JPH0266426A - 散乱光測定装置 - Google Patents
散乱光測定装置Info
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- JPH0266426A JPH0266426A JP63218956A JP21895688A JPH0266426A JP H0266426 A JPH0266426 A JP H0266426A JP 63218956 A JP63218956 A JP 63218956A JP 21895688 A JP21895688 A JP 21895688A JP H0266426 A JPH0266426 A JP H0266426A
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/02—Investigating particle size or size distribution
- G01N15/0205—Investigating particle size or size distribution by optical means
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、例えば分散状態の粒子等に光を照射すること
によって生ずる散乱光を測定するための装置に関し、例
えばレーザ光回折／散乱式粒度分布測定装置等への応用
が可能な散乱光測定装置に関する。
によって生ずる散乱光を測定するための装置に関し、例
えばレーザ光回折／散乱式粒度分布測定装置等への応用
が可能な散乱光測定装置に関する。
〈従来の技術〉
レーザ光回折／散乱式粒度分布測定装置においては、媒
液中で分散飛しょう状態の試料粒子にレーザ光を照射し
、試料粒子によって回折もしくは散乱された光の強度分
布を測定することにより、フランホーファ回折もしくは
ミー散乱理論に基づいて試料粒子の粒度分布を算出する
。
液中で分散飛しょう状態の試料粒子にレーザ光を照射し
、試料粒子によって回折もしくは散乱された光の強度分
布を測定することにより、フランホーファ回折もしくは
ミー散乱理論に基づいて試料粒子の粒度分布を算出する
。
この種の測定装置では、通常、媒液中に試料粒子を分散
させた懸濁液を測定セル内に入れて光を照射するが、こ
の照射光の光軸上に、測定セルを経た光を集光するため
のレンズを設け、そのレンズの焦点位置には互いに半径
の異なるリング状のフォトセンサを同心状に複数個設け
た、いわゆるリングデテクタが配設され、これによって
前方散乱光（回折光）の強度分布（散乱角と強度の関係
）を求めている。
させた懸濁液を測定セル内に入れて光を照射するが、こ
の照射光の光軸上に、測定セルを経た光を集光するため
のレンズを設け、そのレンズの焦点位置には互いに半径
の異なるリング状のフォトセンサを同心状に複数個設け
た、いわゆるリングデテクタが配設され、これによって
前方散乱光（回折光）の強度分布（散乱角と強度の関係
）を求めている。
ところで、この種の粒度分布測定装置においては、測定
セル内に純粋′な媒液のみ入れ、これにレーザ光を照射
したときの散乱光強度をブランク値（ベース値）として
、試料懸濁液にレーザ光を照射したときの散乱光強度か
らこのブランク値を減算して真の散乱光強度としている
ので、ブランク値測定時と試料懸濁液による散乱光測定
時において温度差が無ければ、上述の減算によってフォ
トセンサの暗電流値は消去される。また、リングデテク
タは一般に共通のウェハ上に同一のプロセスで多数のリ
ング状フォトセンサを形成して製造されるので、このリ
ングデテクタ上の各センサの感度特性は相互にほぼ同一
と考えられ、相対光強度から粒度分布を求める方式の原
理上、各フォトセンサの感度変化は粒度分布測定結果に
対してあまり影響を及ぼさない。
セル内に純粋′な媒液のみ入れ、これにレーザ光を照射
したときの散乱光強度をブランク値（ベース値）として
、試料懸濁液にレーザ光を照射したときの散乱光強度か
らこのブランク値を減算して真の散乱光強度としている
ので、ブランク値測定時と試料懸濁液による散乱光測定
