JPH0263207A - 静磁波デバイス - Google Patents
静磁波デバイスInfo
- Publication number
- JPH0263207A JPH0263207A JP63213647A JP21364788A JPH0263207A JP H0263207 A JPH0263207 A JP H0263207A JP 63213647 A JP63213647 A JP 63213647A JP 21364788 A JP21364788 A JP 21364788A JP H0263207 A JPH0263207 A JP H0263207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetostatic wave
- wave device
- frequency
- magnetic field
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（概 要〕
静磁波を利用したマイクロ波帯の共振器、フィルタ、遅
延線等の静磁波デバイスに関し、デバイスの低消費電力
化を目的とし、 磁性体中に伝播する静磁波を利用する静磁波デバイスに
おいて、磁性体に応力をかけ歪みを生じさせ、それによ
り磁気異方性を変化させることで静磁波の伝播特性を変
えるように構成する。
延線等の静磁波デバイスに関し、デバイスの低消費電力
化を目的とし、 磁性体中に伝播する静磁波を利用する静磁波デバイスに
おいて、磁性体に応力をかけ歪みを生じさせ、それによ
り磁気異方性を変化させることで静磁波の伝播特性を変
えるように構成する。
本発明は静磁波を利用したマイクロ波帯の共振器、フィ
ルタ、遅延線等の静磁波デバイスに関する。
ルタ、遅延線等の静磁波デバイスに関する。
近年、通信の高周波化（例えば移動体無線、ハイビジョ
ンテレビ、衛星通信等）に伴い１〜２６ＧＨｚのマイク
ロ波帯における信号処理デバイスへの関心が高まってい
る中で、これらの周波帯における共振子、フィルタ、遅
延線等の利用が可能で、また弾性表面波素子、誘電体素
子と相補的な役割を担う素子として、磁性体における磁
気モーメントを信号処理媒体とする静磁波デバイスの開
発が進められている。
ンテレビ、衛星通信等）に伴い１〜２６ＧＨｚのマイク
ロ波帯における信号処理デバイスへの関心が高まってい
る中で、これらの周波帯における共振子、フィルタ、遅
延線等の利用が可能で、また弾性表面波素子、誘電体素
子と相補的な役割を担う素子として、磁性体における磁
気モーメントを信号処理媒体とする静磁波デバイスの開
発が進められている。
磁性体における磁気モーメントは直流磁界を加えると磁
界方向を軸として歳差運動するが、直流磁界に対して直
角に歳差運動と同じ周波数の高周波磁界を加えると磁気
モーメントは高周波磁界からエネルギーを吸収して減衰
することなく歳差運動を継続する。これを磁気共鳴現象
という。
界方向を軸として歳差運動するが、直流磁界に対して直
角に歳差運動と同じ周波数の高周波磁界を加えると磁気
モーメントは高周波磁界からエネルギーを吸収して減衰
することなく歳差運動を継続する。これを磁気共鳴現象
という。
低損失フェライト（例えばイツトリウム鉄ガーネッ）
（ＹＩＧ））においては磁化された磁気モーメントの空
間的分布のために種々の共振、伝搬モードの発生が可能
であり、このうち電界によるエネルギーが殆どないもの
を静磁波モードという。
（ＹＩＧ））においては磁化された磁気モーメントの空
間的分布のために種々の共振、伝搬モードの発生が可能
であり、このうち電界によるエネルギーが殆どないもの
を静磁波モードという。
るものであり、（ｂ）は永久磁石７の磁路中にチップ４
とコイル８とを配置し、永久磁石７により中心磁界を発
生させ、そこからの変位分をコイル８により補う方式で
ある。
とコイル８とを配置し、永久磁石７により中心磁界を発
生させ、そこからの変位分をコイル８により補う方式で
ある。
従来の静磁波デバイスは例えば第３図に示すようにＹＩ
Ｇ等の磁性膜ｌの上にマイクロストリップラインで形成
した人カドランスジューサ２及び出カドランスジューサ
３が設けられており、バイアス磁界Ｈ６を印加しておき
、入カドランスジューサ２に高周波を入力することによ
り、静磁波Ｓが発生し、この静磁波が出カドランスジュ
ーサ３に伝播し、再び電気信号に変換される。この場合
、磁性膜の共振周波数、遅延時間などを変えるためには
チップに印加する外部磁界を磁界発生用のコイルに流す
電流を変化させて行っていた。
Ｇ等の磁性膜ｌの上にマイクロストリップラインで形成
した人カドランスジューサ２及び出カドランスジューサ
３が設けられており、バイアス磁界Ｈ６を印加しておき
、入カドランスジューサ２に高周波を入力することによ
り、静磁波Ｓが発生し、この静磁波が出カドランスジュ
