JPH0262044A - 減圧化学気相成長装置 - Google Patents
減圧化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPH0262044A JPH0262044A JP21317088A JP21317088A JPH0262044A JP H0262044 A JPH0262044 A JP H0262044A JP 21317088 A JP21317088 A JP 21317088A JP 21317088 A JP21317088 A JP 21317088A JP H0262044 A JPH0262044 A JP H0262044A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pump
- damage
- evacuation
- alkaline metal
- exhaust system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
反応ガスに塩化物系シリコン化合物とアンモニアを用い
て半導体基板上に窒化シリコンを成長させる減圧化学気
相成長装置に関し、 減圧排気系が、装置の安定作動の維持を困難にさせる恐
れ及び、アルカリ金属で半導体基板を汚染させる恐れが
無いものであるようにすることを目的とし、 メカニカル・ブースタ・ポンプ及びドライ・ポンプで構
成する排気手段と、アルカリ金属を含まない除害剤を用
いた除害手段とからなる減圧排気系を具えるように構成
する。
て半導体基板上に窒化シリコンを成長させる減圧化学気
相成長装置に関し、 減圧排気系が、装置の安定作動の維持を困難にさせる恐
れ及び、アルカリ金属で半導体基板を汚染させる恐れが
無いものであるようにすることを目的とし、 メカニカル・ブースタ・ポンプ及びドライ・ポンプで構
成する排気手段と、アルカリ金属を含まない除害剤を用
いた除害手段とからなる減圧排気系を具えるように構成
する。
本発明は、反応ガスに塩化物系シリコン化合物とアンモ
ニアを用いて半導体基板上に窒化シリコンを成長させる
減圧化学気相成長装置に係り、特に、その減圧排気系に
関する。
ニアを用いて半導体基板上に窒化シリコンを成長させる
減圧化学気相成長装置に係り、特に、その減圧排気系に
関する。
上記窒化シリコンの成長は、生成した窒化シリコン膜を
絶縁膜や耐酸化膜として使用するために半導体装置の製
造において多用されるものである。
絶縁膜や耐酸化膜として使用するために半導体装置の製
造において多用されるものである。
そして、その成長を行う上記減圧化学気相成長装置（減
圧ＣＶＤ装置）は、安定に且つ半導体基板を汚染するこ
とのないように作動することが必要であり、使用する反
応ガスの点から特に減圧排気系の改良が望まれている。
圧ＣＶＤ装置）は、安定に且つ半導体基板を汚染するこ
とのないように作動することが必要であり、使用する反
応ガスの点から特に減圧排気系の改良が望まれている。
第２図は従来例の減圧排気系の構成図である。
同図において、１は減圧ＣＶＤにより半導体基板上に窒
化シリコンの成長を行う反応管であり、供給する反応ガ
スＧ１は、塩化物系シリコン化合物（Ｓｔ Ｈ２Ｃ１２
、Ｓｉ ＨＣｌコなど）、アンモニア（ＮＨ３）、水素
（Ｈ２）の混合ガスであり、成長時の反応管１内の圧力
は１０−１〜Ｉ Ｔｏｒｒ程度である。そして、反応管
１内を減圧する減圧排気系は、メカニカル・ブースタ・
ポンプ２及びロータリ・ポ゛ンプ３で構成する排気手段
とスクラバー４とからなり、メカニカル・ブースタ・ポ
ンプ２の数は、図示では２台であるが場合により適宜で
ある。
化シリコンの成長を行う反応管であり、供給する反応ガ
スＧ１は、塩化物系シリコン化合物（Ｓｔ Ｈ２Ｃ１２
、Ｓｉ ＨＣｌコなど）、アンモニア（ＮＨ３）、水素
（Ｈ２）の混合ガスであり、成長時の反応管１内の圧力
は１０−１〜Ｉ Ｔｏｒｒ程度である。そして、反応管
１内を減圧する減圧排気系は、メカニカル・ブースタ・
ポンプ２及びロータリ・ポ゛ンプ３で構成する排気手段
とスクラバー４とからなり、メカニカル・ブースタ・ポ
ンプ２の数は、図示では２台であるが場合により適宜で
ある。
メカニカル・ブースタ・ポンプ２は、潤滑用の油が排気
中のガスに触れないようになっている。
中のガスに触れないようになっている。
一方、ロータリ・ポンプ３は、所望の真空度を得るため
内部に油を入れ、この油が排気中のガスに直接触れるよ
うになっている。また、スクラバー４は、排気中のガス
に含まれる塩化物系シリコン化合物などの有害物質を除
去する除害手段であり、例えばＮａイオンといったアル
カリ金属イオンを含む液を用いている。
内部に油を入れ、この油が排気中のガスに直接触れるよ
うになっている。また、スクラバー４は、排気中のガス
に含まれる塩化物系シリコン化合物などの有害物質を除
去する除害手段であり、例えばＮａイオンといったアル
カリ金属イオンを含む液を用いている。
なお、図示の６２は、装置の使用開始時における圧力及
びガス流量の調整の際に、反応ガスＧ１を反応管１に入
れずに減圧排気系へ直接入れるのを示す。