時において温度差が無ければ、上述の減算によってフォ
トセンサの暗電流値は消去される。また、リングデテク
タは一般に共通のウェハ上に同一のプロセスで多数のリ
ング状フォトセンサを形成して製造されるので、このリ
ングデテクタ上の各センサの感度特性は相互にほぼ同一
と考えられ、相対光強度から粒度分布を求める方式の原
理上、各フォトセンサの感度変化は粒度分布測定結果に
対してあまり影響を及ぼさない。
〈発明が解決しようとする課題〉
しかし、温度変化の大きい場所で装置を使用する場合に
は、ブランク値の測定を頻繁に行わないと暗電流の影響
が出てしまい、また、リングデテクタ以外に、測定セル
の側方に９０°等の大角度散乱光測定用フォトセンサを
配設する場合には、両者の温度変動に差があれば、これ
による暗電流の変動の違いおよび相対的な感度変化が粒
度分布測定結果に直接影響を及ぼし、測定誤差となって
しまう。特に、大角度散乱光測定用センサは測定セルの
直近の側方に設置されるので、室温と温度差のある懸濁
液を測定する場合には温度の影響を受けやすい。
は、ブランク値の測定を頻繁に行わないと暗電流の影響
が出てしまい、また、リングデテクタ以外に、測定セル
の側方に９０°等の大角度散乱光測定用フォトセンサを
配設する場合には、両者の温度変動に差があれば、これ
による暗電流の変動の違いおよび相対的な感度変化が粒
度分布測定結果に直接影響を及ぼし、測定誤差となって
しまう。特に、大角度散乱光測定用センサは測定セルの
直近の側方に設置されるので、室温と温度差のある懸濁
液を測定する場合には温度の影響を受けやすい。
散乱光は微弱であり、半導体フォトセンサを使用した場
合には暗電流の影響は大きく、また、この暗電流は温度
に対して指数関数的に変化するので、信号処理系の電気
回路のみでの補正は困難であるとともに、感度変化の補
正については、フォトセンサ数が多数に及ぶので、それ
ぞれの増幅器に感度補償機能を付加するのは高価となっ
てしまう。
合には暗電流の影響は大きく、また、この暗電流は温度
に対して指数関数的に変化するので、信号処理系の電気
回路のみでの補正は困難であるとともに、感度変化の補
正については、フォトセンサ数が多数に及ぶので、それ
ぞれの増幅器に感度補償機能を付加するのは高価となっ
てしまう。
本発明はこのような点に鑑みてなされたもので、わずか
な部品の付加によって、散乱光測定用フォトセンサにお
ける暗電流と感度変化による影響を除去することのでき
る散乱光測定装置の提供を目的としている。
な部品の付加によって、散乱光測定用フォトセンサにお
ける暗電流と感度変化による影響を除去することのでき
る散乱光測定装置の提供を目的としている。
〈課題を解決するための手段〉
上記の目的を達成するための構成を、実施例に対応する
第１図、第２図を参照しつつ説明すると、本発明は、散
乱光の散乱角に対応して配置される複数の散乱光測定用
フォトセンサＰ、〜Ｐ、、（およびＰｓ）の近傍に、受
光面が遮蔽された暗電流測定用フォトセンサＰｂＩ（お
よびＰｂ□）を設け、各散乱光測定用フォトセンサＰ１
〜Ｐ、、（Ｐｓ）の出力から、暗電流測定用フォトセン
サＰｂ＋（Ｐｂ□）の出力を、互いの受光面積比で補正
して減算するとともに、各散乱光測定用フォトセンサの
うち同一ウェハ上に形成されたフォトセンサ群Ｐ１〜Ｐ
７についてはそのうちの一部のフォトセンサ（例えばＰ
ｆｉ）の出力を感度補償付きおよび感度補償無しの各増
幅器１０および９にそれぞれ入力してその双方の増幅ａ
９，１Ｏの出力比を算出し、他のフォトセンサＰ１〜Ｐ
７−１の出力は感度補償無しの増幅器９・・・９に入力
してその増幅器出力を上記の出力比で補正するよう構成
したことによって、特徴づけられる。
第１図、第２図を参照しつつ説明すると、本発明は、散
乱光の散乱角に対応して配置される複数の散乱光測定用
フォトセンサＰ、〜Ｐ、、（およびＰｓ）の近傍に、受
光面が遮蔽された暗電流測定用フォトセンサＰｂＩ（お
よびＰｂ□）を設け、各散乱光測定用フォトセンサＰ１
〜Ｐ、、（Ｐｓ）の出力から、暗電流測定用フォトセン
サＰｂ＋（Ｐｂ□）の出力を、互いの受光面積比で補正
