧＢＴ１１３のゲート電圧ＶＧＥはいわゆ
るリンギングを生じる。すなわち駆動回路１１５から出
力されるパルス信号のパルス電圧が１５ボルトからＯボ
ルトに立下がったとしても、第８図（Ａ＞に示すように
ＩＧＢＴ１１３のゲート電圧ＶＧＥは完全にはＯボルト
に立下がらず、スレッシュボールド電圧ＶＴＩＩの近傍
にノイズ分を生じる。また駆動回路１１５は加熱コイル
１０７の近傍に配置されており、この加熱コイル１０７
がら発生する磁束によって前述したリンギングによるピ
ーク電圧が増長される。
例えば駆動回路１１５から出力されるパルス信号のパル
ス電圧がＯボルトに立下がってゲート電圧ＶＧＥがスレ
ッシュホールド電圧Ｖｒ＋ｉ；（下に達するとＩＧＢＴ
１１３は一旦オフするが、前述したリンギングによって
ゲート電圧ＶＧＥがスレッシュホールド電圧ＶＴＨを上
回ると再び電界効果トランジスタＦＥＴｌ０Ｉがオンし
てトランジスタＴＲｌ０１のエミッタとベースとで形成
されるダイオードを通じて電流が流れる。
前述したように電圧２００ボルト仕様で入力電圧が最大
２キロワツトの電磁調理器である場合には、リンギング
が生じる期間ＴＯにおいては共振電圧２００ボルトが発
生すると共に、リンギングによるコレクタ電流ｉｃが２
０アンペア程度流れるためリンギングによる電力損失が
極めて大きな値になってしまう。
また、電圧１００ボルト仕様で入力電力が最大１．２キ
ロワツトの従来の電磁調理器においても、前述したと同
様なリンギングによる電力損失が生じる。
またインバータ方式を採用する従来の電子レンジ、すな
わちインバータ回路のスイッチング素子として１ＧＢＴ
・を用いる場合にも前述したと同様なリンギングによる
電力損失が生じる。
このようにＩＧＢＴ１１３がターンオフする時の電力損
失によってｌＧ３Ｔ１１３が発熱するため、このＩＧＢ
Ｔ１１３に取付けられた放熱板を大きくすると共に、冷
却ファンの能力を大きなものに設定する必要が生じた。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、スイッチ
ング素子であるＩＧＢＴ等のバイポーラ形ＭＯＳＦＥＴ
のターンオフ時における電力損失を低減し、合せて装置
の小型化および軽量化を実現し且つ安価な高周波加熱装
置を提供することを目的とする。
［発明の構成］ （課題を解決するだめの手段） 上記目的を達成するため本発明が提供する手段は、バイ
ポーラ形ＭＯＳＦＥＴで成るスイッチング手段に接続さ
れて高周波電力を発生する高周波電力発生手段からの高
周波電流によって被加熱物を加熱する高周波加熱装置に
おいて、前記バイポーラ形ＭＯＳＦＥＴのゲートとエミ
ッタとの間の電荷を除去する除去手段と、前記バイポー
ラ形ＭＯＳＦＥＴのゲート電圧の振動を抑制する抑制手
段とを有することを特徴とする （作用） 本発明は、高周波電力発生手段とバイポーラ形ＭＯＳＦ
ＥＴで成るスイッチング手段とが接続されており、この
スイッチング手段がオンオフ動作を繰返すことにより高
周波電力発生手段からの高周波電流によって被加熱物を
加熱する。またバイポーラ形ＭＯＳＦＥＴのゲートとエ
ミッタとの間の電荷を除去するための除去手段と、スイ
ッチング手段がターンオフしたときの、このバイポーラ
形ＭＯ８Ｆ　Ｅ　Ｔのゲート電圧の振動を抑制するため
の抑制手段とを有しており、これら除去手段と抑制手段
によってスイッチング手段のターンオフ時における電力
損失を低減するようにしている。
（実施例） 以下図面を参照して本発明に係る実施例を詳細に説明す
る。
まず第１図を参照して本発明が適用される電子調理器の
構成を説明する。交流電源である商用電源ＰＷは直流電
源回路１と接続されると共に、この直流電源回路１はイ
ンバータ回路３と接続されている。直流電源回路１はブ
リッジ接続された４つのダイオード０１．Ｄ２．Ｄ３．
Ｄ４および平滑用のコンデンサＣ１とで構成されており
、商用電源ＰＷからの交流電力を直流電力に変換する。
また直流電源回路１はこの変換した直流電力をインバー
タ回路３へ供給する。
インバータ回路３は加熱コイル７と共振用のコンデサ９
とが直列に接続されると共に、バイポーラ形ＭＯ３ＦＥ
Ｔ、すなわちｌＧ３Ｔ１３が共振用のコンデンサ９と並
列に接続されている。またこの共振用のコンデンサ９に
はダンパーダイオード１１が並列に接続されている。ま
たＩＧＢＴＩ３の等価回路は第７図に示した例と同様で
あり詳細な説明を省略する。
このＩＧＢＴ１３がオンオフ動作することにより、加熱
コイル７と共振用のコンデンサ９とが直列共振状態に設
定され、加熱コイル７から発生する磁束による電磁誘導
作用により図示しない鋼等の被加熱物に渦電流を発生し
て被加熱物を加熱するようになっている。
インバータ回路３と駆動回路１５との間にはスイッチン
