JPH027186B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、一般に改良された半導体デバイスに
関し、特に改良された、プラスチツクカプセルに
封入された電力用半導体デバイスとその製造方法
に関する。

〔背景技術〕

大電力用半導体デバイスは広く使用されている
が、それにも拘らず高価格なものとなつている。
その高価格の原因は、主として複数の高価格な構
成部品を使用していることと複雑な組立工程手段
を用いていることから生じているものである。同
じ電力用半導体デバイスの密閉容器内に１個以上
の半導体ダイチツプを配置することが望まれる場
合には、価格コストは急激に増加する。従つて、
特に、多数の半導体ダイチツプを同じパツケージ
内に収納しなければならないような場合には、簡
単な構造の低価格で竪牢な電力用半導体デバイス
についての必要性が継続して存在し続けているわ
けである。

従つて、本発明の目的の１つは、与えられた一
定の性能の定格に対して低価格の改良された、プ
ラスチツクカプセルに封入された電力用半導体デ
バイスを提供することにある。

本発明のさらに別の目的の１つは、特に半導体
ダイチツプが電気的に並列に接続される場合に、
１個以上の半導体ダイチツプを容易に収容し得る
改良された、プラスチツクカプセルに封入された
電力用半導体デバイスを与えることにある。

本発明のさらに別の目的の１つは、１つもしく
はそれ以上の半導体ダイチツプを収容し、比較さ
れるべき同等の従来技術のデバイスより少い数の
構成部品点数を有する改良された、プラスチツク
カプセルに封入された電力用半導体デバイスを提
供することにある。

本発明のさらに別の目的の１つは、竪牢にして
大型の電力用端子を有し、しかも内部の構成部品
点数はモールド内に配置されプラスチツクで注入
される場合には、予め決定された端子間隔が達成
され、かつ端子の外部接触部分がカプセル封入か
らまぬがれて存続し得るようにモールド面に対し
セルフアライン（自己整合的）であり、かつセル
フシール（自己漏止め的）である内部構成部品を
有する改良された、プラスチツクカプセルに封入
された電力用半導体デバイスを提供することにあ
る。

本発明のさらにもう１つの目的は、改良され
た、電力用半導体デバイスの製造方法を提供する
ことにある。

さらに本発明の別の目的の１つは、組立てられ
た構成部品の寸法上の変化が調整され、かつプラ
スチツクモールド成型封入剤（コンパウンド）の
モールド封止および注入の間のモールド成型面に
対して、構成部品がセルフアラインし、また端子
が自己密閉（封）する改良された、プラスチツク
カプセルに封入された電力用半導体デバイスの製
造方法を与えることにある。

〔発明の要約〕

上記のおよび他の目的と利点の達成は本発明に
よつて達成される。即ちここで本発明では接触部
分と、半導体ダイチツプを支持する第１の面とモ
ールドの第１の面に対して密閉する如く用いられ
る第２の面とを具備する基板部材と、モールドの
第２の面に対して密封する如く用いられる第１の
面を具備する端子部材と、そして端子部材を支持
し、かつ端子部材を半導体ダイチツプの接触部分
に結合させるコンプライアンス（弾力性）のある
従動（compliant）コネクタ部材とを備えた半導
体ダイチツプが得られるものである。従動コネク
タ部材は、半導体ダイチツプもしくはダイ組立
（アセンブリ）に接触させるための変形可能な接
触手段を含んでいる。従動コネクタ部材は、対応
するモールド面に対し基板部材と端子部材の外向
きの面を押圧（加圧）する如く用いられる。接着
（ボンデイング）手段、典型的にははんだ付けソ
ルダーは、基板部材、半導体ダイチツプ、従動コ
ネクタ部材および端子部材を組み合わせて１つの
組立部品（アセンブリ）を形成するように使用さ
れている。従動コネクタ部材は、アセンブリを構
成するいくつかのパーツ部品とそれらの部品を組
み合わせて結合する接着手段との組合せによる厚
さの許容範囲の変化より大きな変形範囲を有して
いる。変形は実質的に接触部手段において生ず
る。

従動コネクタ部材、端子部材および基板部材
は、モールド内に設置された場合に、端子部材と
基板部材の外表面はモールドの対応する面に向い
合つて位置を占め、また更にモールド成形の間に
注入されたプラスチツクは、従動コネクタ部材、
端子部材および基板部材上に及ぼす正味（net）
の外側に向けられた力をつくり出し、この力によ
り対応する成形されたモールド面に対して端子部
材と基板部材の外側面を密封し、従つてプラスチ
ツクが実質的にこれらの外向面に侵食することが
防止されるようにする。半導体ダイチツプを含む
ダイチツプの組立部品と１個又はそれ以上の電極
円板とはダイチツプそのもののみの代りに使用す
ることが可能である。

予め設定された高さをもつプラスチツクカプセ
ルに封入された半導体デバイスの製造方法が達成
されている。すなわち次の構成要素によつて与え
られている。基板部材、端子部材、従動コネクタ
手段（compliant connecting means）および上
述の如く、接着用に適用される１個又はそれ以上
の半導体ダイチツプ（もしくはダイチツプアセン
ブリ）を与えることによつて達成される。また、
これらの幾つかの構成要素を、典型的には、はん
だ付け（ソルダリング）により相互に接着してボ
ンデイングすることによつて、その高さが予め設
定された高さを超える可撓性（フレキシブルな）
変形可能なアセンブリを形成することによつて達
成される。また、基板部材の外向き面と端子部材
の外向き面とをかみ合わせるのに適合したモール
ド内に、変形可能なアセンブリを挿入することに
よつて達成される。また、これらの外向き面をモ
ールドの整合面に対向して配置させ、端子部材と
基板部材を所定の関係に整合的に配列し、かつカ
プセル封入剤（encapsulant）に対してこれらの
外向き面の露出を禁止し、他方、基板部材及び端
子部材の内側部分及び、従動コネクタ手段の内側
部分をカプセル封入剤に対して露出することを可
能にし、モールド成形中に端子部材と基板部材に
作用する力の外側に向いた不平衡（imbalance）
を与えるようにすることによつて達成されてい
る。また、モールドを閉じ、台座（seating）を
高めるようにコネクタ手段を圧縮（加圧）すると
ともに、変形可能なアセンブリの高さを予め設定
した高さにまで減少することによつて達成され
る。およびこれらの外向き面上のカプセル封入剤
の侵食を実質的に避けるように、この外側に向い
た力の不平衡を達成し、端子および基板部材の外
向き面を整合するモールド成形された面に対し維
持するように、カプセル封入剤を圧力を受けなが
らモールド内に注入することにより達成されるの
である。