して減算するとともに、各散乱光測定用フォトセンサの
うち同一ウェハ上に形成されたフォトセンサ群Ｐ１〜Ｐ
７についてはそのうちの一部のフォトセンサ（例えばＰ
ｆｉ）の出力を感度補償付きおよび感度補償無しの各増
幅器１０および９にそれぞれ入力してその双方の増幅ａ
９，１Ｏの出力比を算出し、他のフォトセンサＰ１〜Ｐ
７−１の出力は感度補償無しの増幅器９・・・９に入力
してその増幅器出力を上記の出力比で補正するよう構成
したことによって、特徴づけられる。
く作用〉
フォトセンサＰ１〜Ｐ、（Ｐｓ）の出力ｉは、基準温度
との温度差をΔｔとすると、 ｉ＝入射光強度×係数×（１＋温度係数×Δｔ）＋暗電
流 と考えられる。
との温度差をΔｔとすると、 ｉ＝入射光強度×係数×（１＋温度係数×Δｔ）＋暗電
流 と考えられる。
ここで、暗電流の大きさは、前述したように温度変化に
対して指数関数的に変化するものの、同一タイプのフォ
トセンサでは同一のΔｔであれば受光面積に比例する。
対して指数関数的に変化するものの、同一タイプのフォ
トセンサでは同一のΔｔであれば受光面積に比例する。
フォトセンサＰ１〜Ｐ、（あるいはＰｓ）の近傍に受光
面が遮蔽された暗電流測定用フォトセンサＰｂ＋（ある
いはＰｂ□）を設けて、フォトセンサＰ、〜ｐ−（ｐｓ
）の出力１１〜ｉ ｎ（ｔ ｓ）から、Ｐい（ｐｂ□）
の出力ｉｂ＋（ｉｂ□）を互いの面積比で補正した後に
減算することで温度変化があっても暗電流による影響は
キャンセルされる。
面が遮蔽された暗電流測定用フォトセンサＰｂ＋（ある
いはＰｂ□）を設けて、フォトセンサＰ、〜ｐ−（ｐｓ
）の出力１１〜ｉ ｎ（ｔ ｓ）から、Ｐい（ｐｂ□）
の出力ｉｂ＋（ｉｂ□）を互いの面積比で補正した後に
減算することで温度変化があっても暗電流による影響は
キャンセルされる。
また、感度変化に関しては、同一のフエハ上に形成され
たフォトセンサ群Ｐ１〜Ｐ、、については同一の特性を
持ち、かつ、温度もほぼ同一と考えられるので、例えば
フォトセンサＰ、１の出力について感度補償付きの増幅
器１０と感度補償無しの増幅器９の双方に入力してその
出力比を算出し、他のフォトセンサＰ Ｉ ” Ｐ ｎ
−１の出力をこの出力比で補正することにより等価的に
感度の補正が可能である。
たフォトセンサ群Ｐ１〜Ｐ、、については同一の特性を
持ち、かつ、温度もほぼ同一と考えられるので、例えば
フォトセンサＰ、１の出力について感度補償付きの増幅
器１０と感度補償無しの増幅器９の双方に入力してその
出力比を算出し、他のフォトセンサＰ Ｉ ” Ｐ ｎ
−１の出力をこの出力比で補正することにより等価的に
感度の補正が可能である。
〈実施例〉
第１図は本発明実施例の構成を示す平面図で、第２図は
そのリングデテクタ５の受光面の正面図である。この実
施例ではレーザ光回折／散乱式の粒度分布測定装置に本
発明を適用した例を示している。
そのリングデテクタ５の受光面の正面図である。この実
施例ではレーザ光回折／散乱式の粒度分布測定装置に本
発明を適用した例を示している。
試料粒子Ｗは媒液中に均一に分散された状態で測定セル
１内に流される。
１内に流される。
測定セル１の後方には、レーザ光源２とビームエキスパ
ンダ３からなる照射光光学系が配設されており、測定セ
ル１内の試料粒子Ｗに所定断面を有する平行レーザビー
ムを照射することができる。
ンダ３からなる照射光光学系が配設されており、測定セ
ル１内の試料粒子Ｗに所定断面を有する平行レーザビー
ムを照射することができる。
測定セル１の前方の照射光光軸上には、試料粒子Ｗによ
る散乱光を集光するためのフーリエ変換レンズ４が配設
されているとともに、その焦点位置にはリングデテクタ
５が配設されている。
る散乱光を集光するためのフーリエ変換レンズ４が配設
されているとともに、その焦点位置にはリングデテクタ
５が配設されている。
リングデテクタ５は、第２図に示すように、共通のウェ
ハ５１上に、それぞれ照射光の光軸を中心として互いに
異なる半径のｎ個のリング状の半導体フォトセンサＰ＋
、Ｐｚ・・・Ｐ、、、が形成されてなっており、各フォ
