JPH027353A - 高出力放射器 - Google Patents
高出力放射器Info
- Publication number
- JPH027353A JPH027353A JP1006069A JP606989A JPH027353A JP H027353 A JPH027353 A JP H027353A JP 1006069 A JP1006069 A JP 1006069A JP 606989 A JP606989 A JP 606989A JP H027353 A JPH027353 A JP H027353A
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- JP
- Japan
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- dielectric
- electrode
- discharge chamber
- power radiator
- radiator according
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J65/00—Lamps without any electrode inside the vessel; Lamps with at least one main electrode outside the vessel
- H01J65/04—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels
- H01J65/042—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field
- H01J65/046—Lamps in which a gas filling is excited to luminesce by an external electromagnetic field or by external corpuscular radiation, e.g. for indicating plasma display panels by an external electromagnetic field the field being produced by using capacitive means around the vessel
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Vessels And Coating Films For Discharge Lamps (AREA)
- Discharge Lamp (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野:
本発明は斂電条件下にエキシマーを形成する充てんガス
を元てんした放電’l有し、その1つの壁が第1誘電体
によって形成され、その放電岸と反対側の表面に第1電
極を備え、少なくともこの電極および(または)誘電体
が放射透過性であり、さらに加電電流供給のため第1お
よび第2電極へ接続した交流電源を有゛Tる高出力放射
器に関する。
を元てんした放電’l有し、その1つの壁が第1誘電体
によって形成され、その放電岸と反対側の表面に第1電
極を備え、少なくともこの電極および(または)誘電体
が放射透過性であり、さらに加電電流供給のため第1お
よび第2電極へ接続した交流電源を有゛Tる高出力放射
器に関する。
従来の技術:
本発明はこの場合たとえばGe5ellschaftD
eutscher Chemiker Fachgru
ppe Photochemie。
eutscher Chemiker Fachgru
ppe Photochemie。
Wurzburg 1 8.−20. Nov、 1
987の゛第10w4演会でのU、KOgelscha
tzによる@Neue UV−unaVUV−Exci
merstrahler ’と題する講演から明らかな
技術水準に関する。
987の゛第10w4演会でのU、KOgelscha
tzによる@Neue UV−unaVUV−Exci
merstrahler ’と題する講演から明らかな
技術水準に関する。
ヨーロッパ特願87 109 6749(1987年7
月6日)、スイス荷棚2924/86−8(1986年
