JPH027238A - 光情報記録再生装置 - Google Patents
光情報記録再生装置Info
- Publication number
- JPH027238A JPH027238A JP63156371A JP15637188A JPH027238A JP H027238 A JPH027238 A JP H027238A JP 63156371 A JP63156371 A JP 63156371A JP 15637188 A JP15637188 A JP 15637188A JP H027238 A JPH027238 A JP H027238A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- waveguide
- layer
- light
- optical
- optical system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
- G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
- G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
- G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/34—Optical coupling means utilising prism or grating
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
- G11B7/124—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光情報記録再生装置に関する。
［従来の技術］
光情報記録再生装置、即ち所謂光ピツクアップの一形態
として、導波素子を用いたものが提案されている。導波
素子を用いると光情報記録再生装置を小型軽量化できる
ので近来この型の光情報記録再生装置の実用化が意図さ
れている。
として、導波素子を用いたものが提案されている。導波
素子を用いると光情報記録再生装置を小型軽量化できる
ので近来この型の光情報記録再生装置の実用化が意図さ
れている。
［発明が解決しようとする課題］
このような導波素子を用いた光情報記録再生装置の実用
化を困難にしている問題として導波光学系の問題がある
。
化を困難にしている問題として導波光学系の問題がある
。
即ち、導波光学系は光記録媒体からの反射光が光結合手
段により導波層へ結合されたのち、この導波光を光検出
系へ導くための光学系であるが、従来、論文誌：応用物
理 第４８巻 第３号 第２４１頁以下に示されている
、モードインデックスレンズ、ルネブルクレンズ、ジオ
デシックレンズ、グレーティングレンズ等の使用が意図
されている。
段により導波層へ結合されたのち、この導波光を光検出
系へ導くための光学系であるが、従来、論文誌：応用物
理 第４８巻 第３号 第２４１頁以下に示されている
、モードインデックスレンズ、ルネブルクレンズ、ジオ
デシックレンズ、グレーティングレンズ等の使用が意図
されている。
これらのレンズの内、モードインデックスレンズ、ルネ
ブルクレンズは、その作製過程で必要とされる屈折率制
御に極めて高精度を要求されるが、高精度の屈折率制御
は現在の技術では難しく、量産性の面からして現段階で
は実用化が困難である。
ブルクレンズは、その作製過程で必要とされる屈折率制
御に極めて高精度を要求されるが、高精度の屈折率制御
は現在の技術では難しく、量産性の面からして現段階で
は実用化が困難である。
また、ジオデシックレンズは導波路に窪みをつけて導波
路レンズとするものであり窪み形状が非球面であるとこ
ろから、その加工が難しく製作工程として、精密切削と
これに続く研磨工程を必要とするところから矢張り量産
が難しく、コストの低減化も困難である。
路レンズとするものであり窪み形状が非球面であるとこ
ろから、その加工が難しく製作工程として、精密切削と
これに続く研磨工程を必要とするところから矢張り量産
が難しく、コストの低減化も困難である。
グレーティングレンズは作製は比較的容易であり低コス
トで実現可能であるが、そのレンズ作用が光波長に依存
しており光波長が変化すると焦点距離が変化してしまう
。然るに光情報記録再生装置の光源として普通に用いら
れる半導体レーザーには、周知の如く温度変化による波
長シフトの性質があり、従って、グレーティングレンズ
を用いる場合には、半導体レーザーに対して極めて高精
度の温度制御を行うか、あるいは波長シフトのないＤＦ
Ｂ半導体レーザーを使用する必要があり、これが装置の
大型化や高コスト化を招来してしまうと言う問題がある
。
トで実現可能であるが、そのレンズ作用が光波長に依存
しており光波長が変化すると焦点距離が変化してしまう
。然るに光情報記録再生装置の光源として普通に用いら
れる半導体レーザーには、周知の如く温度変化による波
長シフトの性質があり、従って、グレーティングレンズ
を用いる場合には、半導体レーザーに対して極めて高精
度の温度制御を行うか、あるいは波長シフトのないＤＦ
Ｂ半導体レーザーを使用する必要があり、これが装置の
大型化や高コスト化を招来してしまうと言う問題がある
。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって
、その目的とするところは低コストで容易に実現でき、
しかも普通の半導体レーザーを光源として用い得る新規
な光情報記録再生装置の提供にある。
、その目的とするところは低コストで容易に実現でき、
しかも普通の半導体レーザーを光源として用い得る新規
な光情報記録再生装置の提供にある。
［課題を解決するための手段］
以下、本発明を説明する。
本発明の光情報記録再生装置は、光記録媒体に対して光
情報の記録・再生を行う装置であって、光源と、この光
源からの光を光記録媒体上へ集光させる集光光学系と、
導波素子とを有する。
情報の記録・再生を行う装置であって、光源と、この光
源からの光を光記録媒体上へ集光させる集光光学系と、
導波素子とを有する。
上記導波素子は、導波層と、光記録媒体からの反射光を
上記導波層に結合させるための光結合手段の少なくとも
一部と、光結合手段により導波層に結合した導波光を検
出する光検出系と、上記導波層を導波される導波光を光
検出系へ導く導波光学系とを有する。
上記導波層に結合させるための光結合手段の少なくとも
一部と、光結合手段により導波層に結合した導波光を検
出する光検出系と、上記導波層を導波される導波光を光
検出系へ導く導波光学系とを有する。
そして、上記導波光学系は導波層の端面として形成され
た導波路反射光学系である。
た導波路反射光学系である。
即ち、光源からの光は集光光学系により光記録媒体上に
集光され、光記録媒体により反射されると、光結合手段
により導波素子の導波層に結合される。導波層に結合さ
れた光は導波光として導波され、導波光学系により光検
出系へ導かれる。
集光され、光記録媒体により反射されると、光結合手段
により導波素子の導波層に結合される。導波層に結合さ
れた光は導波光として導波され、導波光学系により光検
出系へ導かれる。
［作 用］
