JPH0274806A - 位置合わせ装置 - Google Patents
位置合わせ装置Info
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- JPH0274806A JPH0274806A JP63225808A JP22580888A JPH0274806A JP H0274806 A JPH0274806 A JP H0274806A JP 63225808 A JP63225808 A JP 63225808A JP 22580888 A JP22580888 A JP 22580888A JP H0274806 A JPH0274806 A JP H0274806A
- Authority
- JP
- Japan
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- alignment
- light
- optical element
- physical optical
- lens
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7049—Technique, e.g. interferometric
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は位置合わせ装置に関し、例えば半導体素子製造
用の露光装置において、マスクやレチクル(以下「マス
ク」という。)等の第1物体面上に形成されている微細
な電子回路パターンをウェハ等の第2物体面上に露光転
写する際にマスクとウェハとの相対的な例えば2次元的
又は3次元的な位置決め(アライメント)を行う場合に
好適な位置合わせ装置に関するものである。
用の露光装置において、マスクやレチクル(以下「マス
ク」という。)等の第1物体面上に形成されている微細
な電子回路パターンをウェハ等の第2物体面上に露光転
写する際にマスクとウェハとの相対的な例えば2次元的
又は3次元的な位置決め(アライメント)を行う場合に
好適な位置合わせ装置に関するものである。
(従来の技術)
従来より半導体製造用の露光装置においては、マスクと
ウェハの相対的な位置合わせは性能向上を図る為の重要
な一要素となっている。特に最近の露光装置における位
置合わせにおいては、半導体未了−の高集積化の為に、
例えばサブミクロン以下の位置合わせ精度を有するもの
が要求されている。
ウェハの相対的な位置合わせは性能向上を図る為の重要
な一要素となっている。特に最近の露光装置における位
置合わせにおいては、半導体未了−の高集積化の為に、
例えばサブミクロン以下の位置合わせ精度を有するもの
が要求されている。
多くの位置合わせ装置においては、マスク及びウェハ面
上に位置合わせ用の所謂アライメントパターンを設け、
それらより得られる位置情報を利用して、双方のアライ
メントを行っている。このときのアライメント方法とし
ては、例えば双方のアライメントパターンのずれ量を画
像処理を行うことにより検出したり、又は米国特許第4
037969号や特開昭56−157033号公報で提
案されているようにアライメントパターンとしてゾーン
プレートを用い該ゾーンプレートに光束を照射し、この
ときゾーンプレートから射出した光束の所定面上にお・
ける集光点位置を検出すること等により行フている。
上に位置合わせ用の所謂アライメントパターンを設け、
それらより得られる位置情報を利用して、双方のアライ
メントを行っている。このときのアライメント方法とし
ては、例えば双方のアライメントパターンのずれ量を画
像処理を行うことにより検出したり、又は米国特許第4
037969号や特開昭56−157033号公報で提
案されているようにアライメントパターンとしてゾーン
プレートを用い該ゾーンプレートに光束を照射し、この
ときゾーンプレートから射出した光束の所定面上にお・
ける集光点位置を検出すること等により行フている。
般にゾーンプレートを利用したアライメント方法は、単
なるアライメントパターンを用いた方法に比へてアライ
メントパターンの欠損に影響されずに比較的高精度のア
ライメントが出来る特長がある。
なるアライメントパターンを用いた方法に比へてアライ
メントパターンの欠損に影響されずに比較的高精度のア
ライメントが出来る特長がある。
第11図はゾーンプレートを利用した従来の位置合わせ
装置の概略図である。
装置の概略図である。
同図において光源72から射出した平行光束はハーフミ
ラ−74を通過後、集光レンズ76で集光点78に集光
された後、マスク68面上のマスクアライメントパター
ン68a及び支持金62に載置したウニ八60面上のウ
ェハアライメントパターン60aを照射する。これらの
アライメントパターン68a、60aは反射型のゾーン
プレートより構成され、各々集光点78を含む光軸と直
交する平面上に集光点を形成する。このときの平面上の
集光点位置のずれ量を集光レンズ76とレンズ80によ
り検出面82上に導光して検出している。
ラ−74を通過後、集光レンズ76で集光点78に集光
された後、マスク68面上のマスクアライメントパター
ン68a及び支持金62に載置したウニ八60面上のウ
ェハアライメントパターン60aを照射する。これらの
アライメントパターン68a、60aは反射型のゾーン
プレートより構成され、各々集光点78を含む光軸と直
交する平面上に集光点を形成する。このときの平面上の
集光点位置のずれ量を集光レンズ76とレンズ80によ
り検出面82上に導光して検出している。
そして検出器82からの出力信号に基づいて制御回路8
4により駆動回路64を駆動させてマスク68とウェハ
60の相対的な位置決めを行っている。
4により駆動回路64を駆動させてマスク68とウェハ
60の相対的な位置決めを行っている。
マスク68及びウェハ60上のゾーンプレート68a、
60aは焦点距離がマスク68とウェハ60との間の所
定の間隔値に等しい量だけ異なり、一般にはウェハ60
上のゾーンプレート60aの方が焦点距離か大きい。
60aは焦点距離がマスク68とウェハ60との間の所
定の間隔値に等しい量だけ異なり、一般にはウェハ60
上のゾーンプレート60aの方が焦点距離か大きい。
第12図は第11図に示したマスクアライメントパター
ン68aとウェハアライメントパターン60aからの光
束の結像関係を示した説明図である。
ン68aとウェハアライメントパターン60aからの光
束の結像関係を示した説明図である。
同図において集光点78から発散した光束はマスクアラ
イメントパターン68aよりその一部の光束が回折し、
集光点78近傍にマスク位置を示す集光点78aを形成
する。又、その他の一部の光束はマスク68を0次透過
光として透過し、波面を変えずにウェハ60面一トのウ
ェハアライメントパターン60aに入射する。このとき
