JPH0271412A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH0271412A JPH0271412A JP22237588A JP22237588A JPH0271412A JP H0271412 A JPH0271412 A JP H0271412A JP 22237588 A JP22237588 A JP 22237588A JP 22237588 A JP22237588 A JP 22237588A JP H0271412 A JPH0271412 A JP H0271412A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に係り、特に、高精
度に形成されたトラック幅をもつ薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関する。
度に形成されたトラック幅をもつ薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関する。
磁気ディスク装置の高記録密度化が進むにつれて、薄膜
磁気ヘットのトラック幅も微細化しつつある。第２図は
、薄膜磁気ヘッドの構造の一例を表わした側断面図であ
る。基板２１の上には下部磁性膜２２が形成されており
、後から構成される上部磁性膜２３と共に磁気回路を構
成している。
磁気ヘットのトラック幅も微細化しつつある。第２図は
、薄膜磁気ヘッドの構造の一例を表わした側断面図であ
る。基板２１の上には下部磁性膜２２が形成されており
、後から構成される上部磁性膜２３と共に磁気回路を構
成している。
先端部２４では、ギャップ材２５を磁性膜２２及び２３
の間に介在して磁気ギャップを形成し、このギャップを
用いて記録媒体に対する読み出し及び書き込みを行なう
。一方、磁気コアの中央部では、導体コイル２６が磁気
回路と交差するように設けてあり、この導体コイル２６
は、磁性膜２２、及び、２３と樹脂絶縁膜２７により絶
縁されている。
の間に介在して磁気ギャップを形成し、このギャップを
用いて記録媒体に対する読み出し及び書き込みを行なう
。一方、磁気コアの中央部では、導体コイル２６が磁気
回路と交差するように設けてあり、この導体コイル２６
は、磁性膜２２、及び、２３と樹脂絶縁膜２７により絶
縁されている。
この薄膜磁気ヘットの記録密度を決める１−ラック幅は
１通常、ヘット先端部２４における上部磁性膜２３の幅
によって決められる。このため、高精度なトラック幅寸
法を実現するには、約１０μｍの高さの樹脂絶縁膜２７
の段差下部で、±０．５μｍ以下の高精度で磁性膜２３
をパターニングする必要がある。このため、エツチング
量のコントロールが容易で、かつ、高い精度が期待でき
るドライエツチング法が用いられることが多く、特に、
加速したイオンを用いるイオンミリング法がよく用いら
れる。
１通常、ヘット先端部２４における上部磁性膜２３の幅
によって決められる。このため、高精度なトラック幅寸
法を実現するには、約１０μｍの高さの樹脂絶縁膜２７
の段差下部で、±０．５μｍ以下の高精度で磁性膜２３
をパターニングする必要がある。このため、エツチング
量のコントロールが容易で、かつ、高い精度が期待でき
るドライエツチング法が用いられることが多く、特に、
加速したイオンを用いるイオンミリング法がよく用いら
れる。
例えば、特開昭６０−３７１３０号公報には、感光性樹
脂をマスク材として、 −（オンミリング法を用いて段
差部の薄膜をパターニングする方法の例があげられてお
り、これを第３図に示す。まず、（ａ）に示すように、
基板３上の上部に段差３２を形成し、その上部にパター
ニングされるべき薄膜３３を形成する。次いで第３図（
ｂ）に示したように、感光性樹脂膜３４を塗布し、パタ
ーン形成した後、第３図（ｃ）に示すように、イオンミ
リング法を用いて薄膜３３をエツチングし、目的とする
パターン形状を得ている。
脂をマスク材として、 −（オンミリング法を用いて段
差部の薄膜をパターニングする方法の例があげられてお
り、これを第３図に示す。まず、（ａ）に示すように、
基板３上の上部に段差３２を形成し、その上部にパター
ニングされるべき薄膜３３を形成する。次いで第３図（
ｂ）に示したように、感光性樹脂膜３４を塗布し、パタ
ーン形成した後、第３図（ｃ）に示すように、イオンミ
リング法を用いて薄膜３３をエツチングし、目的とする
パターン形状を得ている。
また、特開昭６０−３７１３０号公報には、第３図に示
