JPH0271A - エキサイマーレーザー光線によるペルフルオロアルキルポリエーテル構造を有する重合体をベースとするフィルムのホトアブレーション法 - Google Patents
エキサイマーレーザー光線によるペルフルオロアルキルポリエーテル構造を有する重合体をベースとするフィルムのホトアブレーション法Info
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- JPH0271A JPH0271A JP63278491A JP27849188A JPH0271A JP H0271 A JPH0271 A JP H0271A JP 63278491 A JP63278491 A JP 63278491A JP 27849188 A JP27849188 A JP 27849188A JP H0271 A JPH0271 A JP H0271A
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- JP
- Japan
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- film
- polyether structure
- excimer laser
- photoabrasion
- perfluoalkyl
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、波長１５３〜３５０ｒ＋＋ｎを有するエキサ
イマーレーザー光線によるペルフルオロアルキルポリエ
ーテル構造を有する高分子材料をベースとする表面被覆
物のホトアブレーション（ｐｈｏｔｏａｂｌａｔｊｏｎ
）法に関する。
イマーレーザー光線によるペルフルオロアルキルポリエ
ーテル構造を有する高分子材料をベースとする表面被覆
物のホトアブレーション（ｐｈｏｔｏａｂｌａｔｊｏｎ
）法に関する。
より詳細には、本発明は、重縮合または重付加反応か可
能な官能基を末端に有するペルフルオロポリエーテルか
ら出発して得られる重合体をベースとする被覆物の局在
化ホトアブレーション法に関する。
能な官能基を末端に有するペルフルオロポリエーテルか
ら出発して得られる重合体をベースとする被覆物の局在
化ホトアブレーション法に関する。
高分子被覆物を被覆表面から除去する方法、例ぇば、機
械的処理（サンドプラスチング、掻取りなど）、熱処理
（火炎）、化学的処理（洗浄および腐食液体を有する浴
）をベースとするものは、技術上既知である。
械的処理（サンドプラスチング、掻取りなど）、熱処理
（火炎）、化学的処理（洗浄および腐食液体を有する浴
）をベースとするものは、技術上既知である。
これらの方法の欠点は、被処理表面か広い時、特にエレ
クトロニクスの分野での応用においてしばしば必要とさ
れるような正確な精度で操作することが必要ではない時
にのみしか有効に利用できないことである。
クトロニクスの分野での応用においてしばしば必要とさ
れるような正確な精度で操作することが必要ではない時
にのみしか有効に利用できないことである。
例えば、プリント回路の分野においては、支持板は、明
瞭な（ｗｅｔ Ｉ−ｄｅｆｉｎｅｄ）部分（その内部で
電気接触を実施すべきである）を除いて、好適な重合体
をベースとする絶縁フィルムで被覆されている。
瞭な（ｗｅｔ Ｉ−ｄｅｆｉｎｅｄ）部分（その内部で
電気接触を実施すべきである）を除いて、好適な重合体
をベースとする絶縁フィルムで被覆されている。
この種の製品を得るために、最も常用されている方法は
、いわゆる「マスキング」である。この方法によれば、
プリント回路用支持板の微小部分（その板を通して電気
接触を実現すべきである）は、被覆工程前に、好適な接
着剤保護物によって保護される。被覆工程の終わりに、
保護物は、除去され、完成品は、所定の用途で使用され
る準備ができている。
、いわゆる「マスキング」である。この方法によれば、
プリント回路用支持板の微小部分（その板を通して電気
接触を実現すべきである）は、被覆工程前に、好適な接
着剤保護物によって保護される。被覆工程の終わりに、
保護物は、除去され、完成品は、所定の用途で使用され
る準備ができている。
