JPH0269967A - 高速・高周波集積回路用パッケージ - Google Patents
高速・高周波集積回路用パッケージInfo
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- JPH0269967A JPH0269967A JP63221632A JP22163288A JPH0269967A JP H0269967 A JPH0269967 A JP H0269967A JP 63221632 A JP63221632 A JP 63221632A JP 22163288 A JP22163288 A JP 22163288A JP H0269967 A JPH0269967 A JP H0269967A
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- Japan
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- integrated circuit
- frequency
- speed
- terminal
- frequency integrated
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/753—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between laterally-adjacent chips
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- Microwave Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明はモノリシック高速・高周波集積回路およびバイ
パスコンデンサ等の複数の素子を搭載し、高機能な高速
・高周波集積回路を実現するため忙用いる高速・高周波
集積回路用）やッケーノに関するものである。
パスコンデンサ等の複数の素子を搭載し、高機能な高速
・高周波集積回路を実現するため忙用いる高速・高周波
集積回路用）やッケーノに関するものである。
［従来の技術］
従来この棟の高速・爾周波集積回路用Ｉ４ ｙケージは
第５図に示すよう罠金属製基体１および絶縁性材料よシ
なる枠体２とによシ構成されていた。
第５図に示すよう罠金属製基体１および絶縁性材料よシ
なる枠体２とによシ構成されていた。
このような高速・高周波集積回路用・母、ケージにおい
ては、第６図、第７図に示すようにモノリシ、り高速・
高周波集積回路３およびバイパスコンデンサ４等の搭載
部品は枠体内側のキャビティ５内の該金Ｓ製基体表面に
取シつけられ、また、これら搭載部品の表面に形成され
た電極および該金属製基体１あるいは該枠体２に形成さ
れた高周波入出力端子６、低周波入出力端子７、バイア
ス電圧供給用端子８および接地用端子９間をＡｕワイヤ
１０により相互に接続する実装形態を採用している。ま
た、この種の高速・高８波集積回路用ノ母ッケージにお
いては、搭載部品の信頼性向上を目的として、高速・高
周波集積回路用パッケージの接合部分、すなわち該金属
製基体１と該枠体２間、および該高周波入出力端子６、
該低周波入出力端子７、該バイアス電圧供給用端子８、
該接地用端子９を形成した個所等は気密性を持たせて接
合されている。
ては、第６図、第７図に示すようにモノリシ、り高速・
高周波集積回路３およびバイパスコンデンサ４等の搭載
部品は枠体内側のキャビティ５内の該金Ｓ製基体表面に
取シつけられ、また、これら搭載部品の表面に形成され
た電極および該金属製基体１あるいは該枠体２に形成さ
れた高周波入出力端子６、低周波入出力端子７、バイア
ス電圧供給用端子８および接地用端子９間をＡｕワイヤ
１０により相互に接続する実装形態を採用している。ま
た、この種の高速・高８波集積回路用ノ母ッケージにお
いては、搭載部品の信頼性向上を目的として、高速・高
周波集積回路用パッケージの接合部分、すなわち該金属
製基体１と該枠体２間、および該高周波入出力端子６、
該低周波入出力端子７、該バイアス電圧供給用端子８、
該接地用端子９を形成した個所等は気密性を持たせて接
合されている。
さらに、高周波特性を確保するため、金属製基体１内外
あるいは枠体２内外で相互に接続される缶高周波入出力