トセンサＰ１〜Ｐ、ｌの出力はそれぞれ独立的に採り出
せるよう構成されている。そして、このリングデテクタ
８には、同じウェハ５１上にＰ１〜Ｐ、ｌとは別に暗電
流測定用フォトセンサＰｂｌが形成されている。この暗
電流測定用フォトセンサＰ、は、ウェハ５１上に各フォ
トセンサＰ。
ハ５１上に、それぞれ照射光の光軸を中心として互いに
異なる半径のｎ個のリング状の半導体フォトセンサＰ＋
、Ｐｚ・・・Ｐ、、、が形成されてなっており、各フォ
トセンサＰ１〜Ｐ、ｌの出力はそれぞれ独立的に採り出
せるよう構成されている。そして、このリングデテクタ
８には、同じウェハ５１上にＰ１〜Ｐ、ｌとは別に暗電
流測定用フォトセンサＰｂｌが形成されている。この暗
電流測定用フォトセンサＰ、は、ウェハ５１上に各フォ
トセンサＰ。
〜Ｐ７と同一のプロセスで形成され、その受光面は遮蔽
板６によって外光から遮蔽されている。
板６によって外光から遮蔽されている。
測定セル１の側方には、側方（９０” ”）散乱光測定
用フォトセンサＰ、が配設されているとともに、その直
近には、このフォトセンサＰ、と同一面積の受光面を持
つ全く同一のフォトセンサの受光面を遮蔽板で覆ってな
る暗電流測定用フォトセンサＰｂ□が配設されている。
用フォトセンサＰ、が配設されているとともに、その直
近には、このフォトセンサＰ、と同一面積の受光面を持
つ全く同一のフォトセンサの受光面を遮蔽板で覆ってな
る暗電流測定用フォトセンサＰｂ□が配設されている。
リングデテクタ５上の各フォトセンサＰ１〜Ｐ、ｌと暗
電流測定用フォトセンサＰｂｌ、および側方散乱光測定
用フォトセンサＰ、とその・直近の暗電流測定用フォト
センサＰｂ２の出力は、それぞれ前置増幅器８・・・８
に入力されている。そして、リングデテクタ５上のフォ
トセンサＰ、−Ｐ、およびＰｂｌについては、フォトセ
ンサＰ７の出力１７のみが前置増幅器８を介して感度補
償付きの増幅器１０と感度補償無しの増幅器９の双方に
入力されており、他のフォトセンサＰ１〜Ｐｙ＋−１お
よびＰいの出力ｉｌ〜１＋１−１およびｉｂ＋は前置増
幅器８・・・８を介してそれぞれ感度補償無しの増幅器
９，９に入力されている。また、側方散乱光測定用フォ
トセンサＰ。
電流測定用フォトセンサＰｂｌ、および側方散乱光測定
用フォトセンサＰ、とその・直近の暗電流測定用フォト
センサＰｂ２の出力は、それぞれ前置増幅器８・・・８
に入力されている。そして、リングデテクタ５上のフォ
トセンサＰ、−Ｐ、およびＰｂｌについては、フォトセ
ンサＰ７の出力１７のみが前置増幅器８を介して感度補
償付きの増幅器１０と感度補償無しの増幅器９の双方に
入力されており、他のフォトセンサＰ１〜Ｐｙ＋−１お
よびＰいの出力ｉｌ〜１＋１−１およびｉｂ＋は前置増
幅器８・・・８を介してそれぞれ感度補償無しの増幅器
９，９に入力されている。また、側方散乱光測定用フォ
トセンサＰ。
と暗電流測定用フォトセンサＰｂＺの出力ｉ３およびｉ
ｂ□については、それぞれ前置増幅器８．８を経た後、
出力ｉ３からｉｂｚを減じた信号が感度補償付きの増幅
器１０に入力されている。
ｂ□については、それぞれ前置増幅器８．８を経た後、
出力ｉ３からｉｂｚを減じた信号が感度補償付きの増幅
器１０に入力されている。
そして、全ての増幅器９・・・９および１０．１０の出
力はマルチプレクサ１１を介して順次Ａ−Ｄ変換器１２
によってデジタル化された後、コンピュータ１３に採り
込まれるよう構成されている。
力はマルチプレクサ１１を介して順次Ａ−Ｄ変換器１２
によってデジタル化された後、コンピュータ１３に採り
込まれるよう構成されている。
コンピュータ１３では、各増幅器９・・・９および１０
．１０からのデジタル変換データを採り込み、以下に示
す演算を施した後、それぞれ対応するフォトセンサＰ、
−Ｐ、およびＰ、による散乱光強度測定−データとして
、粒度分布の算出に供する。
．１０からのデジタル変換データを採り込み、以下に示
す演算を施した後、それぞれ対応するフォトセンサＰ、
−Ｐ、およびＰ、による散乱光強度測定−データとして
、粒度分布の算出に供する。
すなわち、コンピュータ１３にはリングデテクタ５上の