7月22日)または米国特h071076926(19
87年7月22日)の技術的バックグラウンドおよび技
術水準には前記講演会で紹介されたUV高出力放射器が
詳細に記載されている。
月6日)、スイス荷棚2924/86−8(1986年
7月22日)または米国特h071076926(19
87年7月22日)の技術的バックグラウンドおよび技
術水準には前記講演会で紹介されたUV高出力放射器が
詳細に記載されている。
この高出力放射器は大きい電気的出力密度および高い効
率で動作することができる。その形状は使用するプロセ
スに広範囲に適応可能である。大表面の平面的放射器の
ほかに内側または外側へ放射する円筒形放射器も可能で
ある。放電は高圧(0,1〜10バール)で動作するこ
とができる。この構成によれば1〜50 Kw/m2の
電気的出力密度を実現することができる。放電の電子エ
ネルギー七十分高くできるので、このような放射器の効
率は適当な原子の共鳴線全励起する場合も非常に高い。
率で動作することができる。その形状は使用するプロセ
スに広範囲に適応可能である。大表面の平面的放射器の
ほかに内側または外側へ放射する円筒形放射器も可能で
ある。放電は高圧(0,1〜10バール)で動作するこ
とができる。この構成によれば1〜50 Kw/m2の
電気的出力密度を実現することができる。放電の電子エ
ネルギー七十分高くできるので、このような放射器の効
率は適当な原子の共鳴線全励起する場合も非常に高い。
放射の波長は充てんガスの種類たとえば水銀(185n
m、254nm )、チッ素(337〜415 nm
)、セレン(196,204,206nm)、ヒ素(1
89・193nm)、ヨウ素(183nm)、キセノ7
’(’119,130.147nm)、クリプトン(1
42nm)によって調節することができる。他のガス加
電の場合のように種々のガスの混合物も有利である。
m、254nm )、チッ素(337〜415 nm
)、セレン(196,204,206nm)、ヒ素(1
89・193nm)、ヨウ素(183nm)、キセノ7
’(’119,130.147nm)、クリプトン(1
42nm)によって調節することができる。他のガス加
電の場合のように種々のガスの混合物も有利である。
この放射器の利点は高い効率を有する大きい放射能力の
平面的放射にある。はぼすべての放射が1つまたは少数
の波長帯域に集中している。
平面的放射にある。はぼすべての放射が1つまたは少数
の波長帯域に集中している。
すべての場合に放射が電極の1つを通して射出しうろこ
とが重要である。この問題は透明な導電層によって、ま
たは目の絹かい線網もしくは被僅した導体路を電極とし
て使用することによっても解決することができ、その際
この導体路は、誘電体への電流供給を保証すると同時に
放射に対して十分に透明である。透明電解質たとえばH
2O’i他の電極として使用することもでき、これはと
くに水/排水の熱射に有利である。それはこの方法で発
生した放射が照射すべき液体へ直接達し、この液体が同
時に冷却媒体として役立つからである。
とが重要である。この問題は透明な導電層によって、ま
たは目の絹かい線網もしくは被僅した導体路を電極とし
て使用することによっても解決することができ、その際
この導体路は、誘電体への電流供給を保証すると同時に
放射に対して十分に透明である。透明電解質たとえばH
2O’i他の電極として使用することもでき、これはと
くに水/排水の熱射に有利である。それはこの方法で発
生した放射が照射すべき液体へ直接達し、この液体が同
時に冷却媒体として役立つからである。
発明が解決しようとする課題:
本発明の課題はとくに400 nm〜800 nmの波
長帯域すなわち可視光線の帯域の光#’&放射するよう
に前記概念の高出力放射器を改善することである。
長帯域すなわち可視光線の帯域の光#’&放射するよう
に前記概念の高出力放射器を改善することである。
課題全解決するだめの手段:
この課題を解決するだめ誘電体はルミネセンス層金備え
る。
る。
作用:
本発明は前記特願に記載のUV−高出力放射器と同じ放
電ジオメ) IJに基く。
電ジオメ) IJに基く。
族N室内のエキシマ−ビームによって発生したUVフォ
トンは層へ衝突する際この層を螢光またはリン光発光さ
せ、したがって可視光線が発生する。最近の螢光体によ
ればこの可視光への変換は非常に効率が高い(量子効率
95%まで)。層を誘電体の内面へ設けるのが有利であ