端子６間、各低周波入出力端子７間、各バイアス電圧供
給用端子８間ならびに各接地用端子９間を従来より行わ
れている方法でインピーダンス的に整合を取シ、また該
高周波入出力端子６、該低周波入出力端子？、該バイア
ス電圧供給用端子８ならびに該接地用端子９は前記モノ
リシック高速・高周波集積回路３の入出力インピーダン
スと従来よシ行われている方法で整合を取った端子構造
とし、第８図および第９図に示すように、少なくとも枠
体２の内部のキャピテイ表面は該高周波入出力端子６、
該低周波入出力端子７、該バイアス電圧供給用端子８な
らびに該接地用端子９０個所を除いて金属層１ノによっ
てメタライズされている。
あるいは枠体２内外で相互に接続される缶高周波入出力
端子６間、各低周波入出力端子７間、各バイアス電圧供
給用端子８間ならびに各接地用端子９間を従来より行わ
れている方法でインピーダンス的に整合を取シ、また該
高周波入出力端子６、該低周波入出力端子？、該バイア
ス電圧供給用端子８ならびに該接地用端子９は前記モノ
リシック高速・高周波集積回路３の入出力インピーダン
スと従来よシ行われている方法で整合を取った端子構造
とし、第８図および第９図に示すように、少なくとも枠
体２の内部のキャピテイ表面は該高周波入出力端子６、
該低周波入出力端子７、該バイアス電圧供給用端子８な
らびに該接地用端子９０個所を除いて金属層１ノによっ
てメタライズされている。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、この種の高速・高周波集積回路用パッケージに
収容する高速・高周波集積回路およびパイパスコ７７′
ンサ等の寸法が大きくなるか、あるいは数が多くなると
、高速・高周波集積回路用パッケージのキャピテイ寸法
が大きくなシ、高速・高周波集積回路用パッケージ内で
の共振周波数を高速・高周波集積回路の動作周波数に対
して十分高周波側に持っていくことが困難であるという
欠点があった。この対策として、複数の高速・高周波集
積回路用パッケージを並直列に接続してマルチチップ高
速・高周波集積回路を実現していたが、寸法が大きくな
るという問題があった。
収容する高速・高周波集積回路およびパイパスコ７７′
ンサ等の寸法が大きくなるか、あるいは数が多くなると
、高速・高周波集積回路用パッケージのキャピテイ寸法
が大きくなシ、高速・高周波集積回路用パッケージ内で
の共振周波数を高速・高周波集積回路の動作周波数に対
して十分高周波側に持っていくことが困難であるという
欠点があった。この対策として、複数の高速・高周波集
積回路用パッケージを並直列に接続してマルチチップ高
速・高周波集積回路を実現していたが、寸法が大きくな
るという問題があった。
本発明は上記の事情に鑑みてなされたもので、モノリシ
ック高速・高周波集積回路およびバイパスコンデンサ等
の複数の素子を構成してなる高速・高周波集積回路にお
いて、特定の機能構成毎に分割して収容可能な複数の開
口部を有する枠体を基体上に接合し、複数のキャビティ
を形成し、かつ谷キャビティ内部での共振周波数をモノ
リシック高速・高周波集積回路の動作周波数に対して十
分高周波側に持っていくようにキャビティの寸法を設計
することによって、高速・高周波集積回路の高周波特性
の改善を図った高速・高周波集積回路用パッケージを提
供することを目的とする。
ック高速・高周波集積回路およびバイパスコンデンサ等
の複数の素子を構成してなる高速・高周波集積回路にお
いて、特定の機能構成毎に分割して収容可能な複数の開
口部を有する枠体を基体上に接合し、複数のキャビティ
を形成し、かつ谷キャビティ内部での共振周波数をモノ
リシック高速・高周波集積回路の動作周波数に対して十
分高周波側に持っていくようにキャビティの寸法を設計
することによって、高速・高周波集積回路の高周波特性
の改善を図った高速・高周波集積回路用パッケージを提
供することを目的とする。
［課題を解決するだめの手段と作用コ
本発明は、モノリシック高速・高周波集積回路およびパ
イ・ぐスコンデンサ等の複数の素子よシなる高速・高周
波集積回路において、特定の機能構成毎に分割し収容可
能な複数の一口部を有する枠体を基体上に形成し、高速
・高周波集積回路用パッケージの各キャビティでの共振
周波数をモノリシック高速・高周波集積回路の動作周波
数に対して十分高周波側に持っていくように各キャビテ
ィ寸法を設計することによって、高速・高周波集積回路