グ手段であるＩＧＢＴ１３がターンオフした時の電力損
失を防止するだめの防止手段を設けている。具体的に説
明すると、ＩＧＢＴ１３のゲート駆動回路１５との間に
は抵抗Ｒ１０を接続すると共に、この抵抗ＲＩＯにはコ
ンデンサＣ１０が並列に接続されている。このコンデン
サＣ１０の容量はＩＧＢＴ１３のゲートとエミッタとの
間の容量分に相応する値に設定されており、ＩＧＢＴ１
３がターンオフした時の電界効果トランジスタＦＥＴｌ
０Ｉのゲートとエミッタとの間に存在する電荷をｉ１１
時に充電する。すなわち、コンデンサＣ１０はＩＧＢＴ
１３のゲートとエミッタとの間に存在する電荷を除去す
るための除去手段である。
また抵抗ＲＩＯはいわゆるダンピング抵抗として作用し
、残留インピーダンスすなわら前述した８１分およびイ
ンバータ回路３と駆動回路１５との間の配線材等に存在
するインダクタンス分によるリンギングを押えるように
している。
換言すると、抵抗Ｒ１０はＩＧＢＴ１３がターンオフし
たときの、このＩＧＢＴのゲート電圧■ＧＥの振動を抑
制するだめの抑制手段である。このように抵抗Ｒ１０と
コンデンサＣ１０との並列回路をＩＧＢＴ１３のゲート
と駆動回路１５との間に介在させることにより、ＩＧＢ
Ｔ１３がターンオフした時のゲート電圧ＶＧＥの値をＯ
ボルトに引下げて確実且つ瞬時にＩＧＢＴ１３をオフさ
せるようにしている。これによりリンギングによる電力
損失すなわちＩＧＢＴ１３のスイッチング損失の発生を
防止するようにしている。
加熱コイル７とＩＧＢＴ１３との接続点はＰ。
Ｗ、Ｍ発振器１９へ帰還接続されており、前述した直列
共振による共振電圧がＰ、Ｗ、Ｍ発振器１９へ帰還され
る。このＰ、Ｗ、Ｍ発振器１９は発振器を内蔵しており
、入力した共振電圧に基づいて発振器の発振パルスの発
振周期を補正する。またＰ、Ｗ、Ｍ発振器１９は入力設
定回路２１と接続されており、この入力設定回路２１か
らの信号に基づいて前記発振パル、スのパルス幅を変調
する。
駆動回路１５はＰ、Ｗ、Ｍ発振器１９と接続されており
、このＰ、Ｗ、Ｍ発振器１９からのパルス信号を入力す
ると、このパルス信号のパルス幅に相応する時間だけＩ
ＧＢＴ１３をオンさせる。
次に第２図を参照して駆動回路１５の内部構成とその周
辺装置を説明する。
所定の直流電圧、例えばプラス１５ボルトが供給される
電源線ＰＬとアースとの間には抵抗Ｒ１１とダイオード
Ｄ１１とトランジスタＴＲ１１とが直列に接続されてい
る。トランジスタＴＲＩＩのベースはＰ、Ｗ、Ｍ発振器
１９と接続されており、前述したパルス信号を入力する
。ダイオード０１１のカソードと電源線ＰＬとの間には
抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ１３とが直列に接続されている。こ
の抵抗Ｒ１２と抵抗Ｒ１３との接続点にはトランジスタ
ＴＲ１２のベースが接続されている。またダイオードＤ
１１のアノードとアースとの間には抵抗Ｒ１４と抵抗Ｒ
１５とが直列に接続されると共に、この抵抗Ｒ１４およ
びＲ１５の接続点はトランジスタＴＲ１３のベースと接
続されている。
また電源線ＰＬとアースとの間にはトランジスタＴＲ１
２と抵抗Ｒ１６とトランジスタＴＲ１３とが直列に接続
されている。トランジスタＴＲ１３のコレクタと抵抗Ｒ
１６との接続点は、抵抗Ｒ１０およびコンデンサＣ１０
との並列回路を介してインバータ回路３と接続されてい
る。
従ってＰ、Ｗ、Ｍ発振器１９からの信号に基づいてトラ
ンジスタＴＲ１１がオンすると、トランジスタＴＲ１２
がオンして出力電圧Ｖｏ　Ｕ　Ｔとして１５ボルトを出
力する。これによりＩＧＢＴ１３のゲート電圧ＶＧＥが
上昇する。またｐ、ｗ。
Ｍ発振器１９からの信号に基づいてＴＲ１１がオフする
と、トランジスタＴＲ１３がオンして出力電圧ＶＯυＴ
としてＯボルトを出力する。これによりＩＧＢＴ１３の
ゲート電圧ＶＧＥが低下する。
次に第３図を参照して動作を説明する。
駆動回路１５から出力電圧ＶＯＵＴとして１５ボルトが
出力されると、抵抗ＲＩＯとコンデンサＣ１０との並列
回路を介してＩＧＢＴ１３のゲートとエミッターの間に
存在する容量分が充電され、第３図（Ａ）に示すように
ゲート電圧ＶＧＥが上昇する。このゲート電圧ＶＧＥが
スレッシュホールド電圧ＶＴＨを上回ると１ＧＢＴ１３
がオンする。ｌＧ３Ｔ１３がオンすると第３図（Ｂ）に
示すようにＩＧＢＴ１３を流れるコレクタ電流ｉｃが直
線状に上昇する。
次に所定時間経過後に駆動回路１５から出力される出力
電圧Ｖｏｕ丁がＯボルトに設定されると、ＩＧＢＴ１３
のエミッタとゲートとの間に蓄積された電荷がコンデン
サＣ１０へ移動する。また抵抗ＲＩＯは加熱コイル７か
ら発生する磁束によるリンギングの発生を防止する。こ