フォトセンサｐ、−ｐ、、および暗電流測定用フォトセ
ンサＰｂｌの各受光面の面積Δ１〜Ａ７およびＡ ｂｌ
があらかじめ入力されており、各フォトセンサＰ、−Ｐ
、から感度補償無しの増幅器９・・・９を介して採り込
まれたデータをそれぞれｄ二（ｊ＝１〜ｎ）とするとと
もに、フォトセンサＰｆｉから感度補償付きの増幅器１
０を介して採り込まれたデータをＤ’ｒ＋とじ、暗電流
測定用フォトセンサＰｂｌから増幅器９を介して採り込
まれたデータをａｂ＋とすると、まず、 を算出する。次に、 を算出した後、ｊ＝１〜ｎ−１について、Ｄ、＝Ｋ −
ｄ、 ・・・（４）を算出する。
フォトセンサｐ、−ｐ、、および暗電流測定用フォトセ
ンサＰｂｌの各受光面の面積Δ１〜Ａ７およびＡ ｂｌ
があらかじめ入力されており、各フォトセンサＰ、−Ｐ
、から感度補償無しの増幅器９・・・９を介して採り込
まれたデータをそれぞれｄ二（ｊ＝１〜ｎ）とするとと
もに、フォトセンサＰｆｉから感度補償付きの増幅器１
０を介して採り込まれたデータをＤ’ｒ＋とじ、暗電流
測定用フォトセンサＰｂｌから増幅器９を介して採り込
まれたデータをａｂ＋とすると、まず、 を算出する。次に、 を算出した後、ｊ＝１〜ｎ−１について、Ｄ、＝Ｋ −
ｄ、 ・・・（４）を算出する。
そして、Ｄ１〜ＤｌｌをリングデテクタＳ上の各フォト
センサＰ１〜Ｐ、、による光強度測定データとして採用
する。
センサＰ１〜Ｐ、、による光強度測定データとして採用
する。
また、側方散乱光測定用フォトセンサＰ、の出力から暗
電流測定用フォトセンサＰｂ２の出力を減じて感度補償
付き増幅器１０を介して採り込まれたデータＤ、につい
ては、このり、をそのまま側方散乱光測定データとして
採用する。
電流測定用フォトセンサＰｂ２の出力を減じて感度補償
付き増幅器１０を介して採り込まれたデータＤ、につい
ては、このり、をそのまま側方散乱光測定データとして
採用する。
以上の本発明実施例によれば、リングデテクタ５上のフ
ォトセンサＰＬ−Ｐ７と暗電流測定用フォトセンサＰい
については、それぞれ同一のウェハ５１上に同一のプロ
セスによって形成されたものであるから、それぞれが互
いにほぼ同等の特性を示し、また、互いの位置も接近し
ていることから、周囲温度の変化に際してもそれぞれの
温度もほぼ同一に変化すると見なしてよく、このことか
らフォトセンサＰＩ−Ｐ、ｌおよびＰｂｌの暗電流はそ
れぞれの受光面の面積に比例すると考えてよい。したが
って（１）、 （２１式によって各データから暗電流の
影啓分が除去され、また、（３１，（４）式によってフ
ォトセンサＰ ｌ”” Ｐ ｎ−１からのデータは等価
的に感度補償されたものとなる。更に、側方散乱光測定
用フォトセンサＰ、の出力についても、その直近に置か
れた同一のフォトセンサからなる暗電流測定用フォトセ
ンサＰｂ２の出力を滅じた後に感度補償付きの増幅器１
０で増幅するから、暗電流および感度変化の影響は完全
に除去されたものとなる。
ォトセンサＰＬ−Ｐ７と暗電流測定用フォトセンサＰい
については、それぞれ同一のウェハ５１上に同一のプロ
セスによって形成されたものであるから、それぞれが互
いにほぼ同等の特性を示し、また、互いの位置も接近し
ていることから、周囲温度の変化に際してもそれぞれの
温度もほぼ同一に変化すると見なしてよく、このことか
らフォトセンサＰＩ−Ｐ、ｌおよびＰｂｌの暗電流はそ
れぞれの受光面の面積に比例すると考えてよい。したが
って（１）、 （２１式によって各データから暗電流の
影啓分が除去され、また、（３１，（４）式によってフ
ォトセンサＰ ｌ”” Ｐ ｎ−１からのデータは等価
的に感度補償されたものとなる。更に、側方散乱光測定
用フォトセンサＰ、の出力についても、その直近に置か
れた同一のフォトセンサからなる暗電流測定用フォトセ
ンサＰｂ２の出力を滅じた後に感度補償付きの増幅器１
０で増幅するから、暗電流および感度変化の影響は完全
に除去されたものとなる。
なお、感度補償付きの増幅器１０は、一般に公知の高温
度係数を持つ抵抗器を使用して得られる増幅器である。
度係数を持つ抵抗器を使用して得られる増幅器である。