導波光学系は本発明に於いては、上述の如く導波層の端
面として形成された導波路反射光学系であり、導波層を
導波される導波光はこの導波路反射光学系により反射さ
れて光検出系へ導かれる。
面として形成された導波路反射光学系であり、導波層を
導波される導波光はこの導波路反射光学系により反射さ
れて光検出系へ導かれる。
このように、導波光は屈折によらず反射により光検出系
に導かれるので、光波長が変化しても導波路反射光学系
の機能は何ら変化しない。また、導波路反射光学系は導
波層の端面として形成されるので、その作製も容易であ
る。
に導かれるので、光波長が変化しても導波路反射光学系
の機能は何ら変化しない。また、導波路反射光学系は導
波層の端面として形成されるので、その作製も容易であ
る。
［実施例コ
以下、図面を参照しながら具体的な実施例に即して説明
する。
する。
第１図に示す実施例１に於いて、符号１は光源としての
半導体レーザ７、符号２はコリメートレンズ、符号３は
対物レンズ、符号４は光記録媒体としての光ディスク、
符号５は導波素子、符号６は１７４波長板を示している
。
半導体レーザ７、符号２はコリメートレンズ、符号３は
対物レンズ、符号４は光記録媒体としての光ディスク、
符号５は導波素子、符号６は１７４波長板を示している
。
導波素子５は、透明基板５１」二に導波層５２が積層さ
れ、その上に更に直線状格子からなるグレーティングカ
ップラー５３、光検出系５４が設けられている。
れ、その上に更に直線状格子からなるグレーティングカ
ップラー５３、光検出系５４が設けられている。
半導体レーザー１からの光はコリメートレンズ２により
平行光束とされ、導波素子５．１７４波長板６を透過し
て対物レンズ３に入射し、対物レンズ３の作用にて光デ
イスク４上に集光される。従ってこの実施例ではコリメ
ートレンズ２と対物レンズ３とが集光光学系を構成して
いる。
平行光束とされ、導波素子５．１７４波長板６を透過し
て対物レンズ３に入射し、対物レンズ３の作用にて光デ
イスク４上に集光される。従ってこの実施例ではコリメ
ートレンズ２と対物レンズ３とが集光光学系を構成して
いる。
光ディスク４による反射光は、対物レンズ３と１７４波
長板６とを透過後、グレーティングカップラー５３によ
り回折され、導波層５２中を導波され、後述する導波路
反射光学系により光検出系５４に導かれる。
長板６とを透過後、グレーティングカップラー５３によ
り回折され、導波層５２中を導波され、後述する導波路
反射光学系により光検出系５４に導かれる。
第２図は、導波素子５の平面図である。導波素子の透明
基板５］（第１図）は、例えばカラス、石英等の平板で
あり、その一方の面に、透明基板５１よりも高屈折率の
材料、例えばＺｎＳ、 ＺｎＯ，ＣｅＯ□、 ＳｉＮ、
５ｉＯＮ、コーニング７０９５ガラス等を真空蒸着、
スパッタリング、ＣＶＤ法などで製膜して導波層５２を
形成されている。
基板５］（第１図）は、例えばカラス、石英等の平板で
あり、その一方の面に、透明基板５１よりも高屈折率の
材料、例えばＺｎＳ、 ＺｎＯ，ＣｅＯ□、 ＳｉＮ、
５ｉＯＮ、コーニング７０９５ガラス等を真空蒸着、
スパッタリング、ＣＶＤ法などで製膜して導波層５２を
形成されている。
光検出系５４は、第２図に示すように、４つのフォトダ
イオード５４Ａ、 ５４Ｂ、 ５４Ｃ，５４Ｄにより構
成され、各フォトダイオードはアモルファスＳｉ等によ
り形成されている。フォトダイオード５４Ａ、 ５４Ｂ
は対を成して互いに近接し、フォトダイオド５４Ｃ，５
４Ｄも対をなして互いに近接している。第２図で、符号
Ｅで示す位置は、フォトダイオード５４Ａ、 ５４Ｂの
近接部でこれらフォトダイオード５４Ａ、 ５４Ｂの中
間点である。また、符号Ｆで示す位置は、フォトダイオ
ード５４Ｃ，５４Ｄの近接部でこれらフォトダイオード
５４Ｃ，５４Ｄの中間点である。
イオード５４Ａ、 ５４Ｂ、 ５４Ｃ，５４Ｄにより構
成され、各フォトダイオードはアモルファスＳｉ等によ
り形成されている。フォトダイオード５４Ａ、 ５４Ｂ
は対を成して互いに近接し、フォトダイオド５４Ｃ，５
４Ｄも対をなして互いに近接している。第２図で、符号
Ｅで示す位置は、フォトダイオード５４Ａ、 ５４Ｂの
近接部でこれらフォトダイオード５４Ａ、 ５４Ｂの中
間点である。また、符号Ｆで示す位置は、フォトダイオ
ード５４Ｃ，５４Ｄの近接部でこれらフォトダイオード
５４Ｃ，５４Ｄの中間点である。
さて、導波層５１は第２図で、グレーティングカップラ
ー５３の右側の部分が楔状に除去された状態となってお
り、この楔形状の端面のうちの符号５２Ａ、５２Ｂで示
す部分が導波路反射光学系として放物線状に形成されて
いる。第２図のＡ−Ａ断面図を第３図に示す。導波路反
射光学系５２Ａ、 ５２Ｂをなす導波層５２の端面は、
透明基板５１、導波層５２の各表面に対して直交的であ
る。
ー５３の右側の部分が楔状に除去された状態となってお
り、この楔形状の端面のうちの符号５２Ａ、５２Ｂで示
す部分が導波路反射光学系として放物線状に形成されて
いる。第２図のＡ−Ａ断面図を第３図に示す。導波路反
射光学系５２Ａ、 ５２Ｂをなす導波層５２の端面は、
透明基板５１、導波層５２の各表面に対して直交的であ
る。
このような垂直の端面は、成膜した導波層をイオンビー
ムエツチング、反応性イオンビームエツチング等のドラ
イエツチング法にてエツチングすることにより容易に形
成できる。
ムエツチング、反応性イオンビームエツチング等のドラ
イエツチング法にてエツチングすることにより容易に形
成できる。
上述の如く導波路反射光学系５２Ａ、 ５２Ｂの形状は
平面図的に見ると放物線形状であるが、これら２つの放
物線のうち導波路反射光学系５２Ａをなす放物線の焦点
はＥ点であり、導波路反射光学系５２Ｂの描く放物線の
焦点はＦ点である。
平面図的に見ると放物線形状であるが、これら２つの放
物線のうち導波路反射光学系５２Ａをなす放物線の焦点
はＥ点であり、導波路反射光学系５２Ｂの描く放物線の
焦点はＦ点である。
さて、光ディスク４からの反射光はグレーティングカッ
プラー５３により回折されて導波層５２に結合されるが
、半導体レーザー１からの光が光デイスク２上に正しく
合焦しているときは、導波層中を破線で示すように平面
波として導波し、導波路反射光学系５２Ａ、 ５２Ｂに
より全反射され、各反射光はそれぞれ集束光となってフ
ォトダイオード５４Ａ。
プラー５３により回折されて導波層５２に結合されるが
、半導体レーザー１からの光が光デイスク２上に正しく
合焦しているときは、導波層中を破線で示すように平面
波として導波し、導波路反射光学系５２Ａ、 ５２Ｂに
より全反射され、各反射光はそれぞれ集束光となってフ
ォトダイオード５４Ａ。
５４Ｂ及びフォトダイオード５４Ｃ，５４Ｄの方へと導
波される。
波される。
トラッキングも正しく行われているときは、これら集束
光はそれぞれＥ点、Ｆ点に集束するがこの集光は無収差
で行われる。
光はそれぞれＥ点、Ｆ点に集束するがこの集光は無収差
で行われる。
フォトダイオード５４Ａ、 ５４Ｂ、 ５４Ｃ，５４Ｄ
はそれぞれ受光量に応じた出力ａ、 ｂ、 ｃ、 ’ｄ
を出力するが、合焦状態のとき（ａ十ｄ）−（ｂ＋ｃ）
がＯとなる様になっており、この（ａ十ｄ）−（ｂ＋ｃ
