JPH0265233A - 半導体ウェーハの水分除去装置 - Google Patents
半導体ウェーハの水分除去装置Info
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- JPH0265233A JPH0265233A JP63217342A JP21734288A JPH0265233A JP H0265233 A JPH0265233 A JP H0265233A JP 63217342 A JP63217342 A JP 63217342A JP 21734288 A JP21734288 A JP 21734288A JP H0265233 A JPH0265233 A JP H0265233A
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- Japan
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- wafer
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- semiconductor wafer
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Links
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Drying Of Gases (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体ウェーハの製造に関し、特にウェーハ表
面の水分を除去する装置に関する。
面の水分を除去する装置に関する。
従来、この種の水分除去装置には乾燥空気又は不活性ガ
ス、特に窒素（以下、Ｎ２という）雰囲気のホットプレ
ートにウェーハを乗せて加熱し水分を蒸発させるデイハ
イドレーションホットプレート方式のものがあり、この
方式のものは他のプロセス装置とインラインで組込まれ
ている。
ス、特に窒素（以下、Ｎ２という）雰囲気のホットプレ
ートにウェーハを乗せて加熱し水分を蒸発させるデイハ
イドレーションホットプレート方式のものがあり、この
方式のものは他のプロセス装置とインラインで組込まれ
ている。
前記デイハイドレーションホットプレート方式のものは
第２図に示すように、半導体ウェーハ（以下、ウェーハ
という）２を加熱するホットプレート１と、該ホットプ
レート１の上部空間を覆う二重断熱カバー１０と、半導
体ウェーハ２に向けてパージ用ガスを吹き付けるノズル
７とを有する。
第２図に示すように、半導体ウェーハ（以下、ウェーハ
という）２を加熱するホットプレート１と、該ホットプ
レート１の上部空間を覆う二重断熱カバー１０と、半導
体ウェーハ２に向けてパージ用ガスを吹き付けるノズル
７とを有する。
上述した従来の水分除去装置は大気圧の下に加熱のみで
水分を蒸発させているので、十分に水分を除去するため
には、加熱温度を高くするか、又は、加熱時間を長くす
る必要がある。
水分を蒸発させているので、十分に水分を除去するため
には、加熱温度を高くするか、又は、加熱時間を長くす
る必要がある。
加熱温度を高くするには、装置の加熱部の耐熱性及び外
部との断熱や放熱等の対策が必要であり、インライン型
のホットプレート等では３５０°Ｃ前後が限界である。
部との断熱や放熱等の対策が必要であり、インライン型
のホットプレート等では３５０°Ｃ前後が限界である。
また、ウェーハの表面状態によっては有機質の膜が塗ら
れている場合もあり、１５０〜２００°Ｃ以上に加熱で
きない場合もあり、加熱時間を長くして水分を除去する
しかなく、処理能力も低くなるという欠点があった。
れている場合もあり、１５０〜２００°Ｃ以上に加熱で
きない場合もあり、加熱時間を長くして水分を除去する
しかなく、処理能力も低くなるという欠点があった。
本発明の目的は前記課題を解決した半導体装置−ハの水
分除去装置を提供することにある。
分除去装置を提供することにある。
上述した従来の水分除去装置に対し、本発明はウェーハ
を減圧下で加熱し、その水分を蒸発させるという相違点
を有する。
を減圧下で加熱し、その水分を蒸発させるという相違点
を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る半導体ウェーハ
の水分除去装置においては、半導体ウェーハを加熱する
ホットプレートと、加熱される前記半導体ウェーハの周
囲雰囲気を減圧状態に保持するチャンバと、前記チャン
バ内に気体をパージする手段とを有するものである。
の水分除去装置においては、半導体ウェーハを加熱する
ホットプレートと、加熱される前記半導体ウェーハの周
囲雰囲気を減圧状態に保持するチャンバと、前記チャン
バ内に気体をパージする手段とを有するものである。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図である。
図において、本発明は、ウェーハ２を加熱するホットプ
レート１と、前記ウェーハ２の周囲雰囲気を減圧状態に
保持するチャンバ３と、チャンバ３とホットプレー１〜
１との間をシールするシール材４と、前記チャンバ３内
を真空排気する真空ポンプ５．トラップ９．排気バルブ
８と、ノズル７とを有する。
レート１と、前記ウェーハ２の周囲雰囲気を減圧状態に
保持するチャンバ３と、チャンバ３とホットプレー１〜
１との間をシールするシール材４と、前記チャンバ３内
を真空排気する真空ポンプ５．トラップ９．排気バルブ
８と、ノズル７とを有する。
実施例において、ホットプレート１上にウェーハ２が搬
送されると、チャンバ３が下降し、ホットプレート１の
外周と密着しその隙間がシール材４によりシールされ、
ウェーハ２は外気より隔離される。
送されると、チャンバ３が下降し、ホットプレート１の
外周と密着しその隙間がシール材４によりシールされ、
ウェーハ２は外気より隔離される。
チャンバ３内の雰囲気ガスは真空ポンプ５により排気口
６より排気される。チャンバ３内は減圧状態となり、ホ
ットプレート１により加熱されたウェーハ２の水分は蒸
発し、排気される。トラップ９は排気された水蒸気を冷
却し捕獲する。チャンバ３の上部には乾燥空気又はＮ２
をパージするノズル７が付いており、一定時間経過後、
真空排気バルブ８を閉じて排気を停止し、ノズル７から
ガスをパージしてチャンバ３内を大気圧に戻す。また、
減圧状態で常時ガスをパージし、水蒸気のキャリアガス
として用いチャンバ３内の水蒸気を速やかに排気し、ガ
スと置換することも可能である。
６より排気される。チャンバ３内は減圧状態となり、ホ
ットプレート１により加熱されたウェーハ２の水分は蒸
発し、排気される。トラップ９は排気された水蒸気を冷
却し捕獲する。チャンバ３の上部には乾燥空気又はＮ２
をパージするノズル７が付いており、一定時間経過後、
真空排気バルブ８を閉じて排気を停止し、ノズル７から
