JPH0266846A - 一部が損傷した部品、特に対陰極を修復する方法 - Google Patents
一部が損傷した部品、特に対陰極を修復する方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、一部が損傷した部品の修復方法に関するもの
であり、具体的応用は化学的気相蒸着法を用いた修復方
法に関するものである。本発明は特に、陰極スパンクリ
ング装置のターゲットと、Ｘ線撮影装置の対陰極の修理
に応用される。
であり、具体的応用は化学的気相蒸着法を用いた修復方
法に関するものである。本発明は特に、陰極スパンクリ
ング装置のターゲットと、Ｘ線撮影装置の対陰極の修理
に応用される。
従来の技術
集積回路を製作する際には、アルミニウム、タングステ
ン、酸化シリコン、タンツステンシリサイド等の種々の
異なった材料の薄膜（数μｍオーダー）を複数堆積させ
る必要がある。これらの薄膜は、化学的気相蒸着（ＣＶ
Ｄ）、エツチング、陰極スパッタリングまたは物理的気
相蒸着（ＰＶＤ）により形成される。
ン、酸化シリコン、タンツステンシリサイド等の種々の
異なった材料の薄膜（数μｍオーダー）を複数堆積させ
る必要がある。これらの薄膜は、化学的気相蒸着（ＣＶ
Ｄ）、エツチング、陰極スパッタリングまたは物理的気
相蒸着（ＰＶＤ）により形成される。
陰極スパッタリング装置で用いられる固体のり−ゲット
は、回路上に薄膜状に蒸着される材料で構成されている
。陰極スパッタリングの一種であるマグネトロンスパッ
タリングは、蒸着速度と動作圧力のパフォーマンスが優
れているので、より純度の高い薄膜を得ることができる
。
は、回路上に薄膜状に蒸着される材料で構成されている
。陰極スパッタリングの一種であるマグネトロンスパッ
タリングは、蒸着速度と動作圧力のパフォーマンスが優
れているので、より純度の高い薄膜を得ることができる
。
マグネトロンスパッタリング装置は周知であり、その詳
細な説明は省略するが、マグネトロンスパッタリング装
置を高いパフォーマンスで運転するためには、ターゲッ
トに対して平行な強い磁場を作る必要があるということ
は知られている。しかし、このような磁場を形成するの
は難しいため、磁場をターゲット上の限られた部分に局
在化させる方法が採用されている。そのため、電子の衝
突に曝されたターゲットは、溝の形に消耗してゆき、最
終的にはターゲットには、ターゲットを貫通した溝がで
きる。このように溝のできたターゲットはもはや使用不
可能である。従って、高価なターゲットの構成材料の大
部分が廃棄されることになる。
細な説明は省略するが、マグネトロンスパッタリング装
置を高いパフォーマンスで運転するためには、ターゲッ
トに対して平行な強い磁場を作る必要があるということ
は知られている。しかし、このような磁場を形成するの
は難しいため、磁場をターゲット上の限られた部分に局
在化させる方法が採用されている。そのため、電子の衝
突に曝されたターゲットは、溝の形に消耗してゆき、最
終的にはターゲットには、ターゲットを貫通した溝がで
きる。このように溝のできたターゲットはもはや使用不
可能である。従って、高価なターゲットの構成材料の大
部分が廃棄されることになる。
これとよく似た問題は、対陰極が偏摩耗し易いＸ線撮影
装置でも起こる。Ｘ線撮影装置の対陰極は種々の方法で
製造できるが、その表面は全てタングステンまたはタン
グテン−レニウム合金になっている。Ｘ線を発生する際
には、加速電子ビームが上記表面の極めて限られた部分
と衝突する。
装置でも起こる。Ｘ線撮影装置の対陰極は種々の方法で
製造できるが、その表面は全てタングステンまたはタン
グテン−レニウム合金になっている。Ｘ線を発生する際
には、加速電子ビームが上記表面の極めて限られた部分
と衝突する。
この対陰極は約１０．０００ ｒ、 ｐ、 ｍの角速度
で回転しているので、この高エネルギの電子ビームの当
たった対陰極の表面（ＷまたはＷ／Ｒｅでできている）
の狭い部分が溝状に部分的に再結晶されて脆くなる。こ
うして消耗した対陰極は最終的には使用できなくなる。
で回転しているので、この高エネルギの電子ビームの当
たった対陰極の表面（ＷまたはＷ／Ｒｅでできている）
の狭い部分が溝状に部分的に再結晶されて脆くなる。こ
うして消耗した対陰極は最終的には使用できなくなる。
発明が解決しようとする課題
本発明の目的は、部分的に損傷した部品の損傷部分に、
この部品の構成材料を選択的に蒸着することによって上
記部品を元の形に戻し、それによって高価な部品を再使
用可能にすることにある。
この部品の構成材料を選択的に蒸着することによって上
記部品を元の形に戻し、それによって高価な部品を再使
用可能にすることにある。
課題を解決するための手段
本発明は、表面の一部が損傷した部品を修復する方法に
おいて、前記表面を構成する材料を損傷部分に蒸着し、
次いで、元の状態を回復するように前記表面を機械仕上
げすることを特徴としている。上記の蒸着は損傷部分に
