JPH0269429A

JPH0269429A - 液晶中間体及び液晶化合物

Info

Publication number: JPH0269429A
Application number: JP63220412A
Authority: JP
Inventors: Toshiharu Uchida; 内田　俊治; Nobuo Murakami; 村上　信雄
Original assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Current assignee: Idemitsu Kosan Co Ltd
Priority date: 1988-09-05
Filing date: 1988-09-05
Publication date: 1990-03-08

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は、液晶中間体及び液晶化合物に関する。

より詳しくは、本発明のうち請求項１の発明は、オプト
エレクトロニクス等の液晶材料分野に好適に用いられる
液晶化合物の中間体、特に請求項２の液晶化合物の製造
に好適に使用することができる液晶中間体に関する。ま
た、本発明のうち請求項２の発明は、室温に近い温度領
域でカイラルスメクチックＣ相（ＳｍＣ”相）を発現し
、かつ自発分極が大きく、電界に対して高速応答性を示
すなど優れた液晶特性を有する強誘電性液晶であり、オ
プトエレクトロニクスの分野をはじめとする各種の液晶
材料分野に好適に使用することができる液晶化合物に関
する。

〔従来の技術〕

従来、次式で表される化合物は知られているが、この化合物中のベ
ンゼン環に、ヒドロキシ基、フェニル基又はベンゾイル
オキシ基等が置換されている化合物は知られていない。

また、上記の如き、メチルメチレン型不整炭素とクロロ
メチレン型不整炭素とが直接結合した構造を有する光学
活性クロロアルキル基を存する芳香族エステル類として
、特開昭６２−１４２１３１号公報の表１に記載されて
いる化合物が知られている。しかしながらそれらの芳香
族エステル類は、その光学活性クロロアルキル基側の末
端部分の構造が次式（但し、式（ｉｉ　）のＳは、０又は１である。）で°
表されるもので、（ｉ）式の化合物とはＣ１とＣＬの位
置が入れ換わっており、さらに、カルボニルオキシ基と
不整炭素との間に−ＣＨ２−基を有するなどの点におい
て、本発明の化合物とは異なった分類に属するものであ
る。

また、式（ｉｉ）の末端基を有する前記の従来の光学活
性芳香族エステル類は、液晶化合物であるが、２環化合
物では、ＳｍＣ’″相が発現しにくく、また３環化合物
では、ＳｍＣ’″相をとる温度領域が高く、実用的でな
いなどの問題点があった。

〔発明が解決しようとする課題〕

本発明の目的は、室温に近い温度領域にＳｍＣ’″相を
有し、自発分極が大きく電界に対して高速応答性を有す
る強誘電性液晶である新規な液晶化合物を提供すること
にある。

また、本発明の他のひとつの目的は、少なくとも、上記
の優れた特性を有する液晶化合物の中間体として好適に
利用することができる新規な光学活性化合物である液晶
中間体を提供することである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明者は、前記課題を解決するために鋭意研究を重ね
た結果、ベンゼン環にエステル結合又はエーテル結合に
より結合した特定の光学活性基を有し、該ベンゼン環の
ｐ−位にさらに特定の基が置換されており、またベンゼ
ン環にはハロゲン原子が置換されていてもよい特定の構
造の２環〜４環系の光学活性芳香族エステル類及びエー
テル類が、自発分極の大きい強誘電性液晶であり、電界
等の外部因子に対して高速応答性を示し、しかも室温に
近い温度領域においてＳｍＣ“相をとる等の優れた新規
な液晶化合物であることを見出した。

また、その液晶化合物の合成工程について鋭意研究を重
ねた結果、上記の液晶化合物の光学活性基を含む部分に
対応する光学活性芳香族ヒドロキシ体もしくはカルボン
酸体が、上記の液晶化合物の中間体として好適に利用す
ることができることなどを見出して、本発明を完成する
に至った。

すなわち、本願請求項１の発明は、下記の一般式ＣＨｉ　　ｃｔ〔但し、式（１）中（７）Ｘは−ＯＢ又は−ｃｏｏｎ”
ｉｌ’アリ、ｎは１又は２であり、ｐは０又は１であり
、ｑは０〜５の整数を表し、本は光学活性炭素原子を表
し、Ｂは、各々独立に、Ｚはハロゲン原子であり、互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。〕で表される液晶中間体よりなるものである。

