JPH0273617A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPH0273617A
JPH0273617A JP63224712A JP22471288A JPH0273617A JP H0273617 A JPH0273617 A JP H0273617A JP 63224712 A JP63224712 A JP 63224712A JP 22471288 A JP22471288 A JP 22471288A JP H0273617 A JPH0273617 A JP H0273617A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
exposure
blade
angle
view
length
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63224712A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobutoshi Mizusawa
水澤 伸俊
Ryuichi Ebinuma
隆一 海老沼
Takuo Kariya
刈谷 卓夫
Isamu Shimoda
下田 勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP63224712A priority Critical patent/JPH0273617A/ja
Priority to EP89309117A priority patent/EP0358521B1/en
Priority to DE68922945T priority patent/DE68922945T2/de
Publication of JPH0273617A publication Critical patent/JPH0273617A/ja
Priority to US08/062,151 priority patent/US5390227A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems
    • G03F7/702Reflective illumination, i.e. reflective optical elements other than folding mirrors, e.g. extreme ultraviolet [EUV] illumination systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、原版のパターンを露光ビームにより対向する
基板に焼きつける露光装置に関し、特に、露光ビーム制
限手段の大きさを必要最小限として部品間の干渉を防止
しスペースの有効利用を図った露光装置に関する。
[従来の技術] 半導体製造等に使用される露光装置では、マスクあるい
はレチクルとよばれる原版上に描かれたパターンを、露
光ビームによりウェハやガラス等の基板上に投影し、こ
れらの基板上に塗布されたレジストを前記パターンに応
じて感光させ転写するという工程が行われる。この場合
、マスクやレチクルに照射される露光ビームのうち不要
な部分がマスクやレチクルに到達しないように露光ビー
ムを制限する手段が設けられることがある。
たとえば、集積回路パターンの露光では、正方形または
長方形の形をした回路パターンの回りのスクライブライ
ンと呼ばれる幅50〜100 μmのライン上にマスク
とウェハのアライメントを行うためのアライメントマー
クが配置されているが、このようなマスクの全面に露光
ビームを照射すると、回路パターンだけでなく、スクラ
イブライン上のアライメントマークも回路パターンと同
様にウェハに焼き付けられることになる。これを避ける
ために、一般に、直線状のエツジを有するブレードで、
スクライブラインを覆い、露光ビームがスクライブライ
ンに当たらないようにする方法がとられている。
また特に、X線露光装置においては、マスクに照射され
る光は、他の露光装置と異なり、反射せずマスクに吸収
され熱に交換されて歪を発生するので、マスクにできる
だけ不要な光が照射されないように、露光ビームを制限
する手段を設けるのが一般的である。
[発明が解決しようとする課題] しかしながら、上記従来例では、回路パターンのサイズ
に応じて露光ビームを制限すべき領域が変化するため、
回路パターンのサイズに応じてブレードの位置を移動し
位置決めする必要がある。
すなわち、ブレードを一定方向に移動するための案内機
構およびこれを駆動するためのアクチュエータが必要と
なり、装置全体の構成が複雑となる。
また、上記の位置決めには高い精度が要求されるため、
剛性が高く真直度の高い案内機構および分解能の高い位
置検出手段が必要となり、装置重量およびコストの増加
を招く。
そこで、スクライブライン上のアライメントマークに対
応して位置決めを行う機能を本来有しているアライメン
トユニット上にブレードを搭載する方法が考えられてい
る。しかしながら、アライメントユニットは、画角サイ
ズの変化や、スクライブライン上のアライメントマーク
の描かれている位置に応じて2次元的に移動するため、
スクライブラインと直交する1軸のみを有し移動する従
来のマスキングブレードに比べ、実装するうえで、隣接
するブレードが干渉したり、ブレードが移動する空間に
は他の部品が実装できなくなる等の問題が発生する。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するため本発明では、原版のパターンを
基板上に転写する露光手段と、該露光手段が発する露光
ビームを最大露光画角を照射するのに必要十分な画角に
制限する第1の露光ビーム制限手段と、原版のアライメ
ントマークと基板のアライメントマークとのずれ量を検
出するずれ検出手段と、原版のアライメントマーク位置
に応じて該ずれ検出手段を移動して位置決めする移動手
段と、該ずれ検出手段に固定された板状のブレードを有
しこれによりさらに適切な画角に露光ビームを制限する
第2の露光ビーム制限手段とを備えた露光装置において
、該ブレードの画角を規制するエツジに直交する方向の
長さが、最大露光画角を照射するに必要十分な画角の該
方向長さを11、最小露光画角の該方向長さをJZ、I
nとすればいl tx−IL sln ) / 2より
わずかに大きく、また、上記ずれ検出手段が上記移動手
段により上記エツジに沿った方向に移動する距離をj!
