JPH0264936A - 光学的情報記録媒体 - Google Patents
光学的情報記録媒体Info
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- JPH0264936A JPH0264936A JP63216169A JP21616988A JPH0264936A JP H0264936 A JPH0264936 A JP H0264936A JP 63216169 A JP63216169 A JP 63216169A JP 21616988 A JP21616988 A JP 21616988A JP H0264936 A JPH0264936 A JP H0264936A
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- Japan
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、たとえば光学的に記録・再生をする光ディス
ク、光カード、または光シート等に用いられる光学的情
報記録媒体に関する。
ク、光カード、または光シート等に用いられる光学的情
報記録媒体に関する。
従来、この種の光学的情報記録媒体としては、たとえば
ガラス基板等の面上にＩｎ５ｂＴ０．５ｂＳｅＳｎ系材
料等からなる情報記録層を蒸着させて形成したものが知
られている。
ガラス基板等の面上にＩｎ５ｂＴ０．５ｂＳｅＳｎ系材
料等からなる情報記録層を蒸着させて形成したものが知
られている。
そして、前記情報記録層には、光情報の記録・再生本来
の機能をもたせるほか、高速消去の達成。
の機能をもたせるほか、高速消去の達成。
記録状態の安定性保持のため、無機酸化物、無機窒化物
等からなる保護膜等を形成するのが一般的である（特開
昭６１−１３３０３８号公報、特開昭６２−２２２４４
２号公報参照）。
等からなる保護膜等を形成するのが一般的である（特開
昭６１−１３３０３８号公報、特開昭６２−２２２４４
２号公報参照）。
しかし、このような従来の光学的情報記録媒体にあって
は、情報記録ピットからの再生信号の変化、すなわち変
調度が小さいものであり、この点における配慮はなされ
ていなかった。
は、情報記録ピットからの再生信号の変化、すなわち変
調度が小さいものであり、この点における配慮はなされ
ていなかった。
このためＳＮ比が小さくなるが、特にこの点に関する改
善は、光源、光検出器、信号処理系等の部分における改
良によってなされていた。
善は、光源、光検出器、信号処理系等の部分における改
良によってなされていた。
それ故１本発明の目的は、媒体それ自体の改良によって
変調度を向上させることのできる光学的情報記録媒体を
提供することである。
変調度を向上させることのできる光学的情報記録媒体を
提供することである。
このような課題を達成するために、本発明は、光学的に
情報を記録・消去できる情報記録層を備える光学的情報
記録媒体において、前記情報記録層よりも記録・消去感
度の劣るあるいは記録・消去が不能な変調度向上層を含
むようにしたものである。
情報を記録・消去できる情報記録層を備える光学的情報
記録媒体において、前記情報記録層よりも記録・消去感
度の劣るあるいは記録・消去が不能な変調度向上層を含
むようにしたものである。
変調度向上層の材料は、情報記録層の材料と同一成分で
あってもよいし、また、他の添加物を含んだものでもよ
い。前記添加物は記録・消去感度の劣化あるいは不能を
促進するものであることが望ましい。
あってもよいし、また、他の添加物を含んだものでもよ
い。前記添加物は記録・消去感度の劣化あるいは不能を
促進するものであることが望ましい。
前記変調度向上層は、その屈折率の記録層に対する変化
量が０．９５〜１．４２となっていることが好ましい。
量が０．９５〜１．４２となっていることが好ましい。
さらに、前記変調度向上層は、その減衰係数の記録層に
対する変化量が１．９以下となっていることが望ましい
。
対する変化量が１．９以下となっていることが望ましい
。
（作用〕
一般に、単層平行平面板の反射率Ｒは、ここで、ｎｉは
媒体の屈折率、ｋｉは媒体の減衰係数である（工藤恵栄
著、「光物性の基礎Ｊ Ｐ、８７参照）。
媒体の屈折率、ｋｉは媒体の減衰係数である（工藤恵栄
著、「光物性の基礎Ｊ Ｐ、８７参照）。