光束はウェハアライメントパターン60aにより回折さ
れた後、再びマスク68を0次透過光として透過し、集
光点78近傍に集光しウェハ位置をあられす集光点78
bを形成する。同図においてはウェハ60により回折さ
れた光束が集光点を形成する際には、マスク68は単な
る素通し状態としての作用をする。
イメントパターン68aよりその一部の光束が回折し、
集光点78近傍にマスク位置を示す集光点78aを形成
する。又、その他の一部の光束はマスク68を0次透過
光として透過し、波面を変えずにウェハ60面一トのウ
ェハアライメントパターン60aに入射する。このとき
光束はウェハアライメントパターン60aにより回折さ
れた後、再びマスク68を0次透過光として透過し、集
光点78近傍に集光しウェハ位置をあられす集光点78
bを形成する。同図においてはウェハ60により回折さ
れた光束が集光点を形成する際には、マスク68は単な
る素通し状態としての作用をする。
このようにして形成されたウェハアライメントパターン
60aによる集光点78bの位置は、ウェハ60のマス
ク68に対するずれ量Δσに応じて集光点78を含む光
軸と直交する平面に沿って該ずれ量Δσに対応した量の
ずれ量Δσ′として形成される。
60aによる集光点78bの位置は、ウェハ60のマス
ク68に対するずれ量Δσに応じて集光点78を含む光
軸と直交する平面に沿って該ずれ量Δσに対応した量の
ずれ量Δσ′として形成される。
このような方法においては、マスク面や半導体露光装置
内のマスクホルダー而等の基準面、そして露光装置の接
地面等に対してウニへ面か傾斜しているとセンサ上に入
射する光束の重心位置が変化し、アライメント誤差とな
ってくる。
内のマスクホルダー而等の基準面、そして露光装置の接
地面等に対してウニへ面か傾斜しているとセンサ上に入
射する光束の重心位置が変化し、アライメント誤差とな
ってくる。
般にセンサ上に絶対座標系を設け、その基準原点を設定
することは他のアライメント誤差要因、例えばウェハ面
のそりやたわみ等を有する傾斜、レジストの塗布ムラに
よる光束の重心位置の変動、アライメント光源の発振波
長、発振出力、光束出射角の変動、センサ特性の変動、
そしてアライメントヘット位置の繰り返しによる変動等
により、その原点の設定を高精度に行うのが大変難しく
なるという問題点があった。
することは他のアライメント誤差要因、例えばウェハ面
のそりやたわみ等を有する傾斜、レジストの塗布ムラに
よる光束の重心位置の変動、アライメント光源の発振波
長、発振出力、光束出射角の変動、センサ特性の変動、
そしてアライメントヘット位置の繰り返しによる変動等
により、その原点の設定を高精度に行うのが大変難しく
なるという問題点があった。
(発明が解決しようとする問題点)
本発明はマスク等の第1物体とウェハ等の第2物体の位
置合わせを行う際のずれ量検出の際の誤差要因を取り除
く手段として、第1信号光としてのアライメント光束に
対して第2信号光としてのアライメント光束を新たに形
成し、これを利用することにより、高精度な位置合わせ
を可能とした位置合わせ装置の提供を特徴とする 特に本発明では、第2信号光のウェハ而の傾斜に対する
センサトでの重心移動の作用がアライメント光束(第1
信号光束)と全く等しくなるようにし、又、アライメン
トヘットの位置の変動に対しても第2信号光がアライメ
ント光束と全く等しい重心移動の作用を受けるように設
定し、これにより第2信号光とアライメント光束のセン
サ上での相対的な位置の変動が原理的にマスクとウェハ
との位置ずれのみに依存するようにし、高精度な位置合
わせを可能とした位置合わせ装置の提供を目的としてい
る。
置合わせを行う際のずれ量検出の際の誤差要因を取り除
く手段として、第1信号光としてのアライメント光束に
対して第2信号光としてのアライメント光束を新たに形
成し、これを利用することにより、高精度な位置合わせ
を可能とした位置合わせ装置の提供を特徴とする 特に本発明では、第2信号光のウェハ而の傾斜に対する
センサトでの重心移動の作用がアライメント光束(第1
信号光束)と全く等しくなるようにし、又、アライメン
トヘットの位置の変動に対しても第2信号光がアライメ
ント光束と全く等しい重心移動の作用を受けるように設
定し、これにより第2信号光とアライメント光束のセン
サ上での相対的な位置の変動が原理的にマスクとウェハ
との位置ずれのみに依存するようにし、高精度な位置合
わせを可能とした位置合わせ装置の提供を目的としてい
る。
(問題点を解決するための手段)
第1物体面上に物理光学素子としての機能を有する第1
物理光学素子を形成し、第2物体面上に物理光学素子と
しての機能を有する第2物理光学素子を形成し、該第1
又は第2物理光学素子のうち一方の物理光学素子Aを単
一のマーク形状を有するレンズ素子より構成し、該第1
物理光学素子に光束を入射させたときに生ずる所定次数
の回折光を該第2物理光学素子に入射させ、該第2物理
光学素子からの所定次数の回折光の光量重心を第1検出
手段で検出し、又該第1物理光学素子に光束を入射させ
、該第1物理光学素子から生ずる前記次数と異なる次数
の回折光を該第2物理光学z= t’−に入射させ、該
第2物理光学素子から生じた補記次数と異なる次数の回
折光の光量重心を第2検出手段で検出し、該第1.第2
検出手段からの信号の双方の信号を利用して、該第1物
体と第2物体との位置決めを行う際、該第1検出手段に
入射する光束の重心位置と該第2検出手段に入射する光
束の重心位置が、該第1物体と第2物体の位置ずれに対
して互いに異なる符号の倍率で変位するように各要素を
設定したことである。
物理光学素子を形成し、第2物体面上に物理光学素子と
しての機能を有する第2物理光学素子を形成し、該第1
又は第2物理光学素子のうち一方の物理光学素子Aを単
一のマーク形状を有するレンズ素子より構成し、該第1
物理光学素子に光束を入射させたときに生ずる所定次数
の回折光を該第2物理光学素子に入射させ、該第2物理
光学素子からの所定次数の回折光の光量重心を第1検出
手段で検出し、又該第1物理光学素子に光束を入射させ
、該第1物理光学素子から生ずる前記次数と異なる次数
の回折光を該第2物理光学z= t’−に入射させ、該
第2物理光学素子から生じた補記次数と異なる次数の回
折光の光量重心を第2検出手段で検出し、該第1.第2
検出手段からの信号の双方の信号を利用して、該第1物
体と第2物体との位置決めを行う際、該第1検出手段に
入射する光束の重心位置と該第2検出手段に入射する光
束の重心位置が、該第1物体と第2物体の位置ずれに対
して互いに異なる符号の倍率で変位するように各要素を
設定したことである。
(実施例)
第1図(A)は本発明の第1実施例の要部概略図である
。図中、1は第1物体で、例えばマスクである。2は第