〔好適な実施例の詳細説明〕

第１図は従来技術としての典型的な電力用半導
体デバイスの分解組立図を図示している。電力用
半導体デバイス１０は銅基板プレート１１、プラ
スチツクハウジング（容器）１２および（プラス
チツク）カバー１３を有している。端子１５ａ，
１５ｂ，１５ｃはデバイスへの外部接続を可能に
するように与えられている。基板プレート１１上
に実装されたのは内部構成組立部品（アセンブ
リ）１６ａ，１６ｂである。構成組立部品１６ａ
は下部電極組立部品１７、中間接続用ストラツプ
１９、半導体ダイチツプ組立部品２０、および上
部接触組立部品２１を含んでいる。下部電極組立
部品はセラミツク絶縁体１７ａと銅電極パツド１
７ｂを備えている。電極パツド１７ｂ上に実装さ
れているのは銅の中間接続用ストラツプ１９と半
導体ダイチツプ組立部品２０である。銅の中間接
続用ストラツプ１９は隣接する構成組立部品１６
ｂと接触するラグ（耳）部分１９ａと、端子１５
ａと接触する接続柱（post）１９ｂとを含んでい
る。半導体ダイチツプ組立部品２０は下部接触電
極２０ｃをもつた半導体ダイチツプ２０ａより構
成される。モリブデン電極円板２１ａと編んだ銅
製リード線２１ｂを備えた上記接触組立部品２１
は、半導体ダイチツプ組立部品２０の上面２０ｂ
に取り付けられ、しかも端子１５ｂに接続されて
いる。任意の制御リード線２１ｃはまた上部接触
組立部品２１の一部として備えることができる。
このような構成部品は典型的にははんだ付け（ソ
ルダリング）により一体成形で取り付けられてい
る。構成組立部品１６ｂは一般には組立部品１６
ａに類似しているが、ラグ部分（lug portion）
１９ａを欠いている。リード線２３はまた編んだ
銅線を有している。

構成組立部品１６ａ，１６ｂが基板プレート１
１上で組立てられた後に、ハウジング（容器）１
２は組立部品１６ａ，１６ｂ上をすべり落ちて、
接着剤により基板プレート１１に固着される。電
極１５ａ，１５ｂ，１５ｃはハウジング（容器）
１２内の開孔１２ａ，１２ｂ，１２ｃを通して突
出している。開孔１３ａ，１３ｂ，１３ｃを有す
るカバー１３は電極１５ａ，１５ｂ，１５ｃ上に
設置され、ハウジング容器１２とカバー１３との
間で、ハウジング容器１２の頂上部に残つている
小さな空胴内に入れられた接着剤と封入剤とによ
つて密閉（封）されている。構成組立部品１６
ａ，１６ｂを取巻くハウジング（容器）１２内の
空間はそれから引続いて密封される注入管１４を
通して窒素ガスにより再び埋戻されている。

デバイス１０を作製するためには多数の構成部
品が必要であり、しかも組立方法（手順）もそれ
に対応して複雑となることは当該技術者には容易
に自明のことと思われる。その上、構成部品自身
が高価なものである。第１図の半導体デバイス１
０は２個の相互接続された半導体ダイチツプを含
むものとして図示されている。これらはダイオー
ド、トランジスタ、サイリスタ、他の半導体デバ
イス、もしくはそれらの組合せとすることができ
る。ダイチツプが電気的に基板プレート１１に接
続されることが望ましい場合には、セラミツク絶
縁体１７ａと電極１７ｂとは省略することができ
る。

第２図Ａは本発明の改良された半導体デバイス
の上面図で、第２図Ｂ、第２図Ｃは、部分的側面
図と断面図を図示している。半導体デバイス３０
は、実装用の開孔３１ａ，３１ｂを有する、典型
的には銅製の基板部材３１を備えている。外部接
続用で、その中にねじ切り接続用開孔３４ａ，３
４ｂを有する端子部材３３ａ，３３ｂはプラスチ
ツク本体（body）３２内に部分的に封入されて
いる。第２図Ｂ、第２図Ｃの右半分において、プ
ラスチツク本体３２は切断されて端子部材３３
ａ，３３ｂの内部構造を示し、また基板部材３１
上に実装され、従動コネクタ部材又は手段３９に
より端子部材３３ｂに接続された半導体ダイチツ
プの組立部品６１の存在を図示している。ダイチ
ツプの組立部品６１の詳細は後で図面を参照して
説明されることになるであろう。端子部材３３
ａ，３３ｂをプラスチツク本体（body）３２内
で良好に保持するためには、端子部材３３ａ，３
３ｂは表面にぎざぎざのついた領域（knurled
region）４０を有することが便利である。端子部
材３３ｂの内面４２は、典型的にははんだ付け
（ソルダリング）によつて従動コネクタ部材３９
に結合されている。従動コネクタ部材３９はねじ
切り接続用開孔３４ｂの内部端を密封することに
より、モールド成形中にプラスチツクが入つてく
ることを防止する。端子部材３３ｂの外面４１
は、基板部材３１の外面４３と同様に、都合のよ
いことに実質的に平坦である。端子部材３３ａは
同様に配列されている。

第２図Ｃは、プラスチツク本体３２が２個の構
成部品で形成される別の実施例を図示している。
即ち部品３２ａは端子３３ａと関連する半導体ダ
イチツプとその構成部品を被覆しており、また部
品３２ｂは端子３３ｂと関連する半導体ダイチツ
プと部品とを被覆している。これはプラスチツク
本体３２が連続的に端子３３ａ及び３３ｂ間に伸
長している場合に、発生の可能性のある、モール
ド成形の結果としてプラスチツク本体３２の差動
収縮により、基板部材３１の受ける曲げ応力を減
少する利点を有している。

第３図は第２図Ａ、第２図Ｂ、第２図Ｃのデバ
イス３０を製作する場合に便利に使用される構成
部品の分解組立図を図示している。第３図の構成
部品６０は基板部材３１、半導体ダイチツプ組立
部品６１、端子部材もしくは手段６３および従動
コネクタ部材（手段）６２とを具備している。基
板部材３１はその中にノツチ３５と、プラスチツ
ク本体３２を保持する手助けをする突起部分（ボ
ス）３６とを有している。基板部材３１は、また
任意に凹部領域５２を有し、半導体ダイチツプ又
はダイチツプ組立部品６１のアライメント（位置
合わせ）及び保持を容易にし、他方、構成部品６
０は互いに結合されている。半導体ダイチツプ組
立部品６１は、各々が２個又はそれ以上の接触領
域或いは電極をその上にもつ円形もしくは短形の
半導体ダイチツプから選択的に自由に構成され得
る。半導体ダイチツプ組立部品６１は半導体ダイ
チツプのいずれかの面に接着された金属電極およ
び／もしくは接触円板を含むことができる。これ
についてはもつと詳細に後で議論されるであろ
う。基板部材３１は（外向き）面４３を有する。