そして、この媒体の複素屈折率ｎ１は。
ｎ□＝ｎ、−ｉｋ、によって決定される。しかし、これ
は、媒体の膜厚が無視できるほど薄い場合に成立する。
は、媒体の膜厚が無視できるほど薄い場合に成立する。
媒体の膜厚が無視できなくなり、多重干渉の条件を考え
ると、次式（２）の２行２列の光学特性行列が得られ、
更に（３）式及び（４）式が成立する。
ると、次式（２）の２行２列の光学特性行列が得られ、
更に（３）式及び（４）式が成立する。
ζ−＝２ πｎａｄａ／λｔ ’ｌＪ＝ ２ π
に＊ｄＪ／λｎＪはｊ層での媒体の複素屈折率、ｎＪ：
ｎＪ−ｉｋａｎａはｊ層の媒体の屈折率 ｋＪはｊ層の媒体の減衰係数 ｄｊはｊ層の膜厚 λは光の波長 したがって、膜厚ｄ及び光の波長λが反射率に影響する
。
に＊ｄＪ／λｎＪはｊ層での媒体の複素屈折率、ｎＪ：
ｎＪ−ｉｋａｎａはｊ層の媒体の屈折率 ｋＪはｊ層の媒体の減衰係数 ｄｊはｊ層の膜厚 λは光の波長 したがって、膜厚ｄ及び光の波長λが反射率に影響する
。
通常、前記情報記録層は、記録・消去の前後で複素屈折
率が変化するのみで膜厚は変化しない。
率が変化するのみで膜厚は変化しない。
このような事実から、本発明では、その一つとして記録
・消去感度の劣るあるいは記録・消去不能な変調向上層
を含むようにしたものである。
・消去感度の劣るあるいは記録・消去不能な変調向上層
を含むようにしたものである。
これによって、同相状態から情報記録層が記録あるいは
消去した異相状態に変化した際、前記情報記録層は記録
・消去の前後で複素屈折率が変化するだけでなく見かけ
上膜厚も変化することになる。
消去した異相状態に変化した際、前記情報記録層は記録
・消去の前後で複素屈折率が変化するだけでなく見かけ
上膜厚も変化することになる。
したがって、記録前後の反射率比、すなわち、再生信号
の変調度は見かけ上の膜厚の変化分だけ倍加されること
になる。
の変調度は見かけ上の膜厚の変化分だけ倍加されること
になる。
以下、本発明による光学的情報記録媒体の一実施例を第
１図を用いて説明する。
１図を用いて説明する。
まず、第１図（ｂ）に示すように前記光学的情報記録媒
体として、ガラス基板（厚さ約１．２■）１００上に、
記録層として３元化合物であるＩｎ３ＳｂＴｅ、４００
を約６０１蒸着し、さらに、その上に、３元化合物から
少し組成がずれた変調度向上層であるＩｎ５ｂＴｅ合金
４００を約４０１蒸着した。
体として、ガラス基板（厚さ約１．２■）１００上に、
記録層として３元化合物であるＩｎ３ＳｂＴｅ、４００
を約６０１蒸着し、さらに、その上に、３元化合物から
少し組成がずれた変調度向上層であるＩｎ５ｂＴｅ合金
４００を約４０１蒸着した。
上記ＩｎＳ ｂ Ｔ ｅ合金は、その複素屈折率が前記
Ｉｎ、５ｂＴｅ、３元化合物のそれとほぼ等しいもので
あるが、記録感度は低くなる。
Ｉｎ、５ｂＴｅ、３元化合物のそれとほぼ等しいもので
あるが、記録感度は低くなる。
このようにして形成される光学的情報記録媒体は、第１
図（ａ）に示すように、未記録状態では反射率Ｒ８＝８
％であったものが、膜全体が記録状態になった場合に３
．５倍のＲ，４２８％になる。
図（ａ）に示すように、未記録状態では反射率Ｒ８＝８
％であったものが、膜全体が記録状態になった場合に３
．５倍のＲ，４２８％になる。
このことは、情報記録媒体としてＩｎ、５ｂＴｅ。
のみのものは、その反射率がＲ２触１５％であることか
ら大幅な向上を期待できることになる。
ら大幅な向上を期待できることになる。
光学的情報記録媒体の再生信号の変調度ＣはＲｍａｘ−
Ｒｍｔｎ Ｒｍａｘ で表わされることから、従来の０．４６（４６％）から
０．７１ （７１％）に上昇することが確められる。
Ｒｍｔｎ Ｒｍａｘ で表わされることから、従来の０．４６（４６％）から
０．７１ （７１％）に上昇することが確められる。
また、上述した実施例では、ガラス基板１００面に、Ｉ
ｎ、５ｂＴｅ、３００、Ｉｎ５ｂＴｅ合金を順次被着さ
せたものであるが、逆にＩｎ５ｂＴｅ合金を４０ｎｍ、
Ｉｎ、５ｂＴｅ、を４０ｒｖ＋順次蒸着して形成しても
よい。この場合、Ｒ工、Ｒ２は上記と同じ値であるが、
Ｒ３″：２２％となり、その際の変調度は０．６３ （
６３％）であり、上記実施例とほぼ同様の効果が得られ
る。
ｎ、５ｂＴｅ、３００、Ｉｎ５ｂＴｅ合金を順次被着さ