る。というのはそれによって誘電体自体を普通のガラス
のみで形成しうるからでおる。UV透過性材料を備える
UV源に伴うすべての困難はこの場合発生しない。場合
によりルミネセンス層は放電の侵食に対し薄いUV透過
層によって保護しなければならない。
トンは層へ衝突する際この層を螢光またはリン光発光さ
せ、したがって可視光線が発生する。最近の螢光体によ
ればこの可視光への変換は非常に効率が高い(量子効率
95%まで)。層を誘電体の内面へ設けるのが有利であ
る。というのはそれによって誘電体自体を普通のガラス
のみで形成しうるからでおる。UV透過性材料を備える
UV源に伴うすべての困難はこの場合発生しない。場合
によりルミネセンス層は放電の侵食に対し薄いUV透過
層によって保護しなければならない。
所望のUV波長は充てんガスによって選択することがで
きる。たとえばエキシマ−放射分子として希ガス、希ガ
スと・・ロゲン、水銀、カドミウムもしくは亜鉛との混
合物、または強い共鳴線を有するごく少量の金属(水銀
、セレン等)と希ガスの混合物が挙げられ、その際水銀
を含まない充てんガスが排気処理の問題を生じないので
有利である。この方法でたとえば常用螢光管および新し
いガス放電ランプに基くものと同様の特性を有する水銀
放射器を構成することができる。
きる。たとえばエキシマ−放射分子として希ガス、希ガ
スと・・ロゲン、水銀、カドミウムもしくは亜鉛との混
合物、または強い共鳴線を有するごく少量の金属(水銀
、セレン等)と希ガスの混合物が挙げられ、その際水銀
を含まない充てんガスが排気処理の問題を生じないので
有利である。この方法でたとえば常用螢光管および新し
いガス放電ランプに基くものと同様の特性を有する水銀
放射器を構成することができる。
実施例:
次に本発明の実施例を区部により説明する。
第1図の板状高出力放射器は絶縁材料からなるスペーサ
3によって互いに離された、代表的ギャップ幅1〜10
mの7i!2電室4を仕切る石英またはサファイヤ鈑1
と金属板2からなる。石英鈑1の外1111表面はルミ
ネッセンス層5で蔽われ、この層へたて姻またはよこ線
のみが見える比較約0の開きが大きい縁網6が続く、こ
の縁網6および金属板2は放射器の2つの電極を形成す
る。電気的供給はこの電極へ接続した父流電源7によっ
て行われる。電源としては一般にオゾン発生器に関連し
て古くから使用されているものを使用することができる
。
3によって互いに離された、代表的ギャップ幅1〜10
mの7i!2電室4を仕切る石英またはサファイヤ鈑1
と金属板2からなる。石英鈑1の外1111表面はルミ
ネッセンス層5で蔽われ、この層へたて姻またはよこ線
のみが見える比較約0の開きが大きい縁網6が続く、こ
の縁網6および金属板2は放射器の2つの電極を形成す
る。電気的供給はこの電極へ接続した父流電源7によっ
て行われる。電源としては一般にオゾン発生器に関連し
て古くから使用されているものを使用することができる
。
放電岸4は側面が常用法で閉鎖され、閉鎖前に排気され
、不活性ガスまたは放電条件でエキシマ−を形成する物
質たとえば水銀、布ガス、希ガス−金属蒸気混合物、希
ガス−ハロゲン混合物が光てんされ、場合により付加的
に他の希ガス(Ar * He 、 Ne )が緩衝ガ
スとして使用される。
、不活性ガスまたは放電条件でエキシマ−を形成する物
質たとえば水銀、布ガス、希ガス−金属蒸気混合物、希
ガス−ハロゲン混合物が光てんされ、場合により付加的
に他の希ガス(Ar * He 、 Ne )が緩衝ガ
スとして使用される。
放射およびルミネセンス層の所望のスペクトル組成に応
じてこの場合たとえば法衣の物質を使用することができ
る: 光てんガス 放 射 ヘリウム 60〜100 nmネオン
80〜90 nmアルゴン
107〜165nmキセノン
160〜190 nmmフッ素 637〜
415 nmクリプトン 124nm、 1
40〜160nmクリプトン+フッ素 240〜2
55 nm水銀士アルビン 235 nm
ジュウテリウム 150〜250 nmキセノ
ン+フッ素 400〜550 nmキセノン+塩
素 600〜320 nmキセノン+ヨウ素
240〜260 nm上記ガス”またはガス混合物
のほかに希ガス−金属混合物も考えられ、その除強い共
鳴線を有する金属が有利である: 亜鉛 213 nmカドミウム
228.8 nm水@
185 nm 、 254 nm共鳴線−放射器のた