びガス流量の調整の際に、反応ガスＧ１を反応管１に入
れずに減圧排気系へ直接入れるのを示す。
そこで上記構成の減圧排気系では、排気中のガスに含ま
れる塩化物系シリコン化合物がロータリ・ポンプ３の油
を劣化させて、排気速度や到達圧力が極端に悪くなり装
置の安定作動の維持を困難にさせる問題を有し、また、
半導体基板の汚染として極めて不都合なアルカリ金属が
スクラバー４から反応管１に逆流したり、クリーンルー
ムなどを汚染したりする恐れがある。
れる塩化物系シリコン化合物がロータリ・ポンプ３の油
を劣化させて、排気速度や到達圧力が極端に悪くなり装
置の安定作動の維持を困難にさせる問題を有し、また、
半導体基板の汚染として極めて不都合なアルカリ金属が
スクラバー４から反応管１に逆流したり、クリーンルー
ムなどを汚染したりする恐れがある。
このことは、装置の稼働率を低下させるばかりではなく
、製造する半導体装置の品質低下の原因ともなる。
、製造する半導体装置の品質低下の原因ともなる。
第３図は上記の問題を回避するようにした他の従来例の
減圧排気系の構成図である。
減圧排気系の構成図である。
同図に示す減圧排気系は、先の従来例のロータリ・ポン
プ３とスクラバー４を一括して水封ポンプ５に置き換え
たものである。
プ３とスクラバー４を一括して水封ポンプ５に置き換え
たものである。
水封ポンプ５は、所望の真空度を得るため内部に水を入
れ、この水が排気中のガスに直接触れるようになってい
る。そしてこの水が除害の作用も果たすようになってい
る。従ってこの排気系は、先の従来例のような油の劣化
による排気能力の低下やアルカリ金属による半導体基板
の汚染といった問題を起こすことがない。
れ、この水が排気中のガスに直接触れるようになってい
る。そしてこの水が除害の作用も果たすようになってい
る。従ってこの排気系は、先の従来例のような油の劣化
による排気能力の低下やアルカリ金属による半導体基板
の汚染といった問題を起こすことがない。
しかしながらこの減圧排気系では、排気中のガスに含ま
れる塩化物系シリコン化合物とアンモニアが水封ポンプ
５から逆流する水分の作用によりＮＨ４Ｃｌを形成し、
これが壁面に堆積して、水封ポンプ５に至る配管が詰っ
たり、メカニカル・ブースタ・ポンプ２が作動しなくな
ったりして、やはり装置の安定作動の維持を困難にさせ
る問題がある。
れる塩化物系シリコン化合物とアンモニアが水封ポンプ
５から逆流する水分の作用によりＮＨ４Ｃｌを形成し、
これが壁面に堆積して、水封ポンプ５に至る配管が詰っ
たり、メカニカル・ブースタ・ポンプ２が作動しなくな
ったりして、やはり装置の安定作動の維持を困難にさせ
る問題がある。
（発明が解決しようとする課題〕
そこで本発明は、反応ガスに塩化物系シリコン化合物と
アンモニアを用いて半導体基板上に窒化シリコンを成長
させる減圧化学気相成長装置において、減圧排気系が、
装置の安定作動の維持を困難にさせる恐れ及び、アルカ
リ金属で半導体基板を汚染させる恐れが無いものである
ようにすることを目的とする。
アンモニアを用いて半導体基板上に窒化シリコンを成長
させる減圧化学気相成長装置において、減圧排気系が、
装置の安定作動の維持を困難にさせる恐れ及び、アルカ
リ金属で半導体基板を汚染させる恐れが無いものである
ようにすることを目的とする。
上記目的は、メカニカル・ブースタ・ポンプ及びドライ
・ポンプで構成する排気手段と、アルカリ金属を含まな
い除害剤を用いた除害手段とからなる減圧排気系を具え
る本発明の減圧化学気相成長装置によって解決される。
・ポンプで構成する排気手段と、アルカリ金属を含まな
い除害剤を用いた除害手段とからなる減圧排気系を具え
る本発明の減圧化学気相成長装置によって解決される。
上記排気手段には、排気中のガスに直接触れる油及び水
分が存在しない。また、上記除害手段には、アルカリ金
属が存在しない。
分が存在しない。また、上記除害手段には、アルカリ金
属が存在しない。
従って上記減圧排気系は、先の従来例で排気能力低下の
原因となった油の劣化やＮＨ４Ｃｌの形成が低減されて
装置の安定作動の維持を困難にさせる恐れが減少し、ま
た、アルカリ金属で半導体基板を汚染させる恐れもない
。
原因となった油の劣化やＮＨ４Ｃｌの形成が低減されて
装置の安定作動の維持を困難にさせる恐れが減少し、ま
た、アルカリ金属で半導体基板を汚染させる恐れもない
。
このことから装置の稼働率が向上し、然も製造する半導
体装置の品質も確保される。
体装置の品質も確保される。
以下本発明の実施例についてその減圧排気系の構成図で
ある第１図を用いて説明する。全図を通じ同一符号は同
一対象物を示す。
ある第１図を用いて説明する。全図を通じ同一符号は同
一対象物を示す。
第１図において、同図に示す減圧排気系は、第２図に示
す従来例の減圧排気系のロークリ・ポンプ３をドライ・
ポンプ６に、また、スクラバー４を除害手段７に置き換
えたものである。
す従来例の減圧排気系のロークリ・ポンプ３をドライ・
ポンプ６に、また、スクラバー４を除害手段７に置き換
えたものである。
ドライ・ポンプ６は、近年実用化されたものであり、油
を使用しないで所望の真空度が得られるようになってい