）をフォーカス誤差信号として対物レンズ３に対するサ
ーボ制御を行う所謂フーコー法によりフォーカシング制
御を行うことができる。また、トラッキング制御は（ａ
＋ｂ）−（ｃ＋ｄ）をトラック誤差信号とするプッシュ
プル方式で行われる。ＲＦ倍信号（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｃｌ）
として得られる。
はそれぞれ受光量に応じた出力ａ、 ｂ、 ｃ、 ’ｄ
を出力するが、合焦状態のとき（ａ十ｄ）−（ｂ＋ｃ）
がＯとなる様になっており、この（ａ十ｄ）−（ｂ＋ｃ
）をフォーカス誤差信号として対物レンズ３に対するサ
ーボ制御を行う所謂フーコー法によりフォーカシング制
御を行うことができる。また、トラッキング制御は（ａ
＋ｂ）−（ｃ＋ｄ）をトラック誤差信号とするプッシュ
プル方式で行われる。ＲＦ倍信号（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｃｌ）
として得られる。
なお、上に述べたように、導波光は導波路反射光学系５
２Ａ、５２Ｂで全反射されるが、このように全反射を行
わせるためには、導波光に対する導波層５２の等側屈折
率をＮ１、空気の屈折率を１とするとき導波路反射光学
系への入射角θ１が至る所で、θ、≧ｓ ｘｎ−’ （
１７Ｎ １） なる条件を満足するように反射面の形状を定めれば良い
。
２Ａ、５２Ｂで全反射されるが、このように全反射を行
わせるためには、導波光に対する導波層５２の等側屈折
率をＮ１、空気の屈折率を１とするとき導波路反射光学
系への入射角θ１が至る所で、θ、≧ｓ ｘｎ−’ （
１７Ｎ １） なる条件を満足するように反射面の形状を定めれば良い
。
ここで、第１図の実施例に於ける１７４波長板６の使用
に付き説明する。第１図の実施例に於いて１７４波長板
６は光ディスク４からの反射光の導波層５２への結合の
効率を高めるために用いられている。即ち、周知の如く
ある程度ピッチの細かいグレーティングはＰ偏光に対し
ては回折効率が低く、Ｓ偏光に対しては回折効率が高い
。第１図に於いて半導体レーザー１の射出光の偏波面を
図のＸ方向にしておく。するとコリメートレンズ２を介
してグレーティングカップラー５３に入射するときは同
カップラー５３の回折効率が低いので、光は殆どグレー
ティングカップラー５３を透過する。逆に、光ディスク
４からの反射光がグレーティングカップラー５３に入射
するときは、光は１７４波長板６ を往復透過している
ためＳ偏光と成っておリグレーティングカップラー５３
の高い回折効率により効率良く導波層５２に結合される
。
に付き説明する。第１図の実施例に於いて１７４波長板
６は光ディスク４からの反射光の導波層５２への結合の
効率を高めるために用いられている。即ち、周知の如く
ある程度ピッチの細かいグレーティングはＰ偏光に対し
ては回折効率が低く、Ｓ偏光に対しては回折効率が高い
。第１図に於いて半導体レーザー１の射出光の偏波面を
図のＸ方向にしておく。するとコリメートレンズ２を介
してグレーティングカップラー５３に入射するときは同
カップラー５３の回折効率が低いので、光は殆どグレー
ティングカップラー５３を透過する。逆に、光ディスク
４からの反射光がグレーティングカップラー５３に入射
するときは、光は１７４波長板６ を往復透過している
ためＳ偏光と成っておリグレーティングカップラー５３
の高い回折効率により効率良く導波層５２に結合される
。
従って、第１図の実施例に於いて、光結合手段はグレー
ティングカップラー５３と１７４波長板６とにより構成
されており、導波素子５には、光結合手段の一部として
のグレーティングカップラー５３が形成されていること
になる。しかし、上述の如く、１７４波長板６は光の利
用効率を高めるためのものであるので光結合手段の構成
要素として必要不可欠のものと言う訳のものではなく、
場合により、これを省略して良いことは言うまでもない
。
ティングカップラー５３と１７４波長板６とにより構成
されており、導波素子５には、光結合手段の一部として
のグレーティングカップラー５３が形成されていること
になる。しかし、上述の如く、１７４波長板６は光の利
用効率を高めるためのものであるので光結合手段の構成
要素として必要不可欠のものと言う訳のものではなく、
場合により、これを省略して良いことは言うまでもない
。
換Ｅすれば、グレーティングカップラーはそれ自体で光
結合手段を構成し得る。
結合手段を構成し得る。
第１図の実施例では、導波路反射光学系を構成する導波
層の端面は、第３図に示す様に、透明基板５１、導波層
５２の各表面に対して垂直に切り立った形状であったが
、導波路反射光学系を構成する導波層端面は、第４図に
切断端面図として示す様にテーパーを持っていても良い
。
層の端面は、第３図に示す様に、透明基板５１、導波層
５２の各表面に対して垂直に切り立った形状であったが
、導波路反射光学系を構成する導波層端面は、第４図に
切断端面図として示す様にテーパーを持っていても良い
。
この場合テーパー幅△は少なくとも導波光の波長以上で
あることが望ましい。このようなテーパーを持つ導波層
端面を形成する方法としては、ウェットエツチング、あ
るいはイオンビーム等を斜めに照射してドライエツチン
グする方法、あるいは導波層成膜時に透明基板に対して
若干間隙を持った開口を有するマスクを介して製膜する
方法等を挙げることができる。テーパーを持つ導波層端
面を導波路反射光学系として用いる場合、前述の如く全
反射を利用するには、基板の等側屈折率をＮ２として、
入射角０．が至るとろで、θ、≧ｓｉｎ”” （Ｎ２／
Ｎｌ） を満足するようにすれば良い。
あることが望ましい。このようなテーパーを持つ導波層
端面を形成する方法としては、ウェットエツチング、あ
るいはイオンビーム等を斜めに照射してドライエツチン
グする方法、あるいは導波層成膜時に透明基板に対して
若干間隙を持った開口を有するマスクを介して製膜する
方法等を挙げることができる。テーパーを持つ導波層端
面を導波路反射光学系として用いる場合、前述の如く全
反射を利用するには、基板の等側屈折率をＮ２として、
入射角０．が至るとろで、θ、≧ｓｉｎ”” （Ｎ２／
Ｎｌ） を満足するようにすれば良い。
ざらに、第５図に示すように、導波路反射光学系を形成
するために導波層５２を取り除いた部分に、低屈折率層
５９を装荷しても良い。低屈折率層５９は導波層５２よ
りも低屈折率であり、例えばＳｉＯや樹脂等が用いられ
導波路反射光学系の保護の機能も果たす。この低屈折率
層５９の等側屈折率Ｎ３とするとＮ、≦Ｎ３のときは入
射角Ｏ１が至るところでθ、≧５ｉｎ−’ （Ｎ３／Ｎ
ｌ） を満足するように、またＮ ２ ＞ Ｎ ３のときはθ
、≧５ｉｎ−’（Ｎ２／Ｎ＋） を満足するようにすれば全反射を実現できる。
するために導波層５２を取り除いた部分に、低屈折率層
５９を装荷しても良い。低屈折率層５９は導波層５２よ
りも低屈折率であり、例えばＳｉＯや樹脂等が用いられ
導波路反射光学系の保護の機能も果たす。この低屈折率
層５９の等側屈折率Ｎ３とするとＮ、≦Ｎ３のときは入
射角Ｏ１が至るところでθ、≧５ｉｎ−’ （Ｎ３／Ｎ
ｌ） を満足するように、またＮ ２ ＞ Ｎ ３のときはθ
、≧５ｉｎ−’（Ｎ２／Ｎ＋） を満足するようにすれば全反射を実現できる。