めにはガス混合物中の金属の量はできるだけ自己吸収が
少ししか発生しないように、希ガス量に対し非常に少量
である。
じてこの場合たとえば法衣の物質を使用することができ
る: 光てんガス 放 射 ヘリウム 60〜100 nmネオン
80〜90 nmアルゴン
107〜165nmキセノン
160〜190 nmmフッ素 637〜
415 nmクリプトン 124nm、 1
40〜160nmクリプトン+フッ素 240〜2
55 nm水銀士アルビン 235 nm
ジュウテリウム 150〜250 nmキセノ
ン+フッ素 400〜550 nmキセノン+塩
素 600〜320 nmキセノン+ヨウ素
240〜260 nm上記ガス”またはガス混合物
のほかに希ガス−金属混合物も考えられ、その除強い共
鳴線を有する金属が有利である: 亜鉛 213 nmカドミウム
228.8 nm水@
185 nm 、 254 nm共鳴線−放射器のた
めにはガス混合物中の金属の量はできるだけ自己吸収が
少ししか発生しないように、希ガス量に対し非常に少量
である。
上限の指標値としてこの場合次式:
dXPM<、10トル鵬
〔ここにdは放電室の鴎で示すギャップ幅(代表的には
1〜10鵬)、PMは金属蒸気圧を表わす。〕を示すこ
とができる。
1〜10鵬)、PMは金属蒸気圧を表わす。〕を示すこ
とができる。
HgXe * HgAr + HgKrのようなエキシ
マ−形成によって金属蒸気に上限が形成され、そのため
にはたとえば600トルの希ガス中の1〜20トルのH
gですでに十分である。このエキシマ−は140〜22
0 nmで放射し、非常に効率の高いUV放射器でもあ
る。水銀圧力がもつと高い場合、235nmで放射する
Hg2エキシマ−が形成される。
マ−形成によって金属蒸気に上限が形成され、そのため
にはたとえば600トルの希ガス中の1〜20トルのH
gですでに十分である。このエキシマ−は140〜22
0 nmで放射し、非常に効率の高いUV放射器でもあ
る。水銀圧力がもつと高い場合、235nmで放射する
Hg2エキシマ−が形成される。
下限は約10−2)ル簡である。
形成される静放電(誘電性障壁の放電)中の電子のエネ
ルギー分布は7i!2電室のギャップ幅、圧力および(
または)温度の変化によって最選に調節することができ
る。
ルギー分布は7i!2電室のギャップ幅、圧力および(
または)温度の変化によって最選に調節することができ
る。
非常に波長の短い放射に対してはたとえばフッ化マグネ
シウムおよびフッ化カルシウムのような板材料も使用さ
れる。縁網の代りに透明な導電層が存在してもよく、そ
の際可視光用には酸化インジウムまたは酸化スズ、回状
およびUV光用に厚さ50〜100大の金層を使用する
ことができる。
シウムおよびフッ化カルシウムのような板材料も使用さ
れる。縁網の代りに透明な導電層が存在してもよく、そ
の際可視光用には酸化インジウムまたは酸化スズ、回状
およびUV光用に厚さ50〜100大の金層を使用する
ことができる。
ルミネセンス層5はとくに最近の螢光体すなわち95%
までの量子効率を可能とする希土類をドープした発光物
質からなる( Phys、B1+ 42(19B6)、
m5、P、128〜163とくにP、132のE、Ka
uerおよびJSchnedlerによる@M6gli
chkeiten und G′renzen der
Lichter−zeugung ’参照)0 利用可能の放射tはぼ2倍にするため、金属電極2自体
はUV反射材料たとえばアルミニウムからなり、または
UV反射N8を備える。
までの量子効率を可能とする希土類をドープした発光物
質からなる( Phys、B1+ 42(19B6)、
m5、P、128〜163とくにP、132のE、Ka
uerおよびJSchnedlerによる@M6gli
chkeiten und G′renzen der
Lichter−zeugung ’参照)0 利用可能の放射tはぼ2倍にするため、金属電極2自体
はUV反射材料たとえばアルミニウムからなり、または
UV反射N8を備える。
第2図の実施例は第1スの例とは層の順序が異なるだけ
でおる。ルミネセンス層5は板1の放電〒4側の表面に
あり、とくに保護層9によって放電侵食に対して保護さ
れる、この層はUV透過性でなければならず、たとえば
フッ化マグネシウム(MgF 2 )またはAl2O3
からなる。このような層は公知のスパッタリング(イオ
