JPH0262517A - 液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

液晶表示装置の製造方法

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JPH0262517A
JPH0262517A JP63214020A JP21402088A JPH0262517A JP H0262517 A JPH0262517 A JP H0262517A JP 63214020 A JP63214020 A JP 63214020A JP 21402088 A JP21402088 A JP 21402088A JP H0262517 A JPH0262517 A JP H0262517A
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JP
Japan
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superconducting
electrode
liquid crystal
spacer
display device
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Pending
Application number
JP63214020A
Other languages
English (en)
Inventor
Akinari Otani
大谷 晃也
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は超電導材料を利用した液晶表示装置の製造方法
に関するものである。
従来の技術 従来の液晶表示装置として、ここではTN液晶を用いた
アクティブマトリクス駆動による液晶表示装置について
説明する。
第5図(a)、  (b)はこの従来の液晶表示装置の
構造を示すものであり、 (a)は平面図、 (b)は
平面図に示すC−Cでの断面図である。同図(a)、 
 (b)において、501は各絵素をスイッチングする
スイッチングトランジスタ(一般的にアモルファスシリ
コン等で構成された薄膜トランジスタで以下TPT [
工hln  F Ilm  T rans1storコ
と略す)、502は液晶セル、503はTFT501の
ドレイン電極dに接続された絵素電極、504はすべて
の絵素に共通な対向電極、505は液晶を1方向に配向
するための配向膜、506は点線で囲まれた領域を単位
とする絵素、507はTFT501のゲート電極に接続
されTPT501を動作させるための走査電極、508
はTFT501のソース電極Sに接続され絵素電極50
3に信号を印加するための信号電極、509は透明基板
、510は対向電極504と絵素電極503の間の距離
を一定に保つためのスペーサ、511は偏光板をそれぞ
れ示している。
以上のように構成された従来の液晶表示装置の動作を第
5図(a)、  (b)を用いて以下と共に説明する。
第5図において、下側より照射された光が下側の偏光板
511を通り、下側の配向膜505の配向方向と上側の
配向膜505の配向方向により右回りに旋回した液晶分
子を通り、また上側の偏光板511を通って人間の目に
はいる。このときの光量は、絵素電極503と対向電極
504の間の電圧で液晶分子の立ち方が変化することに
よって決まる。そして、一つ一つの絵素が集まったパネ
ル全体で画像が表示される。
発明が解決しようとする課題 しかしながら前記のような構成では、1画素内で液晶が
動作し、下側より照射された光が人間の目にはいる部分
は絵素電極503の領域だけで、その他の走査電極50
7や信号電極508及びTFT501の領域は液晶が動
作しない。そして透明基板509の間に任意にスペーサ
510を分散させて、パネルを構成すると、 (1)スペーサ510が絵素電極503上に集中したり
すると、液晶の配向がその部分だけ乱れ光がもれる。こ
れが固定パターンとして人間の目に認識される。このこ
とは特に画素を大きく拡大するときは目立つ。
(2)スペーサ510がTFT501上にきた場合、T
FT501が押しつぶされてその画素が動作しない点欠
陥となる。
(3)パネルのコントラスト比をとるため液晶が動作し
ない領域の光遮へいが必要となる。
(4)パネルの透過率を高くするには対向電極504の
厚みを薄くしなければならないが、薄くすれば対向電極
504の抵抗が大きくなり、液晶に印加される電圧の損
失が大きくなる。
という数々の問題点を有していた。
本発明はかかる点に鑑み、スペーサを絵素電極上以外に
配置し、かつ液晶が動作しない領域の光遮へいと対向電
極の低抵抗化を実現し、コントラスト比が高い高品質画
像を表示する液晶表示装置の製造方法を提供することを