勿論、低屈折率層の装荷は、第３図の如きテーパーのな
い、透明基板に対し垂直に切り立った端面に対して行っ
ても良く、この場合の全反射の条件は、 ０、≧ｓｉ、ｎ−’ （Ｎ３／Ｎｌ） である。
い、透明基板に対し垂直に切り立った端面に対して行っ
ても良く、この場合の全反射の条件は、 ０、≧ｓｉ、ｎ−’ （Ｎ３／Ｎｌ） である。
第６図には、実施例２を示す。なお、繁雑を避けるため
混同の恐れがないと思われるものに付いては、第１図以
下、全図面を通じて同一の符号を付する。
混同の恐れがないと思われるものに付いては、第１図以
下、全図面を通じて同一の符号を付する。
実施例２では、第２図に示す様に、半導体レーザー１か
らの光は、発散しっつ導波素子５Ａを透過し、集光光学
系としての対物レンズ３により光デイスク４上に集光す
る。光ディスク４がらの反射光は対物レンズ３により集
束光束となってグレーティングカップラー５３に入射し
、回折により導波層５２に結合され、同層中を第７図に
平面図として示す様に、集束光束（破線にて示す）とな
って導波される。導波路反射光学系５２Ｃ，５２Ｄは、
第７図に示すように、導波層５２を楔状に除去すること
により形成された、直線状の導波層端面である。これら
端面部の形状は、第３図の例の様に透明基板５１に対し
て垂直に切り立ったものでも良いし、第４図に示す例の
ようにテーパーを持っていても良く、またテーパーの有
る無しに拘らず、第５図のように低屈折率層を装荷され
ることができる。
らの光は、発散しっつ導波素子５Ａを透過し、集光光学
系としての対物レンズ３により光デイスク４上に集光す
る。光ディスク４がらの反射光は対物レンズ３により集
束光束となってグレーティングカップラー５３に入射し
、回折により導波層５２に結合され、同層中を第７図に
平面図として示す様に、集束光束（破線にて示す）とな
って導波される。導波路反射光学系５２Ｃ，５２Ｄは、
第７図に示すように、導波層５２を楔状に除去すること
により形成された、直線状の導波層端面である。これら
端面部の形状は、第３図の例の様に透明基板５１に対し
て垂直に切り立ったものでも良いし、第４図に示す例の
ようにテーパーを持っていても良く、またテーパーの有
る無しに拘らず、第５図のように低屈折率層を装荷され
ることができる。
この実施例２の場合は、導波層５２に結合され導波され
る光が、当初から集束性であるので導波路反射光学系５
２Ｃ，５２Ｄは、単に光束の方向を光検出系の方へ偏向
させるのみで良い。勿論、導波路反射光学系５２Ｃ，５
２Ｄの形状を曲線形状として、光検出系に向かう光束の
集束状態を変更しても良く、例えば上記光束をより集束
性にすれば導波路反射光学系と光検出系との距離を短縮
できるので、導波素子５Ａをひいては光情報記録再生装
置を小型化できる。
る光が、当初から集束性であるので導波路反射光学系５
２Ｃ，５２Ｄは、単に光束の方向を光検出系の方へ偏向
させるのみで良い。勿論、導波路反射光学系５２Ｃ，５
２Ｄの形状を曲線形状として、光検出系に向かう光束の
集束状態を変更しても良く、例えば上記光束をより集束
性にすれば導波路反射光学系と光検出系との距離を短縮
できるので、導波素子５Ａをひいては光情報記録再生装
置を小型化できる。
第８図に示す実施例３では、全体の構成は実施例１と同
様であるが、導波素子５Ｂの構成に特徴がある。即ち、
この実施例３に於いて導波素子５Ｂは、８１等の半導体
基板５１Ａを用い、その上にＳｉＯ□等による透明なバ
ッファ層５１Ｂを設け、その上に導波層５２が形成され
、グレーティングカップラー５３は更にその上に設けら
れている。そして、光検出系５４０は、実施例１．２と
同じく４つのフォトダイオードで構成されるが、この例
で各フォトダイオードは、バッファ層５１Ｂを一部エッ
チングによ り除去し、この部分で剥き出しになった半
導体基板５１Ａに不純物を拡散させ、もしくは打ち込ん
で形成されている。半導体基板５１．Ａは半導体レーザ
ー１からの光を通過させる部分が取り除かれて開口部と
なっている。この開口部形成はアルカリエツチング等の
ウェットエツチングや前述のドライエツチングで行えば
良い。
様であるが、導波素子５Ｂの構成に特徴がある。即ち、
この実施例３に於いて導波素子５Ｂは、８１等の半導体
基板５１Ａを用い、その上にＳｉＯ□等による透明なバ
ッファ層５１Ｂを設け、その上に導波層５２が形成され
、グレーティングカップラー５３は更にその上に設けら
れている。そして、光検出系５４０は、実施例１．２と
同じく４つのフォトダイオードで構成されるが、この例
で各フォトダイオードは、バッファ層５１Ｂを一部エッ
チングによ り除去し、この部分で剥き出しになった半
導体基板５１Ａに不純物を拡散させ、もしくは打ち込ん
で形成されている。半導体基板５１．Ａは半導体レーザ
ー１からの光を通過させる部分が取り除かれて開口部と
なっている。この開口部形成はアルカリエツチング等の
ウェットエツチングや前述のドライエツチングで行えば
良い。
導波路反射光学系の形状は、前述した実施例１の放物線
形状を採用でき、また導波路反射光学系をなす導波層端
面の状態も第３図、第４図、第５図の何れかの状態とす
ることができ２る。
形状を採用でき、また導波路反射光学系をなす導波層端
面の状態も第３図、第４図、第５図の何れかの状態とす
ることができ２る。
第９図に示す実施例４に於いて、符号１，２゜３．６は
、実施例１におけると同じく、半導体レーザー、コリメ
ートレンズ、対物レンズ、１７４波長板を示している。
、実施例１におけると同じく、半導体レーザー、コリメ
ートレンズ、対物レンズ、１７４波長板を示している。
この実施例４の特徴は、導波素子５Ｃが反射型である点
にある。即ち、導波素子５Ｃはその構造が実施例３に示
したものと同様の構成となっている。但し、導波素子５
Ｃでは、半導体基板５１Ａは何処も取り除かれていない
。
にある。即ち、導波素子５Ｃはその構造が実施例３に示
したものと同様の構成となっている。但し、導波素子５
Ｃでは、半導体基板５１Ａは何処も取り除かれていない
。
半導体レーザー１は、その偏波面がＹ方向となるように
設定される。半導体レーザー１から放射された光りは、
コリメートレンズ２により平行光束化され、グレーティ
ングカップラー５３を略完全に透過し、導波層５２、バ
ッファ層５１Ｂを介して半導体基板５１Ａに入射し、こ
の基板５１Ａにより反射され、光ディスク４へ向かう。
設定される。半導体レーザー１から放射された光りは、
コリメートレンズ２により平行光束化され、グレーティ
ングカップラー５３を略完全に透過し、導波層５２、バ
ッファ層５１Ｂを介して半導体基板５１Ａに入射し、こ
の基板５１Ａにより反射され、光ディスク４へ向かう。
光ディスク４からの反射光は、１７４波長板６により偏
波面を図面に直交する方向へ変換され、グレーティング
カップラー５３により導波層５２に結合され、導波路反
射光学系により反射されて光検出系５４に検出される。
波面を図面に直交する方向へ変換され、グレーティング
カップラー５３により導波層５２に結合され、導波路反
射光学系により反射されて光検出系５４に検出される。
導波路反射光学系の形状は、前述した実施例１の放物線
形状を採用でき、また導波路反射光学系をなす導波層端
面の状態も第３図、第４図、第５図の何れかの状態とす