ンスパッタリング)によって設けられる。
でおる。ルミネセンス層5は板1の放電〒4側の表面に
あり、とくに保護層9によって放電侵食に対して保護さ
れる、この層はUV透過性でなければならず、たとえば
フッ化マグネシウム(MgF 2 )またはAl2O3
からなる。このような層は公知のスパッタリング(イオ
ンスパッタリング)によって設けられる。
この実施例では誘電体(板1)を通過する前にUV−可
視光の変換が行われるので、板1は普通の光透過性材料
たとえばガラスからなることができる、 第3図の高出力放射器は可視光を両側へ放射する。放電
室4は両側がUV透過材料たとえば石英またはサファイ
ヤガラスからなる板110によって仕切られる。、2つ
の外側表面はルミネセンス層5または11によって蔽わ
ルる。
視光の変換が行われるので、板1は普通の光透過性材料
たとえばガラスからなることができる、 第3図の高出力放射器は可視光を両側へ放射する。放電
室4は両側がUV透過材料たとえば石英またはサファイ
ヤガラスからなる板110によって仕切られる。、2つ
の外側表面はルミネセンス層5または11によって蔽わ
ルる。
電極はそれぞれ交流電源7と接続した縁網6または12
によって形成される。第1および2図の実施例と同様練
絹6,12はたとえば酸化インジウムまたは酸化スズか
らなる透明導電層、可視光およびUV用には厚さ50〜
100スの金層に煮替えることもできる。
によって形成される。第1および2図の実施例と同様練
絹6,12はたとえば酸化インジウムまたは酸化スズか
らなる透明導電層、可視光およびUV用には厚さ50〜
100スの金層に煮替えることもできる。
第2図の場合と同様ここでもルミネセンス層5および1
1を誘電体板1.10の放電室4に面する表面に設置し
、これk MgF2またはAl2O3の保護層9または
13によって7i!2電侵食に対し保護することができ
る。第2図のようにこの場合も誘電体すなわち81.1
0はガラスからなることができる。
1を誘電体板1.10の放電室4に面する表面に設置し
、これk MgF2またはAl2O3の保護層9または
13によって7i!2電侵食に対し保護することができ
る。第2図のようにこの場合も誘電体すなわち81.1
0はガラスからなることができる。
第5図には円筒形高出力放射器の断面が示される。金属
管14(内側電極)は誘電体管15によって同心に離れ
て(1〜10鵡)包囲される。管15の外側表面はルミ
ネセンス層16を備える。この層に縁網17の形の外側
電極が続く、、又流電源7は画電極14.17と接続さ
れる。金属管14はアルミニウムからなり、またはUV
光を反射するアルミニウム)*18 k備よる。
管14(内側電極)は誘電体管15によって同心に離れ
て(1〜10鵡)包囲される。管15の外側表面はルミ
ネセンス層16を備える。この層に縁網17の形の外側
電極が続く、、又流電源7は画電極14.17と接続さ
れる。金属管14はアルミニウムからなり、またはUV
光を反射するアルミニウム)*18 k備よる。
第6図の実施例によればルミネセンス層16は管15の
内壁に設けられ、放電呈4に対しMgF2 ’*たはA
I!203の保¥Ii層19で蔽われる〇必要に応じて
管14の内部全通して冷却媒体を導くことができる。充
てんガスおよびルミネセンス層の種類および組成は前記
実施例と同様である。
内壁に設けられ、放電呈4に対しMgF2 ’*たはA
I!203の保¥Ii層19で蔽われる〇必要に応じて
管14の内部全通して冷却媒体を導くことができる。充
てんガスおよびルミネセンス層の種類および組成は前記
実施例と同様である。
本発明はとくに可視光の発生に適する。しかし充てんガ
スおよび(または)ルミネセンス層の組成に応じて1つ
の波長のUV放射を他の波長のUV放射に変換すること
もできる。
スおよび(または)ルミネセンス層の組成に応じて1つ
の波長のUV放射を他の波長のUV放射に変換すること
もできる。
41図面のf!i’i単な説明
第1図は片1111に放射する平面的放射器の断面図、
第2図はルミネセンス層を内側に1絹える第1南と同様
の放射器の断面図、第6図は両τlllへ放射する平面
的放射器の断面図、第4図は内側にルミネセンスW5を
有する第6図と同様の放射器の断面図、第5図は外11
11へ放射する円筒形放射器の断面図、第6図は内41
1tlにルミネセンス層全備える第5図と同様の放射器
の断面図である。