2物体で、例えばマスク1と位置合わせされるウェハで
ある。3,4は各々アライメント用の第1.第2物理光
学素子であり、各々マスク1面上とウェハ2面上に設け
られている。
。図中、1は第1物体で、例えばマスクである。2は第
2物体で、例えばマスク1と位置合わせされるウェハで
ある。3,4は各々アライメント用の第1.第2物理光
学素子であり、各々マスク1面上とウェハ2面上に設け
られている。
本実施例においては、光源31から出射した光束は投光
光学系(コリメータレンズ系)9を通り、平行光束とな
って第1物体l上の第1物理光学素子3に、第1物体面
の法線に対して所定の角度αで斜入射する。
光学系(コリメータレンズ系)9を通り、平行光束とな
って第1物体l上の第1物理光学素子3に、第1物体面
の法線に対して所定の角度αで斜入射する。
第1物理光学素子3は単一・のマーク形状を有する振幅
型のグレーティングレンズ等のレンズ素子より成り、ア
ライメント光束の透過部と不透過部が同図に示すように
形成されている。このグレーティングレンズ3のマーク
形状(マークパターン)は、予め結像関係を指定して物
点く光源)と像点から出射される所定の光束が物理光学
素子3面で形成するホログラムパターンとパターン形状
が後述するように一致するように設定されている。
型のグレーティングレンズ等のレンズ素子より成り、ア
ライメント光束の透過部と不透過部が同図に示すように
形成されている。このグレーティングレンズ3のマーク
形状(マークパターン)は、予め結像関係を指定して物
点く光源)と像点から出射される所定の光束が物理光学
素子3面で形成するホログラムパターンとパターン形状
が後述するように一致するように設定されている。
第1物理光学素子3で所定の次数で回折の作用を受けた
光束はレンズ作用(収束或は発散作用)を受け、例えば
第3図に示すように+1次で回折の作用を受けた光束は
像点F1が(0,0゜z+)となるように凸レンズ作用
(収束作用)を受ける。一方、−1次で回折の作用を受
けた光束は虚像点F2が(0,O,Z+ )となるよう
に凹レンズ作用(発散作用)を受ける。
光束はレンズ作用(収束或は発散作用)を受け、例えば
第3図に示すように+1次で回折の作用を受けた光束は
像点F1が(0,0゜z+)となるように凸レンズ作用
(収束作用)を受ける。一方、−1次で回折の作用を受
けた光束は虚像点F2が(0,O,Z+ )となるよう
に凹レンズ作用(発散作用)を受ける。
このようにして発生する2つの光束、即ち収斂光束La
と発散光束Lbは所定の間隔gを隔てた第2物理光学素
子4で更に回折して、レンズ作用を受ける。
と発散光束Lbは所定の間隔gを隔てた第2物理光学素
子4で更に回折して、レンズ作用を受ける。
第2物理光学素子4は複数のマーク形状を有するレンズ
素子より成っており、例えば第2図(A)に示すような
パターンの2種類のグレーティングレンズ4a、4bか
ら成っている。
素子より成っており、例えば第2図(A)に示すような
パターンの2種類のグレーティングレンズ4a、4bか
ら成っている。
本実施例において第2物理光学素子4は振幅と位相の混
合型のグレーティングレンズ素子より成り、断面構造が
例えば凹凸パターンで一般的に谷と山の振幅反射率が異
なっている。第2物理光学素子4で、所定次数で回折す
る光束のうち第1物理光学素子で回折作用を受けた収斂
光束が第2物理光学素子4のグレーティングレンズ4a
で1次回折し凹レンズ作用を受けて生じる光束Laを第
1アライメント信号光束として用いている。
合型のグレーティングレンズ素子より成り、断面構造が
例えば凹凸パターンで一般的に谷と山の振幅反射率が異
なっている。第2物理光学素子4で、所定次数で回折す
る光束のうち第1物理光学素子で回折作用を受けた収斂
光束が第2物理光学素子4のグレーティングレンズ4a
で1次回折し凹レンズ作用を受けて生じる光束Laを第
1アライメント信号光束として用いている。
一方、第1物理光学素子3で回折作用を受けた発散光束
が第2物理光学素子4のグレーティングレンズ4bで1
次回折し、凸レンズ作用を受けて生じる光束を第2アラ
イメント信号光束Lbとして用いている。
が第2物理光学素子4のグレーティングレンズ4bで1
次回折し、凸レンズ作用を受けて生じる光束を第2アラ
イメント信号光束Lbとして用いている。
第2物理光学素子4て回折作用を受けた第1゜第2アラ
イメント信号光束は、第2物体面2を出射し、第1物体
1を0次で透過し、所定面北に設定さ勾たセンサ38,
39上に入射する。
イメント信号光束は、第2物体面2を出射し、第1物体
1を0次で透過し、所定面北に設定さ勾たセンサ38,
39上に入射する。
次に第1.第2アライメント信号光束La。
Lbが第1.第2物体の位置ずれに対応してセンサ38
,39上で変位する作用について第3図を参照し・て説
明する。
,39上で変位する作用について第3図を参照し・て説
明する。
第3図は第1図に示す実施例の投光光学系9からの光束
のグレーティングレンズ3.4による位置ずれ量拡大系
の要部概略図である。同図において第1物理光学素子3
に入射した平行光束は、回折作用を受けて、このうち+
1次回折光31は点F1に収束するように収斂光束La
となり、−1次回折光は点F2を虚像点とする発散光束
Lbとなる。
のグレーティングレンズ3.4による位置ずれ量拡大系
の要部概略図である。同図において第1物理光学素子3
に入射した平行光束は、回折作用を受けて、このうち+
1次回折光31は点F1に収束するように収斂光束La
となり、−1次回折光は点F2を虚像点とする発散光束
Lbとなる。
このように符号の異なる次数の回折光を利用し、単一の
グレーティングレンズで凸レンズ作用と、凹レンズ作用
の2つの機能を有効に生じせしめている。
グレーティングレンズで凸レンズ作用と、凹レンズ作用
の2つの機能を有効に生じせしめている。
前記収斂光束La、発散光束Lbはそれぞれ第2物理光
学素子4のグレーティングレンズ4a、4bで共に一1
次の回折作用を受け、このときそれぞれ凹レンズ作用、
凸レンズ作用を受け、それぞれの像点Fl、F2がセン
サ面38゜39上へ結像される。ここに第1.第2物体
の間隔をg、第2物体4とセンサ間の距離をL、第1物
理光学素子3の焦点距離なr+ (凸パワー時)、
r+(凹パワー時)、第2物理光学素子4のグレーテ
ィングレンズ4aの焦点距離を−f2、グレーティング
レンズ4bの焦点距離をf3とし、第1.第2物体の相
対位置ずれ量をεとすると、第1.第2アライメント光
束La。
学素子4のグレーティングレンズ4a、4bで共に一1
次の回折作用を受け、このときそれぞれ凹レンズ作用、
凸レンズ作用を受け、それぞれの像点Fl、F2がセン
サ面38゜39上へ結像される。ここに第1.第2物体
の間隔をg、第2物体4とセンサ間の距離をL、第1物