ることができる。
形状を採用でき、また導波路反射光学系をなす導波層端
面の状態も第３図、第４図、第５図の何れかの状態とす
ることができる。
第１０図に示す実施例５に於いて、導波素子５Ｄは半導
体基板５１Ａ１バッファ層５１Ｂ、導波層５２、光検出
系５４０１金属クラッド層５１０及びプリズム７により
構成されている。
体基板５１Ａ１バッファ層５１Ｂ、導波層５２、光検出
系５４０１金属クラッド層５１０及びプリズム７により
構成されている。
プリズム７と導波層５２との間の部分では金属クラッド
層５１０は除去されてギャップ層５１１となっており、
このギャップ層５１１は空気もしくは接着剤等で充たさ
れている。半導体レーザー１は、その放射光の偏波面が
Ｙ方向となるように配設され、放射光はコリメートレン
ズ２により平行光束化されてプリズム７に入射し、ギャ
ップ層５１１との境界で全反射し、ギャップ層５１１に
沁みだしたエバネセント波によって導波層５２中に導波
光が励起しないようにする。即ち、Ｙ方向の偏波面では
カップリングしないようになっている。全反射された光
は、１／４波長板６、対物レンズ３を介して光ディスク
４へ入射する。光ディスク４からの反射光は１７４波長
板６により偏波面を９０度旋回されプリズム７に入射し
、ギャップ層５１１の境界で反射される。このときギャ
ップ層５１１へ沁みだしたエバネセント波は効率よく導
波層５２へ結合され、ＴＥモードの波として導波される
。
層５１０は除去されてギャップ層５１１となっており、
このギャップ層５１１は空気もしくは接着剤等で充たさ
れている。半導体レーザー１は、その放射光の偏波面が
Ｙ方向となるように配設され、放射光はコリメートレン
ズ２により平行光束化されてプリズム７に入射し、ギャ
ップ層５１１との境界で全反射し、ギャップ層５１１に
沁みだしたエバネセント波によって導波層５２中に導波
光が励起しないようにする。即ち、Ｙ方向の偏波面では
カップリングしないようになっている。全反射された光
は、１／４波長板６、対物レンズ３を介して光ディスク
４へ入射する。光ディスク４からの反射光は１７４波長
板６により偏波面を９０度旋回されプリズム７に入射し
、ギャップ層５１１の境界で反射される。このときギャ
ップ層５１１へ沁みだしたエバネセント波は効率よく導
波層５２へ結合され、ＴＥモードの波として導波される
。
このようにするためには、導波層５２のＴＥモード及び
冗モードの等側屈折率ＮＴＥ、 ＮＴＭをＮ’ｒゎ≠Ｎ
ＴＭどなるように導波層５２の層厚、屈折率を設定し、
且つ第１０図の光学配置に於いて、プリズム７とギャッ
プ層５１１の境界への入射光がＰ偏光ではカップリング
せず、Ｓ偏光がＴＥモードにカップリングするようにす
る。このためにはプリズム７の屈折率をＮｐ、プリズム
、ギャップ層の境界部への入射角をθｐとすると、 Ｎｐ−５ｉｎ ｅ ＋）：ＮＴＥ ＮＴＥｆ：ＮＴＭ の条件が必要である。
冗モードの等側屈折率ＮＴＥ、 ＮＴＭをＮ’ｒゎ≠Ｎ
ＴＭどなるように導波層５２の層厚、屈折率を設定し、
且つ第１０図の光学配置に於いて、プリズム７とギャッ
プ層５１１の境界への入射光がＰ偏光ではカップリング
せず、Ｓ偏光がＴＥモードにカップリングするようにす
る。このためにはプリズム７の屈折率をＮｐ、プリズム
、ギャップ層の境界部への入射角をθｐとすると、 Ｎｐ−５ｉｎ ｅ ＋）：ＮＴＥ ＮＴＥｆ：ＮＴＭ の条件が必要である。
この実施例では半導体レーザー１からの光は、ギャップ
層とプリズムの境界部で１００％反射され、また、光デ
ィスク４からの反射光は、高効率で導波層５２に結合さ
れる。従って非常に効率の良い光情報記録再生装置とす
ることができる。
層とプリズムの境界部で１００％反射され、また、光デ
ィスク４からの反射光は、高効率で導波層５２に結合さ
れる。従って非常に効率の良い光情報記録再生装置とす
ることができる。
なお金属クラッド層は、光ディスクからの反射光がプリ
ズムカップリングにより導波光となったのち、再びギャ
ップ層を介してプリズム部に戻る所謂デカップリングを
防止するためにプリズムと導波層との間に設けておくの
である。
ズムカップリングにより導波光となったのち、再びギャ
ップ層を介してプリズム部に戻る所謂デカップリングを
防止するためにプリズムと導波層との間に設けておくの
である。
導波路反射光学系の形状は、前述した実施例１の放物線
形状を採用でき、また導波路反射光学系をなす導波層端
面の状態も第３図、第４図、第５図の何れかの状態とす
ることができる。
形状を採用でき、また導波路反射光学系をなす導波層端
面の状態も第３図、第４図、第５図の何れかの状態とす
ることができる。
第１１図、第１２図には、実施例６の特徴部分のみを示
す。これまで説明した実施例では、導波路反射光学系の
形状は、放物線あるいは直線状であって、導波光を全反
射させる形状に形成されていた。
す。これまで説明した実施例では、導波路反射光学系の
形状は、放物線あるいは直線状であって、導波光を全反
射させる形状に形成されていた。
この実施例６では、全反射ではなく通常の反射を利用す
る。即ち、第１１図に示すように、この実施例６では導
波素子５Ｅは、その導波路反射光学系５２Ｅ、 ５２Ｆ
が導波層５２の端面として形成されているが、導波光を
集束性の光束として光検出系５４へ向けて反射する。導
波路反射光学系５２ＥはＥ点を、 また導波路反射光学
系５２ＦはＦ点を焦点とする放物線形状もしくはこれを
近似する円形状である。この導波路反射光学系５２Ｅ、
５２Ｆをなす導波層５２の端面は、第１２図に示す様
に、透明基板５１に対して垂直に切り立っている。この
ような端面ば前述したようにドライエツチングで形成で
きる。この実施例６では、導波路反射光学系への入射条
件が全反射の条件を充たさないので反射面としての導波
層５２の端面に接して、第１２図に示す様に高反射率の
金属、例えばＡｌ、 Ａｇ、 Ａｕ、 Ｃｕ等の高反射
率層５９０を形成している。この金属層の形成は蒸着等
で行なうことができる。また、高反射率層５９０は、金
属の他、誘電体多層膜、その他の高反射率を有する材料
を用いても良い。
る。即ち、第１１図に示すように、この実施例６では導
波素子５Ｅは、その導波路反射光学系５２Ｅ、 ５２Ｆ
が導波層５２の端面として形成されているが、導波光を
集束性の光束として光検出系５４へ向けて反射する。導
波路反射光学系５２ＥはＥ点を、 また導波路反射光学
系５２ＦはＦ点を焦点とする放物線形状もしくはこれを
近似する円形状である。この導波路反射光学系５２Ｅ、
５２Ｆをなす導波層５２の端面は、第１２図に示す様
に、透明基板５１に対して垂直に切り立っている。この
ような端面ば前述したようにドライエツチングで形成で
きる。この実施例６では、導波路反射光学系への入射条
件が全反射の条件を充たさないので反射面としての導波
層５２の端面に接して、第１２図に示す様に高反射率の
金属、例えばＡｌ、 Ａｇ、 Ａｕ、 Ｃｕ等の高反射
率層５９０を形成している。この金属層の形成は蒸着等
で行なうことができる。また、高反射率層５９０は、金
属の他、誘電体多層膜、その他の高反射率を有する材料
を用いても良い。
［発明の効果コ
以上、本発明によれば新規な光情報記録再生装置を提供
できる。この装置は上述の如く、導波層に結合された導
