JPH0263170A - 薄層トランジスタ - Google Patents

薄層トランジスタ

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JPH0263170A
JPH0263170A JP1067390A JP6739089A JPH0263170A JP H0263170 A JPH0263170 A JP H0263170A JP 1067390 A JP1067390 A JP 1067390A JP 6739089 A JP6739089 A JP 6739089A JP H0263170 A JPH0263170 A JP H0263170A
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JP
Japan
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thin layer
layer
film
transistor
layer transistor
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Application number
JP1067390A
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English (en)
Inventor
Gilbert Moersch
ギルベルト・メルシュ
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Nokia Deutschland GmbH
Original Assignee
Nokia Graetz GmbH
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Publication date
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/60—Insulated-gate field-effect transistors [IGFET]
    • H10D30/67—Thin-film transistors [TFT]
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • H—ELECTRICITY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、液晶セルを制御するために平坦なスクリーン
に用いられる薄層トランジスタと、これらの薄層トラン
ジスタへ光保護層を形成する方法とに関する。
［従来の技術］ 平坦なスクリーンは、個々の多数の画素により構成され
る。画素の光透過性は液晶セルにより制御される。個々
の液晶セルを制御するため、２つの可能性がある。これ
らの可能性のうちの一つ、即ち能動的アドレスのみを以
下に述べる。この種のアドレスの場合、電界効果トラン
ジスタとして動作する薄層トランジスタが用いられる。
制御に必要な情報は、導電状態で、トランジスタにより
、電荷として液晶セル又は追加記憶コンデンサへ送られ
る。次いで、トランジスタが阻止され、液晶セルはコン
デンサとして作用する。記憶された情報は電荷として液
晶又は追加記憶コンデンサ内にある。この半導体物質に
光が当たると、半導体物質内に電子−正孔対（Ｅｌｃｋ
ｔｒｏｎ−Ｌｏｃｈ−Ｐａａｒｅ　）が発生し、コンデ
ンサは放電される。光による放電を防止するため、半導
体物質から成る層は、光保護層で、少なくとも薄い金属
層で覆われている。
金属が導電されているので、半導体層は、金属フィルム
の形成前に、絶縁の中間層を備えなければならない。
従来の薄層トランジスタは、光保護が２つの層即ち絶縁
層と金属層によってのみ達成されるという問題があった
。
（発明が解決しようとする課題］ 本発明の課題は、唯一の層において実現される光保護層
を見つけること、こうした光保護層の簡単な製造方法を
示すことにある。
本発明の薄層トランジスタは、その光保護層が電気的に
絶縁されているだけでなく、光を透過しないという利点
があり、ＣＶＤ法でメタン（ＣＨ４）により形成される
非晶質炭素により構成される。
［実施例］ 以下、図面を参照して本発明を具体例に基づいて説明す
る。
第１図は従来の薄層トランジスタを示している。
同図において、ガラス基板は１０で示される。このガラ
ス基板１０上に形成された薄層トランジスタは、タンタ
ル電極１１、ゲート絶縁体１２、ソース電極１３、ドレ
ーン電極１４、感光性の半導体１５、透明の絶縁体１６
及び金属制光保護層１７により構成される。この薄層ト
ランジスタは、ｍＸｎのマトリックスに配置された多数
の薄層トランジスタの構成要素である。これらの薄層ト
ランジスタは液晶セルに対する能動的なアドレスに用い
られる。液晶セル自体は平坦なスクリーンの構成要素で
もある。液晶セルの光透過性は薄層トランジスタにより
制御される。電荷担体はソースドレーン１３から感光性
の半導体物質１５を経てドレーン電極１４及び液晶へ達
する。次いで、ソースドレーン路は高オーミツクに形成
される。液晶はコンデンサとして機能する。このコンデ
ンサに蓄積された電荷は、個々の画素から発せられる光
学的情報（輝度）の基準である。第１図から明らかなよ
うに、半導体層１５は部分的に２つの電極１３及び１４
により覆われている。従って、光は半導体物質１５へ入
ることが出来る。光が半導体物質１５へ入ると、そこで
電子−正孔対が発生して、コンデンサを放電する。この
ような作用は望ましくない。半導体物質１５は光の入射
に対し保護されねばならない。薄層トランジスタの公知
の例において、このために、金属保護層が用いられる。
しかし、金属保護層は、電気的導電性のため、絶縁層に
より半導体から離間されねばならない。第１図では、絶
縁層は１６で、金属保護層は１７で示される。こうした
トランジスタの製造の場合、２つの工程が必要である。
第１は透明な絶縁層１６の形成工程であり、第２は金属
保護層１７の形成工程である。
第２図は本発明の一実施例を示している。この実施例の
薄層トランジスタは、一つの例外を除いて第１図に対応
する薄層トランジスタと同じ構成を有しており、同一の
参照記号は同一の素子を示す。唯一の例外とは、透明な
絶縁層１６及び金属保護層１７の代りに、第２図では、
非晶質炭素から成るフィルム２０が用いられることであ
る。非晶質炭素は非導電性であり、９９．９９％の光吸
収力を有する。非晶質炭素を用いることにより、追加の
絶縁層をトランジスタ上に形成しなくてもよい。
非晶質炭素から成るフィルムはＣＶＤ法により形成され
る。炭素用のソースとしてメタン（ＣＨ４）が用いられ
る。フィルムはリフトオフ法又は酸素プラズマでのエツ
チングにより構成される。
【図面の簡単な説明】
第１図は金属光保護層を有する薄層トランジスタの図、
第２図は非晶炭素フィルムを有する薄層トランジスタの
図である。 出願人代理人　弁理士　鈴江武彦