マスキング法も、欠点によって影響される。例えば、マ
スキング法は、複雑であり（それゆえ、高価であり）、
支持体を汚染することがある。
スキング法は、複雑であり（それゆえ、高価であり）、
支持体を汚染することがある。
マスキング法の代わりとして、例えば、赤外線レーザー
を利用する方法が、提案されている。このような方法は
、熱効果および基板への顕熱のため明瞭ではない幾何学
的形状を与えるという欠点を有する。本発明者等は、前
記欠点が被覆表面に波長１５４〜３５０ｎｎ＋を有する
エキサイマーレーザー光束（集束または非集束）を照射
することを特徴とするペルフルオロアルキルポリエーテ
ル構造を有する高分子材料をベースとする表面被覆物の
ホトアブレーション法を使用する時に回避できることを
今や見出した（そして、このことが本発明の目的である
）。
を利用する方法が、提案されている。このような方法は
、熱効果および基板への顕熱のため明瞭ではない幾何学
的形状を与えるという欠点を有する。本発明者等は、前
記欠点が被覆表面に波長１５４〜３５０ｎｎ＋を有する
エキサイマーレーザー光束（集束または非集束）を照射
することを特徴とするペルフルオロアルキルポリエーテ
ル構造を有する高分子材料をベースとする表面被覆物の
ホトアブレーション法を使用する時に回避できることを
今や見出した（そして、このことが本発明の目的である
）。
更に、本発明者等は、ペルフルオロアルキルポリエーテ
ルをベースとする被覆物が赤外線レーザーによる照射に
全く抵抗性であり且つ炭素残渣を形成しないことを観察
した。
ルをベースとする被覆物が赤外線レーザーによる照射に
全く抵抗性であり且つ炭素残渣を形成しないことを観察
した。
本発明に係るホトアブレーション法は、残留アクリル基
を有するペルフルオロポリエーテル重合体を除いて、低
強度紫外線に対する抵抗性のためこの用途に適している
ので、前記高分子材料をポジ型ホトレジストとして使用
する時に有利に利用できる。この場合には、いずれにし
ても、対応付加重合体を使用することが可能である。レ
ーザー処理は、このような場合には、ペルフルオロポリ
エーテル重合体をベースとする被覆材料の最終アブレー
ションを構成する。
を有するペルフルオロポリエーテル重合体を除いて、低
強度紫外線に対する抵抗性のためこの用途に適している
ので、前記高分子材料をポジ型ホトレジストとして使用
する時に有利に利用できる。この場合には、いずれにし
ても、対応付加重合体を使用することが可能である。レ
ーザー処理は、このような場合には、ペルフルオロポリ
エーテル重合体をベースとする被覆材料の最終アブレー
ションを構成する。
本発明の目的を達成する方法によれば、薄い高分子材料
層で完全に被覆された表面上で、１平方ミクロンよりも
一層小さく且つホトアブレーション部分の空間的に明瞭
な幾何学的形状を有する微小部分を得ることが可能であ
る。
層で完全に被覆された表面上で、１平方ミクロンよりも
一層小さく且つホトアブレーション部分の空間的に明瞭
な幾何学的形状を有する微小部分を得ることが可能であ
る。
特に、ペルフルオロポリエーテルを本発明の方法で使用
する時には、炭素質残渣は、認められない。この炭素質
残渣は、周知のように、本発明に記載の適用に悪影響を
及ぼす。これに関連して、特にここに添付され且つ本発
明のペルフルオロポリエーテルに関する第１図（倍率４
４倍、光学顕微鏡）を参照すべきである。第２図（倍率
１３倍、光学顕微鏡）は、重合体としてポリスチレンを
使用することによって得られた結果を示す。この場合に
は、炭素質残渣が明らかに認められる。
する時には、炭素質残渣は、認められない。この炭素質
残渣は、周知のように、本発明に記載の適用に悪影響を
及ぼす。これに関連して、特にここに添付され且つ本発
明のペルフルオロポリエーテルに関する第１図（倍率４
４倍、光学顕微鏡）を参照すべきである。第２図（倍率
１３倍、光学顕微鏡）は、重合体としてポリスチレンを
使用することによって得られた結果を示す。この場合に
は、炭素質残渣が明らかに認められる。
本発明の方法は、いかなる種類のフッ素化高分子被覆物
にも利用できるが、最適の被覆物は、本質上物品の適用
に適当である除去抵抗および流れ抵抗を保証するような
粘度を有する架橋または未架橋重合体の形態でペルフル