理光学素子3の焦点距離なr+ (凸パワー時)、
r+(凹パワー時)、第2物理光学素子4のグレーテ
ィングレンズ4aの焦点距離を−f2、グレーティング
レンズ4bの焦点距離をf3とし、第1.第2物体の相
対位置ずれ量をεとすると、第1.第2アライメント光
束La。
Lbのセンサ面の光量重心位置の位置ずれ量0のときに
対するそれぞれの変位11sI、S2はとなる。
対するそれぞれの変位11sI、S2はとなる。
このときの変位is1.S2の位置ずれ量拡大倍率は第
1物理光学素子の焦点距m fr−fl、第2物体面か
らセンサ面までの距fiL、間隔gに依存している。
1物理光学素子の焦点距m fr−fl、第2物体面か
らセンサ面までの距fiL、間隔gに依存している。
またそれぞれの拡大倍率は第1アライメント信号光束L
aが負、第2アライメント信号九束Lbが正符号となる
。尚、変位ist、S2の位置は像点Fl、F2と、第
2物理光学素子4の光軸中心とを結ぶ直線が検出面と交
わる位置として幾何光学的に対応づけることができる。
aが負、第2アライメント信号九束Lbが正符号となる
。尚、変位ist、S2の位置は像点Fl、F2と、第
2物理光学素子4の光軸中心とを結ぶ直線が検出面と交
わる位置として幾何光学的に対応づけることができる。
センサ38.39で281.第2アライメント信号光束
La、Lbの光量重心位置Sl、S2を検知し、点S1
と点82間の距離Δ5=s1−S2を求めると、位置ず
れ量εに応じて距離ΔSはr+ −g となる。
La、Lbの光量重心位置Sl、S2を検知し、点S1
と点82間の距離Δ5=s1−S2を求めると、位置ず
れ量εに応じて距離ΔSはr+ −g となる。
尚、第2物理光学素子4で回折し、レンズ作用を受けて
第2物体面2を出射する光束は第2物体面法線に対しy
z面内では所定の角度βで斜出術する。
第2物体面2を出射する光束は第2物体面法線に対しy
z面内では所定の角度βで斜出術する。
このように第1.第2物体に対しアライメント光束を斜
入射投光し、斜出術受光するよう位置合わせ光学系中の
位置合わせ物体上の物理光学素子を設定することにより
、投光光学系と受光光学系そしてセンサなどを一筺体(
ピックアップヘッド)中に配置、構成することを容易に
している。
入射投光し、斜出術受光するよう位置合わせ光学系中の
位置合わせ物体上の物理光学素子を設定することにより
、投光光学系と受光光学系そしてセンサなどを一筺体(
ピックアップヘッド)中に配置、構成することを容易に
している。
本実施例では第2物理光学素子4を出射する第1.第2
アライメント信号九束La、Lbが共に一1次で回折し
て、それぞれが凹レンズ作用と凸レンズ作用を受けた後
、投光光学系と同じ側に斜め出射するように第2物理光
学素子のパターン形状を例えば第2図(A)に示すよう
に設定している。
アライメント信号九束La、Lbが共に一1次で回折し
て、それぞれが凹レンズ作用と凸レンズ作用を受けた後
、投光光学系と同じ側に斜め出射するように第2物理光
学素子のパターン形状を例えば第2図(A)に示すよう
に設定している。
第2図(B)〜第2図(F)は本実施例に係る第2物理
光学素子4の配置状態を示す他の一実施例の概略図であ
る。図中、4aは第1アライメントマーク、4bは第2
アライメントマークでいずれもグレーティングレンズよ
り成っている。
光学素子4の配置状態を示す他の一実施例の概略図であ
る。図中、4aは第1アライメントマーク、4bは第2
アライメントマークでいずれもグレーティングレンズよ
り成っている。
尚、第2図(D)は同一領域内に第1アライメントマー
ク4aと第2アライメントマーク4bを重ね合わせて配
置した一例である。
ク4aと第2アライメントマーク4bを重ね合わせて配
置した一例である。
次に本実施例における第1.第2物理光学素子3.4の
製造及び設定方法の一実施例を述べる。
製造及び設定方法の一実施例を述べる。
まず、第1物体であるマスク用のマーク3は所定のビー
ム径の平行光束が所定の角度で入射し、所定の位置に集
光するように設計される。一般にグレーティングレンズ
のパターンは光源(物点)と像点にそれぞれ可干渉性の
光源を置いたときのレンズ面における干渉縞パターンと
なる。
ム径の平行光束が所定の角度で入射し、所定の位置に集
光するように設計される。一般にグレーティングレンズ
のパターンは光源(物点)と像点にそれぞれ可干渉性の
光源を置いたときのレンズ面における干渉縞パターンと
なる。
今、第1図のように第1物体1面上の座標系を定める。
ここに原点はマークの中央にあり、位置ずれ検出方向に
X軸、第1物体面上X軸と直交方向にy軸、第1物体面
1の法線方向に4軸をとる。第1物体而1の法線に対し
αの角度で入射し、その射影成分がX軸方向と直交する
平行光束が第1物体1のマークを透過回折後、集光点(
X+ 、’J+ 、Z+ )の位置で結像するようなグ
レーティングレンズの曲線群の方程式は、グレーティン
グレンズx、y方向に同じパワーを有しているとき、該
グレーティングの輪郭位置をx、 yで表わし ysin a P、(x、y)−P2=mλ/ 2
−(1)で与えられる。ここにλはアライメント光の波
長、mは整数である。
X軸、第1物体面上X軸と直交方向にy軸、第1物体面
1の法線方向に4軸をとる。第1物体而1の法線に対し
αの角度で入射し、その射影成分がX軸方向と直交する
平行光束が第1物体1のマークを透過回折後、集光点(
X+ 、’J+ 、Z+ )の位置で結像するようなグ
レーティングレンズの曲線群の方程式は、グレーティン
グレンズx、y方向に同じパワーを有しているとき、該
グレーティングの輪郭位置をx、 yで表わし ysin a P、(x、y)−P2=mλ/ 2
−(1)で与えられる。ここにλはアライメント光の波
長、mは整数である。
主光線を角度αで入射し、第1物体面1上の原点を通り
、集光点(X+ 、!+ 、Z+ )に達する光線とす
ると(1)式の右辺はmの値によって主光線に対して波
長のm/2倍光路長が長い(短い)ことを示し、左辺は
主光線の光路に対し第1物体上の点(x、y、0)を通
り点(xI+ 3’ r21)に到達する光線の光路の
長さの差を表わす。第1図に第1物体1上の第1物理光
学素子3を示す。
、集光点(X+ 、!+ 、Z+ )に達する光線とす
ると(1)式の右辺はmの値によって主光線に対して波
長のm/2倍光路長が長い(短い)ことを示し、左辺は
主光線の光路に対し第1物体上の点(x、y、0)を通
り点(xI+ 3’ r21)に到達する光線の光路の
長さの差を表わす。第1図に第1物体1上の第1物理光
学素子3を示す。
一方、第2物体2上のグレーティングレンズは所定の点
光源から出た球面波を所定の位置(センサ面上)に集光
させるように設計される。点光源は第1物体1と第2物
体2の露光時のギャップをgとおくと(X+ r ’!