第2図はルミネセンス層を内側に1絹える第1南と同様
の放射器の断面図、第6図は両τlllへ放射する平面
的放射器の断面図、第4図は内側にルミネセンスW5を
有する第6図と同様の放射器の断面図、第5図は外11
11へ放射する円筒形放射器の断面図、第6図は内41
1tlにルミネセンス層全備える第5図と同様の放射器
の断面図である。
1.10.15・・・誘電体、2,14・・・金属電極
、3・・スペーサ、4・・・放電歴、5.11.16・
・・ルミネセンス層、6,17・・・縁網、7・・・電
源、8・・・U ■反射層、 9・・・像画層。
、3・・スペーサ、4・・・放電歴、5.11.16・
・・ルミネセンス層、6,17・・・縁網、7・・・電
源、8・・・U ■反射層、 9・・・像画層。
Fig、3
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、放電条件のもとにエキシマーを形成する充てんガス
を充てんした放電室(4)を有し、その1つの壁が誘電
体(1)によつて形成され、この誘電体の放電室と反対
側の表面が第1電極(6)を備え、少なくともこの電極
および(または)誘電体が放射透過性であり、第2電極
(2)が放電室を直接または間接的に仕切り、さらに前
記電極(6、2)へ接続した交流電源を有する高出力放
射器において、誘電体がルミネセンス層(5)を備えて
いることを特徴とする高出力放射器。 2、放電室(4)の両側が誘電体(1、10)によつて
仕切られ、両方の誘電体がルミネセンス層(5、11)
を備えている請求項1記載の高出力放射器。 3、ルミネセンス層が誘電体(1、10)の外側表面に
配置されている請求項1または2記載の高出力放射器。 4、ルミネセンス層(5、11)が内側表面に配置され
、保護層(9、13)によつて放電侵食に対して保護さ
れている請求項1または2記載の高出力放射器。 5、電極が線網(6)または放射透過性の導電層からな
る請求項1から4までのいずれか1項記載の高出力放射
器。 6、充てん媒体が水銀、チッ素、セレン、ジュウテリウ
ムまたはこれらの物質相互もしくは希ガスとの混合物で
ある請求項1から5までのいずれか1項記載の高出力放
射器。 7、充てんガスが添加物としてイオウ、亜鉛、ヒ素、セ
レン、カドミウム、ヨウ素または水銀を含む請求項6記
載の高出力放射器。 8、金属電極(2)および誘電体(1)が板状に形成さ
れ、金属電極(2)が誘電体板(1)からスペーサ(3
)によつて離されている請求項1、3および4のいずれ
か1項記載の高出力放射器。 9、金属電極(14)および誘電体(15)が管状に形
成され、その間に放電室(4)が形成されている請求項
1、3または4のいずれか1項記載の高出力放射器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH152/88A CH675504A5 (ja) | 1988-01-15 | 1988-01-15 | |
| CH152/88-7 | 1988-01-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH027353A true JPH027353A (ja) | 1990-01-11 |
| JPH0787093B2 JPH0787093B2 (ja) | 1995-09-20 |
Family
ID=4180433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1006069A Expired - Fee Related JPH0787093B2 (ja) | 1988-01-15 | 1989-01-17 | 高出力放射器 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4983881A (ja) |
| EP (1) | EP0324953B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0787093B2 (ja) |
| CA (1) | CA1310686C (ja) |
| CH (1) | CH675504A5 (ja) |
| DE (1) | DE3855074D1 (ja) |
Cited By (16)
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