波光を導波路反射光学系により反射させて光検出系へと
導くので、光源からの光に波長変化があってもその影響
を受けない。また導波路反射光学系は、導波層の端面、
として形成されるが、この端面の形成は容易であり、且
つその形状もリソグラフィ等の手法で、容易に正確な形
状を実現できるので高度の光学特性を期待できる。
できる。この装置は上述の如く、導波層に結合された導
波光を導波路反射光学系により反射させて光検出系へと
導くので、光源からの光に波長変化があってもその影響
を受けない。また導波路反射光学系は、導波層の端面、
として形成されるが、この端面の形成は容易であり、且
つその形状もリソグラフィ等の手法で、容易に正確な形
状を実現できるので高度の光学特性を期待できる。
従って、従来の導波素子型の光情報記録再生装置に於い
て問題となっていた、量産性の問題、波長変化に対する
問題が解決され、導波素子型の光情報記録再生装置の実
用化が容易になる。
て問題となっていた、量産性の問題、波長変化に対する
問題が解決され、導波素子型の光情報記録再生装置の実
用化が容易になる。
なお、第５図の構成例に於いて、導波層５２の導波路反
射光学系をなす端面には低屈折率層５９が接合しており
、導波路反射光学系をなす部分への入射条件が全反射の
条件を満足しないときは、導波光の一部は低屈折率層５
９１こも導波される。従ってかかる場合には低屈折率［
５９も導波層と呼びうるものであるが、この場合導波路
反射光学系をなす導波層端面とは、あくまでも導波層５
２の端面であり、この端面ば第５図の構成では低屈折率
層５９との接合面をなす導波、ｌ１５２の端面を意味し
、低屈折率層をも導波層と考えるならば導波層の不連続
面とも称すべきものである。
射光学系をなす端面には低屈折率層５９が接合しており
、導波路反射光学系をなす部分への入射条件が全反射の
条件を満足しないときは、導波光の一部は低屈折率層５
９１こも導波される。従ってかかる場合には低屈折率［
５９も導波層と呼びうるものであるが、この場合導波路
反射光学系をなす導波層端面とは、あくまでも導波層５
２の端面であり、この端面ば第５図の構成では低屈折率
層５９との接合面をなす導波、ｌ１５２の端面を意味し
、低屈折率層をも導波層と考えるならば導波層の不連続
面とも称すべきものである。
第１図は、本発明の１実施例を説明するための図、第２
図は、第１図の実施例の導波素子の平面図、第３図は、
第１図の実施例の導波素子の断端面図、第４図及び第５
図は、導波素子の変形例を説明するための図、第６図及
び第７図は、本発明の別実施例を説明するための図４第
８図は、他の実施例を説明するための図、第９図は１．
さらに他の実施例を説明するための図、第１０図は、さ
らに他の実施例を説明するための図、第１１図及び第１
２図は、さらに他の実施例を説明するための図である。 １１１．光源としての半導体レーザー、２０１．コリメ
ートレンズ、３００．対物レンズ、４００．光記録媒体
としての光ディスク、５１６．導波素子、６．、．１／
４波長板、５２．、、導波層、５３．、、グレーテイン
グカツプラる／ 【 惠２囲 睨 閃 形７閃 、りＺ ちび ち４ 良 ち５ 幕ヂ圀 形６ に
図は、第１図の実施例の導波素子の平面図、第３図は、
第１図の実施例の導波素子の断端面図、第４図及び第５
図は、導波素子の変形例を説明するための図、第６図及
び第７図は、本発明の別実施例を説明するための図４第
８図は、他の実施例を説明するための図、第９図は１．
さらに他の実施例を説明するための図、第１０図は、さ
らに他の実施例を説明するための図、第１１図及び第１
２図は、さらに他の実施例を説明するための図である。 １１１．光源としての半導体レーザー、２０１．コリメ
ートレンズ、３００．対物レンズ、４００．光記録媒体
としての光ディスク、５１６．導波素子、６．、．１／
４波長板、５２．、、導波層、５３．、、グレーテイン
グカツプラる／ 【 惠２囲 睨 閃 形７閃 、りＺ ちび ち４ 良 ち５ 幕ヂ圀 形６ に
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 光源と、この光源からの光を光記録媒体上へ集光させる
集光光学系と、導波素子とを有し、光記録媒体に対して
、光情報の記録・再生を行う装置であつて、 上記導波素子は、導波層と、光記録媒体からの反射光を
上記導波層に結合させるための光結合手段の少なくとも
一部と、光結合手段により導波層に結合した導波光を検
出する光検出系と、上記導波層中を導波される導波光を
光検出系へ導く導波光学系とを有し、 上記導波光学系が導波層の端面として形成された導波路
反射光学系であることを特徴とする、光情報記録再生装
置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156371A JP2644829B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 光情報記録再生装置 |
| US07/367,265 US4971414A (en) | 1988-06-24 | 1989-06-16 | Optical information record/read apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156371A JP2644829B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 光情報記録再生装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1036089A Division JPH026906A (ja) | 1989-01-19 | 1989-01-19 | 導波路光学素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027238A true JPH027238A (ja) | 1990-01-11 |
| JP2644829B2 JP2644829B2 (ja) | 1997-08-25 |
Family
ID=15626291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63156371A Expired - Fee Related JP2644829B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | 光情報記録再生装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4971414A (ja) |
| JP (1) | JP2644829B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009301602A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Konica Minolta Opto Inc | 光学素子、光記録ヘッド及び光記録装置 |
| JP2015034947A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 株式会社豊田中央研究所 | 光学装置 |