すプロセスよりも高精度なパターニングを実現する方法
もあげられており、これを第４図に示す。
すプロセスよりも高精度なパターニングを実現する方法
もあげられており、これを第４図に示す。
まず、（ａ）に示すように、第３図（、）と同様の構造
を形成した後、その上部にアルミナ膜４５を形成する。
を形成した後、その上部にアルミナ膜４５を形成する。
次いで、（ｂ）に示すように、感光性樹脂膜４４を形成
した後、（ｃ）に示すように、弗素系ガスを用いた反応
性イオンミリング法でアルミナ［４５をパターニングす
る。その後、（ｄ）に示すように、感光性樹脂膜４４を
除去した後、アルミナ膜４５をマスク材にしてイオンミ
リング法で薄膜４３をパターニングして、目的とする形
状を得ている。図中、４１は基板、４２は段差。
した後、（ｃ）に示すように、弗素系ガスを用いた反応
性イオンミリング法でアルミナ［４５をパターニングす
る。その後、（ｄ）に示すように、感光性樹脂膜４４を
除去した後、アルミナ膜４５をマスク材にしてイオンミ
リング法で薄膜４３をパターニングして、目的とする形
状を得ている。図中、４１は基板、４２は段差。
上記従来技術のうち、第３図に示す方法では、マスク材
となる感光性樹脂膜の厚さが段差下部では約１０〜１５
μｍと厚くなってしまうため、イオンミリング時に、第
５図に示すような再付着層３５が発生してしまい、段差
下部における薄膜３３の寸法精度が悪くなり、かつ、目
的とするパターニング形状が得られないという問題があ
った。
となる感光性樹脂膜の厚さが段差下部では約１０〜１５
μｍと厚くなってしまうため、イオンミリング時に、第
５図に示すような再付着層３５が発生してしまい、段差
下部における薄膜３３の寸法精度が悪くなり、かつ、目
的とするパターニング形状が得られないという問題があ
った。
なお、第５図は、第３図（ｃ）で得られた段差下部の薄
膜パターンを正面から見た正断面図である。
膜パターンを正面から見た正断面図である。
また、第４図に示す方法では、マスク材となるアルミナ
膜の厚さが約２μｍと薄くできるためこのような再付着
層は発生しないものの、感光性樹脂膜の幅をアルミナ膜
に転写してから、さらに、これを目的とする薄膜に転写
してパターン形成するという二重の工程が必要であり、
従って、寸法精度が悪くなってしまうという問題があっ
た。すなわち、第４図に示した方法ではパターン精度は
±０．８μｍが限界であり、±０．５μｍ以下の高精度
なパターンを得ることは困難であった。
膜の厚さが約２μｍと薄くできるためこのような再付着
層は発生しないものの、感光性樹脂膜の幅をアルミナ膜
に転写してから、さらに、これを目的とする薄膜に転写
してパターン形成するという二重の工程が必要であり、
従って、寸法精度が悪くなってしまうという問題があっ
た。すなわち、第４図に示した方法ではパターン精度は
±０．８μｍが限界であり、±０．５μｍ以下の高精度
なパターンを得ることは困難であった。
本発明の目的は、高精度なトランク幅寸法をもつＷｌ膜
磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。
上記目的は、絶縁膜段差のある基板」二に上部磁性膜を
堆積した後、感光性樹脂膜を塗布・形成して露出する工
程において、高い寸法精度を必要とする段差下部と、そ
れ以外の段差上部とを別の工程でパターン作製し、段差
下部の感光性樹脂膜厚を薄くして、イオンミリング時の
再付着発生を防ぐこと、及び、この二工程で形成した感
光性樹脂膜パターンの少なくとも一つに対して、紫外光
、もしくは、遠紫外光を照射して感光性樹脂を硬化させ
、パターン形成後の変形を防ぎ、高い寸法精度を保つこ
とにより達成される。
堆積した後、感光性樹脂膜を塗布・形成して露出する工
程において、高い寸法精度を必要とする段差下部と、そ
れ以外の段差上部とを別の工程でパターン作製し、段差
下部の感光性樹脂膜厚を薄くして、イオンミリング時の
再付着発生を防ぐこと、及び、この二工程で形成した感
光性樹脂膜パターンの少なくとも一つに対して、紫外光
、もしくは、遠紫外光を照射して感光性樹脂を硬化させ
、パターン形成後の変形を防ぎ、高い寸法精度を保つこ
とにより達成される。
具体的な方法として、まず、絶縁膜段差のある基板上に
上部磁性膜を堆積した後、基板全体に薄い感光性樹脂膜
を塗布し、主として段差下部にのみ樹脂が残存するよう
にパターニングする工程と、基板全体に厚い感光性樹脂
膜を塗布し、主として段差」二部にのみ樹脂が残存する