第３図は、ダイチツプ組立部品６１が２対の整
流器（２端子）ダイチツプ組立部品５０ａ，５０
ｂと５１ａ，５１ｂとを具備する状態を図示して
いる。当業技術者によつて、例えば、トランジス
タやサイリスタ、および付加的なリード線が与え
られれば、他のタイプのダイチツプを使用するこ
とも可能であることがわかるであろう。

従動コネクタ部材３９ａと３９ｂを具備した従
動コネクタ手段６２は、それぞれ半導体ダイチツ
プ組立部品５１ａ，５１ｂと５０ａ，５０ｂを端
子部材３３ａと３３ｂに接続するために使用され
ている。従動コネクタ部材３９ａは半導体ダイチ
ツプ組立部品５１ａを接触させるための接触手段
５４ａと半導体ダイチツプ組立部分５１ｂを接触
させるための接触手段５４ｂとを有している。接
触手段５４ａと５４ｂとは都合のよいことに、従
動コネクタ部材３９ａ内に形成され、半導体ダイ
チツプ組立部品５１ａ，５１ｂに対向する凹部領
域もしくは小くぼみの形状を有している。従動コ
ネクタ部材３９ａはまた自由に選択できる付加的
な接触用突起部（tang）６４ａを有し、これは
プラスチツク本体３２内に封入される目的の付加
的な部品に接続するべく、もしくは外部信号リー
ド線に接続するべく用いられていてもよい。突起
部６４ａ，６４ｂはまた、特に構成部品６０の組
立及び接着中に従動コネクタ部材６２の位置決め
配列を助けるために、アライメントキイ（位置合
わせのかぎ）として用いられるのに便利であり、
特別には従つて接触部材５４ａ，５４ｂは、例え
ば、半導体ダイチツプ組立部品５１ａ，５１ｂの
上に整合的に位置合わせし、接触手段５３ａ，５
３ｂ及び組立部品５０ａ，５０ｂに対して対応し
て配置されている。従動コネクタ部材３９ｂは、
半導体ダイチツプ組立部品５０ａ，５０ｂに接触
するための接触手段５３ａ，５３ｂと、接触およ
び／もしくは位置合わせ用の自由に選択できる突
起部６４ｂを有している。位置合わせの特性と接
触の特性とは、別個のものであり、および／もし
くは多重接触を可能にするように、１個以上の突
起部を使用することができる。端子部材３３ａの
面４２ａは従動コネクタ部材３９ａの面５５ａに
接続されている。端子部材３３ｂの内面４２ｂは
コネクタ部材３９ｂの面５５ｂに接続されてい
る。基板部材３１、半導体ダイチツプ組立部品６
１、従動コネクタ部材（手段）６２、および端子
部材６３は典型的にははんだ付け（ソルダリン
グ）により一緒に接着されている。端子部材３３
ａ，３３ｂは、ねじ切り接続用開孔３４ａ，３４
ｂを有し、基板部材３１は実装用開孔３１ａ，３
１ｂを有する。

第４図Ａ、第４図Ｂは、デバイス３０の製造の
手段と方法とを図示することにより、組立てられ
た構成部品６０のほぼ半分を構成する部分８０を
示している。第４図Ａは構成部品６０が一緒に接
着された後の状態、即ち組立てられ、モールド８
１内に挿入された、しかもモールド８１内に完全
に密封（封）される前の状態を図示している。組
み立てられた構成部品部分８０は基板部材３１、
半導体ダイチツプ組立部品５１ａ，５１ｂ、従動
コネクタ部材３９ａおよび端子部材３３ａとを備
えている。本発明の重要な特徴は、個々の構成部
品の製造の途中で生じ得る厚みの変化、或いは構
成部品６０が一緒に接着される時に生じ得る変化
を補償し得るように、従動コネクタ部材３９ａが
十分なコンプライアンス（compliance）をもつ
ことである。

第４図Ａにおいて、半導体ダイチツプ組立部品
５１ａ，５１ｂの構成が極めて詳細に図示されて
いる。半導体ダイチツプ組立部品５１ａは例えば
矩形もしくは円形の形状をとり得るもので、矩
形、円形もしくは他の形状をとり得るモリブデン
電極７１ａと７２ａとの間に挿入され得る半導体
ダイチツプ７０ａを備えている。半導体ダイチツ
プ７０ａとモリブデン電極７１ａと７２ａとは典
型的にははんだの接着層７４ａと７５ａとにより
一緒に接着されている。半導体ダイチツプ組立部
品５１ｂは同様の構成を有し、しかもダイチツプ
７０ｂをそれぞれ、電極７２ｂと７１ｂとに接続
するために、接着層７４ｂと７５ｂを用いて同様
の方法で一緒に接着されている。半導体ダイチツ
プ組立部品５１ａ，５１ｂはそれぞれ、従動コネ
クタ部材３９ａの接触手段５４ａ，５４ｂと基板
部材３１に対し接着手段７６ａ，７６ｂ及び７３
ａ，７３ｂにより接着されている。鉛−錫（95：
５）のはんだ（軟ろう）は接着手段７３ａ，７３
ｂ，７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂおよび７６
ａ，７６ｂとして用いられるのが便利である。端
子部材３３ａはまた典型的には同じはんだの接着
手段７７により、従動コネクタ部材３９ａに接続
されている。構成部品を一緒にはんだ付けする方
法は従来技術として公知である。個別のモリブデ
ン電極７１ａ，７１ｂおよび／もしくは７２ａ，
７２ｂは、半導体ダイチツプ７０ａ，７０ｂと共
に使用されるのが好都合であるが、そのことは本
質的ではない。電極７１ａ，７１ｂと７２ａ，７
２ｂとは直接的にダイチツプ７０ａ，７０ｂ上の
コンタクトとして形成することができ、また接着
層（接着手段）７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂ
は除去することができる。

組立てられた構成部品部分８０は、下部のモー
ルドの半分８１ａと上部のモールドの半分８１ｂ
との間のモールド８１内に配置されている。モー
ルド部分８１ａの面８２は、基板部材３１の外面
４３に一致もしくは対応するように設計されてい
る。上部のモールド部分８１ｂのモールド成形面
８４は端子部材３３ａの外面４１ａに一致もしく
は対応するように設計されている。組立てられた
構成部品部分８０の高さとモールド８１の寸法と
は、面８２と基板部材３１の外面４３が接触して
いる場合に、モールド８１が完全に閉じられる前
に、外面４１ａと８４とがまた接触するように選
ばれている。