せたものであるが、逆にＩｎ５ｂＴｅ合金を４０ｎｍ、
Ｉｎ、５ｂＴｅ、を４０ｒｖ＋順次蒸着して形成しても
よい。この場合、Ｒ工、Ｒ２は上記と同じ値であるが、
Ｒ３″：２２％となり、その際の変調度は０．６３ （
６３％）であり、上記実施例とほぼ同様の効果が得られ
る。
この際の構成及びグラフを、第１図と対応させて第２図
に示す。
に示す。
第３図は本発明の他の実施例を示す構成図である。本実
施例は、第１図に示した構成において、ガラス基板１０
０と３元化合物であるＩｎ、５ｂＴｅ２３００との間に
、干渉層であるテルル化カドミウム２００を約１１００
ｎ介在させるために蒸着形成したものである。
施例は、第１図に示した構成において、ガラス基板１０
０と３元化合物であるＩｎ、５ｂＴｅ２３００との間に
、干渉層であるテルル化カドミウム２００を約１１００
ｎ介在させるために蒸着形成したものである。
このように構成した光学的情報記録媒体は、テルル化カ
ドミウムの多重干渉の効果によって変調度がさらに１０
％程度上昇することが確認された。
ドミウムの多重干渉の効果によって変調度がさらに１０
％程度上昇することが確認された。
第４図はさらに本発明の他の実施例を示す構成図である
。本実施例は、第１図に示した構成において、Ｉｎ５ｂ
Ｔａ合金４００の上面にさらに保護層゛としてのテルル
化カドミウム５００を約１１００ｎ蒸着して形成したも
のである。
。本実施例は、第１図に示した構成において、Ｉｎ５ｂ
Ｔａ合金４００の上面にさらに保護層゛としてのテルル
化カドミウム５００を約１１００ｎ蒸着して形成したも
のである。
このように構成した光学的情報記録媒体は、テルル化カ
ドミウムの多重干渉の効果によって、ガラス基板１００
側とテルル化カドミウム５００側とで情報のビット径が
均一になり該情報の消し残りがなくなることが確認され
た。
ドミウムの多重干渉の効果によって、ガラス基板１００
側とテルル化カドミウム５００側とで情報のビット径が
均一になり該情報の消し残りがなくなることが確認され
た。
第５図はさらに本発明の他の実施例を示す構成図である
。本実施例は、上述した第３図及び第４図のそれぞれの
効果を奏するようにガラス基板１００上に、順次、干渉
層としてのテルル化カドミウム２００、Ｉｎ、５ｂＴｅ
、３００、ＩｎＳ ｂ Ｔ ｅ合金４００、及び保護層
としてのテルル化カドミウム５００を蒸着させたもので
ある。
。本実施例は、上述した第３図及び第４図のそれぞれの
効果を奏するようにガラス基板１００上に、順次、干渉
層としてのテルル化カドミウム２００、Ｉｎ、５ｂＴｅ
、３００、ＩｎＳ ｂ Ｔ ｅ合金４００、及び保護層
としてのテルル化カドミウム５００を蒸着させたもので
ある。
このように構成した光学的情報記録媒体は、干渉層のテ
ルル化カドミウムで変調度が約１０％。
ルル化カドミウムで変調度が約１０％。
保護層のテルル化カドミウムで情報の消し残りがなくな
り、ＣＮと消去比の性能が向上する。
り、ＣＮと消去比の性能が向上する。
上述した各実施例では、情報記録層及び変調度向上層と
して、Ｉｎ５ｂＴｅ系材料を用いたが、この材料に限定
されることはなく、たとえば、５ｂｓｅｓｎ、５ｂＳｅ
Ｚｎ、５ｅＧｅＳｎ、Ｔｅ５ｂＳｎ、５ｅＳｂＧｅ系材
料等であってもよいことはいうまでもない。
して、Ｉｎ５ｂＴｅ系材料を用いたが、この材料に限定
されることはなく、たとえば、５ｂｓｅｓｎ、５ｂＳｅ
Ｚｎ、５ｅＧｅＳｎ、Ｔｅ５ｂＳｎ、５ｅＳｂＧｅ系材
料等であってもよいことはいうまでもない。
また、以上の実施例では、情報記録層及び変調度向上層
を同一成分系材料としたが、必ずしもこれに限定されず
、複素屈折率がほぼ等しければ異種材料系であってもよ
い。この場合変調度向上層としては、情報記録層よりも
記録・消去感度が低下するように、あるいは記録・消去
不能な添加物を加えて形成できるようにすることが望ま
しい。
を同一成分系材料としたが、必ずしもこれに限定されず
、複素屈折率がほぼ等しければ異種材料系であってもよ
い。この場合変調度向上層としては、情報記録層よりも
記録・消去感度が低下するように、あるいは記録・消去
不能な添加物を加えて形成できるようにすることが望ま
しい。
前記干渉層、保護層はテルル化カドミウムに限らない。
すなわち、硫化カドミウム、硫化ヒ素等のように屈折率
が約２．６以上の材料が好ましい。