オロポリエーテル構造を有する高分子材料からなるもの
である。被覆層を形成するのに好適な材料は、特に重合
体を生成できる官能基を有するペルフルオロポリエーテ
ルから出発して重縮合または重付加によって得られる高
分子材料である。
にも利用できるが、最適の被覆物は、本質上物品の適用
に適当である除去抵抗および流れ抵抗を保証するような
粘度を有する架橋または未架橋重合体の形態でペルフル
オロポリエーテル構造を有する高分子材料からなるもの
である。被覆層を形成するのに好適な材料は、特に重合
体を生成できる官能基を有するペルフルオロポリエーテ
ルから出発して重縮合または重付加によって得られる高
分子材料である。
好適な出発ペルフルオロポリエーテルは、下記種類の反
復ペルフルオロオキシアルキレン単位からなるものであ
る： Ｉ）（ＣＦ ＣＦ Ｏ）、（ＣＦ２０）（前記単位
はペルフルオロアルキルポリエーテル鎖に沿つて統計的
に分布されている）； １）＋Ｑは１〜２００である）； （式中、ＸはＦまたはＣＦ ３である）（前記単位はペ
ルフルオロポリエーテル鎖に沿って統計的に分布されて
いる）； （ＣＦＸＯ）（式中、ＸはＦまたはＣＦ ３である）（
前記単位はペルフルオロポリエーテル鎖に沿って統計的
に分布されている）； ■）（ＣＨ２ＣＦ２０Ｆ２０）； ■）（ＣＦ２０Ｆ２０Ｆ２０）； （式中、Ｒ′ ｆはフルオロアルキレン基であり、ｎは
０または１であり、ｐおよびｑは整数であり、■）（Ｃ
Ｆ２０Ｆ２０）。
復ペルフルオロオキシアルキレン単位からなるものであ
る： Ｉ）（ＣＦ ＣＦ Ｏ）、（ＣＦ２０）（前記単位
はペルフルオロアルキルポリエーテル鎖に沿つて統計的
に分布されている）； １）＋Ｑは１〜２００である）； （式中、ＸはＦまたはＣＦ ３である）（前記単位はペ
ルフルオロポリエーテル鎖に沿って統計的に分布されて
いる）； （ＣＦＸＯ）（式中、ＸはＦまたはＣＦ ３である）（
前記単位はペルフルオロポリエーテル鎖に沿って統計的
に分布されている）； ■）（ＣＨ２ＣＦ２０Ｆ２０）； ■）（ＣＦ２０Ｆ２０Ｆ２０）； （式中、Ｒ′ ｆはフルオロアルキレン基であり、ｎは
０または１であり、ｐおよびｑは整数であり、■）（Ｃ
Ｆ２０Ｆ２０）。
種類ＩＩＩ、Ｖｌおよび■の出発ペルフルオロポリエー
テルは、必要ならば、例えば、伊国特許出願第２２９２
０ Ａ／８５号明細書に記載の分離法（このような方法
は好適な官能末端基に容易に転化できる酸末端基−ＣＯ
Ｆを生ずる）を利用することによって両端で官能化でき
る。
テルは、必要ならば、例えば、伊国特許出願第２２９２
０ Ａ／８５号明細書に記載の分離法（このような方法
は好適な官能末端基に容易に転化できる酸末端基−ＣＯ
Ｆを生ずる）を利用することによって両端で官能化でき
る。
本発明に係る被覆重合体を製造するのに好適な官能化ペ
ルフルオロポリエーテルは、例えば、米国特許第３，８
１０，８７４号明細書に記載のものである。
ルフルオロポリエーテルは、例えば、米国特許第３，８
１０，８７４号明細書に記載のものである。
本発明の方法に適したペルフルオロアルキルポリエーテ
ル構造を有する重合体は、例えば、（ａ）ポリウレタン
、 （ｂ）エポキシ樹脂、 （ｃ）ポリアクリレート、 （ｄ）ポリアミド、 （ｅ）ポリイミド である。
ル構造を有する重合体は、例えば、（ａ）ポリウレタン
、 （ｂ）エポキシ樹脂、 （ｃ）ポリアクリレート、 （ｄ）ポリアミド、 （ｅ）ポリイミド である。
前記生成物は、特に、伊国特許第
９０３．４４６号明細書、伊国特許出願第１９．４９７
Ａ／８５号明細書、米国特許第３．８１４．７４１号明
細書に記載されている。
Ａ／８５号明細書、米国特許第３．８１４．７４１号明
細書に記載されている。
また、ペルフルオロポリエーテルが十分に高い分子量を
有し且つ基板への良好な接着を保証する官能基を保有す
るならば、ペルフルオロポリエーテルをそのまま使用す
ることが可能である。
有し且つ基板への良好な接着を保証する官能基を保有す
るならば、ペルフルオロポリエーテルをそのまま使用す
ることが可能である。
問題の官能基は、例えば、欧州特許公告節１６５．６４
９号明細書および第１６５．６５０号明細書に記載のも
のである。