の高周波特性の改善を図ったことを特徴とする高速・高
周波集積回路用パッケージである。すなわち、収容する
モノリシック高速・高周波集積回路およびパイノ９スコ
ンデンサ等の素子の寸法が大きい、あるいは数が多い場
合に、単一の開口部を有する枠体によ多構成された従来
の高速・高周波集積回路用パッケージにおいて、高速・
高周波集積回路用）４ ｙケージ内容に形成されたキャ
ビティでの共振周波数をモノリシック高速・高周波集積
回路の動作周波数に対して十分筒周波に持っていくこと
ができなかった点を、複数の開口部を有する枠体によっ
てｚ＋ ｙケージを複数のキャビティに分割し解決した
ことにある。
イ・ぐスコンデンサ等の複数の素子よシなる高速・高周
波集積回路において、特定の機能構成毎に分割し収容可
能な複数の一口部を有する枠体を基体上に形成し、高速
・高周波集積回路用パッケージの各キャビティでの共振
周波数をモノリシック高速・高周波集積回路の動作周波
数に対して十分高周波側に持っていくように各キャビテ
ィ寸法を設計することによって、高速・高周波集積回路
の高周波特性の改善を図ったことを特徴とする高速・高
周波集積回路用パッケージである。すなわち、収容する
モノリシック高速・高周波集積回路およびパイノ９スコ
ンデンサ等の素子の寸法が大きい、あるいは数が多い場
合に、単一の開口部を有する枠体によ多構成された従来
の高速・高周波集積回路用パッケージにおいて、高速・
高周波集積回路用）４ ｙケージ内容に形成されたキャ
ビティでの共振周波数をモノリシック高速・高周波集積
回路の動作周波数に対して十分筒周波に持っていくこと
ができなかった点を、複数の開口部を有する枠体によっ
てｚ＋ ｙケージを複数のキャビティに分割し解決した
ことにある。
［実施例］
（第１の実施例）
第１図は本発明の第１の実施例を示す図であっ６一
て、１は金属製基体、６は高周波入出力端子、７は低周
波入出力端子、８はバイアス電圧供給用端子、９は接地
用端子、１２は該金属製基体上にモノリシック高速・高
周波集積回路（図示せず）およびパイｉＪ？スコンデン
サ（図示せず）等の複数の素子を構成してなる高速・高
周波集積回路を機能構成単位毎に分割して収容するため
仮数の開口部を有する枠体、１３は該複数の開口部を有
する枠体１２によシ囲われた第１のキャビティ、１４は
該複数の開口部を有する枠体１２によ、！ｌｌｌ凹われ
た第２のキャビティ、１５は該複数の開口部を有する枠
体１２によシ囲われた第３のキャビティ、１６は該複数
の開口部を有する枠体１２によシ囲われた第４のキャビ
ティである。さて、本発明では高周波特性を確保するた
め、金属製基体１内外あるいは複数の開口部を有する枠
体１２内外で相互に接続される缶高周波入出力端子６間
、各低周波入出力端子７間、各バイアス電圧供給用端子
８間ならびに各接地用端子９間を従来よシ行われている
方法でインピーダンス的に整合を取シ、また該高周波入
出力端子６、該低周波入出力端子７、該バイアス電圧供
給用端子８ならびに該接地用端子９はモノリシック高速
・高周波集積回路の入出力インピーダンスと従来よシ行
われている方法で整合を取った端子構造とし、第８図お
よび第９図と同様に、少なくとも複数の開口部を有する
枠体１２の内部のキャビティ表面は該高周波入出力端子
６、該低周波入出力端子７、該バイアス電圧供給用端子
８ならびに該接地用端子９０個所を除いて金属層によっ
てメタライズする。
波入出力端子、８はバイアス電圧供給用端子、９は接地
用端子、１２は該金属製基体上にモノリシック高速・高
周波集積回路（図示せず）およびパイｉＪ？スコンデン
サ（図示せず）等の複数の素子を構成してなる高速・高
周波集積回路を機能構成単位毎に分割して収容するため
仮数の開口部を有する枠体、１３は該複数の開口部を有
する枠体１２によシ囲われた第１のキャビティ、１４は
該複数の開口部を有する枠体１２によ、！ｌｌｌ凹われ
た第２のキャビティ、１５は該複数の開口部を有する枠
体１２によシ囲われた第３のキャビティ、１６は該複数
の開口部を有する枠体１２によシ囲われた第４のキャビ
ティである。さて、本発明では高周波特性を確保するた
め、金属製基体１内外あるいは複数の開口部を有する枠
体１２内外で相互に接続される缶高周波入出力端子６間
、各低周波入出力端子７間、各バイアス電圧供給用端子
８間ならびに各接地用端子９間を従来よシ行われている