れにより駆動回路１５からの出力電圧ＶＯＵＴの値が０
ボルトに設定されると、第３図（Ａ）に示すようにゲー
ト電圧ＶＧＥが瞬時に０ボルトに設定され、ＩＧＢＴ１
３が確実にオフする。ＩＧＢＴ１３がオフすると、ＩＧ
ＢＴ１３のエミッタとコレクタとの間の電圧すなわち共
振電圧ＶＣＥが暑３図（Ｃ）に示すように正弦波形とし
て得られる。このようにｌＧ３Ｔ１３がターンオフした
時にいわゆるリンギングが発生しないことから、バイポ
ーラトランシタ１３のスイッチング損失すなわち電力損
失が生じない。
次に第４図を参照して本発明に係る他の実施例を説明す
る。
第４図に示す例では共振用のコンデンサ９を加熱コイル
７と並列に接続して加熱コイル７と共振用のコンデンサ
９とを並列共振させるようにしたことを特徴とする。
第４図に示す例では第１図に示したと同様にインバータ
回路３と駆動回路１５との間に抵抗Ｒ１０とコンデンサ
Ｃ１０との並列回路を介在させており、スイッチング手
段であるＩＧＢＴ１３がターンオフした時の電力損失を
防止するようにしている。
次に第５図を参照して本発明に係るその他の実施例を説
明する。
第５図に示す実施例は電子レンジに適用した場合を示し
ており、高周波電力発生手段としての昇圧トランスＬＴ
がＩＧＢＴ１３と接続されている。
具体的に説明すると、直流電源回路１が昇圧トランスＬ
Ｔの１次巻線Ｌ１の一端と接続されると共に、この１次
巻線Ｌ１の他端がＩＧＢＴ１３と接続されている。また
昇圧トランスし王の二次巻線１−２には整流ダイオード
Ｄ６１と充電用のコンデンサＣ６１から成る倍電圧整流
回路が接続され、この倍電圧整流回路のプラス側すなわ
ち整流ダイオード０６１のカソードがマグネトロン３１
のアノードＡＤへ接続されている。また整流ダイオード
０６１のアノードはマグネトロン３１のフィラメントＦ
に接続されている。
また昇圧トランスＬＴの二次側に設けたヒータ巻線Ｌ３
はマグネトロン３１のフィラメントＦと接続されており
、所定のヒータ電圧をフィラメントＦへ供給する。
従ってスイッチング手段であるＩＧＢＴ１３がオンオフ
動作を繰返すことにより一次巻線Ｌ１と共振用のコンデ
ンサ９とが直列共振して一次巻線Ｌ１に高周波磁界が発
生する。この高周波磁界により二次巻線Ｌ２に高周波起
電力が誘起され、倍電圧整流回路によって直流電圧約４
０００ボルト程度に昇圧された後にマグネトロン３１の
アノードＡＤへ印加される。マグネトロン３１のフィラ
メントＦにはヒータ巻１！Ｌ３からの所定の加熱電圧が
供給されており、フィラメントＦから熱電子をアノード
ＡＤへ向けて放出する。この時フィラメントＦから放出
される熱電子は図示しないマグネトロンの外側に巻かれ
たソレノイドの磁界の影響を受けており、この磁界の強
度によっては熱電子が７ノードＡＤへ到達せず再びフィ
ラメントＦへ戻って来るのでアノード電流が流れない。
このことからソレノイドの磁界を制約する事により間接
的にアノード電流をυｊＩｌｌすることができ、この７
ノード電流に基づく出力電流をソレノイド側に帰還すれ
ば反結合発振器が得られる。このようにしてマグネトロ
ン３１から放出された高周波すなわちマイクロ波を被加
熱物に照射する事により被加熱物を加熱する。
また第５図に示す実施例ではスイッチング手段であるＩ
ＧＢＴ１３のゲートと駆動回路１５との間に抵抗ＲＩＯ
とコンデンサＣ１０との並列回路を介在させており、こ
の抵抗Ｒ１０とコンデンサＣ１０との並列回路によって
ＩＧＢＴ１３がターンオフした時の電力損失を防止する
ようにしている。
以上のように第５図に示す実施例では電子レジのインバ
ータ回路に組込まれたＩＧＢＴのスイッチング損失を防
止することができ、電子レンジをさらに小型化し且つ軽
量化することができる。
［発明の効果］ 以上説明してきたように本発明によれば、ＩＧＥＴで成
るスイッチング手段がターンオフした時のｒＧＢＴのゲ
ート電圧の振動を抑制するとともに、ＩＧＢＴのゲート
とエミッタとのあいだに存在する電荷を除去するように
したことから、高周波加熱装置の小型化および軽量化を
達成することができ、さらにコストの低減を図ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例を示した回路図、第２図は第
１図の駆動回路とその周辺部を示した内部構成図、第３
図は第１図の各部の信号波形図、第４図は本発明に係る
他の実施例を示した回路図、第５図は本発明に係るその
他の実施例を示した回路図、第６図は従来例を示した回
路図、第７図はＩＧＢＴの等価回路図、第８図は第６図
の各部の信号波形図である。 ７・・・加熱コイル １３　・　Ｉ　Ｇ　８　Ｔ　　（Ｉ　ｎ５ｕｌａｔｅｄ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｅｒ　　） ＲＩＯ・・・抵抗 Ｃ１０・・・コンデンサ ａｔｅ

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 バイポーラ形ＭＯＳＦＥＴで成るスイッチング手段に接
    続されて高周波電力を発生する高周波電力発生手段から
    の高周波電流によつて被加熱物を加熱する高周波加熱装
    置において、 前記バイポーラ形ＭＯＳＦＥＴのゲートとエミッタとの
    間の電荷を除去する除去手段と、前記バイポーラ形ＭＯ
    ＳＦＥＴのゲート電圧の振動を抑制する抑制手段と を有することを特徴とする高周波加熱装置。
JP63212043A 1988-08-26 1988-08-26 高周波加熱装置 Expired - Lifetime JP2664735B2 (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0591760A1 (de) * 1992-10-07 1994-04-13 Berndorf Luzern AG Mittel zum Transportieren und Warmhalten von Speisen
JP2017175771A (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 インバータ装置

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5528481A (en) * 1994-02-01 1996-06-18 Philips Electronics North America Corporation Low noise multi-output and multi-resonant flyback converter for television power supplies
EP0666703A1 (en) * 1994-02-08 1995-08-09 HUANG, Wen-Liang Power transistor driving circuit of electromagnetic induction heating device
US5648008A (en) * 1994-11-23 1997-07-15 Maytag Corporation Inductive cooking range and cooktop
JP3472660B2 (ja) * 1995-06-22 2003-12-02 日本オプネクスト株式会社 光半導体アレイモジュ−ルとその組み立て方法、及び外部基板実装構造
JP3161589B2 (ja) * 1996-10-17 2001-04-25 富士電機株式会社 電力変換器のゲート駆動回路
DE19913465B4 (de) * 1999-03-25 2013-07-11 Robert Bosch Gmbh Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines Leistungstransistors
US6262564B1 (en) * 2000-11-10 2001-07-17 Lucent Technologies Inc. Driver for a controllable switch in a power converter
KR20040050255A (ko) * 2002-12-09 2004-06-16 조성용 고주파 보일러
GB0913704D0 (en) * 2009-08-05 2009-09-16 Next Row Ltd Induction heating unit for hair rollers
ES2362523B1 (es) * 2009-08-27 2012-08-02 BSH Electrodomésticos España S.A. Control de al menos una carga de calentamiento por inducción.
US8420986B2 (en) * 2010-03-09 2013-04-16 Bsh Home Appliances Corporation Frequency-modulated electric element control
ES2406204R1 (es) * 2011-01-20 2013-07-04 Bsh Electrodomesticos Espana Dispositivo de conexiones para aparato de cocción, procedimiento con dicho dispositivo y dicho aparato de cocción
GB2511334A (en) * 2013-02-28 2014-09-03 Control Tech Ltd Drive circuit for power transistor
CN104125667B (zh) * 2014-05-12 2016-01-20 洛阳理工学院 桥式串联谐振感应加热电源新型互锁驱动保护电路
CN108024403B (zh) * 2016-11-03 2021-03-19 佛山市顺德区美的电热电器制造有限公司 电磁加热系统及其的控制方法和装置
US12334917B2 (en) * 2022-12-16 2025-06-17 United Silicon Carbide, Inc. Voltage-source gate drive having shunt capacitors and shunt resistors

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4312029A (en) * 1979-06-22 1982-01-19 Gte Automatic Electric Laboratories, Inc. DC-to-DC Converter with reduced power loss during turn off
JPS58198888A (ja) * 1982-05-15 1983-11-18 西澤　潤一 高周波誘導加熱装置
USRE32904E (en) * 1984-03-19 1989-04-11 Power supply for gas discharge devices
GB2168865B (en) * 1984-12-20 1988-11-02 Stanley Electric Co Ltd Power source circuit
US4882663A (en) * 1985-12-23 1989-11-21 Nilssen Ole K MOSFET flyback converter
US4900884A (en) * 1987-11-28 1990-02-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Composite cooking system having microwave heating and induction heating
US4903182A (en) * 1989-03-20 1990-02-20 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Self-oscillating converter with light load stabilizer
US4954917A (en) * 1989-04-12 1990-09-04 General Electric Company Power transistor drive circuit with improved short circuit protection

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0591760A1 (de) * 1992-10-07 1994-04-13 Berndorf Luzern AG Mittel zum Transportieren und Warmhalten von Speisen
US5466915A (en) * 1992-10-07 1995-11-14 Berndorf Luzern A.G. Tray transport cart having electromagnetic induction heaters for heating meals to be placed on the trays
JP2017175771A (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 インバータ装置
WO2017163820A1 (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 アイシン・エィ・ダブリュ株式会社 インバータ装置
US10622933B2 (en) 2016-03-23 2020-04-14 Aisin Aw Co., Ltd. Inverter device that reduces a loss caused by switching elements

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KR900004222A (ko) 1990-03-27
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