９号明細書および第１６５．６５０号明細書に記載のも
のである。
基板上の被覆層は、好適な既知の方法によって得ること
ができる。例えば、出発未架橋高分子材料（プレポリマ
ー）を適用した後、溶媒を蒸発し、場合によって得られ
た層を既知技術に従って架橋処理（例えば、熱またはＵ
Ｖ照射、水分硬化など）に付すことが可能である。この
ことは、炉開特許出願第２２，６６９Ａ／８５号明細書
、第１９．６２９Ａ／８５号明細書、第 ２０．８７１Ａ／８７号明細書に開示されている。
ができる。例えば、出発未架橋高分子材料（プレポリマ
ー）を適用した後、溶媒を蒸発し、場合によって得られ
た層を既知技術に従って架橋処理（例えば、熱またはＵ
Ｖ照射、水分硬化など）に付すことが可能である。この
ことは、炉開特許出願第２２，６６９Ａ／８５号明細書
、第１９．６２９Ａ／８５号明細書、第 ２０．８７１Ａ／８７号明細書に開示されている。
本発明に係るレーザー光線法によって除去すべきフィル
ムの厚さは、臨界的ではないが、実際の応用のためには
、厚さ１００μ未満を有するフィルムが、一般に使用さ
れるであろう。
ムの厚さは、臨界的ではないが、実際の応用のためには
、厚さ１００μ未満を有するフィルムが、一般に使用さ
れるであろう。
エキサイマーレーザー装置が波長１５４〜３５０ ｎｌ
１１を有するビームを放出するならば、いかなるエキサ
イマーレーザー装置も高分子材料をベースとする表面被
覆物のホトアブレーションに利用できる。
１１を有するビームを放出するならば、いかなるエキサ
イマーレーザー装置も高分子材料をベースとする表面被
覆物のホトアブレーションに利用できる。
例としては、ランブダ・フィシツク製エキサイマーレー
ザー装置、モデルＥＭＧ１０２ （１５４ｔ＋ｍ、１９
３ｎｍ、２４８ｎｍ、 ３０８ｒ＋ｍ、 ３３７ｎｍｓ
３５０ｎｍの波長のビームを放出する）が挙げられる。
ザー装置、モデルＥＭＧ１０２ （１５４ｔ＋ｍ、１９
３ｎｍ、２４８ｎｍ、 ３０８ｒ＋ｍ、 ３３７ｎｍｓ
３５０ｎｍの波長のビームを放出する）が挙げられる。
本発明のホトアブレーション法目的を実施するのに利用
する集束エキサイマーレーザー光線ビームのインパルス
期間は、一般に、１５ｎｓてあり、且つ中継周波数は１
〜１００１１ｚである。
する集束エキサイマーレーザー光線ビームのインパルス
期間は、一般に、１５ｎｓてあり、且つ中継周波数は１
〜１００１１ｚである。
インパルスによって材料に付与されるエネルギーは１０
０ｍＪ未満（ｌｌｌｚ、 １００１１１Ｗでの平均パワ
ー）であり、ピークパワーは１０ワット未満である。
０ｍＪ未満（ｌｌｌｚ、 １００１１１Ｗでの平均パワ
ー）であり、ピークパワーは１０ワット未満である。
しかしながら、はるかに高い周波数およびパワーで操作
することが可能である。例えば、平均パワー１００Ｗを
有するエキサイマーレーザーは、既に入手できる。
することが可能である。例えば、平均パワー１００Ｗを
有するエキサイマーレーザーは、既に入手できる。
本発明の方法を実施する操作法は、レーザービーム装置
の使用に既知のものである。
の使用に既知のものである。
標準大気環境中並びに制御された大気環境中または真空
下で操作することが可能である。レーザーのパワーに応
じて、試料をレーザービームを集中し集束するという機
能を有するレンズの焦点面に入れるか、材料に彫刻すべ
きプロフィルを有するテンプレートを利用することが好
ましいことがある。
下で操作することが可能である。レーザーのパワーに応
じて、試料をレーザービームを集中し集束するという機
能を有するレンズの焦点面に入れるか、材料に彫刻すべ
きプロフィルを有するテンプレートを利用することが好
ましいことがある。
本発明の方法目的を実施するのに利用できる他の光学シ
ステムは、レーザービームを偏向し且つ／または複数の
二次ビームに分裂し且つ場合によって試料の数点に向け
る目的を有する鏡およびビームスプリッタ−、ホトアブ
レーションすべき部分の幾何学的形状用絞りなどである
。
ステムは、レーザービームを偏向し且つ／または複数の
二次ビームに分裂し且つ場合によって試料の数点に向け
る目的を有する鏡およびビームスプリッタ−、ホトアブ
レーションすべき部分の幾何学的形状用絞りなどである
。