 !TOとすれば、該エツジに沿った方向の該ブレード
の長さは1□X + J211ア。よりわずかに大きく
、かつ隣接するブレードは高さを違えて上記ずれ検出手
段に取り付けられているようにしている。
[作用] この構成において、露光に際して露光ビームが照射する
画角(照射範囲)は原版の回路パターンのサイズに応じ
て最大露光画角から最小露光画角まで変化しつるととも
に、原版のスクライブライン上のアライメントマーク位
置もこれらに伴って2次元的に変化する。そして、露光
に先立つアライメントにおいて、ずれ検出手段は前記ア
ライメントマーク検出のためにその位置の変化に対応し
て移動する。したがって、ブレードも同様に移動するの
で、常にブレードによりスクライブライン領域等の露光
不要部分をアライメントマークとの位置関係において一
定の領域を覆うことができる。また、ブレードの寸法は
上記のように限定しているので、画角の変化しつる全範
囲について露光不要部分を覆うのに十分かつ最小限の寸
法となっており、無駄なスペースを最小限としている。
すなわち、検出手段の任意の位置決めに対して露光ビー
ムの制限が適切に行なわれる。
[実施例] 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は本発明の一実施例に係る露光装置の主要部を示
し、本発明の特徴を最もよく表す斜視図である。同図に
おいて、MSKはマスク、SLNはマスクMSKのスク
ライブライン相当のパターン、AMKはパターンSLN
上のアライメントマーク、ABMはアライメントビーム
、AAU 1はアライメントマークAMKにアライメン
トビームABMを投光し、図示しないウェハ上のアライ
メントマークとマスクMSK上のアライメントマークA
MKとのずれを検出するアライメントユニット、SPT
はアライメントユニットが固定されている支持部材であ
る。LDはアライメントビームABMの光源であるとこ
ろの半導体レーザーの収納部、SENはアライメントマ
ークAMKから返ってくる光学的ずれ信号を電気信号に
変換する受光センサの収納部である。アライメントユニ
ットAAU i内には、コリメータレンズ、ビームスプ
リッタ、受光レンズ等の光学部品が収められている。B
LDIは、図中、矢印の方向から照射される露光ビーム
EXBのマスクMSKへの照射領域を制限するブレード
である。ブレードBLDIはアームARMを介して支持
部材SPTに固定されている。STGは直交する2軸の
案内と駆動手段および位置検出手段から構成されるステ
ージユニットであり、支持部材SPTはこのステージユ
ニットSTGに結合されており、アライメントビームA
BMがマスク上のアライメントマークAMKに位置決め
できるように構成されている。実際のシステムでは、図
示されていないが、以上説明した一連の構成と同一のユ
ニットが4箇、4本の各スクライブライン上のアライメ
ントマークAMKに対応して設けられる。従って1つの
露光装置には4枚のブレード(BLDI〜BLD4)と
4つのアライメントユニット(AAUI〜AAU4)が
取り付けられる。以後の説明においては、これら4つの
うち特定の1つを指定しない場合は、ブレードにはBL
Dを、アライメントユニットにはAAUの記号を使用す
る。
第2図は第1図において示したブレードBLDと、露光
ビームEXBとの関係を横方向より模式的に示す図であ
る。露光ビームEXBは、はじめに、固定アパーチャF
APにより制限を受け、図示のごとく、その画角を1E
XBからjlEXへと減少し露光ビームEXBFとなる
。1□8はこの装置における露光最大画角を示しており
、固定アパーチャFAPの開口寸法は、露光ビームEX
BFが点線で示されるように露光最大画角の若干外側ま
で照射するように決定されている。固定アパーチャFA
Pを通過した露光ビームEXBFは、さらにアライメン
トユニットAAU上に固定されたブレードBLDにより
制限され、露光ビームEXBBとなる。この露光ビーム
EXBBがマスクMSK上に到達する画角の大きさはI
t EXI!1Bとなる。
第3図は、アライメントマークとブレードの関係を模式
的に示すものであり、同図(a)は光源側からみた平面
図、同図(b)はその側面図である。
スクライブラインSLN上に描かれたアライメントマー
クAMKにアライメントビームABMがアクセスする位
置にアライメントユニットAAUが位置決めされた時、
露光ビームEXBBが、スクライブラインSLHの外縁
のわずか外側をブレードBLDのエツジEDGが遮光す
るように、ブレードBLDはアライメントユニットAA
Uに対して固定されている。
同図(a)において%flSTGは、スクライブライン
SLN上に設けられたアライメントマークAMKの中心
の存在する領域を示している。ブレードBLDのエツジ
EDG方向の長さXWは、最大露光画角をfL 、、X
X IL 、、、xとしたとき、u、、ix+j! 1
7G+αとし、また、ブレードBLDのエツジEDGと
直交する方向の長さjl15は最小露光画角をfL m
ln としたとき、(u EX  1−+n) / 2
+αとする。αは組立誤差、位置決め誤差、回折等を考
