JPH0266936A

JPH0266936A - 半導体処理装置

Info

Publication number: JPH0266936A
Application number: JP21871688A
Authority: JP
Inventors: Yasuyuki Hashizume; 靖之橋詰; Yoshihiko Okamoto; 岡本　佳彦
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1988-08-31
Filing date: 1988-08-31
Publication date: 1990-03-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野］この発明は、半導体処理装置に関し、特に半導体ウェハ
に膜形成、熱処理、不純物拡散等の反応ガスを伴う処理
を行ない、かつ半導体ウェハを処理前後において出し入
れする半導体処理装置に関するものである。

〔従来の技術］第４Ａ図、第４Ｂ図、第４Ｃ図は従来の半導体処理装置
を示す概略構成図である。図において、処理されるべき
半導体ウェハが挿入されるプロセスチューブ１の周囲に
は、内部を加熱するためにヒータ２が設けられている。

このプロセスチューブ１の開口部付近には、プロセスチ
ューブ１内のガスを排気するためにスカベンジャ３が設
けられている。プロセスチューブ１の内部には反応ガス
がガス導入口４から導入される。この半導体処理装置で
所定の処理が行なわれるべき半導体ウェハ５はウェハ支
持治具６によって支持される。半導体ウェハ５が複数個
、搭載されたウェハ支持治具６は、カンチレバー７の上
に載せられてプロセスチューブ１の内外を移動させられ
る。エンドリット８はカンチレバー７に取付けられ、処
理中においてはプロセスチューブ１の開口部を寒く。

第５図は第４Ａ図〜第４Ｃ図に示された半導体処理装置
のスカベンジャ部分の構成を示す部分斜視図である。こ
の図によれば、プロセスチューブ１の開口部付近に設け
られた小さな管が、スカベンジャ３における排気筒１３
に挿入されている。

次に、このような半導体処理装置を用いて行なう処理手
順について説明する。

第４Ａ図を参照して、処理が行なわれるべき半導体ウェ
ハ５がウェハ支持治具６の上に並べられる。

次に、第４Ｂ図を参照して、ウェハ支Ｆ！ｊ治具６の上
に載せられた半導体ウェハ５は、カンチレバー７がプロ
セスチューブ１の方向に移動させられることにより、プ
ロセスチューブ１内に挿入される。このとき、プロセス
チューブ１の開口部はエンドリット８により塞がれる。

この状態で、ガス導入口４より、矢印で示される方向に
プロセスチューブ１内に所定の処理に必要なガスが所定
の流量で導入される。たとえば、半導体ウェハ５に注入
された不純物を熱拡散する処理が行なわれるときには、
０□、Ｎ２ガスがプロセスチューブ１内に注入される。

あるいは、半導体ウェハ５にＰ２Ｏ、膜を形成する処理
が行なわれるときには、ＰＨ３，０２，Ｎ２ガスがプロ
セスチューブ１内に導入される。ガス導入口４よりプロ
セスチューブｌ内に導入されたこれらの反応ガスは、半
導体ウェハ５において所定の反応が行なわれた後、スカ
ベンジャ３の排気筒１３によって矢印で示される方向に
排気される。

このようにして、所定の熱拡散または膜形成等の処理が
行なわれた後、第４Ｃ図に示すように、挿入とは逆の方
向にカンチレバー７によって、半導体ウェハ５が載せら
れたウェハ支持治具６はプロセスチューブ１から取出さ
れる。

これらの一連の動作中においては、プロセスチューブ１
の内部の温度はヒータ２によって所定の必要な温度、た
とえば、熱拡散においては９００〜１１００℃、Ｐ２Ｏ
，膜形成時においては９００〜１０００℃に設定されて
いる。また、半導体ウェハ５の挿入および引出し時にも
、必要に応じて、任意のガス、たとえば、Ｎ２ガスがガ
ス導入口４からプロセスチューブ１内へ導入される。