る。また、除害手段は、排気中のガスを通過させる容器
の中にアルカリ金属を含まない粒状の除害剤を詰めたも
のであり、その除害剤は、例えばＣｕＯ系やＭｇＯ系の
酸化触媒などであり、排出ガスに含まれる有害な塩化物
系シリコン化合物などを無害な物質に変える。
を使用しないで所望の真空度が得られるようになってい
る。また、除害手段は、排気中のガスを通過させる容器
の中にアルカリ金属を含まない粒状の除害剤を詰めたも
のであり、その除害剤は、例えばＣｕＯ系やＭｇＯ系の
酸化触媒などであり、排出ガスに含まれる有害な塩化物
系シリコン化合物などを無害な物質に変える。
実施例の減圧排気系についてより具体的に説明すると、
メカニカル・ブースタ・ポンプ２の１台は日酸エドワー
ズ社のＥＨ−５００、他の１台は日酸エドワーズ社のＥ
Ｈ−２００であり、ドライ・ポンプ６は日酸エドワーズ
社のＤＰ−８０である。そしてこれらで構成する排気手
段は排気量が６００ｒｒｒ／ｈで到達圧力が３ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒである。また、除害手段７に用いる除害
剤は日本バイオニクス社のバイオフリンＣ及びバイオフ
リンＮであり、前者は塩化物系シリコン化合物に対する
もの、後者はアンモニアに対するものである。
メカニカル・ブースタ・ポンプ２の１台は日酸エドワー
ズ社のＥＨ−５００、他の１台は日酸エドワーズ社のＥ
Ｈ−２００であり、ドライ・ポンプ６は日酸エドワーズ
社のＤＰ−８０である。そしてこれらで構成する排気手
段は排気量が６００ｒｒｒ／ｈで到達圧力が３ Ｘ １
０−’Ｔｏｒｒである。また、除害手段７に用いる除害
剤は日本バイオニクス社のバイオフリンＣ及びバイオフ
リンＮであり、前者は塩化物系シリコン化合物に対する
もの、後者はアンモニアに対するものである。
上記構成の減圧排気系は、先に述べたように、従来例で
排気能力低下の原因となった油の劣化やＮＨ４Ｃｌの形
成が少なくなって装置の安定作動の維持を困難にさせる
恐れが無く、また、アルカリ金属で半導体基板を汚染さ
せる恐れもない。
排気能力低下の原因となった油の劣化やＮＨ４Ｃｌの形
成が少なくなって装置の安定作動の維持を困難にさせる
恐れが無く、また、アルカリ金属で半導体基板を汚染さ
せる恐れもない。
このことから装置の稼働率が向上し、然も製造する半導
体装置の品質も確保される。
体装置の品質も確保される。
なお、本発明の減圧ＣＶＤ装置は、窒化シリコン以外の
物質例えばシリコンなどの成長に用いても、安定作動を
維持し且つ半導体基板のアルカリ金属汚染を起こさない
ことは言うまでもない。
物質例えばシリコンなどの成長に用いても、安定作動を
維持し且つ半導体基板のアルカリ金属汚染を起こさない
ことは言うまでもない。
以上説明したように本発明の構成によれば、反応ガスに
塩化物系シリコン化合物とアンモニアを用いて半導体基
板上に窒化シリコンを成長させる減圧化学気相成長装置
において、減圧排気系が、装置の安定作動の維持を困難
にさせる恐れ及び、アルカリ金属で半導体基板を汚染さ
せる恐れが無いものになり、装置の稼働率が向上し、然
も製造する半導体装置の品質が確保される効果がある。
塩化物系シリコン化合物とアンモニアを用いて半導体基
板上に窒化シリコンを成長させる減圧化学気相成長装置
において、減圧排気系が、装置の安定作動の維持を困難
にさせる恐れ及び、アルカリ金属で半導体基板を汚染さ
せる恐れが無いものになり、装置の稼働率が向上し、然
も製造する半導体装置の品質が確保される効果がある。
第３図は他の従来例の減圧排気系の構成図、である。
図において、
１は反応管、
２はメカニカル・ブースタ・ポンプ、
３はロータリ・ポンプ、
４はスクラバー
５は水封ポンプ、
６はドライ・ポンプ、
７は除害手段、
Ｇ１、Ｇ２は反応ガス、
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 反応ガスに塩化物系シリコン化合物とアンモニアを用い
て半導体基板上に窒化シリコンを成長させる減圧化学気
相成長装置において、 メカニカル・ブースタ・ポンプ及びドライ・ポンプで構
成する排気手段と、アルカリ金属を含まない除害剤を用
いた除害手段とからなる減圧排気系を具えることを特徴
とする減圧化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63213170A JP2615897B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 減圧化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63213170A JP2615897B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 減圧化学気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0262044A true JPH0262044A (ja) | 1990-03-01 |
