JPH026669Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH026669Y2 JPH026669Y2 JP1981120969U JP12096981U JPH026669Y2 JP H026669 Y2 JPH026669 Y2 JP H026669Y2 JP 1981120969 U JP1981120969 U JP 1981120969U JP 12096981 U JP12096981 U JP 12096981U JP H026669 Y2 JPH026669 Y2 JP H026669Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- chip
- transducers
- case
- pad
- Prior art date
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
本考案はSIP型弾性表面波デバイスの改良に関
する。[Detailed Description of the Invention] The present invention relates to an improvement of a SIP type surface acoustic wave device.
従来よりSIP(シングルインラインパツケージ)
の弾性表面波デバイスは電子機器のフイルタ等と
して用られている。この弾性表面波デバイスは第
1図の正面図及び第2図の断面図に示す如き構造
を有している。これについて簡単に説明すると、
圧電基板1上に複数条の電極からなるマルチスト
リツプカプラ2とそれぞれ1対の櫛歯形電極を組
合わせた入力トランスジユーサ3と出力トランス
ジユーサ4とを形成したチツプ5をベース6に支
持された金属製のトレイ7に導電性接着剤8を用
いて取着し、入出力トランスジユーサ3,4のそ
れぞれのパツド9〜12と端子13〜16間をボ
ンデイングワイヤ17〜20で接続したのち、樹
脂製のケース21をかぶせ、接着剤にてベース6
に封止したものである。このような弾性表面波デ
バイスはその構造上ホツトシグナル22を印加す
る入力トランスジユーサ3の一方の電極3a及び
そのパツド9はチツプ5の側面に近接した位置に
配置されるのが普通である。このようにホツトシ
グナル22が印加される側の電極3a及びパツド
9がチツプ5の側面に近いと、チツプを接着した
導電性接着剤8に含まれた物質が水分等によつて
イオン化して移動し、前記の電極3a及びパツド
9を腐食させる不具合を生ずることがある。本考
案はこの欠点を改良するために案出されたもので
ある。 Traditionally SIP (Single Inline Package)
Surface acoustic wave devices are used as filters in electronic equipment. This surface acoustic wave device has a structure as shown in the front view of FIG. 1 and the cross-sectional view of FIG. 2. To briefly explain this,
A chip 5 is mounted on a base 6, in which an input transducer 3 and an output transducer 4 are formed by combining a multi-strip coupler 2 consisting of a plurality of electrodes and a pair of comb-shaped electrodes on a piezoelectric substrate 1. It is attached to a supported metal tray 7 using a conductive adhesive 8, and the pads 9 to 12 of the input/output transducers 3 and 4 and the terminals 13 to 16 are connected using bonding wires 17 to 20. After that, cover the resin case 21 and attach the base 6 with adhesive.
It is sealed in. Due to the structure of such a surface acoustic wave device, one electrode 3a of the input transducer 3 to which the hot signal 22 is applied and its pad 9 are usually placed close to the side surface of the chip 5. If the electrode 3a and the pad 9 on the side to which the hot signal 22 is applied are close to the side surface of the chip 5, the substances contained in the conductive adhesive 8 that adhered the chip will be ionized and moved by moisture etc. However, there may be a problem that the electrode 3a and pad 9 are corroded. The present invention was devised to improve this drawback.