また、本願請求項２の発明は、下記の一般式〔但し、式
（ｎ）中のＲは、炭素数１〜３０のアルキル基、アルコ
キシ基、アルケニル基、又はアルケニルオキシ基を表し
、−はｌ又は２であり、ｎは１又は２であり、ｒはＯ又
は１（但し、ｒ＝０の場合は、ｍ−ｎ＝１である。）で
あり、ｐは０又は１であり、ｑはＯ〜５の整数を表し、
Ｙは−Ｃ０〇−又は一０ＣＯ−を表し、Ａ及びＢは、各
々独立に、Ｚはハロゲン原子を表し、Ｚは互いに同一であっても異
なっていてもよく、ＡとＢは互いに同一であっても異な
っていてもよい、〕で表される液晶化合物よりなるものである。

前記式（Ｉ）及び式（Ｔｌ”）において、２はハロゲン
原子であり、このハロゲン原子としては、フッ素原子、
塩素原子、臭素原子及びヨウ素原子を挙げることができ
るが、中でもフッ素原子及び塩素原子が好ましく、特に
フッ素原子が好ましい。

前記式Ｈ）及び式（Ｉ［）において、ａはＯ〜４の整数
であるが、中でもＯ又は１が好ましい。

前記式（１）及び式（ＩＩ）において、Ａ及びＢの好ま
しい例としては、各々独立にたとえば、などを挙げるこ
とができ、これらの中でも特になどが好ましい。

前記式（ｎ）において、ｍ、ｒ及びｎの組合せとしては
、（ｍ、ｒ、ｎ）＝　（１，０，１）。

（１，１，１）、（２，１，１）、（１，１゜２）及び
（２，１，２）を挙げることができるが、中でも（１，
０，１）、（１，１，１）、（２゜１．１）及び（１，
１，２）が好ましい。

前記式（Ｕ）のＲの炭素数は、１〜３０であるが、中で
も、４〜１８程度が好ましく、特に６から１４程度が好
ましい。

このＲとして好ましい炭素数を有する基の具体例をいく
つか例示すると以下の通りである。

Ｒがアルキル基の場合、このアルキル基としては、たと
えば、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基
、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ド
デシル基、テトラデシル基、ヘキサデシル基、オクタデ
シル基などを挙げることができる。

Ｒが、アルコキシ基の場合、このアルコキシ基としては
、たとえば、ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシル
オキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、ノニ
ルオキシ基、デシルオキシ基、ウンデシルオキシ基、ド
デシルオキシ基、テトラデシルオキシ基、ヘキサデシル
オキシ基、オクタデシルオキシ基などを挙げることがで
きる。

Ｒが、アルケニル基の場合には、このアルケニル基とし
て、たとえば、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル
基、オクテニル基、ノネニルオキシ基、デセニル基、ド
デセニル基、テトラデセニル基、ヘキサデセニル基、オ
クタデセニル基などを挙げることができる。

Ｒが、アルケニルオキシ基の場合には、このアルケニル
オキシ基として、たとえば、ブテニルオキシ基、ペンテ
ニルオキシ基、ヘキセニルオキシ基、ヘプテニルオキシ
基、オクテニルオキシ基、ノネニルオキシ基、デセニル
オキシ基、ウンデセニルオキシ基、ドデセニルオキシ基
、テトラデセニルオキシ基、ヘキサデセニルオキシ基、
オクタデセニルオキシ基などを挙げることができる。

なお、前記各種のアルキル基、アルコキシ基中のアルキ
ル基、アルケニル基、アルケニルオキシ基中のアルケニ
ル基は、直鎖状のものであっても、分校状のものであっ
てもよいが、通常直鎖状のもの及び側鎖にメチル基等の
低級アルキル基を有する分岐度の低い分校状のものが好
適であり、特に直鎖状のものが好適である。

また、前記各種のアルケニル基及びアルケニルオキシ基
中のアルケニル基中の、炭素−炭素二重結合の位置とし
ては特に制限はないが、通常、末端にビニル基を有する
ものが好適であり、具体的には、たとえば、３−ブテニ
ル基、４−ペンテニル基、５−へキセニル基、７−オク
テニル基、９−デセニル基、１０−ウンデセニル基、１
１−ドデセニル基、１３−テトラデセニル基、１５−へ
キサデセニル基、１７−オクタデセニル基などを挙げる
ことができる。

前記式（１）及び式（ＩＩ）において、ｑはＯ〜５の整
数であるが、中でも０〜４の整数が好ましく、特にｑ−
ｏのものは、より低温領域でＳｍＣ０相をとる点などか
ら好ましい。