| WO2018180913A1 (ja) | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 日本電気株式会社 | 試験用制御装置、光波長多重伝送装置、試験用制御回路および方法、ならびにプログラム記録媒体 |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0394461B1 (en) * | 1988-08-05 | 1995-02-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical head |
| US5081615A (en) * | 1988-12-16 | 1992-01-14 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of coupling external light into an optical waveguide and a guided wave from an optical waveguide and optical pickup employing an optical waveguide |
| JP2749107B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1998-05-13 | 株式会社日立製作所 | 光ヘッド |
| US5091982A (en) * | 1989-07-11 | 1992-02-25 | Ricoh Company, Ltd. | Waveguide type optical detection apparatus |
| US5184322A (en) * | 1990-01-29 | 1993-02-02 | Nathan Okun | Optical storage device with a stationary mass storage medium |
| JPH0834003B2 (ja) * | 1990-03-08 | 1996-03-29 | 直弘 丹野 | 光導波路記憶媒体及び光再生装置 |
| KR940008672B1 (ko) * | 1990-03-26 | 1994-09-24 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 광결합장치 |
| JPH04219657A (ja) * | 1990-04-13 | 1992-08-10 | Ricoh Co Ltd | 光磁気情報記録再生装置及びモードスプリッタ |
| US5121371A (en) * | 1990-06-18 | 1992-06-09 | Bernoulli Optical Systems Company | Optical servo system for magnetic disk |
| US5418765A (en) * | 1991-04-19 | 1995-05-23 | Ricoh Company, Ltd. | Apparatus for recording and reproducing optical information having an optical waveguide |
| JP3018687B2 (ja) * | 1991-12-12 | 2000-03-13 | 松下電器産業株式会社 | 走査型レーザー顕微鏡 |
| JPH05334712A (ja) * | 1992-06-02 | 1993-12-17 | Hitachi Ltd | 光情報処理装置 |
| JP2960819B2 (ja) * | 1992-07-29 | 1999-10-12 | シャープ株式会社 | 光ピックアップ装置 |
| JP3373560B2 (ja) * | 1992-09-29 | 2003-02-04 | 株式会社リコー | 光磁気情報記録再生装置 |
| JP3864428B2 (ja) * | 1995-02-24 | 2006-12-27 | ソニー株式会社 | 光学装置及び記録媒体再生装置 |
| JP2716000B2 (ja) * | 1995-06-23 | 1998-02-18 | 日本電気株式会社 | 光ヘッド |
| KR0166232B1 (ko) * | 1995-11-27 | 1999-03-20 | 배순훈 | 초소형 광 픽-업장치 |
| KR0166233B1 (ko) * | 1995-11-27 | 1999-03-20 | 배순훈 | 초소형 듀얼 포커스 광 픽-업장치 |
| DE19942420A1 (de) * | 1999-09-06 | 2001-03-08 | Zeiss Carl Jena Gmbh | Optischer Strahlenteiler zur Polarisationstrennung von monochromatischem Licht |
| US6580868B2 (en) * | 2001-03-19 | 2003-06-17 | Optiwork, Inc. | High-resolution variable optical attenuator with mechanical adjustment |
| JP2005011478A (ja) * | 2003-04-24 | 2005-01-13 | Ricoh Co Ltd | 回折格子とその作製方法及び複製方法並びにその回折格子を用いた光ヘッド装置及び光ディスクドライブ装置 |
| US20150125110A1 (en) * | 2013-11-04 | 2015-05-07 | Cisco Technology, Inc. | Passively Placed Vertical Optical Connector |
| EP2977801B1 (en) | 2014-07-24 | 2019-11-06 | IMEC vzw | Integrated grating coupler and power splitter |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4699453A (en) * | 1982-11-24 | 1987-10-13 | Magnetic Controls Company | Monolithic fiber optic coupler having total internal reflecting surface |
| US4733065A (en) * | 1984-06-27 | 1988-03-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Optical head device with diffraction grating for separating a light beam incident on an optical recording medium from a light beam reflected therefrom |
| DE3546796C2 (ja) * | 1984-10-01 | 1993-09-23 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo, Jp | |
