JPH0262040A - Ｓｉウエハの鏡面加工方法 - Google Patents
Ｓｉウエハの鏡面加工方法Info
- Publication number
- JPH0262040A JPH0262040A JP63211607A JP21160788A JPH0262040A JP H0262040 A JPH0262040 A JP H0262040A JP 63211607 A JP63211607 A JP 63211607A JP 21160788 A JP21160788 A JP 21160788A JP H0262040 A JPH0262040 A JP H0262040A
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- Japan
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- wafer
- polishing
- value
- flatness
- borisha
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- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野］
この発明はＳｉウェハな鏡面加工（以下、ポリッシング
という）する方法に関するものである。
という）する方法に関するものである。
［従来の技術］
従ｆｆ１ｓｉウェハのポリッシングでは、粘弾性値が高
い、例えば８０μ、〜４０Ｂ、の軟質のポリ・ンシャ（
研磨布）を用いて研磨している。しかし軟質のボリシャ
を用いると定盤の半径方向の粘弾性値に差かでき、この
ため別ウェハの２０％程度のものの平坦度は６インチウ
ェハで２〜４０！、である。
い、例えば８０μ、〜４０Ｂ、の軟質のポリ・ンシャ（
研磨布）を用いて研磨している。しかし軟質のボリシャ
を用いると定盤の半径方向の粘弾性値に差かでき、この
ため別ウェハの２０％程度のものの平坦度は６インチウ
ェハで２〜４０！、である。
［発明が解決しようとする課題］
従来のＳｉウェハのポリッシング方法では平坦度が６イ
ンチウェハで２〜７ｈあるために、高集積度化が進むと
デバイス製作時に線幅がぼやけてデバイスとして使用で
きない（例えば、「機械と工具Ｊ １９８４年８月、シ
リコンウェハの研磨装置と評価）等の問題点があった。
ンチウェハで２〜７ｈあるために、高集積度化が進むと
デバイス製作時に線幅がぼやけてデバイスとして使用で
きない（例えば、「機械と工具Ｊ １９８４年８月、シ
リコンウェハの研磨装置と評価）等の問題点があった。
上記問題に鑑み１本願発明は高平坦度にＳｉウェハをポ
リッシングする方法を提供することを目的とする。
リッシングする方法を提供することを目的とする。
［Ｂ題を解決するための手段］
本発明はＳｉウェハをポリッシングする方法において、
粘弾性値が２０μｍ以下のボリシャを用いることにより
高平坦度Ｓｔウェハを得ることである。
粘弾性値が２０μｍ以下のボリシャを用いることにより
高平坦度Ｓｔウェハを得ることである。
［作用］
Ｓｉウェハとは単結晶Ｓｉの棒状のインゴットから薄く
（約０．７．、）に切断した直径５〜１０インチ円板状
の単結晶の板をいう、ポリッシングとは第１図に示す様
に、定１３１１上に固定したボリシャ２に加工液３にけ
んたくした砥粒４（例えば、８．０２で粒子径０．０２
μ−の上からＳｉウェハ５に荷重６（例えば、Ｓｔウェ
ハ面の面圧ばして２５０ｇ／。、２）を加え、定盤１と
Ｓ１ウエハ５に相対速度７（例えば、３．／、ｉｎ）を
あたえてＳｉウェハ５と砥粒４との接触により、Ｓｉウ
ェハ５を鏡の様に研磨することである。粘弾性値につい
て述べると、第３図（ａ）に示す圧子９に荷重８を加え
、圧力にして１９０ｇパノを２０秒加えるとボリシャ２
は変位１１で沈み込む、その後、荷重８をはずし、１０
秒後にはボリシャ２の変位１１は回復して第３図（ｂ）
に示す変位１２となる。この変位１１と変位１２の差、
即ち変位の回復量を粘弾性値ということとする。
（約０．７．、）に切断した直径５〜１０インチ円板状
の単結晶の板をいう、ポリッシングとは第１図に示す様
に、定１３１１上に固定したボリシャ２に加工液３にけ
んたくした砥粒４（例えば、８．０２で粒子径０．０２
μ−の上からＳｉウェハ５に荷重６（例えば、Ｓｔウェ
ハ面の面圧ばして２５０ｇ／。、２）を加え、定盤１と
Ｓ１ウエハ５に相対速度７（例えば、３．／、ｉｎ）を
あたえてＳｉウェハ５と砥粒４との接触により、Ｓｉウ
ェハ５を鏡の様に研磨することである。粘弾性値につい
て述べると、第３図（ａ）に示す圧子９に荷重８を加え
、圧力にして１９０ｇパノを２０秒加えるとボリシャ２
は変位１１で沈み込む、その後、荷重８をはずし、１０
秒後にはボリシャ２の変位１１は回復して第３図（ｂ）
に示す変位１２となる。この変位１１と変位１２の差、
即ち変位の回復量を粘弾性値ということとする。
従来のボリシャでは、粘弾性値は使用前の状態。
で例えば８０！、である、ポリッシングをはじめると粘
弾性値は定盤の半径方向で変化し、第４図に示す様に定
盤の中央では４０．−であるが、定盤外周では８０Ｑ、
となり粘弾性値４０ＩＬ、の偏差が生じる。このように
、使用前の状態で粘弾性値が８０ｇ＝あるボリシャを軟
質ボリシャとよぶ、軟質ボリシャを用いると粘弾性値が
高いため、ポリッシング中のボリシャは第５図に示す様
に均一にＳｉウェハ５に接触しない。
弾性値は定盤の半径方向で変化し、第４図に示す様に定
盤の中央では４０．−であるが、定盤外周では８０Ｑ、
となり粘弾性値４０ＩＬ、の偏差が生じる。このように
、使用前の状態で粘弾性値が８０ｇ＝あるボリシャを軟
質ボリシャとよぶ、軟質ボリシャを用いると粘弾性値が
高いため、ポリッシング中のボリシャは第５図に示す様
に均一にＳｉウェハ５に接触しない。
また、荷重ｑを重くする方法も考えられるが、ボリシャ
２がＳｉウェハ５に与える圧力分布１３は一定にならな
い、さらに、前記粘弾性値の偏差が生じるため、Ｓｉウ
ェハの平坦度は６インチウェハで２ｇｍ以下にできない
、平坦度とは第６図に示す様に平面の凹凸の最大値１４
を意味する。
２がＳｉウェハ５に与える圧力分布１３は一定にならな
い、さらに、前記粘弾性値の偏差が生じるため、Ｓｉウ
ェハの平坦度は６インチウェハで２ｇｍ以下にできない
、平坦度とは第６図に示す様に平面の凹凸の最大値１４
を意味する。
本発明は従来の粘弾性値の高いボリシャに対して粘弾性
値が２０μｍ以下のボリシャを用いることにより、例え
ば直径が６インチのＳｉウェハの平坦度を２ｇｍ以下に
できるポリッシング法を発明したものである。粘弾性値
が使用前の時に２ｆｌｔ、以下のボリシャを硬質ボリシ
ャとよぶが、この硬質ボリシャを用いた場合の粘弾性値
の定盤半径方向の分布は、第１図に示す様に軟質ボリシ
ャに比較して非常に小さいことを見出した。即ち定盤の
中央では１０μｍであるが、定盤外周では２０ｇ４であ
り粘弾性値の偏差は１０μｍ以下で前記従来のボリシャ
の４０μ。
値が２０μｍ以下のボリシャを用いることにより、例え
ば直径が６インチのＳｉウェハの平坦度を２ｇｍ以下に
できるポリッシング法を発明したものである。粘弾性値
が使用前の時に２ｆｌｔ、以下のボリシャを硬質ボリシ
ャとよぶが、この硬質ボリシャを用いた場合の粘弾性値
の定盤半径方向の分布は、第１図に示す様に軟質ボリシ
ャに比較して非常に小さいことを見出した。即ち定盤の
中央では１０μｍであるが、定盤外周では２０ｇ４であ
り粘弾性値の偏差は１０μｍ以下で前記従来のボリシャ
の４０μ。
より大幅に少ない、このような硬質ボリシャな用いると
、第７図に示した様にボリシャ２とＳｔ ウェハ５とは
均一に密着し、面圧１３が均一となり全面が均一に研磨
される。また前記硬質ボリシャでは、第２図に示した様
にＳ１ウエハ５は定盤ｌ上で回転し定盤１の半径方向の
位置が変わるが、前記粘弾性値の偏差が定盤半径方向で
少ないため均一にＳｌウェハは研磨でき約１５１．角の
チップにして半導体の基盤にするが、Ｓｉウニへの直径
が６インチのものから前記１５工角のチップの平坦度が
ｏ、ｓ ％以下の前記チップがとれる確率は硬質ボリシ
ャを用いれば１００％である。
、第７図に示した様にボリシャ２とＳｔ ウェハ５とは
均一に密着し、面圧１３が均一となり全面が均一に研磨
される。また前記硬質ボリシャでは、第２図に示した様
にＳ１ウエハ５は定盤ｌ上で回転し定盤１の半径方向の
位置が変わるが、前記粘弾性値の偏差が定盤半径方向で
少ないため均一にＳｌウェハは研磨でき約１５１．角の
チップにして半導体の基盤にするが、Ｓｉウニへの直径
が６インチのものから前記１５工角のチップの平坦度が
ｏ、ｓ ％以下の前記チップがとれる確率は硬質ボリシ
ャを用いれば１００％である。
粘弾性値が２０％、以上のボリシャを用いると従来の軟
質ボリシャと同様に面圧の分布が変わり６インチウェハ
で２ｇ＋ｓの平坦度を得ること及び前記１５□角のチッ
プの平坦度がｏ、ｓＩＬ＠以下の前記チップがとれる確
率は約８０％であり、１００％とすることは不可能であ
る。
質ボリシャと同様に面圧の分布が変わり６インチウェハ
で２ｇ＋ｓの平坦度を得ること及び前記１５□角のチッ
プの平坦度がｏ、ｓＩＬ＠以下の前記チップがとれる確
率は約８０％であり、１００％とすることは不可能であ
る。
［実施例］
以下本発明の詳細な説明すると、使用前粘弾性値ｔ５μ
ｍのボリシャを用い、圧力２５０ｇ／６ｆｉ 、相対速
度２．／、ｉｎ、ＳｉＯ，の砥粒で６インチのＳｉウェ
ハを研磨したところ、平坦度１．５ｇｍ５，１５１角の
チップの平坦度が０．５μｍ以下のチップが１００％と
れるＳｉウェハが研磨できた。
ｍのボリシャを用い、圧力２５０ｇ／６ｆｉ 、相対速
度２．／、ｉｎ、ＳｉＯ，の砥粒で６インチのＳｉウェ
ハを研磨したところ、平坦度１．５ｇｍ５，１５１角の
チップの平坦度が０．５μｍ以下のチップが１００％と
れるＳｉウェハが研磨できた。
また他の実施例として使用前粘弾性値８１Ｌ＋ａのボリ
シャを用い、圧力２００ｇ／、、 、相対速度３．八１
ｎｎ０．０２μ、の３１０□の砥粒で６インチのＳｉウ
ェハを研磨したところ、平坦度１．２ｇｇ−１５□角の
チップの平坦度が０．３ｇｍ以下のチップが１００％と
れるＳｉウェハが研磨できた。
シャを用い、圧力２００ｇ／、、 、相対速度３．八１
ｎｎ０．０２μ、の３１０□の砥粒で６インチのＳｉウ
ェハを研磨したところ、平坦度１．２ｇｇ−１５□角の
チップの平坦度が０．３ｇｍ以下のチップが１００％と
れるＳｉウェハが研磨できた。
［発明の効果］
本発明はＳｉウェハのポリッシング方法でボリシャの粘
弾性値が２０棒、以下の従来のものより低いボリシャを
用いることにより、従来の方法では平坦度２ＪＬ−ａ以
上のものが約４０％あり不合格となりでいたが、水力法
では１００％の合格率となり、また、■５１角のチップ
の平坦度が０．５１以下のチップか従来の方法では８０
％であったものが、本発明では１００％とれる効果があ
る。
弾性値が２０棒、以下の従来のものより低いボリシャを
用いることにより、従来の方法では平坦度２ＪＬ−ａ以
上のものが約４０％あり不合格となりでいたが、水力法
では１００％の合格率となり、また、■５１角のチップ
の平坦度が０．５１以下のチップか従来の方法では８０
％であったものが、本発明では１００％とれる効果があ
る。
第１図は本発明によるポリッシングの概念図を示す図、
第２図は硬質ボリシャの粘弾性値の定盤半径方向の変化
を示す図、第３図（ａ）、（ｂ）は粘弾性値の測定法の
概念図を示す図、第４図は軟質ボリシャの粘弾性値の定
盤半径方向の変化を示す図、第５図は軟質ボリシャの研
磨の概念図を示す図、第６図は平坦度を示す図、第７図
は硬質ボリシャの研磨の概念図を示す図である。 （μ） 図中。 １：定盤 ２：ボリシャ ３：加工液 ４：砥粒 ５：Ｓｌ ウェハ ６：荷重 ７：相対速度
第２図は硬質ボリシャの粘弾性値の定盤半径方向の変化
を示す図、第３図（ａ）、（ｂ）は粘弾性値の測定法の
概念図を示す図、第４図は軟質ボリシャの粘弾性値の定
盤半径方向の変化を示す図、第５図は軟質ボリシャの研
磨の概念図を示す図、第６図は平坦度を示す図、第７図
は硬質ボリシャの研磨の概念図を示す図である。 （μ） 図中。 １：定盤 ２：ボリシャ ３：加工液 ４：砥粒 ５：Ｓｌ ウェハ ６：荷重 ７：相対速度
Claims (1)
- Ｓｉウェハを鏡面加工する方法において、粘弾性値が２
０μｍ以下のボリシャを用いて研磨することを特徴とす
るＳｉウェハの鏡面加工方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63211607A JPH06103680B2 (ja) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | Ｓｉウエハの鏡面加工方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63211607A JPH06103680B2 (ja) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | Ｓｉウエハの鏡面加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0262040A true JPH0262040A (ja) | 1990-03-01 |
| JPH06103680B2 JPH06103680B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=16608564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63211607A Expired - Lifetime JPH06103680B2 (ja) | 1988-08-27 | 1988-08-27 | Ｓｉウエハの鏡面加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103680B2 (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527593A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-27 | Lucas Industries Ltd | Hydraulic system |
| JPS5590263A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Device for flatly and accurately polishing crystal substrate without causing irregularity |
| JPS5723965U (ja) * | 1981-06-25 | 1982-02-06 | ||
| JPS5922329A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-04 | Nec Corp | 半導体ウエハの研摩用ポリシヤ |
| JPS632655A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ研磨用プレ−ト |
-
1988
- 1988-08-27 JP JP63211607A patent/JPH06103680B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527593A (en) * | 1978-08-17 | 1980-02-27 | Lucas Industries Ltd | Hydraulic system |
| JPS5590263A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Device for flatly and accurately polishing crystal substrate without causing irregularity |
| JPS5723965U (ja) * | 1981-06-25 | 1982-02-06 | ||
| JPS5922329A (ja) * | 1982-07-29 | 1984-02-04 | Nec Corp | 半導体ウエハの研摩用ポリシヤ |
| JPS632655A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ウエハ研磨用プレ−ト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103680B2 (ja) | 1994-12-14 |
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