ーサ３に伝播し、再び電気信号に変換される。この場合
、磁性膜の共振周波数、遅延時間などを変えるためには
チップに印加する外部磁界を磁界発生用のコイルに流す
電流を変化させて行っていた。
第４図は従来の外部磁界印加手段を示す図であり、（ａ
）はチップ４を電磁石５のギャップ中に配置し、外部磁
界を全てコイル６により発生させ〔発明が解決しようと
する課題〕 上記従来の静磁波デバイスの外部磁界印加手段において
、第４図（ａ）に示す方式は、非常に広い範囲で磁界を
変化させることができるが消費電力が大きい欠点がある
。また第４図（ｂ）に示す方式は、前者に比べれば消費
電力は小さいが一定磁界に保持する場合も電力を消費す
る。何れにしても外部磁界を変化させるのにコイルを用
いると消費電力はどうしても大きくなるという問題があ
る。
）はチップ４を電磁石５のギャップ中に配置し、外部磁
界を全てコイル６により発生させ〔発明が解決しようと
する課題〕 上記従来の静磁波デバイスの外部磁界印加手段において
、第４図（ａ）に示す方式は、非常に広い範囲で磁界を
変化させることができるが消費電力が大きい欠点がある
。また第４図（ｂ）に示す方式は、前者に比べれば消費
電力は小さいが一定磁界に保持する場合も電力を消費す
る。何れにしても外部磁界を変化させるのにコイルを用
いると消費電力はどうしても大きくなるという問題があ
る。
本発明は低消費電力化した静磁波デバイスを提供するこ
とを目的とする。
とを目的とする。
第１図は本発明の詳細な説明するための図である。
静磁波デバイスに用いられる磁性体には、磁歪定数が０
でないＹＩＧなどが用いられている。磁歪定数がＯでな
い磁性膜に応力を加え歪ませると、磁気異方性が変化し
歪み誘導異方性磁界Ｈｋが生じる。応力σとＨｋの間に
は、 Ｈｋ＝−３σλ／ Ｍ ｓ （１）の関
係がある。ここでλは磁歪定数、Ｍｓは飽和磁化である
。従って応力σを与えることはＨｋの磁界を与えること
と等価である。第１図の如く長さａ、厚さｔの基板上の
磁性膜を高さＺだけ歪ませたときに磁性膜内部に生じる
応力σはσ＝１２ｚＥ／ （１−ｖ）ａ” ｔ （２
）である。ここでＥはヤング率、νはポアソン比である
。 （１）、（２）式より厚さ０．５ｍｍのＧＧＧ ｉ
板上のＹＩＧ膜の場合について計算すると、チップサイ
ズがｌ ｃ＋＋＋のときｌｕｍ歪ませるとＨｋは１．７
０ｅ生じる。弾性限界は４０μｍ程度なので±７００ｅ
程度の異方性磁界を誘起できる。
でないＹＩＧなどが用いられている。磁歪定数がＯでな
い磁性膜に応力を加え歪ませると、磁気異方性が変化し
歪み誘導異方性磁界Ｈｋが生じる。応力σとＨｋの間に
は、 Ｈｋ＝−３σλ／ Ｍ ｓ （１）の関
係がある。ここでλは磁歪定数、Ｍｓは飽和磁化である
。従って応力σを与えることはＨｋの磁界を与えること
と等価である。第１図の如く長さａ、厚さｔの基板上の
磁性膜を高さＺだけ歪ませたときに磁性膜内部に生じる
応力σはσ＝１２ｚＥ／ （１−ｖ）ａ” ｔ （２
）である。ここでＥはヤング率、νはポアソン比である
。 （１）、（２）式より厚さ０．５ｍｍのＧＧＧ ｉ
板上のＹＩＧ膜の場合について計算すると、チップサイ
ズがｌ ｃ＋＋＋のときｌｕｍ歪ませるとＨｋは１．７
０ｅ生じる。弾性限界は４０μｍ程度なので±７００ｅ
程度の異方性磁界を誘起できる。
一般的に静磁波デバイスの周波数は１０ｅ当たり２、８
ＭＨｚ変化する。従って応力により４００ ＭＨｚ中
心周波数を可変できる。
ＭＨｚ変化する。従って応力により４００ ＭＨｚ中
心周波数を可変できる。
第２図は本発明の実施例を示す断面図である。
同図において、１０は静磁波デバイスのチップ、１１は
マグネットヨーク、１２ 、１２’は永久磁石、１３は
チップホルダー、１４は圧電体である。
マグネットヨーク、１２ 、１２’は永久磁石、１３は
チップホルダー、１４は圧電体である。
本実施例は、静磁波デバイスのチップ１０を箱状のチッ
プホルダー１３の中に収容し、チップＩＯの中央を下方
より圧電体１４で支持し、チップ１０の両端を上方より
チップホルダー１３に設けられた突起１３ａで押さえて
おり、このチップを収容したチップホルダー１３を永久
磁石１２．１２’とマグネットヨーク１１とよりなる磁
気回路の中に配置したものである。
プホルダー１３の中に収容し、チップＩＯの中央を下方
より圧電体１４で支持し、チップ１０の両端を上方より
チップホルダー１３に設けられた突起１３ａで押さえて
おり、このチップを収容したチップホルダー１３を永久
磁石１２．１２’とマグネットヨーク１１とよりなる磁
気回路の中に配置したものである。
このように構成された本実施例は永久磁石１２゜１２′
により外部磁界の動作中心を決めておき、静磁波デバイ
スの周波数、遅延時間を変えるためには圧電体１４に電
圧を印加し、その伸縮によりチップ１０を変形させるこ
とにより磁性膜に応力を発生させ、それにより磁気異方
性を変化させて静磁波の周波数を変えることができる。
により外部磁界の動作中心を決めておき、静磁波デバイ
スの周波数、遅延時間を変えるためには圧電体１４に電
圧を印加し、その伸縮によりチップ１０を変形させるこ
とにより磁性膜に応力を発生させ、それにより磁気異方
性を変化させて静磁波の周波数を変えることができる。
本実施例によれば外部磁界を永久磁石によって印加し、
周波数の調整は圧電体によるため、その電力は極めて少
なくてすみ、静磁波デバイスの低消費電力化が可能とな
る。
周波数の調整は圧電体によるため、その電力は極めて少
なくてすみ、静磁波デバイスの低消費電力化が可能とな
る。
以上説明した様に、本発明によれば、静磁波デバイスの
周波数調整をコイルに流す電流でなく、磁性膜にあたえ
る歪により行なうため、歪は圧電体などで印加できるの
で消費電力を小さくすることが可能となる。
周波数調整をコイルに流す電流でなく、磁性膜にあたえ
る歪により行なうため、歪は圧電体などで印加できるの
で消費電力を小さくすることが可能となる。
第１図は本発明の詳細な説明するための図、第２図は本
発明の実施例を示す断面図、第３図は従来の静磁波デバ
イスのチップを示す図、 第４図は従来の静磁波デバイスの外部磁界印加手段を示
す図である。 図において、 １０は静磁波デバイスのチップ、 １１はマグネットヨーク、 １２ 、１２ ’は永久磁石、 １３はチップホルダー １４は圧電体、 を示す。
発明の実施例を示す断面図、第３図は従来の静磁波デバ
イスのチップを示す図、 第４図は従来の静磁波デバイスの外部磁界印加手段を示
す図である。 図において、 １０は静磁波デバイスのチップ、 １１はマグネットヨーク、 １２ 、１２ ’は永久磁石、 １３はチップホルダー １４は圧電体、 を示す。
Claims (2)
- １．磁性体中を伝播する静磁波を利用する静磁波デバイ
スにおいて、 磁性体に応力をかけ歪みを生じさせ、それにより磁気異
方性を変化させることで静磁波の伝播特性を変えること
を特徴とする静磁波デバイス。 - ２．上記応力を圧電素子により生じさせることを特徴と
する請求項１記載の静磁波デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63213647A JPH0263207A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 静磁波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63213647A JPH0263207A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 静磁波デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0263207A true JPH0263207A (ja) | 1990-03-02 |
Family
ID=16642621
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63213647A Pending JPH0263207A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 静磁波デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0263207A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622267B2 (ja) * | 1977-11-18 | 1987-01-19 | Radiochemical Centre Ltd | |
| JPS62290187A (ja) * | 1986-06-07 | 1987-12-17 | Tohoku Metal Ind Ltd | 円筒状圧電アクチユエ−タ及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63213647A patent/JPH0263207A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS622267B2 (ja) * | 1977-11-18 | 1987-01-19 | Radiochemical Centre Ltd | |
| JPS62290187A (ja) * | 1986-06-07 | 1987-12-17 | Tohoku Metal Ind Ltd | 円筒状圧電アクチユエ−タ及びその製造方法 |
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