+ + Z+ g)で表わされ、第1物理光学素子
による結像点の位置である(yは変数)。第1物体1と
第2物体2の位置合わせはX軸方向に行なわれるとし、
アライメント完了時にセンサ面上の点(X2 r y2
* 22 )の位置にアライメント光が集光するもの
とすれば、第2物体上のグレーティングレンズの曲線群
の方程式は先に定めた座標系で 十mλ/2 ・・・・・・・
・・(2)と表わされる。
光源から出た球面波を所定の位置(センサ面上)に集光
させるように設計される。点光源は第1物体1と第2物
体2の露光時のギャップをgとおくと(X+ r ’!
+ + Z+ g)で表わされ、第1物理光学素子
による結像点の位置である(yは変数)。第1物体1と
第2物体2の位置合わせはX軸方向に行なわれるとし、
アライメント完了時にセンサ面上の点(X2 r y2
* 22 )の位置にアライメント光が集光するもの
とすれば、第2物体上のグレーティングレンズの曲線群
の方程式は先に定めた座標系で 十mλ/2 ・・・・・・・
・・(2)と表わされる。
(2)式は第2物体面がz=−Hにあり、主光線が第1
物体面上の原点及び第2物体面上の点(0,0,−g)
、更にセンサ面上の点(x2゜y2 、Z2 )を通る
光線であるとして、第2物体面トのクレーティング(x
、y、−g)を通る光線と主光線との光路長の差が半波
長の整数倍となる条件を満たす方程式である。
物体面上の原点及び第2物体面上の点(0,0,−g)
、更にセンサ面上の点(x2゜y2 、Z2 )を通る
光線であるとして、第2物体面トのクレーティング(x
、y、−g)を通る光線と主光線との光路長の差が半波
長の整数倍となる条件を満たす方程式である。
第2物理光学素子4のグレーティングレンズ4a、4b
のパターンは、航速の方程式(2)を利用することによ
り設計することがでる。このうちグレーティングレンズ
4bのパターンは物点(光12)と像点の位置P (0
,0,z、+g)。
のパターンは、航速の方程式(2)を利用することによ
り設計することがでる。このうちグレーティングレンズ
4bのパターンは物点(光12)と像点の位置P (0
,0,z、+g)。
Q (X2 、 Y2 、22 ) テ与えられる。
コノとき、物点の位置Pは第1物理光学素子3で凹レン
ズ作用を受けた光束の虚像点の位置であり、像点の位@
Qは前記センサ面上の点(X2 、 Y2 。
ズ作用を受けた光束の虚像点の位置であり、像点の位@
Qは前記センサ面上の点(X2 、 Y2 。
Z2)とxZ面に関し、対称な点となる。
このように像点Qの座標を設定してグレーティングレン
ズ4bを設定することにより、グレーティングレンズ4
aのパターンでアライメント信号光束Laが回折する次
数と同じ符号でありながらグレーティングレンズ4aで
は第1アライメント信号光束Laに凹レンズの作用をも
たらす一方、グレーティングレンズ4bでは凸レンズの
作用を第2アライメント信号九束Lbにもたらすことが
可能となる。
ズ4bを設定することにより、グレーティングレンズ4
aのパターンでアライメント信号光束Laが回折する次
数と同じ符号でありながらグレーティングレンズ4aで
は第1アライメント信号光束Laに凹レンズの作用をも
たらす一方、グレーティングレンズ4bでは凸レンズの
作用を第2アライメント信号九束Lbにもたらすことが
可能となる。
又、位置ずれ検出方向にはレンズ作用かあるが、それと
直交する方向には光束の進行方向を一定の角度で偏向さ
せる作用をもつようなグレーティングレンズを設定し、
アライメント用として用いても良い。
直交する方向には光束の進行方向を一定の角度で偏向さ
せる作用をもつようなグレーティングレンズを設定し、
アライメント用として用いても良い。
又、第2図(H)に示すパターンはX方向、X方向とも
に同じレンズ作用をもち、かつX方向に光束の進行方向
を一定の角度で偏向させる作用をもっている。
に同じレンズ作用をもち、かつX方向に光束の進行方向
を一定の角度で偏向させる作用をもっている。
第2図(G)に示すパターンは、X方向断面が同じ焦点
距離をもつフレネルゾーンプレートの断面と同じで、X
方向断面は等ピッチクレーティングの断面と同じとなる
。一般的に曲線の形は放物線、又は双曲線に近い形状と
なる。第2図(H)のパターンは所謂オフアクシス型フ
レネルゾーンプレートのパターンである。
距離をもつフレネルゾーンプレートの断面と同じで、X
方向断面は等ピッチクレーティングの断面と同じとなる
。一般的に曲線の形は放物線、又は双曲線に近い形状と
なる。第2図(H)のパターンは所謂オフアクシス型フ
レネルゾーンプレートのパターンである。
第1物体1用のアライメントマーク3は所定のビーム径
の平行光束が所定の角度で入射し、所定の位置に線状に
集光するように設計される。
の平行光束が所定の角度で入射し、所定の位置に線状に
集光するように設計される。
一般にグレーティングレンズのパターンは光源(物点)
と像点にそれぞれ可干渉性の光源を置いたときのレンズ
面における干渉縞パターンとなる。今、第2図(H)の
ように第1物体面上の座標系を定める。ここに原点はス
クライブライン幅の中央にあり、スクライブライン方向
にy軸、幅方向にy軸、第1物体而の法線方向に2軸を
とる。第1物体の法線に対しαの角度で入射し、その射
影成分がX軸方向と直交する平行光束がマスク用のアラ
イメントマーク3を透過回折後、集光点(x+ 、y、
Z+ )の位置で線状に結像するようなグレーティング
レンズの曲線群の方程式は、グレーティングのパワーが
X方向のみとき、該グレーティングの輪郭位置なx、y
で表わすとysin a P、(x)−P2
=m λ/2 −(3)P 、(x) = (
x−x、)” + z、2p2 =月;1777 で与えられる。ここにλはアライメント光の波長、mは
整数である。
と像点にそれぞれ可干渉性の光源を置いたときのレンズ
面における干渉縞パターンとなる。今、第2図(H)の
ように第1物体面上の座標系を定める。ここに原点はス
クライブライン幅の中央にあり、スクライブライン方向
にy軸、幅方向にy軸、第1物体而の法線方向に2軸を