慮した値であり、例えばα= 1 mm程度である。
以上のような構成において、画角サイズが変化する場合
について述べる0画角の変化に伴いスクライブラインS
LNはブレードBLDのエツジEDGと直交する方向に
移動し、同時にスクライブライン上のアライメントマー
クAMKも当然のことながらブレードBLDのエツジE
DGと直交する方向に移動する。第4図(a)は、最大
露光画角1 、、、におけるブレードBLDの位置を、
同図(b)は、最小露光画角11oにおけるブレードB
LDの位置を示す。同図に示すごとく寸法L8を(fL
zx−JZ、+n)/2+αとしたので、画角の大きさ
に応じてアライメントユニットAAUが移動しブレード
BLDの位置決めがなされると、エツジEDGは、第3
図に示した、アライメントマークAMKと露光ビームE
XBBの関係を保ちながら遮光を行うことができる。最
小露光画角においても、ブレードBLDのエツジEDG
とは反対側のエツジEDGBが固定アパーチャFAPに
よって制限される画角l1exx i EXの内側とな
ることはなく、露光画角以外の部分を完全に遮光してい
る。
次に、スクライブラインSLN上のアライメントマーク
AMKの位置がスクライブラインSLHに沿って変化す
る場合について述べる。アライメントマークAMKの描
かれる位置が、スクライブラインSLHに沿って移動す
ると、それに伴いアライメントユニットAAUもスクラ
イブラインSLHに平行に移動し、アライメントユニッ
トAAUに一体に固定されているブレードBLDも同様
に移動する。
第5図は、このようにしてアライメントマークAMKの
位置に対応してアライメントユニットAAU上に固定さ
れたブレードBLDが移動する様子を示したものである
。ただし、隣接するブレードは第1図にも示したように
互いに高さが違えてあり干渉しない、また、説明を簡略
化するため4枚のブレードのうち1枚のブレードBLD
Iのみが移動する場合を示している。図中、ム印は、ア
ライメントマークAMKの中心位置を示し、同図(a)
は、アライメントマークが最左端にある状態、同図(b
)はほぼ中央にある状態、同図(C)は最右端にある状
態を示している。また、これらの図は、最大露光画角の
場合を例にとりて示している。
先に述べたように、寸法りをハ□+ 41 MTO+αとしたので、最大露光画角時において
、アライメントマークの位置にかかわらず、4枚のブレ
ードのエツジは隣接するもの同志が互いに交差して一辺
1□8の正方形を形成し、第3図に示した露光ビームE
XBBとスクライブラインSLNの関係で、露光ビーム
を制限している。最大露光画角において適切な露光ビー
ム制限がなされていることから露光画角が一辺がJZ□
8以下の正方形あるいは長方形の場合についても同様に
適切な露光ビームの制限を行うことができる。
また、固定アパーチャFAPの開口寸法j2EXXIL
!xは、前述したように最大露光画1ハ、x×1□8を
わずかに上回る大きさとしたため、不要な露光ビームの
大部分は固定アパーチャFAPによって遮光され、画角
変化分に対応する領域は、アライメントユニットAAU
上に固定された最小限の面積のブレードBLDによって
遮光される。
光源がX線の場合には、露光ビーム制限手段に到達した
光は反射されず吸収され熱に変換される。しかし、本実
施例によれば大部分の不要な露光ビームが固定アパーチ
ャFAPに吸収され、最小成の不要な露光ビームがアラ
イメントユニットAAU上に固定されたブレードBLD
によって吸収されるため、光学部品等の空間配置を高精
度に維持する必要のあるアライメントユニットAAU近
傍でのX線吸収による発熱は最小限に抑えられる。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、アライメントユニ
ットと一体に8勤および位置決めされ、露光ビームを制
限するブレードの面積を、アライメントユニットの8勤
領域および、画角サイズを条件に最小限に設定するよう
にしたので、アライメントユニット近傍の他の部品の実
装領域を拡大しかつ完全な露光ビームの制限を行うこと
が可能である。
第2図は、第1図の装置のブレードと露光ビームとの関
係を示す模式図、 第3図(a)および(b)は、第1図の装置のアライメ
ントマークとブレードとの関係を示す平面図および側面
図、 第4図(a)および(b)は、第1図の装置のブレード
と露光ビームとの関係を装置の動作との関連で示す模式
図、そして 第5図(a)〜(C)は、第1図の装置のブレードが8
動する様子を示す説明図である。
BLDI、BLD2ニブレード、 AAUI、AAU2 :アライメントユニット、ABM
:アライメントビーム、 MSK:マスク、STG ニスチーシュニット、EXB
、EXBF、EXBB:露光ビーム。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係る露光装置主要部の構
成図、

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)原版のパターンを基板上に転写する露光手段と、
    該露光手段が発する露光ビームを最大露光画角を照射す