［発明が解決しようとする課題］従来の半導体処理装置は以上のように構成されているの
で、第４Ｃ図に示すように半導体ウェハ５を処理後にお
いてプロセスチューブ１から引出す際に、プロセスチュ
ーブ１内のガスが装置の外へ出ようとする。たとえば、
スカベンジャ３によって吸い切れないガスが矢印って示
される方向に装置の外へ出ようとする。そのため、プロ
セスチューブ１内の反応ガス等に含まれる有害成分や微
粒子、たとえば、Ｐ２Ｏ３膜形成時においてはＰＨ，ガ
スやＰの化合物等の有害成分によって、装置が設置され
た室内全体が汚染されるという問題点があった。また、
プロセスチューブ１内の高温のガスが装置外へ出るため
、その高温のガスによって室内の温度が上昇する等の問
題点があった。

そこで、この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、装置内のガスが装置外へ漏れること
のない半導体処理装置を提供することを目ｒ白とする。

［課題を解決するための手段］この発明に従った半導体処理装置は、支持手段と、処理
室と、加熱手段と、ガス導入手段と、第１のガス排気手
段と、移動手段と、遮断室と、第２のガス排気手段とを
備えている。支持手段は処理されるべき半導体ウェハを
支持するためのものである。処理室は支持手段を収納す
る。加熱手段は処理室の内部を加熱する。ガス導入手段
は処理室内にガスを導入するためのものである。第１の
ガス排気手段は処理室内のガスを排気するためのもので
ある。移動手段は支持手段を処理室の内外に移動するた
めのものである。遮断室は支持手段の移動経路において
支持手段を外気と遮断するためのものである。第２のガ
ス排気手段はこの遮断室内のガスを排気するためのもの
である。

［作用］この発明における遮断室は、半導体ウェハが支持された
支持手段の移動経路において、第１のガ入排気手段によ
って排気され得ないガスを装置外に妬れないようにする
。また、この第１のガス排気手段によって排気され得な
いガスは、第２のガス排気手段によって排気される。そ
のため、支持手段によって支持された半導体ウェハか処
理室内から取出されるとき、処理室内のガスが装置外に
漏れることなく回収される。

［実施例］以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
Ａ図〜第１Ｃ図はこの発明に従った半導体処理装置の一
実施例を示す概略構成図、第２図は第１図に示された半
導体処理装置における排気容器の一例を示す分解部分斜
視図である。

これらの図を参照して、処理されるべき半導体ウェハが
挿入されるプロセスチューブ１の周囲には、内部を加熱
するためにヒータ２か設けられている。プロセスチュー
ブ１内には、反応ガスが矢印で示される方向にガス導入
口４から導入される。

導入された反応ガスは、反応後においてプロセスチュー
ブ１の開口部付近に設けられたスカベンジャ３のυ１気
筒１３から排気される。処理されるべき半導体ウェハ５
は裏数個、ウェハ支持治具６の上に載せられる。ウェハ
支持治具６はカンチレバー７の上に位置し、プロセスチ
ューブ１の内外へ移動させられる。エンドリット８は処
理中においてプロセスチューブ１の開口部を塞ぐ。排気
容器１０は、装置に対して開閉可能な開閉部分１０ａと
、装置に固定された固定部分１０ｂとから構成される。

排気容器１０には、この排気容器内のガスを排気するた
めの排気口１１が設けられている。

次に、この発明の半導体処理装置を用いて行なわれる処
理手順について説明する。

まず、第１Ａ図を参照して、排気容器の開閉部分１０ａ
を取り除いた状態で、半導体ウェハ５がウェハ支持治具
６の上に並べられる。

次に、カンチレバー７がプロセスチューブ１の方向に向
かって移動させられることによって、ウェハ支持治具６
の上に載せられた半導体ウェハ５がプロセスチューブ１
内に挿入される。このとき、プロセスチューブ１の開口
部はエンドリット８によって塞がれている。また、排気
容器の開閉部分１０ａは固定部分１０ｂに対して蓋をす
るように取付けられる。この状態で、ガス導入口４から
所定の処理に必要なガスが任意の流量でプロセスチュー
ブ１内に導入される。プロセスチューブ１内を流れるガ
スは反応後においてスカベンジャ３の排気筒１３によっ
て排気される。このようにして、所定の処理が行なわれ
た後、半導体ウェハ５が載せられたウェハ支持治具６は
プロセスチューブ１から取出される。