第４図Ａは、製造プロセスにおける通常の変動
分によつて、端子部材３３ａが基板部材３１に関
してわずかに傾斜するように、接着領域７３ｂが
接着領域７３ａより大きな厚みを有し、かつ端子
部材３３ａの外面４１ａは対応するモールド面８
４に対し平行でないという状態を図示している。
当業技術者により理解されることは、厚みの変化
が接着手段７３ｂ内で生じているように図示され
ているが、厚みの変化は何層かの接着層のいずれ
においても、および／もしくは部分８０を備えた
いくつかの構成部品のいずれにおいても、換言す
れば、端子部材３３ａにおいて、従動コネクタ部
材３９ａにおいて、接着手段７６ａ，７６ｂ或い
は７７において、もしくはダイチツプ組立部品５
１ａおよび／もしくは５１ｂを形成する構成要素
或いは層のいずれにおいても生じ得るものである
ということである。これらの変化はモールド部分
８１ｂの面８４に関して、外面４１ａの等価的な
ミスアラインメント（不整合）を生じ得るし、お
よび／または組立てられた部分８０を公称値より
高く或いは短くさせることができる。同様にし
て、組立てられた構成部品６０の（第４図Ａに図
示されていない）他の半分における変化は、相互
および／もしくは基板プレート３１に関して端子
３３ａ，３３ｂのいずれかもしくは両方のミスア
ラインメントを生ずることがありうる。第４図
Ａ、第４図Ｂは、これら可能性のあるすべてのも
のを例証することを意図するものである。

本発明の特徴は、従動コネクタ部材３９ａ，３
９ｂが、製造中に起こりえるどのような厚みの変
化が生じようとも、適応できるような充分のコン
プライアンスもしくは圧搾性能を有するというこ
とである。このことにより確認できることは、組
立てられた部分８０の高さの変化やミスアライン
メントがあつたとしても、モールド８１もしくは
組み立てられた部分８０のいずれかに対する永久
的なダメージを与えることなしに、特に、半導体
ダイチツプ７０ａ，７０ｂに損傷を与えることな
く、モールド８１は封止されうるものであるとい
うことである。

第４図Ｂは第４図Ａに図示したと同じ構造で、
しかもモールド８１を封止した後を示す。第４図
Ｂにおいて、外面４３と４１ａとは整合している
モールド面８２と８４に対し、しつかりと配置さ
れている。組立てられた部分８０のミスアライン
メントと、モールド面８４に関する端子部材３３
ａの外面４１ａのミスアラインメントとが除去さ
れ、また組立てられた部分８０の全体としての最
大高さ８５は、密閉されたモールドの間隔
（spacing）により決定される所定の最終的なデバ
イス寸法にまで減少された。第４図Ｂにおいて、
従動コネクタ部材３９ａは、組立てられた部分８
０の全体的な最大高さの変化に十分に適応するこ
とと、かつ、この例においては接着層７３ａと７
３ｂとの不均等な厚さに起因する高さの差を充分
に補正することの両方に充分に適応している。当
業技術者達は、モールド成型後のその部分を冷却
中に、プラスチツクの少量の収縮が生じ得るとい
うことを容易に認識するであろう。これは容易に
測定されて、しかもいかなる所定の寸法値（例え
ば高さ）も達成できるようにモールドの設計にお
いて補償され得るものである。

端子部材３３ａの内面４２ａは、半導体ダイチ
ツプ組立部品５１ａ，５１ｂのモリブデン電極も
しくはコンタクト７１ａ，７１ｂの距離
（separation）８７を超える基底部分の領域
（basal area）もしくは範囲（extent）８９を有
することは重要である。端子部材３３ａの内面４
２ａの範囲８９は半導体ダイチツプ組立部品５１
ａ，５１ｂの中心線８８ａ，８８ｂを分離する距
離９０に近似的に対応するということは都合のよ
いことである。これによつて、モールド成形操作
中に従動コネクタ部材３９ａ内においておこる圧
縮は、従動コネクタ部材３９ａの主本体部分９１
のたわみ（flexure）によつて発生するのに対向
するように、接触（コンタクト）手段５４ａ，５
４ｂにおいて主として生じるということを確証し
えるものである。その結果として、モールドの密
閉に起因し、コネクタ３３ａから接触手段５４
ａ，５４ｂを介して半導体ダイチツプ７０ａ，７
０ｂに伝達される力は実質的には、半導体ダイチ
ツプ７０ａ，７０ｂにおいて完全に圧縮的であ
る。これらの力はまたダイチツプ７０ａ，７０ｂ
に亀裂を起こさせることを防ぎ、および／または
例えば点（ポイント）９２ａ，９２ｂにおいて接
着手段７６ａ，７６ｂの亀裂をひきおこす傾向の
ある著しい曲げモーメントを避けるように、ダイ
チツプ７０ａ，７０ｂの面にわたつて、充分な均
一性をもつて分布されなければならない。

第４図Ｂに図示したように、従動コネクタ部材
３９ａの接触手段５４ａと５４ｂは、組立てられ
た部分８０の層７３ａと７３ｂの高さの差に適合
するように異なつた様々な量によつて圧縮してい
る。もしも高さの差が組立てられた部分８０もし
くは組立てられた構成部品６０の他の位置から生
じるならば、類似の結果が起こるであろう。

接触手段５４ａ，５４ｂは内側に傾斜する側壁
９３ａ，９３ｂ（第４図Ａを参照）をもつた椀状
の凹みもしくはへこみをもつた形状を有すること
が好ましい。接触手段５４ａ，５４ｂの側壁９３
ａ，９３ｂは、90゜より少い角度でそれぞれ電極
もしくは接点７１ａ，７１ｂの表面に近接もしく
は接触することが望ましい。このような条件の下
で、接着手段７６ａ，７６ｂとしてはんだ（ソル
ダー）が使用される場合には、接触手段５４ａ，
５４ｂが半導体ダイチツプ接点（コンタクト）７
１ａ，７１ｂに接着される接触手段５４ａ，５４
ｂの周辺部には、はんだ隅（すみ）肉（fillet）
９９ａ，９９ｂが形成される。これは、接触手段
５４ａ，５４ｂと接点（コンタクト）７１ａ，７
１ｂとの間からのはんだの、流出及び／又は抽出
に対応して防止し、接点（コンタクト）７１ａ，
７１ｂは、もしそうでなければ、ダイチツプ７０
ａ，７０ｂ上で或いはその間で短絡を引き起こす
であろう。

接触手段５４ａ，５４ｂの初期の高さ９５ａ，
９５ｂは、予期された全体としてのたわみ
（deflection）或いは、以下にのべるコンプライ
アンスを超過するものである。即ち、 (1) 構成部品及び／又は接着手段の厚さにおける
予期される変化及び／又は不均一性に適合し、
いかなる著しい曲げ又は変形も、従動コネクタ
部材３９ａの本体部分９１において要求されな
いようにすること、 (2) 組立てられた部分８０および（組立てられ
た）構成部品６０の圧縮に対して最終的な所定
の高さまで余地を与えること、である。

第５図Ａは、ねじ切り接続用開孔１０１を有
し、接触部分もしくは手段１０３ａ，１０３ｂ，
１０３ｃを有する従動コネクタ部材１０２に結合
された端子部材１００の上面図を図示している。
端子部材１００は第２図Ａ、第２図Ｂ、第２図Ｃ
の端子部材３３ａ，３３ｂの機能に類似して、そ
のデバイスを外部接続する手段として用いること
を意図している。実施例によれば、第５図Ａは、
３個の半導体ダイチツプ組立部品が、共通の端子
に取りつけられた単一の従動コネクタ部材によつ
て一緒に結合されるべき状態を図示している。明
確にするために、半導体ダイチツプ組立部品の詳
細は第５図Ａからは省略されている。ダイチツプ
組立部品の実施例は第５図Ｂ、第５図Ｃに含まれ
ている。従動コネクタ部材１０２の接触手段１０
３ａ，１０３ｂは、２端子デバイス、例えば整流
器にとつて有用な構成を図示している。従動コネ
クタ部材１０２の接触手段１０３ｃは、３端子デ
バイス、例えばサイリスタに対して用いられる接
触構成を図示している。ここでサイリスタでは、
絶縁用スリーブ１２６により包囲される中心制御
ゲートリード線１２５は接触手段１０３ｃの中心
開孔１２７を通過している。多くの半導体ダイチ
ツプがこのような形式にて一緒に結合し得るとい
うことは、当業技術者にとつて容易に明らかにな
るであろう。多数のリード線ともまた適合できる
であろう。

第５図Ｂは、接触手段１０３ａの近傍で第５図
Ａの端子部材１００と従動コネクタ部材１０２の
側面の一部を示し、半導体ダイチツプ１１１及び
接触部分（即ち円板）１１２ａ，１１２ｂから成
る２端子半導体ダイチツプ組立部品１１０を具え
ている。接着手段１１３ａ，１１３ｂ，１１３ｃ
は、接触部分１１２ｂ、半導体ダイチツプ１１
１、接触部分１１２ａ、および従動コネクタ部材
１０２の接触手段１０３ａを一緒に接着結合させ
る。接着手段１１４は、従動コネクタ部材１０２
と端子部材１００を結合する。ここに図示されて
ないがさらに別の接着手段は、例えば第４図Ａの
層７３ａのように、接触部分１１２ｂを基板部材
３１に結合する。

第５図Ｂは、さらに端子部材１００の基底部分
１０８の周辺１００ａの幾つかの可能な配置構成
を図示している、すなわち、位置１０５は接触部
分１１２ａの内部端１１６の右側に配置されてい
る、即ち従動コネクタ部材１０２の中心に更に向
かつて配置されている。位置１０６は、概略的に
は半導体ダイチツプ組立部品１１０の中心線に対
応している。また位置１０７は従動コネクタ部材
１０２の外部周辺もしくは境界１１７を超えて配
置されている。周辺１００ａが位置１０５にある
時に、その従動コネクタ部材１０２は、近似的に
はんだ隅（すみ）肉１２１の位置において、もし
くは接着手段１１３ａ，１１３ｂにおける対応す
る位置において接着手段１１３ｃの故障（破壊）
に帰着する位置１２０において曲がる傾向を有す
ることが見出された。故障（破壊）はまた半導体
ダイチツプ１１１のひび割れ（クラツク）によつ
てもおこり得るものである。周辺１００ａが配置
１０５から外方向に放射状に移動される場合に、
即ち、第５図Ｂにおいて左方向に移動される場合
に、接触手段１０３ａ上の荷重（loading）は増
加的に均一になる。位置１２０において従動コネ
クタ部材１０２が曲がる傾向はなくなり、しかも
接触手段１０３ａの変形によりコンプライアンス
は実質的に得られる。半導体ダイチツプの接触部
１１２ａの内部端（周辺）１１６の実質的に一番
外側（outboard）のいかなる位置も有用である。
しかしながら、もしも境界１００ａが、例えば、
位置１０６の一般的な近傍におけるように、接触
手段１０３ａ上にさらに中心的に配置されるなら
ば、もつとよい結果が得られることが見出されて
いる。周辺１１７を超えて、例えば位置１０７ま
で境界１００ａを伸長することは、それが荷重
（loading）の均一性を更に増加し得るかぎり、接
着の完全性、信頼性、および／もしくは製造上の
歩留りにはそれ以上の著しい改良を生じないであ
ろうし、材料の価格を増加させる結果になるであ
ろう。

第５図Ｃは、接触手段１０３ｃの近傍にて第５
図Ａの端子部材１００及び従動コネクタ部材１０
２の断面、側面の一部分を図示し、しかも更に３
端子の半導体ダイチツプ組立部品１３０を具えて
いる。ダイチツプ組立部品１３０は、半導体ダイ
チツプ１３１、下部接触部分１１２ｂおよび上部
ワツシヤー状の接触部分１３２を備えている。絶
縁スリーブ１２６により被われている制御用リー
ド線１２５は、接触手段１０３ｃ内の開孔１２７
ａと接触部分１３２内の開孔１２７ｂとを通過し
ている。リード線１２５は接着手段１３３ｂによ
りダイチツプ１３１の中心部分１３１ａに取り付
けられている。ワツシヤー状の接触部分１３２は
接着層１３３ａによりダイチツプ１３１の周辺部
部１３１ｂに取り付けられている。接着手段１３
４はワツシヤー状の接触部分１３２を接触手段１
０３ｃに結合するのに便利なように用いられてい
る。他の電気的に導電性の接着手段を使用するこ
とが可能であるけれども、接着層１３３ａ，１３
３ｂ及び１３４は、はんだから成るのが便利であ
る。端子部材１００は、位置１４０において周辺
の囲みが省略されている。第５図Ｂ、第５図Ｃか
ら更に明らかなことは、接触手段１０３ａ，１０
３ｃ上で傾斜した側壁１０４ａ，１０４ｃを与え
ることにより、はんだ隅（すみ）肉１２１，１４
１の形成を増進することである。側壁１０４ａも
しくは１０４ｃが、それぞれダイチツプ接触部分
１１２ａもしくは１３２に結合する場合の隅部
（コーナー）１５０ａ或いは１５０ｂは、接触部
分１１２ａ又は１３２の周辺内にあるようにし、
ダイチツプ１１１又は１３１間でそれぞれ短絡を
引き起こすはんだ（ソルダー）又は他の接着手段
の流出を避けるようにすることが望ましい。

再び第４図Ｂを参照すれば、液化状プラスチツ
クカプセル封入剤がモールド８１内に注入される
場合にはモールド８１上のプラスチツクによつて
実質的に外向きの力が作用される。その圧力はし
ばしば極めて高く、典型的には150−400psi（１−
2.8MPa）であり、かつ液化状プラスチツク材料
には、例えば面４１ａと面８４との間、および面
８２と面４３との間のような合わせ面（mating
surface）の間をつき進むという著しい重要な傾
向がある。モールド内のピーク圧力は、例えば、
面４１ａと８４とを一緒に保持する従動コネクタ
部材３９ａによつて供給される機械的な力を克服
する（overcome）のに充分といえる。これはプ
ラスチツクが端子部材３３ａの外向する面４１ａ
上へおよびタツプ付のねじ切り接続用開孔３４ａ
内へ侵入することを可能にするもので、その両方
とも望ましくないものである。しかしながら端子
部材３３ａ、従動コネクタ部材３９ａ、半導体ダ
イチツプ組立部品５１ａ，５１ｂおよび基板部材
３１の配置は、プラスチツクカプセルの封入剤そ
れ自身が面４１ａと８４、および面４３と８２と
を緊密に接触して保持する傾向を保とうとする正
味の外向きの力８６ｂ，８６ｃを発生するよう
に、液化状プラスチツクカプセルの封入剤は従動
コネクタ部材３９ａの基板部材３１および端子部
材３３ａの内面に対して不平衡な静水圧力（流体
静力学的な力）８６ａを及ぼすようになつてい
る。これらの正味の外向きの力は従動コネクタ部
材３９ａにより与えられた外向きの機械的な力に
付加的に加えられるものである。組合わせられた
時に、これらの整合面（即ち面４１ａと８４、お
よび面４３と８２）は、モールド成形中に一緒に
しつかりと固定状態を維持し、かつどのようなプ
ラスチツクもそれらの間に侵入することがないこ
とを保証する。ここで使用されるように、“正味
の力”或いは、“外向きの力”という語句は組合
わされて整合面を一緒に保持する機械的な力と流
体静力学的な力（静水圧力）との和に関するもの
を意図している。

以下は本発明の方法の実際上の実施例である。
基板プレート３１（第３図）は薄いニツケルめつ
きを適用された、典型的には、0.125インチ（3.2
mm）の銅板から形成される。実装用開孔３１ａ，
３１ｂ、ノツチ３５、突起部分もしくはボス３
６、および任意に自由に選択できるくぼみ５２
は、いかなる機械的な成形手段によつても形成す
ることができる。スタンピング（Stamping）（圧
縮成形）は特に便利である。このような手段は当
業技術分野では周知である。半導体ダイチツプ組
立部品６１は、必要な数の半導体接合と適当な接
触領域を有する、典型的にはシリコンでできた矩
形の半導体ダイチツプを取り上げて、ニツケルめ
つきしてモリブデン円板の間にその半導体ダイチ
ツプをサンドイツチすることにより好都合に形成
することができる。これらは鉛−錫はんだの手段
を用いることにより半導体ダイチツプにうまく適
用して結合される。金属電極を半導体ダイチツプ
に取り付ける手段は当業技術分野で周知である。
従動コネクタ部材３９ａ，３９ｂは、20ミル
（0.5mm）厚の銅製のものであることが好都合であ
る。

第３図、第４図の従動コネクタ手段６２の接触
手段５３ａ，５４ｂ，５４ａ，５４ｂ又は第５図
の１０３ａ，１０３ｂ，１０３ｃは都合のよいこ
とに傾斜状の側壁を有する椀状のくぼみの形式で
与えられている。これら椀状のくぼみは従動コネ
クタ部材３９ａ，３９ｂの厚みのほぼ１ないし３
倍、即ち、従動コネクタ部材３９ａ，３９ｂの厚
さが20ミル（0.5mm）である場合に近似的に20〜
60ミル（0.5−1.5mm）であることが見出されてい
る。望ましくは厚みの１ないし1.5倍を選ぶこと
がより望ましいが、従動コネクタ部材３９ａ，３
９ｂの厚みの１ないし２倍の厚みという上記に比
べてより狭い範囲が好都合である。スタンピング
（圧縮成形）加工はこれらの椀状の接触手段を形
成するのに便利な手段である。また半導体ダイチ
ツプ、ダイ接触および／もしくは接着手段に損傷
を与えることなく、モールド成形動作中に、接触
部分の変形或いは圧搾を促進するように、極めて
溶けやすい軟条件にまで接触手段５３ａ，５３
ｂ，５４ａ，５４ｂおよび／もしくは１０３ａ，
１０３ｂ，１０３ｃを形成することに引続いて、
従動コネクタ手段（部材）６２（例えば３９ａ，
３９ｂ）がアニール（熱処理）されることが望ま
しい。端子部材６３又は１００は薄いニツケルめ
つきプレートで被覆された真鍮から形成されるこ
とが好都合である。側面はぎざぎざのローレツト
切りされてプラスチツクカプセルの封入剤をよく
つかむことができるようにされていて、外部接続
に対して便利な手段を与えるようにタツプ付けさ
れた中心貫通孔穴（central through−hole）が
得られている。この設計の特徴は、端子部材内の
ねじ切り接続用開孔（例えば部材６３内の開孔３
４ａ，３４ｂ）は端子部材を完全に通過し得る
が、モールド成形プロセス期間中は、まだプラス
チツクカプセルの封入剤で閉塞されていないとい
うことにある。これは二つの事情に起因してい
る。即ち、(1)構成部分６０の組立後に従動コネク
タ部材６２は完全に端子部材６３の内面４２ａ，
４２ｂを被覆すること、および(2)モールド中に外
向きの面４１ａ，４１ｂに対して緊密なシール
（密封）が維持されることである。穴をあけ及び
ねじを切るには貫通穴はめくら穴よりもはるかに
安いことから、端子部材６３と１００において貫
通穴を使用することは特に望ましいことである。
従つて本発明における部品の配置構成は構成部品
のより低い価格を与えるものである。

基板３１、半導体ダイチツプ組立部品６１、従
動コネクタ部材６２、および端子部材６３は、配
置されたはんだのプリフオーム（予備的形成）の
ように、その間の接着手段と積層された関係で組
み立てられている。積層された組立部品は、水素
炉を通過して、各構成要素３１，６１，６２およ
び６３から形成された構成部品を一緒に接着され
ることになる。この組立部品の全体としての高さ
はデバイスの所望の仕上げ高さより大きいように
配置構成されている。モールド内において、組立
部品の圧縮の間にその差が縮められることになる
のであろう。従動コネクタ部材は、構成部品を結
合するのに使用される個々の構成部品と接着手段
における通常の厚みの変化と、組立および接着プ
ロセスにおける何らかの僅かの不規則性、とを補
正するのに必要な程度にまで、組立部品がともに
加圧（圧縮）可能でありかつ部材のたわみが可能
であることを両方とも保証している。

接着された組立部品は、基板部材３１の外向き
の面４３と端子部材３３ａ，３３の外向きの面４
１ａ，４１ｂ（第３図、第４図Ａ、及び第４図Ｃ
参照）にかみ合うように用いられるモールド８１
内に挿入されている。外向きの面４１ａ，４１ｂ
と４３とは、端子部材３３ａ，３３ｂと基板部材
３１とを所定の関係に位置合わせ配列されるよう
に、かつまた外向きの面４１ａ，４１ｂ，４３を
カプセル封入剤に露出することを禁止し、他方モ
ールド成形中に端子部材３３ａ，３３ｂ及び基板
部材３１上又はそれを介して作用する外向きの不
平衡な力８６ａ，８６ｂ，８６ｃを与えるよう
に、基板部材３１、端子部材３３ａ，３３ｂおよ
び従動コネクタ部材３９ａ，３９ｂの内側部分を
カプセル封入剤に露出させることを可能にする。
モールドは閉じられ、従動コネクタ部材３９ａ，
３９ｂを加圧（圧縮）し、組立てられた構成部品
６０の高さを予め設定された仕上げ高さ８５にま
で減少させ、外面４１ａ，４１ｂと４３の座
（seating）をモールド面８４と８２に対して高め
る（enhance）ようにする。プラスチツクカプセ
ルの封入剤は、組立てられた構成部品６０を密閉
し、整合用モールド面８４と８２に対して、それ
ぞれ端子３３ａ，３３ｂと基板部材３１との外面
４１ａ，４１ｂと４３を維持するのに必要な外向
きの力８６ｂ，８６ｃを達成するように、加圧状
態でモールド内に注入されているため、従つてカ
プセル封入剤の外面４１ａ，４１ｂと４３上での
侵食は実質的に阻止されている。半導体デバイス
をカプセルに封入するのに適した注入用モールド
材料（封入剤）は、当業技術分野で周知である。
使用される材料に依存し、かつ実験により直ちに
決定され得る、適当なる硬化時間の後に、そのモ
ールドは開封され、最終的な仕上げられたデバイ
スが取り出される。

従つて、本発明に従つて改良された半導体デバ
イス、特に１個以上の半導体ダイチツプを適応す
るように用いられた電力用半導体デバイスが得ら
れ、これは同等の比較すべき従来技術によるデバ
イスよりも少ない構成部品しか必要ないものであ
るということは明瞭である。その上、本発明によ
れば、このようなデバイスの改良された製造方法
において、最小点数の構成部品を使用して、組立
てられ接着された構成部品がモールドの封止中に
モールド面に対して自動的に位置合わせ配置され
て自動密封されるように、構成部品が配置構成さ
れ、またプラスチツクモールドの封入剤（コンパ
ウンド）の注入中に発生された正味の不平衡な力
によつて、自動密封が強化されるような、改良さ
れた製造方法が得られることになる。

本発明はある推奨された材料と形状によつて説
明されているが、当業技術者にとつて容易に明白
と思われることは、発明された構造と方法とは両
方とも他の材料と形状に対しても、また詳細部分
においては異なつていても、種々の部材の間の中
心的な関係を維持し得る相異なる構成の広範囲の
半導体ダイチツプに対しても有用であるというこ
とである。従つて、本発明の特許請求の範囲に含
まれるすべてのこのような変形を包含することが
意図されるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、従来技術に従う、電力用半導体デバ
イスの分解組立図を示す。第２図Ａは、本発明に
従う、改良された半導体デバイスの上面図であ
る。第２図Ｂは、第２図Ａのデバイスの側面の部
分断面図である。第２図Ｃは、第２図Ｂと同様
の、側面の部分断面図であるが、本発明のさらに
別の実施例を図示している。第３図は、本発明の
半導体デバイスの好適な実施例における構成部品
の分解組立図を示す。第４図Ａは、本発明のデバ
イスを構成する組立部品の一部を、極めて詳細
に、かつモールド内に配置され、しかもモールド
封入前の状態で図示している。第４図Ｂは、第４
図Ａと同じ部分であるが、しかしモールド封入後
の状態を図示している。第５図Ａは、本発明のさ
らに別の実施例に従う、端子部材と従動コネクタ
部材の上面図を示す。第５図Ｂは、第５図Ａの端
子部材とコネクタ部材の第１の部分の側面図を図
示し、更に半導体ダイチツプの組立部品を含んで
いる。第５図Ｃは、第５図Ａの端子部材とコネク
タ部材の第２の部分の側面図を示し、更に半導体
ダイチツプの組立部品を含んでいる。 １０，３０……電力用半導体デバイス、１１，
３１……（銅）基板（プレート）部材、１２……
プラスチツクハウジング（容器）、１２ａ，１２
ｂ，１２ｃ，１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，３１ａ，
３１ｂ……（実装用の）開孔、１３……プラスチ
ツクカバー、１４……注入管、１５ａ，１５ｂ，
１５ｃ……（電極）端子、１６ａ，１６ｂ……構
成組立部品、１７……下部電極組立部品、１７ａ
……セラミツク絶縁体、１７ｂ……銅電極（パツ
ド）、１９……中間接続用ストラツプ、１９ａ…
…ラグ（lug）部分、１９ｂ……接続柱（post）、
２０……半導体ダイチツプ組立部品、２０ａ……
半導体ダイチツプ、２０ｂ……編んだ銅製リード
線、２０ｃ……下部接触電極、２１ａ，７１ａ，
７１ｂ，７２ａ，７２ｂ……モリブデン電極（円
板）、２１ｃ……制御リード線、２３……リード
線、３１ａ，３１ｂ……（実装）用開孔、３２…
…プラスチツク本体（body）、３２ａ，３２ｂ，
６０……構成部品、３３ａ，３３ｂ，１００……
端子部材、３４ａ，３４ｂ，１０１……ねじ切り
接続用開孔、３５……ノツチ、３６……突起部分
（ボス）、３９，３９ａ，３９ｂ，１０２……従動
コネクタ部材（又は手段）、４０……表面の領域、
４１，４１ａ，４１ｂ……端子部材の外面、４
２，４２ａ，４２ｂ……内面（端子部材の）、４
３……基板部材３１の外面、５０ａ，５０ｂ，５
１ａ，５１ｂ，６１，１１０，１３０……半導体
ダイチツプ組立部品、５２……くぼみ、５３ａ，
５３ｂ，５４ａ，５４ｂ……接触手段（部材）、
５５ａ，５５ｂ……従動コネクタ部材３９ａ，３
９ｂの面、６２……従動コネクタ部材（手段）、
６３……端子部材（又は手段）、６４ａ，６４ｂ
……（付加的な接触用）突起部、７０ａ，７０
ｂ，１１１，１３１……半導体ダイチツプ、８０
……組立てられた構成部品６０のほぼ半分を構成
する部分、８１，８１ａ，８１ｂ……モールド
（部分）、８２，８４……モールド成形面、８５…
…組立部分の最大高さ、８６ａ，８６ｂ，８６ｃ
……外向きの力、８７……電極又はコンタクトの
離隔距離、８９……基底部分の領域もしくは範
囲、９０……半導体ダイチツプの中心線分離距
離、９１……主本体部分、９２ａ，９２ｂ……点
（ポイント）、９３ａ，９３ｂ，１０４ａ，１０４
ｃ……側壁、９５ａ，９５ｂ……接触（コンタク
ト）手段５４の初期の高さ、９９ａ，９９ｂ，１
２１，１４１……はんだ隅（すみ）肉、７３ａ，
７３ｂ，７４ａ，７４ｂ，７５ａ，７５ｂ，７６
ａ，７６ｂ，７７，１１３ａ，１１３ｂ，１１３
ｃ，１１４，１３３ａ，１３３ｂ，１３４……接
着（ボンデイング）手段又は接着層、１０３ａ，
１０３ｂ，１０３ｃ，１１２ａ，１１２ｂ，１３
２……接触（コンタクト）部分もしくは手段、１
０５，１０６，１０７，１２０，１４０……位
置、１０８……基底部分、１００ａ……１０８の
周辺（境界）、１１６……１１２ａの内部端（周
辺）、１１７……１０２の外部周辺もしくは境界、
１２５……中心制御ゲートリード線、１２６……
絶縁用スリーブ、１２７……中心開孔、１２７ａ
……１０３ｃ内の開孔、１２７ｂ……１３２内の
開孔、１３１ｂ……１３１の周辺部分、１５０
ａ，１５０ｂ……隅部（コーナー）。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 接触部分を有する半導体ダイチツプと、前記
   半導体ダイチツプを支持する第１の面と、カプセ
   ルに封入されたモールドの第１の面に対抗する密
   封用の第２の面とを有する基板部材と、 前記モールドの第２の面に対抗する密封用の第
   １の面を有する端子部材と、 前記端子部材を支持し、かつ前記端子部材を前
   記半導体ダイチツプの前記接触部分に結合させ、
   前記モールドの前記第１の面に対抗する前記基板
   部材の前記第２の面を圧縮し、かつ前記モールド
   の前記第２の面に対抗して前記端子部材の前記第
   １の面を圧縮する従動コネクタ部材と、 前記基板部材、前記半導体ダイチツプ、前記従
   動コネクタ部材および前記端子部材を積層関係に
   て一緒に結合する接着（ボンデイング）手段と、
   及び 前記従動コネクタ部材と前記半導体ダイチツプ
   とを取囲む加圧可能な液状化可能なモールド成形
   封入剤をもつてモールド成形されたプラスチツク
   カプセル、とを具備することを特徴とするプラス
   チツクカプセルに封入された電力用半導体デバイ
   ス。 ２ プラスチツクカプセルの封入剤をしつかりと
   つかまえる１個もしくはそれ以上のプラスチツク
   固定手段を内部に有する基板部材と、 第１の接着手段により離隔した関係にて前記基
   板部材に結合された２個もしくはそれ以上の半導
   体ダイチツプと、 実質的に前記基板部材に垂直に配置構成された
   １つの軸と、前記軸に実質的に垂直でありかつ前
   記基板部材に対向して配置された基底部分、とを
   具備する少なくとも１つの端子部材と、 前記離隔した半導体ダイチツプと前記端子部材
   の前記基底部分とを結合させ、第２の接着手段に
   よつて、前記基底部分に取り付けられ、接触部材
   を前記離隔した半導体ダイチツプの上に位置合わ
   せ配置させ、しかも前記接触部材の各々は、また
   第３の接着手段により前記半導体ダイチツプに結
   合された変形可能な部分を具備する、少なくとも
   １個の従動コネクタ部材とを具え、ここで 前記基底部分は前記離隔した半導体ダイチツプ
   の間で少なくとも広がるのに充分な横方向の広が
   りを有し、しかも前記基板部材、前記少なくとも
   １個の端子部材および前記基板部材と前記端子部
   材の保持用モールドとの間で、モールド成形中に
   外向きの力を与える加圧可能で、かつ液状化可能
   なモールド成形封入剤をもつてモールド成形され
   たプラスチツクカプセルとを具えることを特徴と
   するプラスチツクカプセルに封入された電力用半
   導体デバイス。 ３ 所定の高さを有するプラスチツクカプセルに
   封入された電力用半導体デバイスの製造方法であ
   つて、 接着するのに適合した基板部材、端子部材およ
   び半導体ダイチツプを提供するステツプと、 接着するのに適合し、かつ接着後に、前記基板
   部材、前記半導体ダイチツプ、従動コネクタ部
   材、及び前記端子部材の組み合わされた許容厚さ
   変化を超える最小の追従（コンプライアンス）範
   囲を有する前記従動コネクタ部材を提供するステ
   ツプと、 前記基板部材と、前記半導体ダイチツプと、前
   記従動コネクタ部材および前記端子部材とを積層
   関係にて一緒に接着し、その高さが前記所定の高
   さを超えるフレキシブルで変形可能な組立部品を
   形成する接着ステツプと、 前記基板部材の外向きの面を第１のモールド面
   にかみ合わせ、前記端子部材の外向きの面を対向
   する第２のモールド面にかみ合わせる如く適合し
   たモールド内に前記組立部品（アセンブリ）を挿
   入するステツプと、 前記第１のモールド面に対抗して前記基板部材
   を配置させかつ前記第２のモールド面に対抗して
   前記端子部材を配置させることにより、前記端子
   部材と前記基板部材とを所定の関係に位置合わせ
   配置させ、かつ、前記基板部材と前期端子部材の
   外向きの面をカプセル封入剤に露出させることを
   禁止し、一方前記基板部材の内面と、前記端子部
   材の内面と、前記従動コネクタ部材の内面とを前
   記カプセル封入剤に露出させることを許容し、モ
   ールド形成中に、前記端子部材と前記基板部材と
   の上で外向きの力を与えるステツプと、 前記モールドを密封して、前記従動コネクタ部
   材を加圧して前記位置合わせ配置を増進して、前
   記組立部品の前記高さを実質的に前記高さにまで
   減少させるステツプと、及び、 加圧下にて前記モールド中にプラスチツクカプ
   セルの封入剤を注入し、前記外向きの力を達成
   し、かつ前記モールド面に対して前記外面を維持
   するようにするステツプとからなるステツプの組
   み合わせを含むことを特徴とする所定の高さをも
   つプラスチツクカプセルに封入された電力用半導
   体デバイスの製造方法。