が約２．６以上の材料が好ましい。
次に、上述した光学的情報記録媒体の製造方法の一実施
例を第６図及び第７図を用いて説明する。
例を第６図及び第７図を用いて説明する。
第６図は、情報記録層及び変調度向上層として、それぞ
れ３元化合物Ｉｎ、５ｂＴｅ２．Ｉｎ５ｂＴｅ合金を選
択し、スパッタリングで膜形成する際のスパッタ出力２
００Ｗ、基板水冷で、スパッタ・アルゴンガス分圧を横
軸に、膜のＩｎの含有量を縦軸に示したものである。
れ３元化合物Ｉｎ、５ｂＴｅ２．Ｉｎ５ｂＴｅ合金を選
択し、スパッタリングで膜形成する際のスパッタ出力２
００Ｗ、基板水冷で、スパッタ・アルゴンガス分圧を横
軸に、膜のＩｎの含有量を縦軸に示したものである。
スパッタ・アルゴンガス分圧を１ｍｍＴｏｒｒから３０
＋ａｇｍＴｏｒｒにすると、Ｉｎは２２％から２０％へ
約２％減少し、その全通にｓｂ量が増加するようになる
。このことから、最初に３元化合物Ｉｎ３ＳｂＴｅ、を
たとえば６０ｎｍ蒸着し、その後に、スパッタ・アルゴ
ンガス分圧を変える操作をして、変調度向上層をたとえ
ば４０ｎｍ蒸着する。
＋ａｇｍＴｏｒｒにすると、Ｉｎは２２％から２０％へ
約２％減少し、その全通にｓｂ量が増加するようになる
。このことから、最初に３元化合物Ｉｎ３ＳｂＴｅ、を
たとえば６０ｎｍ蒸着し、その後に、スパッタ・アルゴ
ンガス分圧を変える操作をして、変調度向上層をたとえ
ば４０ｎｍ蒸着する。
このようにすると、スパッタ・ターゲットを変換せずに
、情報記録層及び変調度向上層を形成できる。
、情報記録層及び変調度向上層を形成できる。
また、スパッタ・アルゴンガス分圧だけでなく、スパッ
タ出力、基板温度等を変えても変調度向上層を容易に形
成可能である。
タ出力、基板温度等を変えても変調度向上層を容易に形
成可能である。
次に、このような情報記録層及び変調度向上が形成され
た光学的情報記録装置の一実施例を第７図に示す。同図
において、レーザ光源１０からでたレーザ光線は、ビー
ムスプリッタ３０を介し、前記記録層と前記変調度向上
層とを一部分として構成される光学的情報記録媒体１に
入射する。この光学的情報記録媒体１は駆動系４０によ
り回転駆動されており、これにより、記録及び消去作用
が生ずる。
た光学的情報記録装置の一実施例を第７図に示す。同図
において、レーザ光源１０からでたレーザ光線は、ビー
ムスプリッタ３０を介し、前記記録層と前記変調度向上
層とを一部分として構成される光学的情報記録媒体１に
入射する。この光学的情報記録媒体１は駆動系４０によ
り回転駆動されており、これにより、記録及び消去作用
が生ずる。
再生の場合、これらの情報を得たレーザが再びビームス
プリッタ３０を通り、検出器２０に入る。
プリッタ３０を通り、検出器２０に入る。
この検出器２０に入った光学的情報を電気的情報に変換
した後、信号処理系１ｏｏｏに伝達する。
した後、信号処理系１ｏｏｏに伝達する。
このようにすると、光学的情報記録媒体１の変調度が大
きくなるので、特に装置を改変しなくても、レーザ光源
１０及び検出器２０及び信号処理系１０００の負担を軽
減できる。
きくなるので、特に装置を改変しなくても、レーザ光源
１０及び検出器２０及び信号処理系１０００の負担を軽
減できる。
次に、前記光学的情報記録媒体の他の実施例を第８図及
び第９図を用いて説明する。上述した実施例では、複素
屈折率がほぼ等しければ異種材料系であっても同様の効
果が得られることを説明したが、複素屈折率の変化量が
異なれば同一成分の材料であっても同様の効果が得られ
る。すなわち。
び第９図を用いて説明する。上述した実施例では、複素
屈折率がほぼ等しければ異種材料系であっても同様の効
果が得られることを説明したが、複素屈折率の変化量が
異なれば同一成分の材料であっても同様の効果が得られ
る。すなわち。
ガラス基板に記録層としてＩｎ、５ｂＴｅ、を約５０ｎ
ｍ、変調向上層としてＩｎ、５ｂＴｅ・、の未記録状態
の複素屈折率からずれたものを約５０ｎｍ膜付けして形
成した。
ｍ、変調向上層としてＩｎ、５ｂＴｅ・、の未記録状態
の複素屈折率からずれたものを約５０ｎｍ膜付けして形
成した。
第８図に示すように、前記変調度向上層の前記Ｉｎ、５
ｂＴｅ、の未記録状態の複数屈折率からのずれ量（Ｉｎ
、５ｂＴａ、の複素屈折率を１とする）を横軸に、反射
率の記録前後の比（変調度に相当する）の変化量（本実