このため本考案においては、圧電基板1上に少
なくとも1対の櫛歯形電極を組合わせた入力及び
出力トランスジユーサ3,4が形成されているチ
ツプ5と、前記の各トランスジユーサ3,4の入
出力用端子13〜16とチツプ実装用の金属製ト
レイ7が取着されているベース6と、SIP型樹脂
製ケース21とを具備し、前記チツプ5が前記ト
レイ7上に導電性接着剤8にて接着固定されると
共に、該チツプ5が前記ケース21と前記ベース
6との封止により該ケース21内に収容されてお
り、且つ該ケース21内で前記トランスジユーサ
3,4の各電極より導出するパツドと前記端子1
3〜16が各々ボンデイングワイヤ17〜20に
より接続されている弾性表面波デバイスであつ
て、前記トランスジユーサ3,4の前記パツド
が、前記入力トランスジユーサ3のホツトシグナ
ル22が印加される側の電極3c及びそれより導
出するパツド23は前記基板1の中央部に位置す
るように、また前記入力トランスジユーサ3のア
ース側電極3bより導出するパツド10および前
記出力トランスジユーサ4の各電極より導出する
パツド11,12は前記端子13〜16に対向す
る前記基板1の同一周辺部に位置するようにして
形成されていることを特徴とするものである。 Therefore, in the present invention, a chip 5 is provided, in which input and output transducers 3 and 4 each having a combination of at least one pair of comb-shaped electrodes are formed on a piezoelectric substrate 1; A base 6 is provided with input/output terminals 13 to 16 and a metal tray 7 for chip mounting, and a SIP type resin case 21, and the chip 5 is mounted on the tray 7 with conductive adhesive. At the same time, the chip 5 is housed in the case 21 by sealing the case 21 and the base 6, and the transducers 3 and 4 are fixed in the case 21. Pads leading out from each electrode and the terminal 1
3 to 16 are surface acoustic wave devices connected by bonding wires 17 to 20, respectively, and the pads of the transducers 3 and 4 are connected to the side to which the hot signal 22 of the input transducer 3 is applied. The electrode 3c and the pad 23 leading out from it are located at the center of the substrate 1, and the pad 10 leading out from the ground side electrode 3b of the input transducer 3 and each electrode of the output transducer 4 The pads 11 and 12 which are led out are formed so as to be located at the same peripheral portion of the substrate 1 facing the terminals 13 to 16.
以下、添付図面に基づいて本考案の実施例につ
き詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
第3図に第1の実施例を示し、第4図に第2の
実施例を示す。図においては第1図に示した従来
品と同一部分は同一符号を付して示した。 A first embodiment is shown in FIG. 3, and a second embodiment is shown in FIG. In the figures, parts that are the same as those of the conventional product shown in FIG. 1 are designated with the same reference numerals.
第3図に示す第1の実施例はチツプ5におい
て、入力トランスジユーサ3のアース側電極3b
を基板1の側面に近い方に配置し、他方のホツト
シグナル22が印加される側の電極3cとそのパ
ツド23を基板1の中央部に配置したもので他の
構成は第1図に示した従来品と同様である。 In the first embodiment shown in FIG. 3, the ground electrode 3b of the input transducer 3 is
is placed closer to the side surface of the substrate 1, and the electrode 3c to which the other hot signal 22 is applied and its pad 23 are placed in the center of the substrate 1.The other configuration is shown in FIG. It is the same as the conventional product.
このように構成された本実施例は、ホツトシグ
ナルが印加される電極3cとパツド23がチツプ
5の中央部にあつて、周辺部より離れているた
め、接着剤8のイオンの影響を受けることはなく
なり、従つて断線の恐れは解消される。 In this embodiment configured as described above, the electrode 3c to which the hot signal is applied and the pad 23 are located in the center of the chip 5 and are separated from the periphery, so that they are not affected by the ions of the adhesive 8. Therefore, the fear of disconnection is eliminated.
次に第4図に示す第2の実施例は入力トランス
ジユーサ3のアース側電極3bを基板1の側面に
近い方に配置し、ホツトシグナル22が印加され
る側の電極3cとパツド23を基板1の中央部に
配置したことは前実施例と同様であるが、アース
電極3bよりパツド10への引出し線24をマル
チストリツプカプラ2側を通し、この引出し線2
4とボンデイングワイヤ17との交差をなくした
ものである。(前実施例では引出し線24とボン
デイングワイヤ17とが交差している)なお効果
の点については前実施例と全く同様である。 Next, in the second embodiment shown in FIG. 4, the ground side electrode 3b of the input transducer 3 is arranged closer to the side surface of the substrate 1, and the electrode 3c and pad 23 on the side to which the hot signal 22 is applied are arranged. The arrangement in the center of the board 1 is the same as in the previous embodiment, but the lead wire 24 from the ground electrode 3b to the pad 10 is passed through the multi-strip coupler 2 side.
4 and the bonding wire 17 are eliminated. (In the previous embodiment, the lead wire 24 and the bonding wire 17 intersect with each other.) Note that the effect is exactly the same as in the previous embodiment.
以上説明した如く本考案の弾性表面波デバイス
は入力トランスジユーサのホツトシグナルが印加
される側の電極及びそのパツドを基板の中央部に
配置することにより、チツプを金属トレイに接着
する接着剤による腐食をなくし、断線等の不具合
を防止したものである。 As explained above, the surface acoustic wave device of the present invention is constructed by arranging the electrode of the input transducer on the side to which the hot signal is applied and its pad in the center of the substrate, and using adhesive to bond the chip to the metal tray. This eliminates corrosion and prevents problems such as wire breakage.