第１Ｃ図に示すように、処理完了後、半導体ウェハ５が
載せられたウェハ支持治具６はカンチレバー７によって
プロセスチューブ１内から引き出されるが、このウェハ
支持治具６の移動経路は排気容器１０によって囲まれて
いる。そのため、プロセスチューブ１内のガスは、排気
筒１３によって矢印で示される方向に排気されるととも
に、ウェハ支持治具６の移動中においては排気容器１０
に設けられた排気口１１によっても排気される。

このように、処理完了後においてウェハ支持治具６がプ
ロセスチューブ１から引出される際、装置外へ出ようと
するガスは排気容器１０によって遮断され、排気口１１
によって排気される。そのため、プロセスチューブ１内
のガスに含まれる有害成分や微粒子等が装置外へ漏れ出
ることによって、装置が設置された室内の空気か汚染さ
れたり、あるいは室内の’ＩＨ度が上昇することはない
。

半導体ウェハ５が載せられたウェハ支持治具６が引出さ
れた後も、半導体ウェハ５やウェハ支持治具６が冷却さ
れるまでガスの排気は続けられる。

その後、排気容器の開閉部分１０ａが開放され、半導体
ウェハ５が取出される。

なお、上記実施例では排気容器１０が開閉部分１０ａと
固定部分］、　Ｏｂとによって構成される例を示したが
、第３Ａ図および第３Ｂ図に示すように排気容器１０全
体がカンチレバー７に沿って移動するように設けられて
もよい。

また、上記実施例の排気容器１０の一部分に、第３Ｃ図
に示すように、吸気口１２を設け、排気口１１と連動さ
せて不活性ガス等を排気容器１０の内部に０（給するよ
うにしてもよい。このとき、吸気口１２から矢印で示さ
れる方向に供給された不活性ガス等は、プロセスチュー
ブ１内のガスが排気容器１０の内部に循環することなく
、排気口１１の方に流れるように、排気容器１０内のガ
スの流れを制御する役割を果たす。

さらに、上記実施例では、熱拡散処理等を行なう半導体
処理装置に排気容器を設けた例を示したが、減圧または
常圧気相薄膜成長装置に排気容器を設けてもよく、上記
実施例と同様の効果を奏する。

［発明の効果］以上のように、この発明によれば処理されるべき半導体
ウェハが支持される支持手段の移動経路において支持手
段を外気と遮断する遮断室と、その遮断室内のガスを排
気する第２のガス排気手段とを設けるようにしたので、
処理室内から発生する塵芥や有害物質が、装置が設置さ
れた室内を汚染したり、室内の温度を上昇させたりする
のを防ぐという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１Ａ図、第１Ｂ図、第１Ｃ図はこの発明に従った半導
体処理装置の一実施例を示す概略構成図である。第２図はこの発明に従った半導体処理装置における排気
容器の一例を示す分解部分斜視図である。第３Ａ図、第３Ｂ図、第３Ｃ図はこの発明に従った半導
体処理装置の他の実施例を示す概略構成図である。第４Ａ図、第４Ｂ図、第４Ｃ図は従来の半導体処理装置
を示す概略構成図である。第５図は従来の半導体処理装置のスカベンジャ部分の構
成を示す部分斜視図である。図において、１はプロセスチューブ、２はヒータ、３は
スカベンジャ、４はガス導入口、５は半導体ウェハ、６
はウェハ支持治具、７はカンチレバー、８はエンドリッ
ト、１０は排気容器、１０ａは開閉部分、１０ｂは固定
部分、１１は排気口、１３は排気筒である。なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims

【特許請求の範囲】処理されるべき半導体ウェハを支持する支持手段と、前記支持手段を収納する処理室と、前記処理室の内部を加熱する加熱手段と、前記処理室内にガスを導入するガス導入手段と、前記処
理室内のガスを排気する第１のガス排気手段と、前記支持手段を前記処理室の内外に移動する移動手段と
、前記支持手段の移動経路において前記支持手段を外気と
遮断する遮断室と、前記遮断室内のガスを排気する第２のガス排気手段とを
備えた半導体処理装置。