施例を用いなかった場合の比を１とする）を縦軸に示す
と、屈折率の変化量で変調度の変化量が変わることがわ
かり、屈折率の変化量が１近傍で急激に変化している。
ｂＴｅ、の未記録状態の複数屈折率からのずれ量（Ｉｎ
、５ｂＴａ、の複素屈折率を１とする）を横軸に、反射
率の記録前後の比（変調度に相当する）の変化量（本実
施例を用いなかった場合の比を１とする）を縦軸に示す
と、屈折率の変化量で変調度の変化量が変わることがわ
かり、屈折率の変化量が１近傍で急激に変化している。
このことから、変調度の変化量が２以上になる点を最適
範囲と設定すると、変調度向上層の屈折率の記録層に対
する変化量は０．９５から１．４２となる。したがって
、この範囲にある変調度向上層を選定すると、同様の目
的を達成できる。
範囲と設定すると、変調度向上層の屈折率の記録層に対
する変化量は０．９５から１．４２となる。したがって
、この範囲にある変調度向上層を選定すると、同様の目
的を達成できる。
さらに、第９図から明らかなように、減衰係数の変化量
（ｋ’ ／ｋ）で変調度の変化量が変わり、減衰係数の
変化量が増大するにしたがい、変調度の変化量が減少す
る。したがって、変調度の変化量が２以上になる点を最
適範囲と設定すると、変調度向上層の減衰係数の記録層
に対する変化量は１．９以下となる。したがって、この
範囲にある変調度向上層を選定すると、同様の目的を達
成できる。
（ｋ’ ／ｋ）で変調度の変化量が変わり、減衰係数の
変化量が増大するにしたがい、変調度の変化量が減少す
る。したがって、変調度の変化量が２以上になる点を最
適範囲と設定すると、変調度向上層の減衰係数の記録層
に対する変化量は１．９以下となる。したがって、この
範囲にある変調度向上層を選定すると、同様の目的を達
成できる。
以上説明したことから明らかなように、本発明の光学的
情報記録媒体によれば、見かけ上情報記録層の複素屈折
率変化と膜厚変化とを同時に起こすことができるので、
大きな反射率変化をおこし、変調度を向上させることが
できる。
情報記録媒体によれば、見かけ上情報記録層の複素屈折
率変化と膜厚変化とを同時に起こすことができるので、
大きな反射率変化をおこし、変調度を向上させることが
できる。
第１図（ａ）（ｂ）は、本発明による光学的情報記録媒
体の一実施例を示す構成図及び反射率の関係を示すグラ
フ、第２図（、）（ｂ）は、本発明による光学的情報記
録媒体の他の実施例を示す構成図及び反射率の関係を示
すグラフ、第３図ないし第５図は１本発明による光学的
情報記録媒体の他の実施例を示す構成図、第６図は、本
発明による光学的情報記録媒体の製造方法の一実施例を
示す説明図、第７図は、本発明による光学的情報記録媒
体の製造装置の一実施例を示す構成図、第８図及び第９
図はそれぞれ本発明による光学的情報記録媒体の他の実
施例を示す説明図である。 Ｒ１・・・未記録時の反射率、Ｒ２・・・通常の記録時
の反射率、Ｒ１・・・本発明を用いた時の反射率、１０
０・・・ガラス基板、２００・・・テルル化カドミウム
、３００−Ｉｎ、５ｂＴｅ、、４００− Ｉ ｎ５ｂＴ
ａ、５００・・・テルル化カドミウム、１・・・光学的
情報記録媒体、１０・・・レーザ光源系、２０・・・検
出器、３０・・・ビームスプリッタ。 ４０・・・駆動系、１０００・・・信号処理系。
体の一実施例を示す構成図及び反射率の関係を示すグラ
フ、第２図（、）（ｂ）は、本発明による光学的情報記
録媒体の他の実施例を示す構成図及び反射率の関係を示
すグラフ、第３図ないし第５図は１本発明による光学的
情報記録媒体の他の実施例を示す構成図、第６図は、本
発明による光学的情報記録媒体の製造方法の一実施例を
示す説明図、第７図は、本発明による光学的情報記録媒
体の製造装置の一実施例を示す構成図、第８図及び第９
図はそれぞれ本発明による光学的情報記録媒体の他の実
施例を示す説明図である。 Ｒ１・・・未記録時の反射率、Ｒ２・・・通常の記録時
の反射率、Ｒ１・・・本発明を用いた時の反射率、１０
０・・・ガラス基板、２００・・・テルル化カドミウム
、３００−Ｉｎ、５ｂＴｅ、、４００− Ｉ ｎ５ｂＴ
ａ、５００・・・テルル化カドミウム、１・・・光学的
情報記録媒体、１０・・・レーザ光源系、２０・・・検