また、以上の本発明実施例では、各フォトセンサの出力
を前置増幅器を介して増幅器に入力したが、フォトセン
サの出力を電流アンプに入力してもよいことは勿論であ
る。
を前置増幅器を介して増幅器に入力したが、フォトセン
サの出力を電流アンプに入力してもよいことは勿論であ
る。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明によれば、散乱光測定用フ
ォトセンサに近接して暗電流測定用フォトセンサを１個
または数個設けるとともに、感度補償付きの増幅器を１
個または２個程度追加するだけで、暗電流および感度変
化のいずれの影響をも除去することができ、粒度分布測
定装置等への適用により、温度変化の激しい場所での測
定においてもブランク値の測定を顯繁に行なうことなく
正確な散乱光強度を得ることができ、また、高温もしく
は低温の試料でも誤差の少ない測定が可能となった。ま
た、同様な理由により、リングデテクタと側方散乱光測
定用フォトセンサ等の他の１個もしくは複数個のフォト
センサの組み合わせ測定においても、その信頼性が向上
する。
ォトセンサに近接して暗電流測定用フォトセンサを１個
または数個設けるとともに、感度補償付きの増幅器を１
個または２個程度追加するだけで、暗電流および感度変
化のいずれの影響をも除去することができ、粒度分布測
定装置等への適用により、温度変化の激しい場所での測
定においてもブランク値の測定を顯繁に行なうことなく
正確な散乱光強度を得ることができ、また、高温もしく
は低温の試料でも誤差の少ない測定が可能となった。ま
た、同様な理由により、リングデテクタと側方散乱光測
定用フォトセンサ等の他の１個もしくは複数個のフォト
センサの組み合わせ測定においても、その信頼性が向上
する。
第１図は本発明実施例の構成を示す平面図、第２図はそ
のリ ド・ ２・・ ５・・ ６．７・・ ８・・ ９・・ １０・・ ＰＩＳ−Ｐｆｌ、Ｐｓ・・ ｐｂｔ・ ｐｂｚ” ングデテクタ５の正面図である。 ・測定セル ・レーザ光源 ・リングデテクタ ・遮蔽板 ・前置増幅器 ・感度補償無しの増幅器 ・感度補償付きの増幅器 ・フォトセンサ ・暗電流測定用フォトセンサ
のリ ド・ ２・・ ５・・ ６．７・・ ８・・ ９・・ １０・・ ＰＩＳ−Ｐｆｌ、Ｐｓ・・ ｐｂｔ・ ｐｂｚ” ングデテクタ５の正面図である。 ・測定セル ・レーザ光源 ・リングデテクタ ・遮蔽板 ・前置増幅器 ・感度補償無しの増幅器 ・感度補償付きの増幅器 ・フォトセンサ ・暗電流測定用フォトセンサ
Claims (1)
- 粒子等の物体に光を照射することによって生ずる散乱光
を測定するための装置において、各散乱角に対応して配
置される複数の散乱光強度測定用フォトセンサの近傍に
、受光面が遮蔽された暗電流測定用フォトセンサを設け
、上記各散乱光強度測定用フォトセンサの出力から、上
記暗電流測定用フォトセンサの出力を互いの受光面積比
で補正してして減算するとともに、上記各散乱光強度測
定用フォトセンサのうち、同一ウェハ上に形成されたフ
ォトセンサ群についてはそのうちの一部のフォトセンサ
の出力を感度補償付きおよび感度補償無しの各増幅器に
それぞれ入力してその双方の増幅器の出力比を算出し、
他のフォトセンサの出力は感度補償無しの増幅器に入力
してその増幅器出力を上記出力比で補正するよう構成し
たことを特徴とする、散乱光測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63218956A JPH0616008B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 散乱光測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63218956A JPH0616008B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 散乱光測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266426A true JPH0266426A (ja) | 1990-03-06 |