とる。第1物体の法線に対しαの角度で入射し、その射
影成分がX軸方向と直交する平行光束がマスク用のアラ
イメントマーク3を透過回折後、集光点(x+ 、y、
Z+ )の位置で線状に結像するようなグレーティング
レンズの曲線群の方程式は、グレーティングのパワーが
X方向のみとき、該グレーティングの輪郭位置なx、y
で表わすとysin a P、(x)−P2
=m λ/2 −(3)P 、(x) = (
x−x、)” + z、2p2 =月;1777 で与えられる。ここにλはアライメント光の波長、mは
整数である。
主光線を角度αで入射し、第1物体面上の原点を通り、
集光点(x+ 、y、Z+ )に達する光線とすると(
3)式の8辺はmの値によって主光線に対して波長のm
/2倍光路艮が長い(短い)ことを示し、左辺は主光線
の光路に対し、第1物体面上の点(x、y、0)を通り
点(x+ 、y。
集光点(x+ 、y、Z+ )に達する光線とすると(
3)式の8辺はmの値によって主光線に対して波長のm
/2倍光路艮が長い(短い)ことを示し、左辺は主光線
の光路に対し、第1物体面上の点(x、y、0)を通り
点(x+ 、y。
zl)に到達する光線の光路の長さの差を表わす。
(3)式では第1物体面上の点yを通りた光は結像点で
はX方向に変換されない。
はX方向に変換されない。
一方、第2物体面上のグレーティングレンズ4は所定の
線光源から出た円筒波を所定の位置(センサ面上)に集
光させるように設計される。線光源上の各点は第1物体
と第2物体の露光時のギャップなgとおくと(x+ 、
y、Z+ g)で表わされる。第1物体と第2物体
の位置合わせはX軸方向に行なわれるとし、アライメン
ト完了時にセンサ面9Lの点(X2 、y、Z2 )の
位置にアライメント光が集光するものとすれば、第2物
体上のグレーティングレンズの曲線群の基本方程式は先
に定めた座標系で 月7■運;二ΣT −(x−xlF+薯「τ)z+ysin73十mλ/2
・・・・・・・・・(4)と表
わされる。
線光源から出た円筒波を所定の位置(センサ面上)に集
光させるように設計される。線光源上の各点は第1物体
と第2物体の露光時のギャップなgとおくと(x+ 、
y、Z+ g)で表わされる。第1物体と第2物体
の位置合わせはX軸方向に行なわれるとし、アライメン
ト完了時にセンサ面9Lの点(X2 、y、Z2 )の
位置にアライメント光が集光するものとすれば、第2物
体上のグレーティングレンズの曲線群の基本方程式は先
に定めた座標系で 月7■運;二ΣT −(x−xlF+薯「τ)z+ysin73十mλ/2
・・・・・・・・・(4)と表
わされる。
ここにβはy方向の偏向角(第2物体面法線に対する出
射角)を示す。
射角)を示す。
(4)式は第2物体而がz=−Hにあり、主光線が第1
物体面上原点及び第2物体面上の点(0゜0、−g)、
更に検出面上の点(X2 、y。
物体面上原点及び第2物体面上の点(0゜0、−g)、
更に検出面上の点(X2 、y。
Z2)を通る光線であるとして、第2物体面上のグレー
ティング(x、y、−g)を通る光線と主光線との光路
長の差が半波長の整数倍となる条件を満たす方程式であ
る。
ティング(x、y、−g)を通る光線と主光線との光路
長の差が半波長の整数倍となる条件を満たす方程式であ
る。
般に第1物体用のゾーンプレート(グレーティングレン
ズ)は、光線の透過する領域(透明部)と光線の透過し
ない領域(遮光部)Q〕2つの領域が交互に形成される
0、1の振幅型のグレーティング素子として作成されて
いる。又、第2物体用のゾーンプレー1〜は、例えば矩
形断面の(7相格、子パターンとして作成される。(3
) 、 (4)式において主光線に対してt波長の整数
倍の位置で、クレーティングの輪郭を規定したことは、
第1物体トのグレーティングレンズ3では透明部と遮光
部の線幅の比が1:lであること、第2物体上のグレー
ティングレンズ4では矩形格子のラインとスペースの比
が1=1であることを意味している。
ズ)は、光線の透過する領域(透明部)と光線の透過し
ない領域(遮光部)Q〕2つの領域が交互に形成される
0、1の振幅型のグレーティング素子として作成されて
いる。又、第2物体用のゾーンプレー1〜は、例えば矩
形断面の(7相格、子パターンとして作成される。(3
) 、 (4)式において主光線に対してt波長の整数
倍の位置で、クレーティングの輪郭を規定したことは、
第1物体トのグレーティングレンズ3では透明部と遮光
部の線幅の比が1:lであること、第2物体上のグレー
ティングレンズ4では矩形格子のラインとスペースの比
が1=1であることを意味している。
第1物体上のグレーティングレンズ3はポリイミド製の
有機薄膜上に予めEB露光で形成したレチクルのグレー
ティングレンズパターンを転写して形成した。
有機薄膜上に予めEB露光で形成したレチクルのグレー
ティングレンズパターンを転写して形成した。
又、第2物体りのマークは第1物体と第2物体の露光パ
ターンを形成したのち露光転写して形成していた。
ターンを形成したのち露光転写して形成していた。
次に本実施例における検出手段としてのセンサ(例えば
1次元の蓄積型の1次元COD等)に入射するアライン
メント光である第1アライメント光と第2アライメント
光との関係について説明する。
1次元の蓄積型の1次元COD等)に入射するアライン
メント光である第1アライメント光と第2アライメント
光との関係について説明する。
本実施例においては第2アライメント信号光と第1アラ
イメント信号光は第2物体而の法線に対して各々Bo、
5oの角度で、又、X軸方向に対しては第2物体面射影
成分が直交する角度で出射する。センサ38,39の空
間的配置は、予めアライメント完Y時に光束がセンサの
ほぼ中央の位置に入射するようにセツティングされてい
る。
イメント信号光は第2物体而の法線に対して各々Bo、
5oの角度で、又、X軸方向に対しては第2物体面射影
成分が直交する角度で出射する。センサ38,39の空
間的配置は、予めアライメント完Y時に光束がセンサの