選択的に行うのが好ましい。
おいて、前記表面を構成する材料を損傷部分に蒸着し、
次いで、元の状態を回復するように前記表面を機械仕上
げすることを特徴としている。上記の蒸着は損傷部分に
選択的に行うのが好ましい。
本発明の方法で修復される部品に、上記の蒸着前に前処
理を施すこともできる。この前処理は、機械仕上げおよ
び研磨により表面の損傷部分を除去し、次いで、例えば
、脱ガスすることによって行うことができる。
理を施すこともできる。この前処理は、機械仕上げおよ
び研磨により表面の損傷部分を除去し、次いで、例えば
、脱ガスすることによって行うことができる。
同様に、本発明の蒸着および機械仕上げ処理に続いて、
部品を再度脱ガス処理することもできる。
部品を再度脱ガス処理することもできる。
蒸着は、任意の方法、例えば、化学的気相蒸着法（ＣＶ
Ｄ）、物理的気相蒸着法（ＰＶＤ）、電着法、溶融塩電
解等で行うことができるが、ＣＶＤ法を使用することが
好ましい。ＣＶＤ法は最も速い蒸着速度で、しかも、蒸
着材料を最も高い純度で蒸着することができる。
Ｄ）、物理的気相蒸着法（ＰＶＤ）、電着法、溶融塩電
解等で行うことができるが、ＣＶＤ法を使用することが
好ましい。ＣＶＤ法は最も速い蒸着速度で、しかも、蒸
着材料を最も高い純度で蒸着することができる。
また、表面の損傷部分を局部的に加熱することにより好
ましい蒸着を行うことができる。ＣＶＤ法は化学反応、
例えば還元反応であり、この反応はある温度以上でなけ
れば起きない。損傷部分だけを局部的に加熱することに
より、蒸着を損傷部分だけに選択的に行うことができる
。
ましい蒸着を行うことができる。ＣＶＤ法は化学反応、
例えば還元反応であり、この反応はある温度以上でなけ
れば起きない。損傷部分だけを局部的に加熱することに
より、蒸着を損傷部分だけに選択的に行うことができる
。
この選択的な蒸着は、部品の損傷部分に選択的に反応ガ
スを噴射することによって行うこともできる。この場合
には、部品全体を加熱しても、損傷部分のみを選択的に
加熱してもよい。部品の損傷部分のみに選択的に反応ガ
スを噴射し且つ損傷部分のみを選択的に加熱すると、効
率がより良くなる。
スを噴射することによって行うこともできる。この場合
には、部品全体を加熱しても、損傷部分のみを選択的に
加熱してもよい。部品の損傷部分のみに選択的に反応ガ
スを噴射し且つ損傷部分のみを選択的に加熱すると、効
率がより良くなる。
本発明方法をＣＶＤ法で行うことによって、構成材料が
高融点金属（例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン
（ＭＯ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）またはこ
れらのケイ素化合物（ＷＳｉ□、ＭＯ８１２、ＴａＳｉ
２、Ｔｉ５ｉ２）まタハ高融点金属ノ合金（ＷＴｉ・・
・・・・）であるターゲットを特に効率的に修復するこ
とができる。しかし、本発明の方法がこれらの材料に限
定されないことは明らかである。
高融点金属（例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン
（ＭＯ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）またはこ
れらのケイ素化合物（ＷＳｉ□、ＭＯ８１２、ＴａＳｉ
２、Ｔｉ５ｉ２）まタハ高融点金属ノ合金（ＷＴｉ・・
・・・・）であるターゲットを特に効率的に修復するこ
とができる。しかし、本発明の方法がこれらの材料に限
定されないことは明らかである。
実施例
劣化の特徴
円形ターゲットの場合には半径に沿った消耗によって、
また、矩形ターゲットの場合には直線に沿った消耗によ
って劣化・損傷する。
また、矩形ターゲットの場合には直線に沿った消耗によ
って劣化・損傷する。
ＣＶＤ条件：
損傷を受けた部品を誘導コイル装置により誘導加熱し、
反応ガスを部品の近傍に送って、層流状態で部品を覆う
。一般に、下記３種類の反応のいずれかが用いられる。
反応ガスを部品の近傍に送って、層流状態で部品を覆う
。一般に、下記３種類の反応のいずれかが用いられる。
還元： Ｗｌ−６＋３Ｈ２→Ｗ＋６ＨＦ−−］Ｚ
解離： ６ＷＦ５；ヨＷ＋５ＷＦ６□□］Ｚ
圧力は、Ｑ、ｌ ｍｂａｒから大気圧の間とすることが
できるが、ｌＱｍｂａｒが用いられる。温度は、３００
〜２０００℃とすることができるが、８００ ℃が用い
られる。
できるが、ｌＱｍｂａｒが用いられる。温度は、３００
〜２０００℃とすることができるが、８００ ℃が用い
られる。
仕上げ方法
蒸着面を研磨して、表面の凸凹を取り除く。
本発明方法で修復したターゲットは、新しいターゲット
と同じ特性、同じ品質を有する。蒸着は純度９９．９９
５％で行うことが可能である。
と同じ特性、同じ品質を有する。蒸着は純度９９．９９
５％で行うことが可能である。
２、 Ｘ線撮影装置のＷ−Ｒｅ混合焼結体で作られた対