若干の例示的非限定例を以下に与えて本発明の理解およ
び実際的応用を容易にする。
び実際的応用を容易にする。
例１
欧州特許出願第２２０，７４０号明細書の例１に記載の
ように製造されたペルフルオロポリエーテルポリウレタ
ンの１０μ厚の層で被覆されたアルミニウムプレート（
５Ｘ１０ｃｍ）をホトアブレーションに付して、ＩＸｌ
、５ｍｍの長方形部分における被覆物を除去した。
ように製造されたペルフルオロポリエーテルポリウレタ
ンの１０μ厚の層で被覆されたアルミニウムプレート（
５Ｘ１０ｃｍ）をホトアブレーションに付して、ＩＸｌ
、５ｍｍの長方形部分における被覆物を除去した。
ランブダ・フィシツク製エキサイマーレーザー装置、モ
デルＥＭＧ １０２を利用した。
デルＥＭＧ １０２を利用した。
レーザービームは、波長２４８ｎｍを有し、インパルス
時間１５ｎｓで放出され、各インパルスの場合に与えら
れるエネルギーは４５ｍＪに等しく、ピークパワーはＢ
ＭＷに等しかった。光線を球面レンズによって所望の形
状および寸法に集束した。表面単位当たりに照射される
エネルギー量と考えられるフルーエンシー（ｒｌｕｅｎ
ｃｙ）は、３ Ｊ ／ ＋：４であった。
時間１５ｎｓで放出され、各インパルスの場合に与えら
れるエネルギーは４５ｍＪに等しく、ピークパワーはＢ
ＭＷに等しかった。光線を球面レンズによって所望の形
状および寸法に集束した。表面単位当たりに照射される
エネルギー量と考えられるフルーエンシー（ｒｌｕｅｎ
ｃｙ）は、３ Ｊ ／ ＋：４であった。
１０μｍ／インパルスに対応する速度での１回照射イン
パルスの適用後に、材料をホトアブレーションした。光
学顕微鏡測定、走査電子顕微鏡測定、Ｘ線光電子分光測
定および伝導率測定によって、ホトアブレーションされ
た部分を囲む部分の実質的変更なしに調べられた部分か
らの高分子膜の完全な除去を確認することが可能であっ
た。
パルスの適用後に、材料をホトアブレーションした。光
学顕微鏡測定、走査電子顕微鏡測定、Ｘ線光電子分光測
定および伝導率測定によって、ホトアブレーションされ
た部分を囲む部分の実質的変更なしに調べられた部分か
らの高分子膜の完全な除去を確認することが可能であっ
た。
ホトアブレーションされた材料を第１図に示す（光学顕
微鏡、倍率４４倍）。
微鏡、倍率４４倍）。
例２
炉開特許出願第２３１８４Ａ／８５号明細書の例１に従
って製造されたペルフルオロポリエーテル−ポリウレタ
ンの１０μ厚の層で被覆されたアルミニウムプレート（
５Ｘ１０ｃｍ）をホトアブレーションに付して、０．５
Ｘ２０ｍの大きさを有する被覆物で線形彫刻を行った。
って製造されたペルフルオロポリエーテル−ポリウレタ
ンの１０μ厚の層で被覆されたアルミニウムプレート（
５Ｘ１０ｃｍ）をホトアブレーションに付して、０．５
Ｘ２０ｍの大きさを有する被覆物で線形彫刻を行った。
ランブダ・フィシツク製エキサイマーレーザー装置、モ
デルＥＭＧ １０２を利用した。
デルＥＭＧ １０２を利用した。
レーザービームは、波長３５０ｒ＋ｍを有し、インパル
ス時間１５ｎｓで放出され、インパルス当たりで与えら
れるエネルギーは３３ＩＩＩＪに等しく、ピークパワー
は２．２ＭＷに等しかった。表面単位当たりに照射され
るエネルギー量と考えられるフルーエンシーは、０．３
３Ｊ／ｃＪに等しかった。
ス時間１５ｎｓで放出され、インパルス当たりで与えら
れるエネルギーは３３ＩＩＩＪに等しく、ピークパワー
は２．２ＭＷに等しかった。表面単位当たりに照射され
るエネルギー量と考えられるフルーエンシーは、０．３
３Ｊ／ｃＪに等しかった。
１０μｍ／インパルスに対応する速度での１回照射イン
パルスの適用後に、材料は、ホトアブレーションを受け
た。光学顕微鏡測定、走査電子顕微鏡測定および伝導率
測定によって、ホトアブレーションされた部分を囲む部
分の実質的変更なしに調べられた部分からの高分子膜の
完全な除去を確認することが可能であった。
パルスの適用後に、材料は、ホトアブレーションを受け
た。光学顕微鏡測定、走査電子顕微鏡測定および伝導率
測定によって、ホトアブレーションされた部分を囲む部
分の実質的変更なしに調べられた部分からの高分子膜の
完全な除去を確認することが可能であった。
例３
シリコンプレートは、欧州特許出願第