ほぼ中央の位置に入射するようにセツティングされてい
る。
センサ38,39の中心間隔は2mmであり、約0.1
μm精度でSiの同一基板上に設定されている。又、
センサ38,39の配置されたSi基板は、その法線が
第1アライメント光出射角と第2アライメント信号光出
射角の2等分線と略平行に配置されている。
μm精度でSiの同一基板上に設定されている。又、
センサ38,39の配置されたSi基板は、その法線が
第1アライメント光出射角と第2アライメント信号光出
射角の2等分線と略平行に配置されている。
センサ38,39のサイズは第1信号充用のセンサ11
が幅1mm、長さ6n+m、又第2信号充用のセンサ1
2が幅1mm、長さ1mmである。又、各画素のサイズ
は25μm X 500μmである。
が幅1mm、長さ6n+m、又第2信号充用のセンサ1
2が幅1mm、長さ1mmである。又、各画素のサイズ
は25μm X 500μmである。
各々のセンサは入射光束の重心位置を測定し、センサの
出力は受光領域の全光量で規格化されるように信号処理
される。これによりアライメント光源の出力が多少変動
しても、センサ系から出力される測定値は正確に重心位
置を示すように設定している。尚、センサの重心位置の
分解能はアライメント光のパワーにもよるが、例えば5
0mW、波長0.83μmの半導体レーザーを用いて測
定した結果、0.2μmであった。
出力は受光領域の全光量で規格化されるように信号処理
される。これによりアライメント光源の出力が多少変動
しても、センサ系から出力される測定値は正確に重心位
置を示すように設定している。尚、センサの重心位置の
分解能はアライメント光のパワーにもよるが、例えば5
0mW、波長0.83μmの半導体レーザーを用いて測
定した結果、0.2μmであった。
本実施例に係る第1物体用のグレーティングレンズと第
2物体用のグレーティングレンズの設計例では、第1.
第2物体の位置ずれを第1アライメント光は一100倍
、第2信号光では100倍に拡大して信号光束がセンサ
面上で重心位置を移動する。従って、第1.第2物体間
に0.01μmQ)位置ずれがあったとすると、センサ
面上ではアライメント光は一1μm、第2信号光は1μ
mの実効的な重心移動が起こり、センサ系はこれを0.
2μmの分解能で測定することができる。
2物体用のグレーティングレンズの設計例では、第1.
第2物体の位置ずれを第1アライメント光は一100倍
、第2信号光では100倍に拡大して信号光束がセンサ
面上で重心位置を移動する。従って、第1.第2物体間
に0.01μmQ)位置ずれがあったとすると、センサ
面上ではアライメント光は一1μm、第2信号光は1μ
mの実効的な重心移動が起こり、センサ系はこれを0.
2μmの分解能で測定することができる。
本実施例において、第2物体面2がyz面内で1 mr
ad傾斜したとすると、センサ38十では第1信号光束
は約20μm重心移動を起こす。一方、第2信号光もア
ライメント光である第1信号光束と軸対称で、■、つ光
路長の等しい光路を通るのでセンサ39上では、信号光
と全く等しい重心移動を起こす。これによりセンサ系で
は各々センサからの実効的重心位置の信号の差を出力す
るように信号処理をすると、第2物体面がyz面内で傾
斜してもセンサ系からの出力信号は変わらない。
ad傾斜したとすると、センサ38十では第1信号光束
は約20μm重心移動を起こす。一方、第2信号光もア
ライメント光である第1信号光束と軸対称で、■、つ光
路長の等しい光路を通るのでセンサ39上では、信号光
と全く等しい重心移動を起こす。これによりセンサ系で
は各々センサからの実効的重心位置の信号の差を出力す
るように信号処理をすると、第2物体面がyz面内で傾
斜してもセンサ系からの出力信号は変わらない。
一方、第2物体がxz面内で傾斜すると、第1信号光束
、第2信号光束ともにセンサの長手方向と直交する幅方
向に重心移動を起こすが、これはセンサ上で検出する、
位置ずれに伴う光束の重心移動の方向と直交する方向な
ので、第2信号光がなくても実効的なアライメント誤差
にはならない。
、第2信号光束ともにセンサの長手方向と直交する幅方
向に重心移動を起こすが、これはセンサ上で検出する、
位置ずれに伴う光束の重心移動の方向と直交する方向な
ので、第2信号光がなくても実効的なアライメント誤差
にはならない。
更に、アライメント用光源、及び投光用レンズ系及びセ
ンサなどを内蔵するアライメントヘットが、第1物体−
第2物体系に対して位置の変動を起こした場合、例えば
ヘッドを第1物体に対して57xm、y方向に移動した
とする。このとき第1信号光はセンサ38上で5μmの
実効的重心移動を起こし、これに対して第2信号光もセ
ンサ39上で全く等しく5μmの重心移動を起こす。
ンサなどを内蔵するアライメントヘットが、第1物体−
第2物体系に対して位置の変動を起こした場合、例えば
ヘッドを第1物体に対して57xm、y方向に移動した
とする。このとき第1信号光はセンサ38上で5μmの
実効的重心移動を起こし、これに対して第2信号光もセ
ンサ39上で全く等しく5μmの重心移動を起こす。
同様に第1物体面とヘッドとの間にZ方向に10μmの
変動が起こると、第1信号光用のセンサ38及び第2信
号光用のセンサ39で共に10μm光束の重心移動を起
こす。
変動が起こると、第1信号光用のセンサ38及び第2信
号光用のセンサ39で共に10μm光束の重心移動を起
こす。
従って、最終的なセンサ系からの出力、即ち、第1信号
光の重心位置出力と第2信号光の重心位置の出力との差
信号は何ら変動しない。
光の重心位置出力と第2信号光の重心位置の出力との差
信号は何ら変動しない。
又、X軸方向の位置の変動は第2信号光束がなくても本
質的なアライメント誤差にはならないことがわかる。
質的なアライメント誤差にはならないことがわかる。
本実施例において第1.第2物体間の位置ずれff1X
は、センサ上でのアライメント光としての第1信号光と
第2信号光の重心位置をぞれぞれWl 、 w2 、そ
のときの第2物体面の第1物体面に対する傾斜角をΔθ
、アライメントヘッドの位置の変動量をΔ1r=(ΔX