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、感光性の半導体物質により構成される層と、この層
    を覆う光保護層とを有する、液晶セルを制御するために
    ガラス基板上に形成された薄層トランジスタにおいて、
    前記光保護層が非晶質炭素製のフィルムであることを特
    徴とする薄層トランジスタ。 ２、平坦なスクリーンに用いられることを特徴とする請
    求項１に記載の薄層トランジスタ。 ３、画素に対して能動的にアドレスする素子として用い
    られることを特徴とする請求項１又は２に記載の薄層ト
    ランジスタ。 ４、ａ）ＣＶＤ法によりフィルムを形成する工程と、 ｂ）リフトオフ法又は酸素プラズマでのエッチングによ
    りフィルムを加工する工程とを具備することを特徴とす
    る、感光性の半導体物質上に光保護フィルムを製造する
    方法。 ５、前記光保護フィルムを製造するため、メタン（ＣＨ
    ＿４）が用いられることを特徴とする請求項４に記載の
    方法。
JP1067390A 1988-03-18 1989-03-18 薄層トランジスタ Pending JPH0263170A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3809092.9 1988-03-18
DE3809092A DE3809092A1 (de) 1988-03-18 1988-03-18 Duennschichttransistor mit lichtschutz aus amorphem kohlenstoff und verfahren zur herstellung des lichtschutzes

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0263170A true JPH0263170A (ja) 1990-03-02

Family

ID=6350074

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1067390A Pending JPH0263170A (ja) 1988-03-18 1989-03-18 薄層トランジスタ

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EP (1) EP0333208B1 (ja)
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DE (2) DE3809092A1 (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2675947A1 (fr) * 1991-04-23 1992-10-30 France Telecom Procede de passivation locale d'un substrat par une couche de carbone amorphe hydrogene et procede de fabrication de transistors en couches minces sur ce substrat passive.
JP3856889B2 (ja) 1997-02-06 2006-12-13 株式会社半導体エネルギー研究所 反射型表示装置および電子デバイス

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61244068A (ja) * 1985-04-20 1986-10-30 Oki Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59204274A (ja) * 1983-05-06 1984-11-19 Seiko Instr & Electronics Ltd 薄膜トランジスタ

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JPS61244068A (ja) * 1985-04-20 1986-10-30 Oki Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ

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Publication number Publication date
DE58907731D1 (de) 1994-07-07
EP0333208A3 (en) 1990-12-19
EP0333208B1 (de) 1994-06-01
EP0333208A2 (de) 1989-09-20
DE3809092A1 (de) 1989-09-28

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