１９３．３７０号明細書の例２のジアクリル単量体との
混合物中の前記欧州特許出願第 １９３．３７０号明細書の例１に従って製造されたアク
リル化ペルフルオロポリエーテル単量体の溶液（アクリ
レート／ジアクリレートのモル比２：１）を使用するこ
とによって被覆した。
混合物中の前記欧州特許出願第 １９３．３７０号明細書の例１に従って製造されたアク
リル化ペルフルオロポリエーテル単量体の溶液（アクリ
レート／ジアクリレートのモル比２：１）を使用するこ
とによって被覆した。
ＣＦ Ｃ１−ＣＦＣｌ２中の溶液は、全単量体の１重量
％であり、且つ単量体に対して０，５重量％に等しい二
のベンゾフェノンを光開始剤として含有していた。溶媒
蒸発後、紫外線照射による重合および架橋処理を実施し
た。１０μ厚の被覆層が、このようにして得られた。
％であり、且つ単量体に対して０，５重量％に等しい二
のベンゾフェノンを光開始剤として含有していた。溶媒
蒸発後、紫外線照射による重合および架橋処理を実施し
た。１０μ厚の被覆層が、このようにして得られた。
このようにして被覆されたプレートを前記例２に記載の
ように実施されたホトアブレーション法に付した。
ように実施されたホトアブレーション法に付した。
光学顕微鏡測定、走査電子顕微鏡測定および伝導率測定
によって、ホトアブレーションされた部分を囲む部分の
実質的変更なしに処理部分からの高分子膜の完全な除去
を確認することが可能であった。
によって、ホトアブレーションされた部分を囲む部分の
実質的変更なしに処理部分からの高分子膜の完全な除去
を確認することが可能であった。
第１図は本発明のペルフルオロポリエーテルを使用する
ことによって得られた粒子構造を示す顕微鏡写真、第２
図は本発明の範囲外のポリスチレンを使用することによ
って得られた粒子構造を示す顕微鏡写真である。
ことによって得られた粒子構造を示す顕微鏡写真、第２
図は本発明の範囲外のポリスチレンを使用することによ
って得られた粒子構造を示す顕微鏡写真である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、表面に波長１５４〜３５０ｎｍを有する局在化エキ
サイマーレーザービームを照射することを特徴とする、
ペルフルオロアルキルポリエーテル構造を有する高分子
材料をベースとする表面被覆物のホトアブレーション法
。 ２、被覆高分子材料が、重付加または重縮合反応が可能
な官能基を有するペルフルオロアルキルポリエーテルか
ら出発して製造される、請求項１に記載の方法。 ３、被覆高分子材料が、基板への良好な接着を保証する
官能基を有する高分子量ペルフルオロアルキルポリエー
テルからなる、請求項１に記載の方法。 ４、被覆高分子材料が、ペルフルオロポリエーテル−ポ
リウレタンからなる、請求項２に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT22493/87A IT1223341B (it) | 1987-11-03 | 1987-11-03 | Procedimento di fotoablazione di film a base di polimeri a struttura pergluoroalchilpolieterea, mediante raggi laser ad eccimeri |
| IT22493A/87 | 1987-11-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0271A true JPH0271A (ja) | 1990-01-05 |
Family
ID=11197010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63278491A Pending JPH0271A (ja) | 1987-11-03 | 1988-11-02 | エキサイマーレーザー光線によるペルフルオロアルキルポリエーテル構造を有する重合体をベースとするフィルムのホトアブレーション法 |
Country Status (3)
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