目的とする。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために、本発明液晶表示装置の製造
方法は、液書パネルを構成する2枚の透明基板のうち一
方の透明基板上に、絵素領域以外を覆う超電導電極から
なるブラックマトリクス領域を設け、それに対向して、
前記ブラックマトリクス領域に対応する形状にパターニ
ングされた超電導基板を所定の間隔を保持して配置する
とともに、前記一方の透明基板と前記超電導基板の双方
に直交する平行磁界を印加し、その結果前記ブラックマ
トリクス領域に対応してパターニングされた磁界中にお
いて、前記2枚の透明基板の間隔を一定に保持するため
の超電導スペーサを分散させ、その後に前記2枚の透明
基板を組合せることをことを特徴とする。
作用 本発明は上記方法により、超電導材料のマイナス効果を
利用して、ブラックマトリクス領域を対応してパターニ
ングされた磁界を発生させ、そのり磁界中で超電導スペ
ーサを分散させることによって、この超電導スペーサが
一方の透明基板の超電導電極上、すなわちブラックマト
リクス領域上のみに配置されることになる。その結果絵
素領域での液晶の配向膜れによる光もれがなくなり、さ
らに、超電導電極により光は遮蔽されるため、画像のコ
ントラスト比が高くなる。
実施例 第1図(a)、  (b)は本発明の第1の実施例にお
ける液晶表示装置のパネルの一部分の構造を示すもので
あり、同図(a)は平面図、同図(b)は平面図に示す
A−Aでの断面図である。第1図(a)、  (b)に
おいて、101は各絵素をスイッチングするTFTl 
102は液晶セル、103はTFTlolのドレイン電
極dに接続された絵素電極、104はすべての絵素に共
通な対向電極、105は液晶を1方向に配向するための
配向膜、10Bは点線で囲まれた領域を一単位とする絵
素、107はTFTIOIのゲート電極に接続されTP
TIOIを動作させるための走査電極、108はTFT
 101のソース電極に接続され絵素電極103に信号
を印加するための信号電極、109は透明基板、110
は対向電極104と絵素電極103の間の距離を一定に
保つための超電導スペーサ、111は偏光板、112は
超電導材料で形成されている超電導電極をそれぞれ示し
ている。
第2図は本発明の第1の実施例における液晶表示装置の
超電導スペーサ110を配置するための手段を示す斜視
図である。第2図において、201は対向電極104が
形成された側の対向側透明基板、202は超電導スペー
サ110の配置を制御するための超電導制御基板、20
3は平板磁石をそれぞれ示している。そして、対向側透
明基板201と超電導制御基板202は2枚の平板磁石
203に挟持されるが、このとき2枚の平板磁石間の磁
力線はすべての面で垂直となり一様であるものと仮定す
る。これは、第2図に示す平板磁石203を対向側透明
基板201と超電導制御基板202に対して十分に大き
くすることで実現できる。
第3図(a)は第2図に示す超電導制御基板202の構
成を示す平面図、第3図(b)は第2図に示す対向側透
明基板201の構成を示す平面図をそれぞれ示しており
、互いに重ね合わされる同じ部分である。第3図(a)
、  (b)において、301aは臨界温度a’c以下
で超電導状態となる超電導材料a1301bはTPTI
OIの領域に対応する臨界温度b’c以下で超電導状態
となる超電導材料b1  そしてこの臨界温度a’cは
b’cより高くなっている。また、302は絵素電極1
03に対応する領域、303は超電導材料301a及び
超電導材料301bと電気的に接続された対向電極、3
04はTFTIOIに対応するTPT領域、305は超
電導スペーサ110を配置するための信号電極領域をそ
れぞれ示している。ここで、超電導制御基板202は信
号電極領域305だけ超電導材料がなく、逆に、対向側
透明基板201では信号電極領域305だけ超電導材料
a301aがあり、TFT領域304には臨海温度の異
なる超電導材料b301bが使用されている。
そして、超電導材料a301aと超電導材料b301b
の領域がが信号電極上に対応している。なお、絵素電極
103に対応する絵素領域303以外の領域を総称して
、ブラックマトリクス領域という。
第4図は第3図のB−Bでの断面図で、かつ第2図に示
す超電導スペーサの配置するための手段の構成の断面図
でもある。第4図において、401は超電導材料の部分
と同じ領域で超電導スペーサ110を吸着するための接
着材、402は磁力線をそれぞれ示している。
以上のように構成されたこの実施例の液晶表示装置にお
いて、以下その動作を第3図(a)、(b)及び第4図
を用いて説明する。
いま、温度は臨界温度a’cとb’cの間で超電導材料
aだけが超電導状態となり、超電導材料すは常電導状態
であるとする。その中で、対向側透明基板201上に超
電導スペーサを分散させ、第4図に示すように超電導制
御基板202と向い合わせ2枚の平板磁石203.  