第1図は従来のSIP型弾性表面波デバイスの正
面図、第2図は第1図の−線における断面
図、第3図は本考案にかかる第1の実施例の弾性
表面波デバイスの正面図、第4図は第2の実施例
の正面図である。
1……圧電基板、2……マルチストリツプカプ
ラ、3……入力トランスジユーサ、4……出力ト
ランスジユーサ、5……チツプ、7……金属製ト
レイ、8……接着剤、9〜12……パツド、13
〜16……端子、17〜20……ボンデイングワ
イヤ、21……樹脂ケース。
Fig. 1 is a front view of a conventional SIP type surface acoustic wave device, Fig. 2 is a sectional view taken along the - line in Fig. 1, and Fig. 3 is a front view of a surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention. 4 are front views of the second embodiment. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Piezoelectric substrate, 2... Multi-strip coupler, 3... Input transducer, 4... Output transducer, 5... Chip, 7... Metal tray, 8... Adhesive, 9 ~12...Patsudo, 13
~16...terminal, 17-20...bonding wire, 21...resin case.
Claims (1)
組合わせた入力及び出力トランスジユーサ3,4
が形成されているチツプ5と、前記の各トランス
ジユーサ3,4の入出力用端子13〜16とチツ
プ実装用の金属製トレイ7が取着されているベー
ス6と、SIP型樹脂製ケース21とを具備し、 前記チツプ5が前記トレイ7上に導電性接着剤
8にて接着固定されると共に、該チツプ5が前記
ケース21と前記ベース6との封止により該ケー
ス21内に収容されており、 且つ該ケース21内で前記トランスジユーサ
3,4の各電極より導出するパツドと前記端子1
3〜16が各々ボンデイングワイヤ17〜20に
より接続されている弾性表面波デバイスであつ
て、 前記トランスジユーサ3,4の前記パツドが、
前記入力トランスジユーサ3のホツトシグナル2
2が印加される側の電極3c及びそれより導出す
るパツド23は前記基板1の中央部に位置するよ
うに、また前記入力トランスジユーサ3のアース
側電極3bより導出するパツド10および前記出
力トランスジユーサ4の各電極より導出するパツ
ド11,12は前記端子13〜16に対向する前
記基板1の同一周辺部に位置するようにして形成
されていることを特徴とした弾性表面波デバイ
ス。[Claims for Utility Model Registration] Input and output transducers 3 and 4 in which at least one pair of comb-shaped electrodes are combined on a piezoelectric substrate 1
a base 6 to which the input/output terminals 13 to 16 of each of the transducers 3 and 4 and a metal tray 7 for mounting the chip are attached, and a SIP type resin case. 21, the chip 5 is adhesively fixed on the tray 7 with a conductive adhesive 8, and the chip 5 is housed in the case 21 by sealing the case 21 and the base 6. and the pads leading out from each electrode of the transducers 3 and 4 and the terminal 1 within the case 21.
3 to 16 are surface acoustic wave devices connected by bonding wires 17 to 20, respectively, and the pads of the transducers 3 and 4 are
Hot signal 2 of the input transducer 3
The electrode 3c on the side to which 2 is applied and the pad 23 led out from it are located in the center of the substrate 1, and the pad 10 led out from the ground side electrode 3b of the input transducer 3 and the output transformer A surface acoustic wave device characterized in that pads 11 and 12 led out from each electrode of the gauger 4 are formed so as to be located at the same peripheral portion of the substrate 1 facing the terminals 13 to 16.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12096981U JPS5826221U (en) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | surface acoustic wave device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12096981U JPS5826221U (en) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | surface acoustic wave device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5826221U JPS5826221U (en) | 1983-02-19 |
| JPH026669Y2 true JPH026669Y2 (en) | 1990-02-19 |
Family
ID=29914915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12096981U Granted JPS5826221U (en) | 1981-08-17 | 1981-08-17 | surface acoustic wave device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5826221U (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1499330A (en) * | 1974-09-26 | 1978-02-01 | Plessey Co Ltd | Acoustic surface wave filters |
-
1981
- 1981-08-17 JP JP12096981U patent/JPS5826221U/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5826221U (en) | 1983-02-19 |
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