方法でインピーダンス的に整合を取シ、また該高周波入
出力端子６、該低周波入出力端子７、該バイアス電圧供
給用端子８ならびに該接地用端子９はモノリシック高速
・高周波集積回路の入出力インピーダンスと従来よシ行
われている方法で整合を取った端子構造とし、第８図お
よび第９図と同様に、少なくとも複数の開口部を有する
枠体１２の内部のキャビティ表面は該高周波入出力端子
６、該低周波入出力端子７、該バイアス電圧供給用端子
８ならびに該接地用端子９０個所を除いて金属層によっ
てメタライズする。
次に、本発明における枠体の製造法の１例を説明する。
複数の開口部を有する枠体１２は第２区に示すように、
たとえば複数のセラミック製グリーンシートを所望の形
状にパンチングして、例えば第１のセラミ、フグリーン
シート１７および第２のセラミックグリーンジートノ８
をパンチングする。つぎに、例えば第１のセラミックグ
リーンシート１７の上に高周波入出力端子６用の導電体
、低周波入出力端子７用の導電体、バイアス電圧供給用
端子８用の導電体、接地用端子９用の導電体およびこれ
らを相互に接続する配線１９を形成する。その後第１、
第２のセラミックグリーンシート１７，１Ｂを積層し、
同時焼成することによって複数の開口部を有する枠体１
２が完成する。なお、ここでは絶縁材料同時焼成のセラ
ミック材料を例に説明したが、有機系材料を使用して枠
体を形成する方法も実現可能である。
たとえば複数のセラミック製グリーンシートを所望の形
状にパンチングして、例えば第１のセラミ、フグリーン
シート１７および第２のセラミックグリーンジートノ８
をパンチングする。つぎに、例えば第１のセラミックグ
リーンシート１７の上に高周波入出力端子６用の導電体
、低周波入出力端子７用の導電体、バイアス電圧供給用
端子８用の導電体、接地用端子９用の導電体およびこれ
らを相互に接続する配線１９を形成する。その後第１、
第２のセラミックグリーンシート１７，１Ｂを積層し、
同時焼成することによって複数の開口部を有する枠体１
２が完成する。なお、ここでは絶縁材料同時焼成のセラ
ミック材料を例に説明したが、有機系材料を使用して枠
体を形成する方法も実現可能である。
次に、本発明で複数のキャビティを設けた理由を述べる
。例えば、第３図に示す幅Ｃ１高さす。
。例えば、第３図に示す幅Ｃ１高さす。
長さＣの金属壁に囲われた空間に矢印の方向からｔ磁波
が伝播した場合、この空間で共振するＴＥｍｎｐモード
の電磁波の波長λ０は、文献（たとえば、中島著、「マ
イクロ波工学」、ｐ１４４、森北出版、１９７５）から λｏ ＝１／（（ｎｒ２ａ） ＋（ｎ／２ｂ） ＋（ｐ
／２ｃ）２）１Ａｍ、ｎ、ｐ：整数 で表される。これよｐ、ａ、ｃ）ｂの時の基本モードＴ
Ｅ１旧の共振周波数ｆｃは ｆｅ ＝ｃ”／２ｘ（（１／ａ）２＋ （”／Ｃ）２）
１Ａただし、Ｃ１：光速 と求められる。この式よシ、キャビティの幅カ大きい程
キャビティで共振する周波数が小さくなることが分かる
。すなわち、第１図に示す複数のキャビティ１３，１４
．１５および１６を単一のキャビティ、即ち従来の実施
例第５図のキャビティ５とすると、高い動作周波数のモ
ノリシック高速・高周波集積回路を１つの高速・高周波
集積回路用パッケージに実装できない。本発明の高速・
高周波集積回路用ノ母、ケージはこの欠点を除くため、
１つの高速・高周波集積回路用パッケージ内に複数のキ
ャビティを形成し、高機能な高速・高周波集積回路を小
形で実現したことを特徴としている。
が伝播した場合、この空間で共振するＴＥｍｎｐモード
の電磁波の波長λ０は、文献（たとえば、中島著、「マ
イクロ波工学」、ｐ１４４、森北出版、１９７５）から λｏ ＝１／（（ｎｒ２ａ） ＋（ｎ／２ｂ） ＋（ｐ
／２ｃ）２）１Ａｍ、ｎ、ｐ：整数 で表される。これよｐ、ａ、ｃ）ｂの時の基本モードＴ
Ｅ１旧の共振周波数ｆｃは ｆｅ ＝ｃ”／２ｘ（（１／ａ）２＋ （”／Ｃ）２）
１Ａただし、Ｃ１：光速 と求められる。この式よシ、キャビティの幅カ大きい程
キャビティで共振する周波数が小さくなることが分かる
。すなわち、第１図に示す複数のキャビティ１３，１４
．１５および１６を単一のキャビティ、即ち従来の実施
例第５図のキャビティ５とすると、高い動作周波数のモ
ノリシック高速・高周波集積回路を１つの高速・高周波
集積回路用パッケージに実装できない。本発明の高速・
高周波集積回路用ノ母、ケージはこの欠点を除くため、
１つの高速・高周波集積回路用パッケージ内に複数のキ
ャビティを形成し、高機能な高速・高周波集積回路を小
形で実現したことを特徴としている。
（第２の実施例）
第４図は本発明の第２の実施例を説明する図であって、
１は金属製基体、６は高周波入出力端子、７は低周波入
出力端子、８はバイアス電圧供給用端子、９は接地用端
子、１２は該金属製基体上にモノリシ、り高速・高周波
集積回路（図示せず）およびバイアスコンデンサ（図示
せず）等の複数の素子を構成してなる高速・高周波集積
回路を機ｌＯ− 能構成単位毎に分割して収容するため複数の開口部を有
する枠体、１３は該複数の開口部を有する枠体１２によ
シ囲われた第１のキャビティ、１４は該複数の開口部を
有する枠体１２によシ囲われた第２のキャビティ、１５
は該複数の開口部を有する枠体１２によシ囲われた第３
のキャビティ、１６は該複数の開口部を有する枠体１３
によシ囲われた第４のキャビティ、２０は該低周波入出
力端子７、該バイアス電圧供給用端子８、該接地用端子
９として機能し該金属製基体１に形成されるガラス端子
である。
１は金属製基体、６は高周波入出力端子、７は低周波入
出力端子、８はバイアス電圧供給用端子、９は接地用端
子、１２は該金属製基体上にモノリシ、り高速・高周波
集積回路（図示せず）およびバイアスコンデンサ（図示
せず）等の複数の素子を構成してなる高速・高周波集積
回路を機ｌＯ− 能構成単位毎に分割して収容するため複数の開口部を有
する枠体、１３は該複数の開口部を有する枠体１２によ
シ囲われた第１のキャビティ、１４は該複数の開口部を
有する枠体１２によシ囲われた第２のキャビティ、１５
は該複数の開口部を有する枠体１２によシ囲われた第３
のキャビティ、１６は該複数の開口部を有する枠体１３
によシ囲われた第４のキャビティ、２０は該低周波入出
力端子７、該バイアス電圧供給用端子８、該接地用端子
９として機能し該金属製基体１に形成されるガラス端子
である。
本発明での枠体の製造法、キャビティ内部をメタライズ
する考え方ならびに複数のキャビティを設けた理由は第
ｌの実施例とほぼ同じである。
する考え方ならびに複数のキャビティを設けた理由は第
ｌの実施例とほぼ同じである。
外部回路に第１の実施例の高速・高周波集積回路を接続
するためには付加リードを平面方向に取シ出す必要があ
シ、実装効率が低下するが、第２の実施例では裏面にリ
ードを取シ出す方式としているため、裏面に外部回路を
形成でき実装効率を更に向上できる。
するためには付加リードを平面方向に取シ出す必要があ
シ、実装効率が低下するが、第２の実施例では裏面にリ
ードを取シ出す方式としているため、裏面に外部回路を
形成でき実装効率を更に向上できる。
［発明の効果］
以上説明したように、本発明の高速・高周波集積回路用
パッケージにおいては、・母ッケーゾ内部に複数のキャ
ビティを設けているため、各キャビティでの共振周波数
を搭載する高速・高周波集積回路の動作周波数よシも十
分高周波側に持って行くようキャビティ寸法を設計でき
、よシ高機能な高速・高周波集積＠路用−ｐ４ ｙケー
ゾが容易に実現できる利点がある。また、第２の実施例
のように低周波入出力端子、バイアス電圧供給用端子、
接地用端子の一部を金属製基体にガラス端子を用いて形
成することＫよって、よシ高密度な実装が可能となる。
パッケージにおいては、・母ッケーゾ内部に複数のキャ
ビティを設けているため、各キャビティでの共振周波数
を搭載する高速・高周波集積回路の動作周波数よシも十
分高周波側に持って行くようキャビティ寸法を設計でき
、よシ高機能な高速・高周波集積＠路用−ｐ４ ｙケー
ゾが容易に実現できる利点がある。また、第２の実施例
のように低周波入出力端子、バイアス電圧供給用端子、
接地用端子の一部を金属製基体にガラス端子を用いて形
成することＫよって、よシ高密度な実装が可能となる。
第１図は本発明の第１の実施例の斜視図、Ｍ２図は本発
明のＭｌの実施例の複数の開口部を有する枠体の製造法
を説明するための斜視図、第３図は本発明で複数のキャ
ビティを設けたことを説明するだめの図、第４図は本発
明の第２の実施例の斜視図、第５図は従来の実施例の斜
視図、第６図。 第７図はそれぞれ従来の実施例において高速・高周波集
積回路およびバイパスコンデンサ等を実装し、部品間を
接続した例を説明するための平面図、断面図、第８図、
第９図は従来の実施例においてそれぞれ高周波入出力端
子部、バイアス電圧供給用端子部を除いて枠体表面をメ
タライズした例を説明する図である。 １・・・金属製基体、２・・・絶縁材料等よシなる枠体
、３・・・モノリシック高速・高周波集積回路、４・・
・パイノ（スコンデン丈、５−・・キャビティ、６・・
・高周波入出力端子、７・・・低周波入出力端子、８・
・・バイアス電圧供給用端子、９・・・接地用端子、１
０・・・Ａｕワイヤ、１）・・・枠体内部のキャビティ
表面に形成された金属層、１２・・・複数の開口部を有
する枠体、１３・・・複数の開口部を有する枠体１２に
よシ囲われた第１のキャビティ、１４・・・複数の開口
部を有する枠体１２によシ囲われ、＋第２のキャビティ
、１５・・・複数の開口部を有する枠体１２によ）囲わ
れた第３のキャビティ、１６・・・複数の開口部を有す
る枠体１２によシ囲われた第４のキャビティ、１７・・
・複数の開口部を有する枠体１２を構成する第１のセラ
ミックグリーンシート、１８・・・複数の開口部を有す
る枠体１２を構成する第２のセラミックグリーンシート
、１９・・・第１のセラミックグリーンシートの上に形
成された配線、２０・・・金属製基体に形成されたガラ
ス端子。
明のＭｌの実施例の複数の開口部を有する枠体の製造法
を説明するための斜視図、第３図は本発明で複数のキャ
ビティを設けたことを説明するだめの図、第４図は本発
明の第２の実施例の斜視図、第５図は従来の実施例の斜
視図、第６図。 第７図はそれぞれ従来の実施例において高速・高周波集
積回路およびバイパスコンデンサ等を実装し、部品間を
接続した例を説明するための平面図、断面図、第８図、
第９図は従来の実施例においてそれぞれ高周波入出力端
子部、バイアス電圧供給用端子部を除いて枠体表面をメ
タライズした例を説明する図である。 １・・・金属製基体、２・・・絶縁材料等よシなる枠体
、３・・・モノリシック高速・高周波集積回路、４・・
・パイノ（スコンデン丈、５−・・キャビティ、６・・
・高周波入出力端子、７・・・低周波入出力端子、８・
・・バイアス電圧供給用端子、９・・・接地用端子、１
０・・・Ａｕワイヤ、１）・・・枠体内部のキャビティ
表面に形成された金属層、１２・・・複数の開口部を有
する枠体、１３・・・複数の開口部を有する枠体１２に
よシ囲われた第１のキャビティ、１４・・・複数の開口
部を有する枠体１２によシ囲われ、＋第２のキャビティ
、１５・・・複数の開口部を有する枠体１２によ）囲わ
れた第３のキャビティ、１６・・・複数の開口部を有す
る枠体１２によシ囲われた第４のキャビティ、１７・・
・複数の開口部を有する枠体１２を構成する第１のセラ
ミックグリーンシート、１８・・・複数の開口部を有す
る枠体１２を構成する第２のセラミックグリーンシート
、１９・・・第１のセラミックグリーンシートの上に形
成された配線、２０・・・金属製基体に形成されたガラ
ス端子。
Claims (2)
- （１）モノリシック高速・高周波集積回路およびバイパ
スコンデンサ等の複数の素子を構成して成る高速・高周
波集積回路において機能構成単位毎に分割して収容可能
な複数の開口部を有する枠体が基体上に接合され、機能
構成単位毎に複数のキャビティが形成されていることを
特徴とし、かつ枠体は絶縁性材料よりなり、端子形成部
分を除くキャビティ表面を全て金属層によりメタライズ
していることを特徴とする高速・高周波集積回路用パッ
ケージ。 - （２）高周波入出力端子、低周波入出力端子、バイアス
電圧供給用端子および接地用端子が該枠体あるいは該基
体の一方あるいは両方に形成され、かつ、該枠体内外あ
るいは基体内外で相互に接続される各高周波入出力端子
間、各低周波入出力端子間、各バイアス電圧供給用端子
間ならびに各接地用端子間がモノリシック高速・高周波
集積回路の入出力インピーダンスと整合を取った端子構
造であることを特徴とする請求項１記載の高速・高周波
集積回路用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22163288A JP2571832B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 高速・高周波集積回路用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22163288A JP2571832B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 高速・高周波集積回路用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0269967A true JPH0269967A (ja) | 1990-03-08 |
| JP2571832B2 JP2571832B2 (ja) | 1997-01-16 |
Family
ID=16769811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22163288A Expired - Lifetime JP2571832B2 (ja) | 1988-09-05 | 1988-09-05 | 高速・高周波集積回路用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2571832B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US5258646A (en) * | 1990-11-16 | 1993-11-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Package for microwave IC |
| US5455385A (en) * | 1993-06-28 | 1995-10-03 | Harris Corporation | Multilayer LTCC tub architecture for hermetically sealing semiconductor die, external electrical access for which is provided by way of sidewall recesses |
| US6876846B2 (en) | 2000-08-24 | 2005-04-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency module |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102509860B1 (ko) * | 2016-01-20 | 2023-03-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 통신 모듈 |
| KR102513525B1 (ko) * | 2016-01-20 | 2023-03-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 통신 모듈 |
Citations (6)
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| JPS6329949U (ja) * | 1986-08-08 | 1988-02-27 | ||
| JPS63129701A (ja) * | 1986-11-20 | 1988-06-02 | Toshiba Corp | マイクロ波回路装置 |
-
1988
- 1988-09-05 JP JP22163288A patent/JP2571832B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| EP1182704A3 (en) * | 2000-08-24 | 2008-04-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency module |
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| EP2466638A3 (en) * | 2000-08-24 | 2013-02-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | High frequency module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2571832B2 (ja) | 1997-01-16 |
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