| JP2615897B2 JP2615897B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=16634716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63213170A Expired - Lifetime JP2615897B2 (ja) | 1988-08-26 | 1988-08-26 | 減圧化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2615897B2 (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621439A (ja) * | 1985-06-25 | 1987-01-07 | Nippon Paionikusu Kk | 有害成分の除去方法 |
| JPS62222630A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相反応処理装置 |
-
1988
- 1988-08-26 JP JP63213170A patent/JP2615897B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS621439A (ja) * | 1985-06-25 | 1987-01-07 | Nippon Paionikusu Kk | 有害成分の除去方法 |
| JPS62222630A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-09-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相反応処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2615897B2 (ja) | 1997-06-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101297063B (zh) | 处理气体的方法 | |
| US20160166868A1 (en) | Plasma abatement using water vapor in conjunction with hydrogen or hydrogen containing gases | |
| US7278831B2 (en) | Apparatus and method for control, pumping and abatement for vacuum process chambers | |
| JP5877702B2 (ja) | 成膜装置および成膜方法 | |
| JP3855982B2 (ja) | クリーニング方法及びクリーニング装置 | |
| JP5172707B2 (ja) | ガス流の処理方法 | |
| US4655800A (en) | Waste gas exhaust system for vacuum process apparatus | |
| JP3539446B2 (ja) | 副生成物トラップ装置及びその洗浄方法 | |
| EP1441043A2 (en) | Supply of gas to semiconductor process chamber | |
| JPH0262044A (ja) | 減圧化学気相成長装置 | |
| JPS6235807B2 (ja) | ||
| JP2783485B2 (ja) | 三フッ化塩素ガスの除去方法 | |
| EP2231897A1 (en) | An hvpe reactor arrangement | |
| EP0791665B1 (en) | Exhaust apparatus in ion implantation system | |
| EP1422316A4 (en) | PROCESS FOR CLEANING RESPONSE TANK AND FILM DISTILLATION SYSTEM | |
| JPS63291624A (ja) | ガリウム・ヒ素ウェハ−のドライエッチング排ガスの処理方法 | |
| JP3617575B2 (ja) | 真空排気システム | |
| JP2539067B2 (ja) | 減圧気相成長装置 | |
| TWI386513B (zh) | 於沉積製程中維持副產物揮發性之方法及裝置 | |
| JP3079077B2 (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JPH01258718A (ja) | 反応粉塵および粘性物質の除去方法とその装置 | |
| JP2968301B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
| JPH0715131Y2 (ja) | 有機金属気相成長装置 | |
| JP2000143213A (ja) | 半導体処理ガスの供給方法 | |
| JPH04107917A (ja) | 半導体基板の減圧処理装置 |