陰極の修復 劣化の特徴： 劣化はＷ、Ｗ−ＲｅまたはＭＯの活性膜の再結晶により
起こり、この活性膜の厚さは約１００〜３５０ μｍで
ある。この再結晶の特徴は材料の粒界が極めて大きくな
ることと、亀裂が生じることにあり、これにより対陰極
の効率が低下する。
陰極の修復 劣化の特徴： 劣化はＷ、Ｗ−ＲｅまたはＭＯの活性膜の再結晶により
起こり、この活性膜の厚さは約１００〜３５０ μｍで
ある。この再結晶の特徴は材料の粒界が極めて大きくな
ることと、亀裂が生じることにあり、これにより対陰極
の効率が低下する。
予備処理：
機械仕上げおよび研磨により損傷部分を除去すりく約４
００μｍの深さに溝を削る）、低真空圧且つ１０００〜
２５００℃の温度で脱ガスする。これによって初期の基
板からの揮発性の不純物を除去する。
００μｍの深さに溝を削る）、低真空圧且つ１０００〜
２５００℃の温度で脱ガスする。これによって初期の基
板からの揮発性の不純物を除去する。
蒸着条件
上記１の条件ど同一である。上記反応の材料はＷ−Ｒｅ
である。
である。
表面研磨：
表面研磨を行い、補助的操作として脱ガスを行う。この
脱ガスによって材料の純度をさらに高くし且つ機械仕上
げ中に取り込まれた揮発性不純物を除去する。
脱ガスによって材料の純度をさらに高くし且つ機械仕上
げ中に取り込まれた揮発性不純物を除去する。
発明の効果
上記の操作方法は、新品の部品のコストと比較すると極
めて経済的な方法である。すなわち、本発明方法を用い
ることにより、従来廃棄されていた高価な部品を再使用
することが可能になる。
めて経済的な方法である。すなわち、本発明方法を用い
ることにより、従来廃棄されていた高価な部品を再使用
することが可能になる。
Claims (4)
- （１）表面の一部が損傷した部品を修復する方法におい
て、前記表面を構成する材料を損傷部分に蒸着し、次い
で、元の状態を回復するように前記表面を機械仕上げす
ることを特徴とする方法。 - （２）上記の蒸着が化学的気相蒸着法であることを特徴
とする請求項１に記載の部品を修復する方法。 - （３）前記表面の損傷部分を局部的に加熱することを特
徴とする請求項１または２に記載の部品を修復する方法
。 - （４）前記表面の損傷部分に選択的に反応ガスを噴射し
て蒸着することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１
項に記載の部品を修復する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR8808665A FR2633449B1 (fr) | 1988-06-28 | 1988-06-28 | Procede de remise en forme de pieces localement deteriorees, notamment anticathodes |
| FR8808665 | 1988-06-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0266846A true JPH0266846A (ja) | 1990-03-06 |
Family
ID=9367801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1166485A Pending JPH0266846A (ja) | 1988-06-28 | 1989-06-28 | 一部が損傷した部品、特に対陰極を修復する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5013274A (ja) |
| EP (1) | EP0349414A1 (ja) |
| JP (1) | JPH0266846A (ja) |
| KR (1) | KR900001006A (ja) |
| CA (1) | CA1334155C (ja) |
| FR (1) | FR2633449B1 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0616047B1 (en) * | 1993-02-16 | 1997-07-23 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Polycrystalline diamond substrate and process for producing the same |
| US20020076573A1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-06-20 | Neal James Wesley | Vapor deposition repair of superalloy articles |