前記式（１）及び（ＩＩ）中の光学活性基ＣＨｚ　　Ｃ
Ｉ一＋４ｌ−ＣＩ（−（ＣＨｚ）　Ｑ−Ｃｌ：ｌ　　　（
ｍ　）（ｑ及び＊は、前記同様の意味を表す。）の具体
例としては、２−クロロ−１−メチルプロピル基、２−
クロロ−１−メチルブチル基、２−クロロ−１−メチル
ペンチル基、２〜クロロ−１−メチルヘキシル基、２−
クロロ−１−メチルヘプチル基及び２−クロロ−１−メ
チルオクチル基を挙げることができる。

なお、これらの光学活性基の構造としては、それらをア
ルコール体ＣＨ３ＣＩ（ｑ及び＊は前記同様の意味を表す、）として表示した
ときに、（＋）−エリスロ体、（−）−エリスロ体、（
＋）−スレオ体及び（−）−スレオ体を挙げることがで
きる。

前記式（１）で表される化合物の具体例を、Ｘが一〇Ｈ
テ、かつｐ＝１である化合物Ｃ１，）、Ｘが＝ＯＲであ
り、かつｐ＝ｏである化合物（Ｉｋ）、χが−ｃｏｏｎ
で、かつｐ−１である化合物（ＩＣ）及びＸが−ｃｏｏ
ｉで、かつｐ−０である化合物（Ｉ４）に分類して示す
と次の通りである。

すなわち、前記化合物（１，）の具体例としては、たと
えば、４−ヒドロキシ安息香酸　２−クロロ−１−メチルプロ
ピルエステル４−ヒドロキシ安息香酸　２−クロロ−１−メチルブチ
ルエステル４−ヒドロキシ安息香酸　２−クロロ−１−メチルペン
チルエステル４−ヒドロキシ安息香酸　２−クロロ−１−メチルヘキ
シルエステル４−ヒドロキシ安息香酸　２−クロロ−１−メチルヘプ
チルエステル４−ヒドロキシ安息香酸　２−クロロ−１−メチルオク
チルエステル２−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸　２−クロロ−
１−メチルプロピルエステル３−フルオロ−４−ヒドロキシ安息香酸　２−クロロ−
１−メチルプロピルエステル４−ヒドロキシ−２−クロロ安息香酸　２−クロロ−１
−メチルプロピルエステル４−ヒドロキシ−３−クロロ安息香酸　２−クロロ−１
−メチルプロピルエステル４−（４−ヒドロキシフェニル）安息香酸２−クロロ−
１−メチルプロピルエステルなどを挙げることができる
。

前記化合物Ｎｂ　）の具体例としては、たとえば、４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオキシ）フェノ
ール２−フルオロ−４−（２−クロロ−１−メチルプロピル
オキシ）フェノール３−フルオロ−４−（２〜クロロ−１−メチルプロピル
オキシ）フェノール２−クロロ−４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオ
キシ）フェノール３−クロロ−４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオ
キシ）フェノール４−　（４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオキシ
）フェニル）フェノールなどを挙げることができる。

前記化合物（ＩＣ）の具体例としては、たとえば、４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオキシカルボニ
ル）安息香酸２−フルオロ−４−（２−クロロ−１−メチルプロピル
オキシカルボニル）安息香酸３−フルオロ−４−（２−クロロ−１−メチルプロピル
オキシカルボニル）安息香酸２−クロロ−４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオ
キシカルボニル）安息香酸３−クロロ−４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオ
キシカルボニル）安息香酸４−　（４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオキシ
カルボニル）フェニル）安息香酸などを挙げることがで
きる。

前記化合物（Ｉ４）の具体例としては、たとえば、４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオキシ）安息香
酸２−フルオロ−４−（２−クロロ−１−メチルプロピル
オキシ）安息香酸３−フルオロ−４−（２−クロロ−１−メチルプロピル
オキシ）安息香酸２−クロロ−４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオ
キシ）安息香酸３−クロロ−４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオ
キシ）安息香酸４−　（４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオキシ
）フェニル）安息香酸などを挙げることができる。

前記式（ＩＩ）で表される化合物の具体例を、ｒが１で
かつＹが−ＣＯＯ−である化合物（■、）、ｒが１でか
つＹが一０ＣＯ−である化合物（Ｉｌｂ）、及びｒがＯ
であり、ｍ＝ｎ＝１である化合物（■。