ようにパターニングする工程と、これら二つの感光性樹
脂のうち少なくとも一つに対して紫外光、もしくは、遠
紫外光を照射して感光性樹脂を硬化させることにより、
イオンミリング時に再付着が発生せず、かつ、段差下部
でも寸法精度の良いパターンの形成が可能になる。
上部磁性膜を堆積した後、基板全体に薄い感光性樹脂膜
を塗布し、主として段差下部にのみ樹脂が残存するよう
にパターニングする工程と、基板全体に厚い感光性樹脂
膜を塗布し、主として段差」二部にのみ樹脂が残存する
ようにパターニングする工程と、これら二つの感光性樹
脂のうち少なくとも一つに対して紫外光、もしくは、遠
紫外光を照射して感光性樹脂を硬化させることにより、
イオンミリング時に再付着が発生せず、かつ、段差下部
でも寸法精度の良いパターンの形成が可能になる。
これら二つの感光性樹脂パターンの形成順序は、段差下
部、段差上部のいずれを先に形成しても問題ないが、段
差部分の膜厚をできるだけ薄くするためには、まず、段
差部分のパターンを形成した後で段差上部のパターンを
形成するのが望ましい。
部、段差上部のいずれを先に形成しても問題ないが、段
差部分の膜厚をできるだけ薄くするためには、まず、段
差部分のパターンを形成した後で段差上部のパターンを
形成するのが望ましい。
また、二つの感光性樹脂パターンを形成するには、感光
性樹脂を重ね塗りする必要があるが、この時、最初に形
成したパターンが感光性樹脂溶媒に溶解して変形してし
まうことを防ぎ、さらに、イオンミリング時のエツチン
グ速度を遅くしたり、感光性樹脂パターン形状の経時変
化を防ぐために、感光性樹脂パターンに遠紫外光等のエ
ネルギー線を照射して樹脂を硬化させる手法が有効であ
る。この遠紫外光の照射は、樹脂の硬化を効率良く進め
るために、５０〜１２０℃に加熱しながら実施するのが
望ましく、また、 １Ｔｏｒｒ以下の真空中で照射す
るのが有効である。
性樹脂を重ね塗りする必要があるが、この時、最初に形
成したパターンが感光性樹脂溶媒に溶解して変形してし
まうことを防ぎ、さらに、イオンミリング時のエツチン
グ速度を遅くしたり、感光性樹脂パターン形状の経時変
化を防ぐために、感光性樹脂パターンに遠紫外光等のエ
ネルギー線を照射して樹脂を硬化させる手法が有効であ
る。この遠紫外光の照射は、樹脂の硬化を効率良く進め
るために、５０〜１２０℃に加熱しながら実施するのが
望ましく、また、 １Ｔｏｒｒ以下の真空中で照射す
るのが有効である。
一方、イオンミリング時の再付着を防ぐために、感光性
樹脂パターンに１００〜１５０℃の熱処理を施して、パ
ターン側面のテーパ角度を小さくしても良い。
樹脂パターンに１００〜１５０℃の熱処理を施して、パ
ターン側面のテーパ角度を小さくしても良い。
この手段を適用することにより、段差下部でも薄い感光
性樹脂膜をマスク材として、上部磁性膜をイオンミリン
グすることが可能となるため、再付着層の発生が無くな
る。
性樹脂膜をマスク材として、上部磁性膜をイオンミリン
グすることが可能となるため、再付着層の発生が無くな
る。
また、薄い感光性樹脂膜パターンの幅をそのまま上部磁
性膜に転写できるため、絶縁膜段差下部でも高い寸法精
度が実現でき、トラック幅の作成精度が向上する。
性膜に転写できるため、絶縁膜段差下部でも高い寸法精
度が実現でき、トラック幅の作成精度が向上する。
一方、段差上部でも、イオンミリング時のマスク材とし
て充分な厚さを持つ感光性樹脂パターンが得られるため
、膜減りやパターン欠けの無い高精度な磁性膜パターン
が得られる。
て充分な厚さを持つ感光性樹脂パターンが得られるため
、膜減りやパターン欠けの無い高精度な磁性膜パターン
が得られる。
また、感光性樹脂膜パターンに対して遠紫外線等のエネ
ルギー線を照射することによって、パターン形状が安定
化し、樹脂を重ね塗りしたり、イオンミリングを施した
りしても高い寸法精度が保たれる。
ルギー線を照射することによって、パターン形状が安定
化し、樹脂を重ね塗りしたり、イオンミリングを施した
りしても高い寸法精度が保たれる。
以下、本発明の一実施例を第１図を用いて説明する。第
１図は１本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの製造方法を
表わす側断面図である。
１図は１本発明を適用した薄膜磁気ヘッドの製造方法を
表わす側断面図である。
まず、第１図（ａ）に示すように、セラミック基板１上
上に、下部磁性膜１２．ギャップ膜１３゜絶縁膜１４、
及び、導体コイル１５を形成した後、上部磁性膜１６を
スパッタリングした。次いで。
上に、下部磁性膜１２．ギャップ膜１３゜絶縁膜１４、
及び、導体コイル１５を形成した後、上部磁性膜１６を
スパッタリングした。次いで。
第１図（ｂ）に示すように、ポジ型ホトレジスト１７を
薄く塗布し、主として段差下部にのみホトレジストが残
存するように、パターン形成した。
薄く塗布し、主として段差下部にのみホトレジストが残
存するように、パターン形成した。
この時、段差下部のホトレジスト厚さは３μｍとなった
。このホトレジストパターン１７に対して、Ｑ 、 ２
Ｔｏｒｒの真空中でセラミック基板１１を９０℃に加
熱しながら、照度２５ｍｗ／ａＪの遠紫外光を３分間照
射し、樹脂を硬化させた。次いで、第１図（ｃ）に示す
ように、ポジ型ホトレジスト１８を厚く塗布した。この
時、ホトレジストパターン１７は遠紫外光処理によって
硬化しているため、重ね塗りしたホトレジスト１８の溶
媒に溶けず、パターン形状の変化は認められなかった。
。このホトレジストパターン１７に対して、Ｑ 、 ２
Ｔｏｒｒの真空中でセラミック基板１１を９０℃に加
熱しながら、照度２５ｍｗ／ａＪの遠紫外光を３分間照
射し、樹脂を硬化させた。次いで、第１図（ｃ）に示す
ように、ポジ型ホトレジスト１８を厚く塗布した。この
時、ホトレジストパターン１７は遠紫外光処理によって
硬化しているため、重ね塗りしたホトレジスト１８の溶
媒に溶けず、パターン形状の変化は認められなかった。
次いで、第１図（ｄ）に示すように、主として段差上部
にのみホトレジスト１８が残存するようにパターン形成
した。次いで、第１図（ｅ）に示すようにホトレジスト
１７及び１８をマスク材として、イオンミリング法によ
り上部磁性膜１６をパターニングして、目的とする形状
を得た。この時、マスク材として用いたホトレジスト１
７、及び、１８の厚さが薄いため、再付着は発生しなか
った。
にのみホトレジスト１８が残存するようにパターン形成
した。次いで、第１図（ｅ）に示すようにホトレジスト
１７及び１８をマスク材として、イオンミリング法によ
り上部磁性膜１６をパターニングして、目的とする形状
を得た。この時、マスク材として用いたホトレジスト１
７、及び、１８の厚さが薄いため、再付着は発生しなか
った。
第６図に、本発明の方法を用いて、！−ラック幅１０μ
ｍの薄膜磁気ヘッドを作製した時の、トラック幅寸法の
ばらつき（ｂ）を従来法（ａ）と比較して示す。本実施
例によれば従来は困難であったトラック幅寸法のばらつ
きの±０．５μｍ以内の精度が実現できることがわかっ
た。
ｍの薄膜磁気ヘッドを作製した時の、トラック幅寸法の
ばらつき（ｂ）を従来法（ａ）と比較して示す。本実施
例によれば従来は困難であったトラック幅寸法のばらつ
きの±０．５μｍ以内の精度が実現できることがわかっ
た。
また、あらかじめ形成した感光性樹脂パターンに遠紫外
光を照射して硬化させることにより、さらに、その上部
に感光性樹脂を重ね塗りしてもパターンの変形が無く、
高い寸法精度が保たれる。
光を照射して硬化させることにより、さらに、その上部
に感光性樹脂を重ね塗りしてもパターンの変形が無く、
高い寸法精度が保たれる。
本発明によれば、トラック幅寸法のばらつきが小さく、
かつ、再付着の無いパターンが形成できる。
かつ、再付着の無いパターンが形成できる。
第１図（ａ）〜（ｅ）は、本発明の一実施例としての製
造方法を示す側断面図、第２図は、薄膜磁気ヘッドの構
造を示す側断面図、第３図（ａ）〜（ｃ）及び第４図（
ａ）〜（ｄ）は、従来の製造方法を示す側断面図、第５
図は、第３図（ｃ）で得られた薄膜パターンの正断面図
、第６図（ａ）、（ｂ）は、トラック幅寸法のばらつき
を示したグラフである。 １１・・・セラミック鋸板、１２・・・下部磁性膜、１
３・・ギャップ膜、１４・・絶縁膜、１５・・・導体コ
イル、１６・・・上部磁性膜、１７．１８・・・ホトレ
ジスト。
造方法を示す側断面図、第２図は、薄膜磁気ヘッドの構
造を示す側断面図、第３図（ａ）〜（ｃ）及び第４図（
ａ）〜（ｄ）は、従来の製造方法を示す側断面図、第５
図は、第３図（ｃ）で得られた薄膜パターンの正断面図
、第６図（ａ）、（ｂ）は、トラック幅寸法のばらつき
を示したグラフである。 １１・・・セラミック鋸板、１２・・・下部磁性膜、１
３・・ギャップ膜、１４・・絶縁膜、１５・・・導体コ
イル、１６・・・上部磁性膜、１７．１８・・・ホトレ