| FR3018081B1 (fr) | 2014-03-03 | 2020-04-17 | Acerde | Procede de reparation d'une anode pour l'emission de rayons x et anode reparee |
| KR102262330B1 (ko) * | 2019-04-16 | 2021-06-09 | 주식회사 티씨케이 | 반도체 제조용 부품의 재생 방법 및 재생된 반도체 제조용 부품 |
| CN112301317B (zh) * | 2020-10-30 | 2021-05-18 | 连云港恒顺工业科技有限公司 | 爪式真空泵转子表面处理工艺 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| AT278184B (de) * | 1967-08-28 | 1970-01-26 | Plansee Metallwerk | Drehanode für Röntgenröhren |
| GB2107628B (en) * | 1981-10-17 | 1985-08-21 | Rolls Royce | Improvements in or relating to filling fissures in metal articles |
| US4562332A (en) * | 1984-03-26 | 1985-12-31 | Rockwell International Corporation | Surface crack healing with high-energy beam |
| US4533449A (en) * | 1984-04-16 | 1985-08-06 | The Perkin-Elmer Corporation | Rapid surface figuring by selective deposition |
| US4543270A (en) * | 1984-06-20 | 1985-09-24 | Gould Inc. | Method for depositing a micron-size metallic film on a transparent substrate utilizing a visible laser |
| US4730093A (en) * | 1984-10-01 | 1988-03-08 | General Electric Company | Method and apparatus for repairing metal in an article |
| DD244929A1 (de) * | 1985-12-23 | 1987-04-22 | Ibr Fa Dr | Verfahren zum regenerieren verschlissener oberflaechen |
| JPS6364236A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Hitachi Ltd | 含浸形陰極の製造方法 |
| US4778693A (en) * | 1986-10-17 | 1988-10-18 | Quantronix Corporation | Photolithographic mask repair system |
-
1988
- 1988-06-28 FR FR8808665A patent/FR2633449B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-06-27 EP EP89401824A patent/EP0349414A1/fr not_active Ceased
- 1989-06-27 CA CA000604029A patent/CA1334155C/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-27 US US07/371,728 patent/US5013274A/en not_active Expired - Fee Related
- 1989-06-28 KR KR1019890008912A patent/KR900001006A/ko not_active Withdrawn
- 1989-06-28 JP JP1166485A patent/JPH0266846A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900001006A (ko) | 1990-01-31 |
| EP0349414A1 (fr) | 1990-01-03 |
| FR2633449B1 (fr) | 1990-10-26 |
| CA1334155C (en) | 1995-01-31 |
| FR2633449A1 (fr) | 1989-12-29 |
| US5013274A (en) | 1991-05-07 |
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