出器、３０・・・ビームスプリッタ。 ４０・・・駆動系、１０００・・・信号処理系。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、光学的に情報を記録・消去できる情報記録層を備え
る光学的情報記録媒体において、記録・消去感度の劣る
あるいは不能な変調度向上層を含むことを特徴とする光
学的情報記録媒体。 ２、光学的に情報を記録・消去できる情報記録層を備え
る光学的情報記録媒体において、前記情報記録層と同一
成分あるいは記録・消去感度の劣化を促進する成分を更
に添加したものからなる変調度向上層を含むことを特徴
とする光学的情報記録媒体。 ３、光学的に情報を記録・消去できる情報記録層を備え
る光学的情報記録媒体において、変調度向上層を含みか
つ前記変調度向上層はその屈折率の記録層に対する変化
量が０．９５〜１．４２となっていることを特徴とする
光学的情報記録媒体。 ４、光学的に情報を記録・消去できる情報記録層を備え
る光学的情報記録媒体において、変調度向上層を含みか
つ前記変調度向上層はその減衰係数の記録層に対する変
化量が１．９以下となっていることを特徴とする光学的
情報記録媒体。 ５、誘電体からなる保護層を含んでなる請求項第１ない
し第５のいずれか一つに記載の光学的情報記録媒体。 ６、誘電体からなる干渉層を含んでなる請求項第１ない
し第６のいずれか一つに記載の光学的情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63216169A JPH0264936A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 光学的情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63216169A JPH0264936A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 光学的情報記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0264936A true JPH0264936A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16684367
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63216169A Pending JPH0264936A (ja) | 1988-08-30 | 1988-08-30 | 光学的情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0264936A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5582962A (en) * | 1994-04-25 | 1996-12-10 | Konica Corporation | Silver halide photographic light-sensitive material and the processing method thereof |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257291A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
-
1988
- 1988-08-30 JP JP63216169A patent/JPH0264936A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60257291A (ja) * | 1984-06-01 | 1985-12-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5582962A (en) * | 1994-04-25 | 1996-12-10 | Konica Corporation | Silver halide photographic light-sensitive material and the processing method thereof |
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