  で対向側透明基板201と超電導制御基板202挟
んで構成する。すると、対向側透明基板201にある超
電導材料と超電導制御基板202の超電導材料によりマ
イスナー効果が生じ、磁力線402の進行方向が妨げら
れる。このとき、第4図に示す110 a。
110b、110cのそれぞれの超電導スペーサがどの
ようになるかを説明する。まず絵素電極302のほぼ中
央の位置ににある超電導スペーサ110aの場合、下側
の平板磁石203からの磁力線402がマイスナー効果
により超電導スペーサ110aを避けて、信号電極領域
305に抜けて上側の平板磁石203に入る。この時、
超電導スペーサ110aが信号電極領域305同士の中
央にあるため磁力線402が2つの信号電極領域305
に分かれる。これにより超電導スペーサ110aの上部
の方が磁力線402の密度が疎となり、上向きの力が生
じる。そして、上昇すると超電導スペーサ110aが接
着剤401に接着される。
次に超電導スペーサ100bの場合もaと同様に、下側
の平板磁石203からσ磁力線402がマイスナー効果
により超電導スペーサ110bを避けて、信号電極領域
305に抜けて上側の平板磁石203に入る。この時、
超電導スペーサ110bが信号電極領域305の左側に
近いため磁力線402は、左の信号電極領域305を抜
ける。
これにより超電導スペーサ110bの左部の方が磁力線
402の密度が疎となり、左向きの力が生じて超電導ス
ペーサ110cに近付く。また、この時、同時に上向き
の、力が生じ、上昇したとすると超電導スペーサ110
bは接着剤401に接着されることになる。
最後に、超電導電極112上に位置する超電導スペーサ
110cの場合は、下側の平板磁石203からの磁力線
402がマイスナー効果により超電導電極301aを避
け、かつ超電導スペーサ110cも避けて、左の信号電
極領域305を抜けて上側の平板磁石203に入る。こ
の時、磁力線402は左右対称で、超電導スペーサ11
0cの左右の磁力線402の密度は同じとなり、どの方
向にも力が生じなくなる。すなわち、これら第4図に示
すのそれぞれの超電導スペーサ110 alllob、
110cのように、絵素電極上以外の信号電極領域30
5だけ超電導スペーサ110が配置される。そしてこの
対向側透明基板201を第1図(b)に示すように他の
透明基板と組合せパネルを構成する。
また、このパネルを通常動作させる時の温度は、超電導
材料al  b共に超電導状態となり、臨界温度a’c
及びb’cより低くなる。すると、第1図に示す構成に
おいて、信号電極上はすべて超電導状態となる超電導材
料で覆われるので、光遮蔽の効果が生じる。これは約1
um以上の超電導材料は完全な黒体であり、光の透過及
び反射がほとんどなく理想的な光遮蔽材料であるからで
ある。すなわち、光を遮蔽したい部分は完全に覆われ、
TPT自身も隠れることになり、誤動作がなくなる。
以上のようにこの実施例によれば、超電導スペーサ11
0を配置したい部分だけを常温導状態とした超電導制御
板を用いて、超電導電極と超電導スペーサで、対向側透
明電極を構成することにより、次の効果が生じる。
(1)絵素電極上に超電導スペーサが存在しない。
(2)T F T上に超電導スペーサが存在しない。
(3)絵素電極以外の部分が超電導電極により光遮蔽さ
れる。
(4)透明電極の間に超電導電極が多数あるため超電導
状態では全体の抵抗が低い。
なお、この実施例において超電導スペーサ110を配置
する領域を信号電極領域305としたが、走査電極10
7上にも配置してもよく、また配置する間隔を粗くして
もよい。また、第4図に示す平行磁界中において、対向
側透明基板201を第1図(b)に示すように他の透明
基板と組合せパネルを構成してもよい。
発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、 (1)絵素電極上に超電導スペーサが存在しなくなるの
で、超電導スペーサの集中によって固体パターンが肉眼
で認識されることがない。
(2)TPT上に超電導スペーサが存在しないので、超
電導スペーサに押しつぶされて点欠陥になることはない
(3)絵素電極以外の部分が超電導電極により光遮蔽さ
れるので、全体のコントラスト比が高くなる。また、光
によるTPTの誤動作がない。
(4)透明電極の間に超電導電極が多数あるため超電導
状態では全体の抵抗が低くなり、液晶に印加される電圧
の損失がなくなる。
といった特有の効果を奏するものであり、その実用的効
果は大きい。
【図面の簡単な説明】
第1図(a)は本発明の第1の実施例における液晶表示
装置の平面図、第1図(b)は同A−A断面図、第2図
は同実施例の超電導スペーサを配置するための手段の概
略構成を示す斜視図、第3図(a)は同実施例の超電導
制御基板の構成を示す平面図、第3図(b)は同実施例
の対向側透明基板の構成を示す平面図、第4図は同実施
例の超電導スペーサの配置するための手段のB−B断面
を示す断面図、第5図(a)は従来の液晶表示装置の平
面図、第5図(b)は同C−C断面図である。 103・・・絵素電極、109・・・透明基板、110
−・・超電導スペーサ、112・・・超電導電極、30
3@・・絵素領域。 代理人の氏名 弁理士 粟野重孝 はか1名懺

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 液書パネルを構成する2枚の透明基板のうち一方の透明
    基板上に、絵素領域以外を覆う超電導電極からなるブラ
    ックマトリクス領域を設け、それに対向して、前記ブラ
    ックマトリクス領域に対応する形状にパターニングされ
    た超電導基板を所定の間隔を保持して配置するとともに
    、前記一方の透明基板と前記超電導基板の双方に直交す
    る平行磁界を印加し、その結果前記ブラックマトリクス
    領域に対応してパターニングされた磁界中において、前
    記2枚の透明基板の間隔を一定に保持するための超電導
    スペーサを分散させ、その後に前記2枚の透明基板を組
    合せることをことを特徴とする液晶表示装置の製造方法
JP63214020A 1988-08-29 1988-08-29 液晶表示装置の製造方法 Pending JPH0262517A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100508027B1 (ko) * 1998-04-10 2005-11-03 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 셀 간격제 산포 장치 및 산포 방법
KR100709503B1 (ko) * 2000-11-28 2007-04-20 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 스페이서 산포방법

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KR100508027B1 (ko) * 1998-04-10 2005-11-03 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 셀 간격제 산포 장치 및 산포 방법
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