| JPH0616008B2 JPH0616008B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=16727975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63218956A Expired - Lifetime JPH0616008B2 (ja) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | 散乱光測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0616008B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2688308A1 (fr) * | 1992-03-04 | 1993-09-10 | Cilas | Granulometre a laser. |
| JP2005279328A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Hamamatsu Photonics Kk | 微粒子化条件の決定方法、決定装置、及び微粒子の製造方法、製造装置 |
| JP2010164572A (ja) * | 2002-07-17 | 2010-07-29 | Particle Sizing Systems Inc | 高感度で光学的に粒子を計数し、粒径判定するためのセンサ及び方法 |
| JP2011154005A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Nikon Corp | エンコーダ |
| JP2012042705A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Ricoh Co Ltd | 測距装置及び撮像装置 |
| CN102944516A (zh) * | 2012-11-13 | 2013-02-27 | 天津市一瑞生物工程有限公司 | 一种多光源多孔道进行生化检测的电路 |
-
1988
- 1988-08-31 JP JP63218956A patent/JPH0616008B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2688308A1 (fr) * | 1992-03-04 | 1993-09-10 | Cilas | Granulometre a laser. |
| JP2010164572A (ja) * | 2002-07-17 | 2010-07-29 | Particle Sizing Systems Inc | 高感度で光学的に粒子を計数し、粒径判定するためのセンサ及び方法 |
| JP2005279328A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-10-13 | Hamamatsu Photonics Kk | 微粒子化条件の決定方法、決定装置、及び微粒子の製造方法、製造装置 |
| JP2011154005A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Nikon Corp | エンコーダ |
| JP2012042705A (ja) * | 2010-08-19 | 2012-03-01 | Ricoh Co Ltd | 測距装置及び撮像装置 |
| CN102944516A (zh) * | 2012-11-13 | 2013-02-27 | 天津市一瑞生物工程有限公司 | 一种多光源多孔道进行生化检测的电路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0616008B2 (ja) | 1994-03-02 |
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