    るのに必要十分な画角に制限する第1の露光ビーム制限
    手段と、原版のアライメントマークと基板のアライメン
    トマークとのずれ量を検出するずれ検出手段と、原版の
    アライメントマーク位置に応じて該ずれ検出手段を移動
    して位置決めする移動手段と、該ずれ検出手段に固定さ
    れた板状のブレードを有しこれによりさらに適切な画角
    に露光ビームを制限する第2の露光ビーム制限手段とを
    備えた露光装置において、該ブレードの画角を規制する
    エッジに直交する方向の長さが、最大露光画角を照射す
    るに必要十分な画角の該方向長さをl_E_X、最小露
    光画角の該方向長さをl_m_i_nとすれば(l_E
    _X−l_m_i_n)/2よりわずかに大きく、また
    、上記ずれ検出手段が上記移動手段により上記エッジに
    沿った方向に移動する距離をl_S_T_Gとすれば、
    該エッジに沿った方向の該ブレードの長さはl_m_a
    _x+l_S_T_Gよりわずかに大きく、かつ隣接す
    るブレードは高さを違えて上記ずれ検出手段に取り付け
    られていることを特徴とする露光装置。
JP63224712A 1988-09-09 1988-09-09 露光装置 Pending JPH0273617A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63224712A JPH0273617A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 露光装置
EP89309117A EP0358521B1 (en) 1988-09-09 1989-09-08 An exposure apparatus
DE68922945T DE68922945T2 (de) 1988-09-09 1989-09-08 Belichtungsvorrichtung.
US08/062,151 US5390227A (en) 1988-09-09 1993-05-17 Exposure apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63224712A JPH0273617A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0273617A true JPH0273617A (ja) 1990-03-13

Family

ID=16818067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63224712A Pending JPH0273617A (ja) 1988-09-09 1988-09-09 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0273617A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2593440B2 (ja) 投影型露光装置
US6114072A (en) Reticle having interlocking dicing regions containing monitor marks and exposure method and apparatus utilizing same
JP2860578B2 (ja) 露光装置
US5317615A (en) Exposure apparatus
KR19990045608A (ko) 웨이퍼 주변 노광장치
US4798470A (en) Pattern printing method and apparatus
EP0358521B1 (en) An exposure apparatus
US5161176A (en) Exposure apparatus
KR19990045161A (ko) 위치맞춤장치 및 투영노광장치
US6453000B1 (en) Exposure method, exposure device and semiconductor device manufacturing method
JPH0273617A (ja) 露光装置
JPH0669015B2 (ja) 投影露光装置
JPS6173329A (ja) 露光装置
JP2743182B2 (ja) 露光装置
JP2802846B2 (ja) アライメントシステム
JPS6340316A (ja) 半導体製造装置
JPH10284411A (ja) 投影露光装置
JP3080694B2 (ja) 露光装置
JPH04158364A (ja) 投影露光装置
JPS62200724A (ja) 投影露光装置
JP3357579B2 (ja) ブロッカ装置
WO2022234783A1 (ja) 露光装置
JP2555970Y2 (ja) 投影型露光機における結像モニタ装置
JPH0645220A (ja) 投影露光装置
JPH11283911A (ja) 焼き付け方法、マスク基板、及び焼き付け装置