ガスをパージしてチャンバ３内を大気圧に戻す。また、
減圧状態で常時ガスをパージし、水蒸気のキャリアガス
として用いチャンバ３内の水蒸気を速やかに排気し、ガ
スと置換することも可能である。
ウェーハの乾燥後、チャンバ３が上昇し、ホットプレー
ト１上のウェーハ２が外部に搬送される。
ト１上のウェーハ２が外部に搬送される。
尚、本発明は、半導体ウェーハ製造におけるフォトリソ
グラフィー工程でのレジスト塗布前のデイハイドレーシ
ョンベークや、現像後のベーク等、塗布機や現像機とド
ツキングし、インライン型として組み込むことが可能で
ある。
グラフィー工程でのレジスト塗布前のデイハイドレーシ
ョンベークや、現像後のベーク等、塗布機や現像機とド
ツキングし、インライン型として組み込むことが可能で
ある。
以上説明したように本発明は減圧下でウェーハを加熱す
ることにより、１００°Ｃ前後の低い加熱温度で水分を
速やかに除去することができ、インライン型にしても耐
熱性や断熱、放熱等の対策は従来と比べ非常に有利であ
る。また、水分の除去速度も向上するため、短時間で除
去できるという効果を有する。
ることにより、１００°Ｃ前後の低い加熱温度で水分を
速やかに除去することができ、インライン型にしても耐
熱性や断熱、放熱等の対策は従来と比べ非常に有利であ
る。また、水分の除去速度も向上するため、短時間で除
去できるという効果を有する。
第１図は本発明の一実施例を示す縦断面図、第２図は従
来のデイハイドレーションホットプレート方式の構造を
示す縦断面図である。 １・・ホラ１〜プレート ２・・・ウェーハ３・
・・チャンバ ５・・・真空ポンプ ７・・・ノズル ９・・・トラップ
来のデイハイドレーションホットプレート方式の構造を
示す縦断面図である。 １・・ホラ１〜プレート ２・・・ウェーハ３・
・・チャンバ ５・・・真空ポンプ ７・・・ノズル ９・・・トラップ
Claims (1)
- （１）半導体ウェーハを加熱するホットプレートと、加
熱される前記半導体ウェーハの周囲雰囲気を減圧状態に
保持するチャンバと、前記チャンバ内に気体をパージす
る手段とを有することを特徴とする半導体ウェーハの水
分除去装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63217342A JPH0265233A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体ウェーハの水分除去装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63217342A JPH0265233A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体ウェーハの水分除去装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0265233A true JPH0265233A (ja) | 1990-03-05 |
Family
ID=16702673
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63217342A Pending JPH0265233A (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 半導体ウェーハの水分除去装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0265233A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0554540U (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-20 | 大同特殊鋼株式会社 | 金属ストリップ用雰囲気炉における冷却帯 |
| WO2001055658A1 (fr) * | 2000-01-25 | 2001-08-02 | Japan Field Co., Ltd. | Methode et dispositif de sechage post-lavage |
| KR100420009B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2004-02-25 | 주성엔지니어링(주) | 반도체소자 제조장치 |
| KR100802212B1 (ko) * | 2002-03-28 | 2008-02-11 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 |
| JP2008202930A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-09-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置 |
| JP2016004830A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 株式会社ディスコ | 半導体チップの製造方法 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63217342A patent/JPH0265233A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0554540U (ja) * | 1991-12-26 | 1993-07-20 | 大同特殊鋼株式会社 | 金属ストリップ用雰囲気炉における冷却帯 |
| KR100420009B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2004-02-25 | 주성엔지니어링(주) | 반도체소자 제조장치 |
| WO2001055658A1 (fr) * | 2000-01-25 | 2001-08-02 | Japan Field Co., Ltd. | Methode et dispositif de sechage post-lavage |
| KR100802212B1 (ko) * | 2002-03-28 | 2008-02-11 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치 |
| JP2008202930A (ja) * | 2007-01-26 | 2008-09-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 減圧乾燥装置 |
| JP2016004830A (ja) * | 2014-06-13 | 2016-01-12 | 株式会社ディスコ | 半導体チップの製造方法 |
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