ジスト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、段差部分に磁性膜パターンを形成する方法において
、 前記段差の下部に第一の感光性樹脂膜パターンを形成す
る工程と、前記段差の上部に第二の感光性樹脂膜パター
ンを形成する工程と、前記第一及び前記第二の感光性樹
脂膜パターンのうち、少なくとも一つに対して紫外光、
もしくは、遠紫外光を照射して硬化させる工程と、前記
第一及び第二の感光性樹脂膜パターンをマスク材として
磁性膜をエッチングする工程とを含むことを特徴とする
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 ２、段差部分に磁性膜パターンを形成する方法において
、第一の感光性樹脂膜パターンを形成する工程と第一の
感光性樹脂膜パターンに対して紫外光、もしくは、遠紫
外光を照射して硬化させる工程と、第二の感光性樹脂膜
パターンを形成する工程と、前記第一及び第二の感光性
樹脂膜パターンをマスク材として磁性膜をエッチングす
る工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。 ３、前記感光性樹脂膜パターンに対して紫外光もしくは
遠紫外光を照射して硬化させる工程を、１Ｔｏｒｒ以下
の真空中で施すことを特徴とする特許請求の範囲第１項
または第２項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22237588A JPH0810483B2 (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| US07/280,828 US4971896A (en) | 1987-12-08 | 1988-12-07 | Method for forming thin film pattern and method for fabricating thin film magnetic head using the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22237588A JPH0810483B2 (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0271412A true JPH0271412A (ja) | 1990-03-12 |
| JPH0810483B2 JPH0810483B2 (ja) | 1996-01-31 |
Family
ID=16781370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22237588A Expired - Lifetime JPH0810483B2 (ja) | 1987-12-08 | 1988-09-07 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810483B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0621583A3 (en) * | 1993-04-19 | 1995-11-15 | Read Rite Corp | Process of making thin film magnetic head. |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103485231B (zh) * | 2013-10-10 | 2015-04-22 | 刘同烟 | 以传统工艺生产桑皮纸的专用抄纸装置 |
-
1988
- 1988-09-07 JP JP22237588A patent/JPH0810483B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0621583A3 (en) * | 1993-04-19 | 1995-11-15 | Read Rite Corp | Process of making thin film magnetic head. |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0810483B2 (ja) | 1996-01-31 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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