| DE3536497A1 (de) * | 1984-10-16 | 1986-04-17 | Mitsubishi Denki K.K., Tokio/Tokyo | Vorrichtung zur erfassung von fokussierungsfehlern in einer kopfanordnung fuer optische scheiben |
| US4779259A (en) * | 1985-04-25 | 1988-10-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Optical head assembly with efficient light source coupling surface and method of construction |
| JPS6251047A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 光学式ヘツド装置 |
| EP0258450B1 (en) * | 1986-02-24 | 1992-12-16 | Sony Corporation | Device for detecting focus |
| JPH0642291B2 (ja) * | 1986-08-25 | 1994-06-01 | キヤノン株式会社 | 集積化光ヘツド |
| US4885732A (en) * | 1986-09-02 | 1989-12-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Optical pickup apparatus for detecting and correcting focusing and tracking errors in detected recorded signals |
| DE3788321T2 (de) * | 1986-09-12 | 1994-03-17 | Sharp Kk | Integrierter Abtaster für optische Platte. |
| JP2539406B2 (ja) * | 1987-02-04 | 1996-10-02 | 株式会社日立製作所 | 固体光ピツクアツプ |
| US4801184A (en) * | 1987-06-15 | 1989-01-31 | Eastman Kodak Company | Integrated optical read/write head and apparatus incorporating same |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP63156371A patent/JP2644829B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-06-16 US US07/367,265 patent/US4971414A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009301602A (ja) * | 2008-06-10 | 2009-12-24 | Konica Minolta Opto Inc | 光学素子、光記録ヘッド及び光記録装置 |
| JP2015034947A (ja) * | 2013-08-09 | 2015-02-19 | 株式会社豊田中央研究所 | 光学装置 |
| WO2018180913A1 (ja) | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 日本電気株式会社 | 試験用制御装置、光波長多重伝送装置、試験用制御回路および方法、ならびにプログラム記録媒体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4971414A (en) | 1990-11-20 |
| JP2644829B2 (ja) | 1997-08-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH027238A (ja) | 光情報記録再生装置 | |
| US5208800A (en) | Mode splitter and magneto-optical signal detection device | |
| US5235589A (en) | Apparatus for recording and reproducing optical information and prism coupler | |
| US5070488A (en) | Optical integrated circuit and optical apparatus | |
| JP4022412B2 (ja) | 複合反射プリズム及びこれを採用した光ピックアップ装置 | |
| JP3029541B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JP3456809B2 (ja) | 光導波路素子、光導波路素子への結合方法、光ピックアップ装置 | |
| US5095389A (en) | Beam shaping optical system | |
| US4595261A (en) | Phase retardation element and prism for use in an optical data storage system | |
| JP2728502B2 (ja) | 光集積回路及び光学装置 | |
| JPH0210527A (ja) | 光集積回路 | |
| JP3152456B2 (ja) | 焦点誤差信号検出装置及び光情報記録再生装置並びに光磁気情報記録再生装置 | |
| US5168489A (en) | Recorded data reader employing a polarized beam splitter | |
| JP3393680B2 (ja) | 光ピックアップ | |
| JPS63244333A (ja) | 導波路形光ヘツド | |
| JPH026906A (ja) | 導波路光学素子 | |
| JPS61248244A (ja) | 光学式ヘツド装置 | |
| JP3980677B2 (ja) | 光ピックアップ装置 | |
| JPH01155529A (ja) | 光ピックアップ | |
| JPH02244107A (ja) | 光集積回路 | |
| JPS63229639A (ja) | 光情報記録再生装置 | |
| JPH01171132A (ja) | 光学的情報記録再生装置 | |
| JPH083909B2 (ja) | 光ヘッド及びそれを用いた光ディスク駆動装置 | |
| JPS63183635A (ja) | 光学的情報記録再生装置 | |
| JPH01298552A (ja) | 光磁気情報記録再生装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |