JPH0264420A - 焦電型赤外線撮像素子 - Google Patents
焦電型赤外線撮像素子Info
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- JPH0264420A JPH0264420A JP63216514A JP21651488A JPH0264420A JP H0264420 A JPH0264420 A JP H0264420A JP 63216514 A JP63216514 A JP 63216514A JP 21651488 A JP21651488 A JP 21651488A JP H0264420 A JPH0264420 A JP H0264420A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pyroelectric
- thin film
- infrared imaging
- imaging device
- polarization
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
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- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は焦電薄膜を用いた焦電型赤外線撮像素子に関す
るものである。
るものである。
従来の技術
物体の温度分布を非接触で測定する赤外線撮像装置には
、赤外線を光量子として検出する量子型検出器、あるい
は熱として吸収して素子の温度変化を電気信号に変換す
る熱型検出器が採用される。
、赤外線を光量子として検出する量子型検出器、あるい
は熱として吸収して素子の温度変化を電気信号に変換す
る熱型検出器が採用される。
前者は応答速度が速く高感度であるが、液体窒素温度へ
の冷却を必要とし、感度の波長依存性が大きい。後者は
応答は遅いが、常温動作が可能で長波長での感度が高い
という特長を有し、家庭用、一般民需用として期待され
ている。
の冷却を必要とし、感度の波長依存性が大きい。後者は
応答は遅いが、常温動作が可能で長波長での感度が高い
という特長を有し、家庭用、一般民需用として期待され
ている。
現在、実用化されている赤外線撮像装置には、ポイント
あるいは少数の素子よりなるリニアアレイ型の検出器と
光学系の機械的走査とを組合せたものが多く用いられて
いる。最近になり、検出部としてショットキー障壁を形
成し、電荷結合素子（ＣＯＤ）により電子走査をする二
次元赤外線撮像装置が実用化された。一方、熱型検出器
を用いた赤外線撮像装置には、真空管タイプの焦電ビジ
コンが既に実用化されている。焦電型赤外線検出器とＣ
ＣＤとを一体化した固体化焦電ＣＣＤは研究開発中であ
り、赤外線物理（Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｐｈｙｓ）、２２
、２５９（１９８２）等に焦電素子とＣＣＤをＩｎバン
プで結合する方式が提案されている。
あるいは少数の素子よりなるリニアアレイ型の検出器と
光学系の機械的走査とを組合せたものが多く用いられて
いる。最近になり、検出部としてショットキー障壁を形
成し、電荷結合素子（ＣＯＤ）により電子走査をする二
次元赤外線撮像装置が実用化された。一方、熱型検出器
を用いた赤外線撮像装置には、真空管タイプの焦電ビジ
コンが既に実用化されている。焦電型赤外線検出器とＣ
ＣＤとを一体化した固体化焦電ＣＣＤは研究開発中であ
り、赤外線物理（Ｉｎｆｒａｒｅｄ Ｐｈｙｓ）、２２
、２５９（１９８２）等に焦電素子とＣＣＤをＩｎバン
プで結合する方式が提案されている。
焦電型赤外線撮像装置に使用されている材料にはＴＧＳ
系・ＬｉＴａＯ３系等の単結晶、ＰｂＴｉＯ３系” Ｐ
ｂｚ ｒｘＴ ｉ＋−ｘｏ３系のセラミクス、Ｐ Ｖ
Ｆ ２系等の有機膜等がある。焦電材料の性能指数で
あるＦｖ（＝γバＥＣＶ））及びＦｍ（＝ｒバＣｖ（ｔ
ｄｔａｎδ）１′２））は一般に無機系では高く、有
機系材料では低い。
系・ＬｉＴａＯ３系等の単結晶、ＰｂＴｉＯ３系” Ｐ
ｂｚ ｒｘＴ ｉ＋−ｘｏ３系のセラミクス、Ｐ Ｖ
Ｆ ２系等の有機膜等がある。焦電材料の性能指数で
あるＦｖ（＝γバＥＣＶ））及びＦｍ（＝ｒバＣｖ（ｔ
ｄｔａｎδ）１′２））は一般に無機系では高く、有
機系材料では低い。
ここで γは焦電係数、εは誘電率、Ｃｖは体積比熱、
ｄは厚さである。焦電素子そのものの熱容電な下げ応答
性を速くするとともに感度を上げるために焦電材料を薄
くする必要がある。特に、高密度の一次元、二次元検出
器には、性能指数の高い焦電薄膜材料が要望されている
。
ｄは厚さである。焦電素子そのものの熱容電な下げ応答
性を速くするとともに感度を上げるために焦電材料を薄
くする必要がある。特に、高密度の一次元、二次元検出
器には、性能指数の高い焦電薄膜材料が要望されている
。
また、焦電材料は自発分極Ｐｓの変化を出力として取り
出すため、Ｐｓが一方向に揃っているとき、最大出力が
得られる。そこで、焦電材料には高電界を印加してＰｓ
の向きを揃える分極処理が必要である。しかしながら、
ｒｆマグネトロンスパッタリング法により作製したＣ軸
配向ＰｂＴｉＯ３系薄膜は、分極処理をしなくとも、Ｐ
ｂＴｉ０ａセラミクスの約３倍のＦｖを示す高感度焦電
材料を実現できることが、第３０回応用物理学関係連合
講演予稿集７Ｐ−ｚ−２に報告されている。
出すため、Ｐｓが一方向に揃っているとき、最大出力が
得られる。そこで、焦電材料には高電界を印加してＰｓ
の向きを揃える分極処理が必要である。しかしながら、
ｒｆマグネトロンスパッタリング法により作製したＣ軸
配向ＰｂＴｉＯ３系薄膜は、分極処理をしなくとも、Ｐ
ｂＴｉ０ａセラミクスの約３倍のＦｖを示す高感度焦電
材料を実現できることが、第３０回応用物理学関係連合
講演予稿集７Ｐ−ｚ−２に報告されている。
発明が解決しようとする課題
そこで、感度、検出能、空間分解能、応答性をよくする
ために、赤外線撮像装置に用いる焦電材料の厚さを薄く
することが重要となる。そのための研磨工程が必要とな
り、焦電材料の割れ防止に対する管理をしなければなら
ない。また、単結晶、セラミクスの薄膜化には限界があ
り、厚さを薄くして検出能： Ｄ＊を向上することは限
度がある。薄くなると、膜厚の制御も困難で感度バラツ
キの原因となった。
ために、赤外線撮像装置に用いる焦電材料の厚さを薄く
することが重要となる。そのための研磨工程が必要とな
り、焦電材料の割れ防止に対する管理をしなければなら
ない。また、単結晶、セラミクスの薄膜化には限界があ
り、厚さを薄くして検出能： Ｄ＊を向上することは限
度がある。薄くなると、膜厚の制御も困難で感度バラツ
キの原因となった。
さらに、焦電材料に分極処理を施すとき、絶縁破壊が生
じたり、高密度に配列している高分解能アレ−イ素子で
は、それらを均一に分極することが困難であるという問
題が発生した。したがって、高感度で感度バラツキの小
さい焦電型ＣＣＤは、未だ開発されていない。
じたり、高密度に配列している高分解能アレ−イ素子で
は、それらを均一に分極することが困難であるという問
題が発生した。したがって、高感度で感度バラツキの小
さい焦電型ＣＣＤは、未だ開発されていない。
一方、高性能指数を示す焦電薄膜とＣＣＤをバンプなど
により接合する場合、焦電薄膜に機械的強度も要求され
、焦電薄膜の割れ・破壊が生じた。
により接合する場合、焦電薄膜に機械的強度も要求され
、焦電薄膜の割れ・破壊が生じた。
また、ＣＣＤとセンサ部の熱膨張差による接触不良やク
ラックが生じた。
ラックが生じた。
本発明は、従来技術のこのような課題を解決した焦電型
赤外線撮像素子を提供することを目的とする。
赤外線撮像素子を提供することを目的とする。
課題を解決するための手段
本発明は、基板上に形成された化学式が、（Ｐｂ。
Ｌａｙ）（ＴｉｚＺｒ、、）０３で表わされる焦電薄膜
と、前記焦電薄膜上に二次元に配列された電極薄膜群と
、前記電極薄膜群に電荷転送素子の各エレメントの入力
ダイオードに接続されるように設けられた金属バンプと
、前記焦電薄膜と前記電荷転送素子との間に充填した樹
脂とを有し、前記電荷転送素子に前記焦電薄膜を固着し
た構成とする。また、前記焦電薄膜は＜００１＞方向あ
るいは＜１１１＞方向に高度に配向しており、分極の方
向も一方向に揃った配向薄膜で構成する。但し、上式に
おけるｘ、ｙ、ｚおよびＷは下記のａ、 ｂまたはＣ
の条件を満足するものとする。
と、前記焦電薄膜上に二次元に配列された電極薄膜群と
、前記電極薄膜群に電荷転送素子の各エレメントの入力
ダイオードに接続されるように設けられた金属バンプと
、前記焦電薄膜と前記電荷転送素子との間に充填した樹
脂とを有し、前記電荷転送素子に前記焦電薄膜を固着し
た構成とする。また、前記焦電薄膜は＜００１＞方向あ
るいは＜１１１＞方向に高度に配向しており、分極の方
向も一方向に揃った配向薄膜で構成する。但し、上式に
おけるｘ、ｙ、ｚおよびＷは下記のａ、 ｂまたはＣ
の条件を満足するものとする。
ａ） ０．７≦ｘ≦１Ｏ９９≦）＜＋ｙ≦ｌ Ｏ，９
５≦Ｚ≦１ν＝Ｏｂ） ｘ：Ｌ ｙ＝ｏ Ｏ，１≦
ｚ≦ｌ ｚ＋ｗ＝１ｃ） ０．８３≦ｘ≦ｌ ｘ＋
ｙ＝１ ０．３≦ｚ≦１０．９６≦ｚ十−≦１ 作用 上記のような焦電薄膜及び構成を用いた焦電型赤外線撮
像素子においては焦電薄膜が高性能指数であるから、高
感度を図ることができるばかりでなく、薄膜のはがれ・
割れを防止できる。また、上記の焦電薄膜は、これをス
パッタリング法により作製するざい、充分に＜００１＞
あるいは＜１１１〉方向に配向していれば、分極処理を
行なわなくとも自発分極が揃っている（特開昭６２−２
０５２６６号公報参照）。したがって、この焦電薄膜を
利用すると、自発分極が既に揃った自然分極が得られ、
分極処理を行なう必要がなく、歩留まりよく高性能の焦
電型赤外線撮像素子が提供できる。
５≦Ｚ≦１ν＝Ｏｂ） ｘ：Ｌ ｙ＝ｏ Ｏ，１≦
ｚ≦ｌ ｚ＋ｗ＝１ｃ） ０．８３≦ｘ≦ｌ ｘ＋
ｙ＝１ ０．３≦ｚ≦１０．９６≦ｚ十−≦１ 作用 上記のような焦電薄膜及び構成を用いた焦電型赤外線撮
像素子においては焦電薄膜が高性能指数であるから、高
感度を図ることができるばかりでなく、薄膜のはがれ・
割れを防止できる。また、上記の焦電薄膜は、これをス
パッタリング法により作製するざい、充分に＜００１＞
あるいは＜１１１〉方向に配向していれば、分極処理を
行なわなくとも自発分極が揃っている（特開昭６２−２
０５２６６号公報参照）。したがって、この焦電薄膜を
利用すると、自発分極が既に揃った自然分極が得られ、
分極処理を行なう必要がなく、歩留まりよく高性能の焦
電型赤外線撮像素子が提供できる。
実施例
以下に、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図及び第２図は本発明の焦電型赤外線撮像素子の構
造及び製造工程を示す図である。
造及び製造工程を示す図である。
（＋００）でへき開し鏡面研摩したＭｇＯ？ｌ＋−結晶
基板１上に、高周波マグネトロンスパッタ法で焦電薄膜
２としてＰ ｂ ｌ！、９Ｌ ａ９．１ Ｔ ｉ ［１
，９７５０３（Ｐ Ｌ Ｔ）を３７１ｍ成長させた（第
２図（ａ））。 雰囲気ガスにはＡｒと０２の混合ガス
を用い、スパッタリングターゲットは （０，８ＰＬＴ＋０．２ＰｂＯ） の粉末である。表１にスパッタリング条件を示す。
基板１上に、高周波マグネトロンスパッタ法で焦電薄膜
２としてＰ ｂ ｌ！、９Ｌ ａ９．１ Ｔ ｉ ［１
，９７５０３（Ｐ Ｌ Ｔ）を３７１ｍ成長させた（第
２図（ａ））。 雰囲気ガスにはＡｒと０２の混合ガス
を用い、スパッタリングターゲットは （０，８ＰＬＴ＋０．２ＰｂＯ） の粉末である。表１にスパッタリング条件を示す。
表１
この焦電薄膜２上に厚さ約０．２７１ｍの複数のＣｒＡ
ｕ電極薄膜群３を蒸着により作製した（第２図（ｂ））
。前記ＣｒＡｕ電極薄膜群３はフォトリソグラフィの手
法により二次元に配列されている。 さらに、ＣｒＡｕ
蒸着膜（図示せず）を作製して、各々電気的に接続され
た後、前記電極薄膜群３上の一部を除き、レジストを形
成し、電解メツキにより前記電極薄膜群３１に、Ａｕバ
ンプ４を５７１ｍ作製した（第２図（Ｃ））。次に、前
記ＣｒＡ ｕ蒸着膜をエツチングで除去し、前記電極薄
膜群３を分離した後、前記焦電薄膜上に樹脂５を塗布す
る（第２図（ｄ））。前記Ａｕバンプ４と電荷転送素子
６０入力ダイオード７上に設けたＡ１電極群８とを位置
合わせし、ＭｇＯ基板１側から紫外線を照射し、樹脂５
を硬化させ、前記Ａｕバンプ４を介して前記電極薄膜群
３と電荷転送素子６のＡＩ電極群８とを接合した（第２
図（ｅ））。その後、焦電薄膜２の下部におけるＭｇＯ
基板基板一部あるいは全部を熱濃燐酸によりエツチング
し開口部９を設けて、前記焦電薄膜２の前記基板側の面
にＮｉＣｒ受光電Ｆ！！渾膜１０を作製したく第２図（
ｆ））。
ｕ電極薄膜群３を蒸着により作製した（第２図（ｂ））
。前記ＣｒＡｕ電極薄膜群３はフォトリソグラフィの手
法により二次元に配列されている。 さらに、ＣｒＡｕ
蒸着膜（図示せず）を作製して、各々電気的に接続され
た後、前記電極薄膜群３上の一部を除き、レジストを形
成し、電解メツキにより前記電極薄膜群３１に、Ａｕバ
ンプ４を５７１ｍ作製した（第２図（Ｃ））。次に、前
記ＣｒＡ ｕ蒸着膜をエツチングで除去し、前記電極薄
膜群３を分離した後、前記焦電薄膜上に樹脂５を塗布す
る（第２図（ｄ））。前記Ａｕバンプ４と電荷転送素子
６０入力ダイオード７上に設けたＡ１電極群８とを位置
合わせし、ＭｇＯ基板１側から紫外線を照射し、樹脂５
を硬化させ、前記Ａｕバンプ４を介して前記電極薄膜群
３と電荷転送素子６のＡＩ電極群８とを接合した（第２
図（ｅ））。その後、焦電薄膜２の下部におけるＭｇＯ
基板基板一部あるいは全部を熱濃燐酸によりエツチング
し開口部９を設けて、前記焦電薄膜２の前記基板側の面
にＮｉＣｒ受光電Ｆ！！渾膜１０を作製したく第２図（
ｆ））。
樹脂５にはエポキシ、シリコーン、アクリル等の紫外線
硬化型を用いたが、加熱温度が焦電薄膜２のキュリー温
度より低ければ、加熱硬化型の樹脂を用いてもよい。
硬化型を用いたが、加熱温度が焦電薄膜２のキュリー温
度より低ければ、加熱硬化型の樹脂を用いてもよい。
木実施例に用いたＰＬＴ焦電薄膜は、分極軸（＜ＯＯＤ
方向）の９０％が一方向に配向しているとき、焦電係数
：γは６．８Ｘ １Ｏ−８Ｃ／ｃｍ２にとなり、この値
は、２００℃で１ｏＯｋＶ／ｃｍ印加して分極処理を行
ったｐｂＴｉＯ３セラミクス（ｒ ：１．８ＸＩＯ−８
Ｃ／ ｃｍ２Ｋ）と比べてかなり大きい。また、分極処
理後の値と比べ殆ど変わらないばかりでなく、配向率が
小さい場合の分極後の値より大きい。誘電率は、配向率
９０％の場合、セラミクスとほぼ同等の値で約２００で
ある。したがって、焦電材料としての性能指数であるＦ
、、 Ｆ。
方向）の９０％が一方向に配向しているとき、焦電係数
：γは６．８Ｘ １Ｏ−８Ｃ／ｃｍ２にとなり、この値
は、２００℃で１ｏＯｋＶ／ｃｍ印加して分極処理を行
ったｐｂＴｉＯ３セラミクス（ｒ ：１．８ＸＩＯ−８
Ｃ／ ｃｍ２Ｋ）と比べてかなり大きい。また、分極処
理後の値と比べ殆ど変わらないばかりでなく、配向率が
小さい場合の分極後の値より大きい。誘電率は、配向率
９０％の場合、セラミクスとほぼ同等の値で約２００で
ある。したがって、焦電材料としての性能指数であるＦ
、、 Ｆ。
の値も大きくなり、ＰｂＴｉＯ３セラミクスの値と比較
して３倍強の値を示した。
して３倍強の値を示した。
また、焦電材料としてＰｂＴｉＯ３系薄膜をあげたが、
化学式（ＰｂｘＬａ、、）（ＴｉｚＺｒ−）０３で表わ
され、ａ） ０．７≦ｘ≦ｌ Ｏ０９≦ｘ＋ｙ≦ｌ
Ｏ，９５≦ｚ≦１ｗ：。
化学式（ＰｂｘＬａ、、）（ＴｉｚＺｒ−）０３で表わ
され、ａ） ０．７≦ｘ≦ｌ Ｏ０９≦ｘ＋ｙ≦ｌ
Ｏ，９５≦ｚ≦１ｗ：。
ｂ） ｘ＝１ ｙ＝０ ０．１≦ｚ≦１ ｚ＋ｗ＝
１ｃ） ０．８３≦ｘ≦１ ｘ＋ｙ＝１ ０．３≦ｚ
≦１０．９６≦Ｚ＋Ｗ≦１ のいずれかの組成を有する焦電薄膜材料についても高性
能指数、分極処理不要の効果が得られる。
１ｃ） ０．８３≦ｘ≦１ ｘ＋ｙ＝１ ０．３≦ｚ
≦１０．９６≦Ｚ＋Ｗ≦１ のいずれかの組成を有する焦電薄膜材料についても高性
能指数、分極処理不要の効果が得られる。
このように高性能指数を示す焦電薄膜を用い、樹脂によ
り電荷転送素子と焦電薄膜を固着した構成とすることに
より、高感度化・高空間分解能化を図り、焦電薄膜の割
れ・破壊を防止しすることができた。また、ＣＯＤとセ
ンサ部の熱膨張差による接触不良やクラックも防止する
ことができた。
り電荷転送素子と焦電薄膜を固着した構成とすることに
より、高感度化・高空間分解能化を図り、焦電薄膜の割
れ・破壊を防止しすることができた。また、ＣＯＤとセ
ンサ部の熱膨張差による接触不良やクラックも防止する
ことができた。
発明の効果
本発明による焦電型赤外線撮像素子は、高性能指数を示
し分極処理不要である焦電薄膜を用い、電荷転送素子と
焦電薄膜を樹脂により固着した構成とすることにより、
高感度化・高空間分解能化を図り、焦電薄膜の割れ・破
壊を防止しすることができる。また、ＣＣＤとセンサ部
の熱膨張差による接触不良やクラックも防止することが
できる。
し分極処理不要である焦電薄膜を用い、電荷転送素子と
焦電薄膜を樹脂により固着した構成とすることにより、
高感度化・高空間分解能化を図り、焦電薄膜の割れ・破
壊を防止しすることができる。また、ＣＣＤとセンサ部
の熱膨張差による接触不良やクラックも防止することが
できる。
また、分極処理による焦電薄膜の割れ、分極の不均一性
を防ＩＥでき、著しく歩留まりを向上できる。
を防ＩＥでき、著しく歩留まりを向上できる。
第１図は本発明の一実施例における焦電型赤外線撮像素
子の構造を示す断面図、第２図は、その焦電型赤外線撮
像素子の製造工程を示す簡略図である。 ｌ・・・ＭｇＯ基板、２・・・焦電薄膜、３・・・電極
薄膜群、４・・・Ａｕバンプ、５・・・樹脂、６・・・
電荷転送素子、８・・・Ａ１電極群、９・・・間口部、
１０・・・受光電極
子の構造を示す断面図、第２図は、その焦電型赤外線撮
像素子の製造工程を示す簡略図である。 ｌ・・・ＭｇＯ基板、２・・・焦電薄膜、３・・・電極
薄膜群、４・・・Ａｕバンプ、５・・・樹脂、６・・・
電荷転送素子、８・・・Ａ１電極群、９・・・間口部、
１０・・・受光電極
Claims (3)
- （１）基板上に形成された焦電薄膜と、前記焦電薄膜上
に二次元に配列された電極薄膜群と、前記電極薄膜群上
に電荷転送素子の各エレメントの入力ダイオードに接続
されるように設けられた金属バンプと、前記焦電薄膜と
前記電荷転送素子との間に充填した樹脂とを有し、前記
電荷転送素子に前記焦電薄膜が固着されたことを特徴と
する焦電型赤外線撮像素子。 - （２）焦電薄膜が化学式（Ｐｂ＿ｘＬａ＿ｙ）（Ｔｉ＿
ｚＺｒ＿ｗ）Ｏ＿３で表わされ、ａ）０．７≦ｘ≦１
０．９≦ｘ＋ｙ≦１ ０．９５≦ｚ≦１ ｗ＝０ ｂ）ｘ＝１ ｙ＝０ ０．１≦ｚ≦１ ｚ＋ｗ＝１ ｃ）０．８３≦ｘ≦１ ｘ＋ｙ＝１ ０．３≦ｚ≦１０
．９６≦ｚ＋ｗ≦１ のいずれかの組成をもち、＜００１＞方向あるいは＜１
１１＞方向に高度に配向しており、分極の方向も一方向
に揃っていることを特徴とする請求項１記載の焦電型赤
外線撮像素子。 - （３）紫外線硬化型の樹脂を用いたことを特徴とする請
求項１記載の焦電型赤外線撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63216514A JPH0629781B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 焦電型赤外線撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63216514A JPH0629781B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 焦電型赤外線撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0264420A true JPH0264420A (ja) | 1990-03-05 |
| JPH0629781B2 JPH0629781B2 (ja) | 1994-04-20 |
Family
ID=16689630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63216514A Expired - Lifetime JPH0629781B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 焦電型赤外線撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629781B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06333504A (ja) * | 1993-05-26 | 1994-12-02 | Nec Corp | 直視型受光デバイス |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63216514A patent/JPH0629781B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06333504A (ja) * | 1993-05-26 | 1994-12-02 | Nec Corp | 直視型受光デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0629781B2 (ja) | 1994-04-20 |
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