）に分類して示すと次の通りである。

すなわち、前記化合物（■、）の具体例としては、たと
えば、４−（４−へキシルオキシベンゾイルオキシ）安息香Ｍ
　　２−クロロ−１−メチルプロピルエステル４−（４−デシルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸　
２−クロロ−１−メチルプロとルエステル４−（４−デシルオキシベンゾイルオキシ）−２−フル
オロ安息香酸　２−クロロ−１−メチルプロピルエステ
ル４−（４−デシルオキシ−３−フルオロベンゾイルオキ
シ）安息香酸　２−クロロ−１−メチルプロピルエステ
ル４−（４−デシルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸　
２−クロロ−１−メチルへブチルエステル４−（４−テトラデシルオキシベンゾイルオキシ）安息
香酸　２−クロロ−１−メチルプロピルエステル４−（４−デシルベンゾイルオキシ）安息香酸２−クロ
ロ−１−メチルプロピルエステル４−　［４−（９−デ
セニルオキシ）ベンゾイルオキシ）安息香酸　２−クロ
ロ−１−メチルプロピルエステル４−　（４−（９−デセニル）ベンゾイルオキシ）安息
香酸　２−クロロ−１−メチルプロピルエステル４−　（４−（４−デシルオキシベンゾイルオキシ）フ
ェニル）安息香酸　２−クロロ−１−メチルプロピルエ
ステル４−　（４−（４−デシルオキシフェニル）ベンゾイル
オキシ）安息香酸　２−クロロ−１−メチルプロピルエ
ステル４−　（４−（４−デシルオキシフェニル）ベンゾイル
オキシ）−２−フルオロ安息香酸　２−クロロ−１−メ
チルプロピルエステル４−デシルオキシ安息香酸　４’　−（２−クロロ−１
−メチルプロピルオキシ）フェニルエステル４−（４−デシルオキシフェニル）安息香酸４’　−（
２−クロロ−３−メチルプロピルオキシ）フェニルエス
テル４−（４−オクチルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸
　２−クロロ−１−メチルペンチルエステル４−　［４−（４−（９−デセニルオキシ）フェニル）
ベンゾイルオキシ］安息香Ｈ２−りｏ。

−１−メチルペンチルエステル４−　（４−（４−オクチルオキシベンゾイルオキシ）
フェニル）安息香酸　２−クロロ−１−メチルペンチル
エステル２−フルオロ−４−（４−オクチルオキシベンゾイルオ
キシ）安息香酸　２−クロロ−１−メチルプロピルエス
テル４−　（４−（４−デシルオキシフェニル）ベンゾイル
オキシ）安息香酸　２−クロロ−１−メチルへブチルエ
ステルなどを挙げることができる。

前記化合物（■、）の具体例としては、たとえば４−（４−デシルオキシフェノキシカルボニル）安息香
酸　２−クロロ−１−メチルプロピルエステル４−（４−デシルオキシフェノキシカルボニル）−２−
フルオロ安息香酸２−’７ｏｏ−１−メチルプロピルエ
ステル４−（４−デシルオキシ−３−フルオロフェノキシカル
ボニル）安息香酸　２−クロロ−１−メチルプロピルエ
ステル４−　（４−（４−デシルオキシフェノキシカルボニル
）フェニル）安息香酸　２−クロロ−１−メチルプロピ
ルエステル４−　（４−（４−デシルオキシフェニル）フェノキシ
カルボニル）安息香酸　２−クロロ−１−メチルプロピ
ルエステル４−　（４−（４−デシルオキシフェニル）フェノキシ
カルボニル）−２−フルオロ安息香酸　２−クロローｌ
−メチルプロピルエステル４−（２−クロロ−１−メチ
ルプロピルオキシ）　安息香酸４　’−デシルオキシフ
ェニルエステル３−フルオロ−４−（２−クロロ−１−メチルプロピル
オキシ）安息香酸　４′−デシルオキシフェニルエステ
ル４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオキシ’）安息
香ｒｌｌｔ　　４’　−（４−デシルオキシフェニル）
フェニルエステル４−　（４−（２−クロロ−１−メチルプロピルオキシ
）フェニル）安息香酸　４′−デシルオキシフェニルエ
ステルなどを挙げることができる。

前記化合物（ｎｃ）の具体例としては、たとえば、４−（４−デシルオキシフェニル）安息香［２−クロロ
−１−メチルプロピルエステル４−デシルオキシ−４’
　−（２−クロロ−１−メチルプロピルオキシ）ビフェ
ニルなどを挙げることができる。

次に式（１）で表される化合物の好適な合成方法の例を
、上記の分類に従って、化学式によって略示する。

なお、下記の合成工程の例において（■′）は、次式％式％）（ｑ及び＊は前記同様の意味を表す。）で表される光学
活性アルコールを意味する。この光学活性アルコール（
■′）としては、（＋）−エリスロ体、（−）−エリス
ロ体、（＋）−スレオ体又は（−）−スレオ体を使用す
ることができる。

使用するこれらの光学活性アルコールの光学純度は、純
粋なものが好ましいが、目的に応じて適宜選定すること
もできる。

また、下記の化合物中の記号は、前記同様の意味を表す
。

（Ｉｂ　”）ヒへ　　■、　の入　法の（Ｉｃ１）（１−ｚ）（ＩＣ）（１゜Ｉ６　のＡ　法のＮＣ−（Ｂ）−−ＯＲ＋　（Ｉｂ＋）（ＩＩ［’ ５ＯＣＨ−ＣＨ−（ＣＨｔ）　、−ＣＨ５（■１ｌｕｌ＋Ｃｆｌｚ　　Ｃ１加水分解　　　　　　１１（Ｉ□）　　　　　ＨＯＣＯ−（Ｂ）　ｒ−０−ＣＨ−
Ｃ１（−（ＣＨｔ）　ａ−ＣＨｚ（１，）次に、式（ＩＩ）で表される液晶化合物の好適な合成方
法の例を、上記の分類に従って、化学式によって略示す
る。

なお、下記の合成工程で用いられる記号は、前記同様の
意味を表す。

Ｒ−（Ａ）、−ＣＯＯＨ＋　　（１，’）又は（Ｉ、）
Ｒ−（Ａ）　、−ＯＨ十ＩＣ）又は（ａＣＨ，ＣＩＲ−Ａ−Ｂ−ＣＯＯＩＩ　　　＋　　　（ＩＩＩ　’　
）ＣＨａ　　Ｃｌエステル化　　　１１一−→Ｒ−Ａ−Ｂ−ＣＯＯ−ＣＨ−ＣＨ−（Ｃ１ｈ）−
ＣＨｓ（ＩＩｃ　）Ｐ−＾−Ｂ−ＯＨ＋　　　（Ｉｂ＋）Ｃ１，ＣＩエーテル化　　　　ＩＩ −一→Ｒ−Ａ−ＢＪ−Ｃ１ｌ−ＣＩ−（ＣＨｚ）−ＣＨ
ｓ以上のようにして、式（Ｉ）で表される化合物すなわ
ち本発明の液晶中間体及び式（■）で表される化合物す
なわち本発明の液晶化合物を合成することができる０合
成された各化合物は通常の分離、精製法を用いて所望の
純度の製品もしくは中間製品として回収することができ
る。

なお、必要に応じて、上記液晶中間体を単離することな
く、上記液晶化合物の合成に使用する方法を採用するこ
ともできる。

このようにして得られた本発明の液晶化合物は、自発分
極が大きく、電界に対する高速応答性を示し、しかも、
室温に近い温度領域においてＳｍＣ１相をとるなどの優
れた特性を示す強誘電性液晶であり、オプトエレクトロ
ニクスの分野をはじめとする広範囲の液晶材料利用分野
に好適に利用することができる。

また、本発明の液晶中間体は、前記例示のように本発明
の液晶化合物の合成用原料（中間原料）として特に好適
に利用することができる。また、この液晶中間体は他の
液晶化合物の合成用原料（中間原料）としても好適に利
用することができることが期待できる。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが
、本発明は、これらの実施例によって制限されるもので
はない。

なお、得られた各化合物の構造の同定は、ＮＭＲ，ＩＲ
１元素分析等により行った。

第１表には、実施例６〜１１で得られた液晶化合物の相
転移挙動、自発分極値及び電界応答時間を示し、第２表
には、実施例１〜５で得られた液晶中間体及び実施例６
〜１１で得られた液晶化合物の元素分析値を示した。

また、第１図及び第２図には、それぞれ実施例１で得ら
れた化合物のＮＭＲチャート及びＩＲチャートを示し、
第３図〜第７図には、それぞれ、実施例２．３．６．７
、及び８で得られた液晶中間体又は液晶化合物のＮＭＲ
チャートを示す。

相転移温度の測定及び相の確認は、それぞれＤＳＣ及び
偏光顕微鏡により行った。（Ｃｒｙ：結晶状態、ＳｍＣ
“　：カイラルスメクチックＣ相、ＳｍＡ：スメクチッ
クＡ相、Ｉｓｏ：等吉相、相転移挙動の数字は相変化温
度を°Ｃで表したものである。）日　　　の　　びその　６（実施例１） ■４−アセトキシ安息香酸　２−クロロ−１−メチルプ
ロピルエステルの合成４−アセトキシ安息香酸３０ミリモル（５，４ｇ）及び
塩化チオニル９０ミリモル（１０，８ｇ）のトルエン１
００ＩＲ１溶液を８０°Ｃで２時間攪拌した後、反応液
を減圧濃縮して酸クロライド体を得た。　　（−）　−
（ｅｒｙｔｈｒｏ）　　３−クロロ−２−ブタノール１
０ミリモル（１，１ｇ）及びトリエチルアミン５ｄのＴ
ＨＦ３０ａｌ！溶液に上記酸クロライド体のＴＨＦ　１
０ｄ溶液を滴下した後、１０時間攪拌した。反応液を濃
縮した後、水を加えてエーテル抽出した。抽出液の濃縮
物をカラムクロマトグラフィーにより精製し、エステル
体２．３ｇ（収率８５％）を得た。

■４−ヒドロキシ安息香酸　２−クロロ−１−メチルプ
ロピルエステルの合成 ■で得たエステル体８ミリモル（２，２ｇ）のエーテル
２００ｄ溶液にベンジルアミン２０−を加えて５時間攪
拌した。反応液を水洗した後、カラムクロマトグラフィ
ーにより精製し、目的とするヒドロキシル体１．７ｇ（
収率９３％）を得た。

（液状：減圧蒸留できない為、沸点は不明）（実施例２
） ■４−（４−アセトキシフェニル）安息香酸　２−クロ
ロ−１−メチルプロピルエステルの合成４−（４−ヒド
ロキシフェニル）安息香酸をアセチル化して得た４−（
４−アセトキシフェニル）安息香酸２０ミリモル（５，
１ｇ）及び塩化チオニル９０ミリモル（１０，８ｇ）の
トルエン１００ｒＩｄｌ溶液を８０“Ｃで２時間攪拌し
た後、反応液を減圧濃縮して酸クロライド体を得た。（
−）−（ｅｒｙｔｈｒｏ）　　３−クロロ−２−ブタノ
ール１０ミリモル（１，１ｇ）及びトリエチルアミン５
Ｉｎ１のＴＨＦ３０ｄ溶液に上記酸クロライド体のＴ）
（ＦｌＯｒｎ１溶液を滴下した後、１０時間攪拌した。

反応液を濃縮した後、水を加えてエーテル抽出した。

抽出液の濃縮物をカラムクロマトグラフィーにより精製
し、エステル体２．６ｇ（収率７５％）を得た。

■４−（４−ヒドロキシフェニル）安息香酸２クロロ−
１−メチルプロピルエステルの合成ので得たエステル体
７ミリモル（２，４ｇ）のエーテル２００ｄ溶液にベン
ジルアミン２０ｄを加えて５時間攪拌した。反応液を水
洗した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、目
的とするヒドロキシル体１．８ｇ（収率８４％）を得た
。

（融点＝１３１〜１３３°Ｃ）（実施例３） ■４−アセトキシー２−フルオロ安息香酸　２−クロロ
−１−メチルプロピルエステルの合成２−フルオロ−４
−ヒドロキシ安息香酸をアセチル化して得た４−アセト
キシ−２−フルオロ安息香酸２０ミリモル（４，０ｇ）
及び塩化チオニル６０ミリモル（７，２ｇ）のトルエン
１００ｄ溶液を８０゛Ｃで２時間攪拌した後、反応液を
減圧濃縮して酸クロライド体を得た。（−）　−（ｅｒ
ｙｔｈｒｏ）−３−クロロ−２−ブタノール１０ミリモ
ル（１゜Ｉｇ）及びトリエチルアミン５ｄのＴ）（Ｆ３
０ｄ溶液に上記酸クロライド体のＴＨＦ１０ｍｆｆｉ溶
液を滴下ｆｆ後、１０時間攪拌した。反応液を濃縮した
後、水を加えてエーテル抽出した。抽出液の濃縮物をカ
ラムクロマトグラフィーにより精製し、エステル体２．
２ｇ（収率７６％）を得た。

■２−フルオロー４−ヒドロキシ安息香酸　２−クロロ
−１−メチルプロピルエステルの合成■で得たエステル
体７ミリモル（２，０ｇ）のエーテル２００ｄ溶液にベ
ンジルアミン２０−を加えて５時間攪拌した。反応液を
水洗した後、カラムクロマトグラフィーにより精製し、
目的とするヒドロキシル体１．５ｇ（収率８７％）を得
た。

（融点：５６−５８°Ｃ）（実施例４） ■４−アセトキシ安息香酸　２−クロロ−１−メチルへ
ブチルエステルの合成４−アセトキシ安息香酸３０ミリモル（５，４ｇ）及び
塩化チオニル９０ミリモル（１０，８ｇ）のトルエン１
００ｄ溶液を８０℃で２時間攪拌した後、反応液を減圧
濃縮して酸クロライド体を得た。　　（−）　−（ｅｒ
ｙｔｈｒｏ）　　３−クロロ−２−オクタツール１０ミ
リモル（１，６ｇ）及びトリエチルアミン５！ｄのＴＨ
Ｆ３０ｄ熔液に上記酸クロライド体のＴＨＦＩＯ−溶液
を滴下した後、１０時間攪拌した。反応液を濃縮した後
、水を加えてエーテル抽出した。抽出液の濃縮物をカラ
ムクロマトグラフィーにより精製し、エステル体２．５
ｇ（収率７６％）を得た。

■４−ヒドロキシ安息香酸　２−クロロ−１−メチルへ
ブチルエステルの合成 ■で得たエステル体７ミリモル（２，３ｇ）のエーテル
２００ｄ溶液にベンジルアミン２０ｍを加えて５時間撹
拌した８反応液を水洗した後、カラムクロマトグラフィ
ーにより精製し、目的とするヒドロキシル体１．８ｇ（
収率９０％）を得た。

（液状：減圧蒸留できない為、沸点は不明）（実施例５
） ■４−（２−クロロ−１−メチ・ルプロピルオキシ）フ
ェノールの合成（）　　　（ｅｒｙｔｈｒｏ）−３−クロロ−２−ブタ
ノールをトシル化して得たｐ〜トシルンスルホン酸２−
クロロ−１−メチルプロピルエステル１０ミリモル（２
，６ｇ）及びハイドロキノン３０ミリモル（３，３ｇ）
のｎ−ブタノール濃縮液に水酸化ナトリウム３０ミリモ
ル（１，３ｇ）の水２　ｔｔｒｆｌ　＋　ｎ−ブタノー
ル６ｄ溶液を滴下した後、１２０°Ｃで５時間撹拌した
。反応液に水を加えてエーテル抽出した後、抽出液を乾
燥、濃縮し、濃縮物をカラムクロマトグラフィーにより
精製し、目的とするヒドロキシル体１．０ｇ（収率５０
％）を得た。

（融点＝４２〜４４°Ｃ）目　人　の　　びその ■４−（４−オクチルオキシベンゾイルオキシ）安息香
Ｍ　　２−クロロ−１−メチルプロピルエステルの合成４−オクチルオキシ安息香酸２．１ミリモル（０゜５３
ｇ）及び塩化チオニル６．３ミリモル（０，７６ｇ）の
トルエン１０ｄ溶液を８０°Ｃで２時間攪拌した後、減
圧濃縮して酸クロライド体を得た。実施例１で得たヒド
ロキシル体０．７７ミリモル（１６０■）及びトリエチ
ルアミン１−のＴＨＦＩＯ−溶液に上記酸クロライド体
のＴＨＦ５１１１１溶液を滴下した後、１０時間攪拌し
た。反応液を濃縮した後、水を加えてエーテル抽出した
。抽出液を濃縮した後、カラムクロマトグラフィーによ
り精製し、目的とするエステル体２２０■（収率６８％
）を得た。

（実施例７） ■４−　（４−（９−デセニルオキシ）フェニル）ベン
ゾニトリルの合成ＩＯ−ヨード−１−デセン２０ミリモル（５，４ｇ）、
４−（４−ヒドロキシフェニル）ベンゾニトリル２０ミ
リモル（３，９ｇ）及び無水炭酸カリウム８０ミリモル
（１１ｇ）のＭＥＫ　１００ａｄ！懸濁液を２０時間還
流撹拌した。反応液を濾過、濃縮した後、カラムクロマ
トグラフィーにより精製し、エーテル体４．０ｇ（収率
６０％）を得た。

■４−　（４−（４−（９−デセニルオキシ）フェニル
）ベンゾイルオキシ〕安息香酸　２−クロロ−１−メチ
ルプロピルエステルの合成 ■で得たカルボン酸体５ミリモル（１，７６ｇ）及び実
施例１で得たヒドロキシル体４ミリモル（０，９１ｇ）
を用いて実施例６■と同様に合成した。（収率６５％）（実施例８） ■４−　（４−（９−デセニルオキシ）フェニル）安息
香酸の合成 ■で得たニトリル体１０ミリモル（３，３ｇ）、水酸化
カリウム４０ミリモル（１，３ｇ）、エタノール１０Ｉ
Ｉｉ及び水２戚の混合物を５時間還流攪拌した後、希塩
酸を加えて酸性溶液にした。水を加えて塩化メチレン抽
出した後、乾燥、濃縮し、カルボン酸体３．２ｇ（収率
９１％）を得た。

■４−　（４−（４−オクチルオキシベンゾイル）オキ
シフェニル）安息香酸　２−クロロ−１−メチルプロピ
ルエステルの合成４−オクチルオキシ安息香酸ｌＯミリモル（２゜５ｇ）
及び実施例２で得たヒドロキシル体７ミリモル（２，１
ｇ）を用いて実施例６の■と同様に合成した。（収率９
０％）（実施例９）０ミリモル（３，５ｇ）及び実施例４で得たヒドロキシ
ル体５ミリモル（１，４ｇ）を用いて実施例６の■と同
様に合成した。（収率４８％）■２−フルオロー４−（
４−オクチルオキシベンゾイルオキシ）安息香酸　２−
クロロ−１−メチルプロピルエステルの合成４−オクチルオキシ安息香酸１０ミリモル（２゜５ｇ）
及び実施例３で得たヒドロキシル体５ミリモル（１，２
ｇ）を用いて実施例６の■と同様に合成した。（収率７
７％）（実施例１０）（実施例１１） ■４−（４−デシルオキシフェニル）安息香酸４′〜（
２−クロロ−３−メチルプロピルオキシフェニルエステ
ルの合成）４−（４−デシルオキシフェニル）安息香酸８ミリモル
（２，８ｇ）及び実施例５で得たヒドロキシル体４ミリ
モル（０，８ｇ）を用いて実施例６の■と同様に合成し
た。（収率５４％） ■４−　（４−（４−デシルオキシフェニル）ベンゾイ
ルオキシ）安息香酸　２−クロロ−１−メチルヘプチル
エステルの合成４−（４−デシルオキシフェニル）安息香酸１力ツｂＨ
石直Ｏ駄預ン０表２〔発明の効果〕本発明によると、自発分極が大きく、電界に対して高速
応答性を有し、かつ室温に近い温度領域にＳｍＣ’″相
を有するなど優れた液晶特性を示すところの新規な液晶
化合物及びその製造に有利に使用することができる液晶
中間体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第３図および第４図は、それぞれ実施例１．２
及び３で得られた本発明の液晶中間体のＮＭＲチャート
を示す。第２図は、実施例１で得られた本発明の液晶中間体のＩ
Ｒチャートを示す。また、第５〜第７図は、それぞれ実施例６〜８で得られ
た本発明の液晶化合物のＮＭＲチャートを示す。

Claims

【特許請求の範囲】１、下記の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ）〔但し、式（ I ）中のＸは−ＯＨ又は−ＣＯＯＨであ
り、ｎは１又は２であり、ｐは０又は１であり、ｑは０
〜５の整数を表し、＊は光学活性炭素原子を表し、Ｂは、各々独立に、▲数式、化学式、表等があります▼
であり、ここで、ａは０〜４の整数であり、Ｚはハロゲ
ン原子であり、互いに同一であっても異なっていてもよ
い。〕で表される液晶中間体。２、下記の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼（II）〔但し、式（II）中のＲは、炭素数１〜３０のアルキル
基、アルコキシ基、アルケニル基、又はアルケニルオキ
シ基を表し、ｍは１又は２であり、ｎは１又は２であり
、ｒは０又は１（但し、ｒ＝０の場合は、ｍ＝ｎ＝１で
ある。）であり、ｐは０又は１であり、ｑは０〜５の整
数を表し、Ｙは−ＣＯＯ−又は−ＯＣＯ−を表し、Ａ及
びＢは、各々独立に、 ▲数式、化学式、表等があります▼を表し、ここでａは
０〜４の整数であり、Ｚはハロゲン原子を表し、Ｚは互
いに同一であっても異なっていてもよく、ＡとＢは互い
に同一であっても異なっていてもよい。〕で表される液
晶化合物。