、Δy、ΔZ)とおくと Wl =m + x+c+(Δθ、 Δ1r)w2
=n −x+c2(Δθ、 Δ lr)ここに、m
、nは各々第1アライメント系と第2アライメント系の
位置ずれ量の拡大倍率、c、(Δθ、Δlr)は、Δθ
、Δ1rによっておこるセンサ上での光束の重心移動量
で第1アライメント信号光と第2信号光がセンサ面法線
に関して軸対称であり、光路長が等しい場合はcl(Δ
θ、Δ1 r) =C2(Δθ、Δlr)となり、結局
センサ上の2つの光の相対的な重心位置から位置ずれ量
が次のように求まる。
は、センサ上でのアライメント光としての第1信号光と
第2信号光の重心位置をぞれぞれWl 、 w2 、そ
のときの第2物体面の第1物体面に対する傾斜角をΔθ
、アライメントヘッドの位置の変動量をΔ1r=(ΔX
、Δy、ΔZ)とおくと Wl =m + x+c+(Δθ、 Δ1r)w2
=n −x+c2(Δθ、 Δ lr)ここに、m
、nは各々第1アライメント系と第2アライメント系の
位置ずれ量の拡大倍率、c、(Δθ、Δlr)は、Δθ
、Δ1rによっておこるセンサ上での光束の重心移動量
で第1アライメント信号光と第2信号光がセンサ面法線
に関して軸対称であり、光路長が等しい場合はcl(Δ
θ、Δ1 r) =C2(Δθ、Δlr)となり、結局
センサ上の2つの光の相対的な重心位置から位置ずれ量
が次のように求まる。
x = (w、 −W2 ) / (m n)このよ
うに第2物体面の傾斜、アライメントヘットの位置変動
等のアライメント光束の重心位置測定の際の誤差要因を
除去して、正確に位置ずれ量を検出することができる。
うに第2物体面の傾斜、アライメントヘットの位置変動
等のアライメント光束の重心位置測定の際の誤差要因を
除去して、正確に位置ずれ量を検出することができる。
また、本実施例では第1物理光学素子の焦点距M fr
を217μm、間隔gを304m、第2物理光学素子か
らせンサまでの距f!IiLを18.7μmとした結果
、第1.第2アライメント信号光束の位置ずれ量拡大倍
率m、、m2はそれぞれ、m 、 = −99,0、m
2 = 76.7085となり、両光束のセンサ面上
での位置検知方向距離ΔSを求めることにより位置ずれ
量の1ml l+1m2 1倍、即ち175.708
5倍の倍率感度を得ることができる。
を217μm、間隔gを304m、第2物理光学素子か
らせンサまでの距f!IiLを18.7μmとした結果
、第1.第2アライメント信号光束の位置ずれ量拡大倍
率m、、m2はそれぞれ、m 、 = −99,0、m
2 = 76.7085となり、両光束のセンサ面上
での位置検知方向距離ΔSを求めることにより位置ずれ
量の1ml l+1m2 1倍、即ち175.708
5倍の倍率感度を得ることができる。
尚、第2物理光学素子4a、4bの焦点距離はセンサ面
上でのアライメント光束の径か約200μm以下となる
ように設定した。
上でのアライメント光束の径か約200μm以下となる
ように設定した。
本実施例に係る第1物体と第2物体の位置合わせ(横ず
れ検知、制御)の基本アルゴリズムは以下のとおりであ
る。
れ検知、制御)の基本アルゴリズムは以下のとおりであ
る。
(イ)まずセンサ38上の第1位置ずれ信号光束の光量
分布を測定したのち、先に定義した光量重心位置x8を
求める。
分布を測定したのち、先に定義した光量重心位置x8を
求める。
(ロ)このときセンサ39上の第2位置ずれ信号光束の
光量分布から該光束の光量重心位置XRを求める。
光量分布から該光束の光量重心位置XRを求める。
(ハ)xSとxRの差Δδ5を求め(C)式に示す倍率
から第1物体と第2物体間の相対位置ずれ量Δσ1を求
める。
から第1物体と第2物体間の相対位置ずれ量Δσ1を求
める。
(ニ)第1物体、または第2物体を相対位置ずれ量Δσ
1だけ駆動ステージにより動かし、位置すれを補正する
。
1だけ駆動ステージにより動かし、位置すれを補正する
。
(ホ)ステップ(イ)〜(ハ)の動作を行なって第1物
体と第2物体間の相対位置ずれ量Δσ2が許容値範囲内
かどうか判定する。
体と第2物体間の相対位置ずれ量Δσ2が許容値範囲内
かどうか判定する。
くべ)Δσ2が許容値範囲内になるまでステップ(イ)
〜(ネ) を繰り返す。
〜(ネ) を繰り返す。
上記の手続の概要を第1図(E)にフローチャートとし
て示す。
て示す。
尚、第1図(B)〜(D)は第1図(A)に示す第1実
施例を半導体製造用の露光装置に適用したときの要部概
略図である。同図(B)は横から見たとき、同図(C)
はアライメントピシクアップ装置部を抽出して示したも
のであり、同図(D)はステージ部及びステージコント
ローラ部の概略図である。
施例を半導体製造用の露光装置に適用したときの要部概
略図である。同図(B)は横から見たとき、同図(C)
はアライメントピシクアップ装置部を抽出して示したも
のであり、同図(D)はステージ部及びステージコント
ローラ部の概略図である。
本実施例では、横ずれ検知系として、デュアルパワーグ
レーティングレンズ法及び間隔計測系としてマスクレン
ズA2F法を用いている。これらの手法について簡単に
述べると次のようになる。
レーティングレンズ法及び間隔計測系としてマスクレン
ズA2F法を用いている。これらの手法について簡単に
述べると次のようになる。
デュアルパワーグレーティング法、フレネルゾーンプレ
ートに代表されるようなグレーティングレンズ系子を使
う位置合わせ方法の一種であり、マスク−Lグレーティ
ングレンズとウニハトグレーティングレンズ間に光束を
通し、そのときにマスクおよびウェハ」二のグレーティ
ングレンズ系が位置ずれ量を所定の倍率で拡大して、光
束を偏向させ、センサ上での光束の重心位置から位置ず
れ量を検出する方法である。
ートに代表されるようなグレーティングレンズ系子を使
う位置合わせ方法の一種であり、マスク−Lグレーティ
ングレンズとウニハトグレーティングレンズ間に光束を
通し、そのときにマスクおよびウェハ」二のグレーティ
ングレンズ系が位置ずれ量を所定の倍率で拡大して、光
束を偏向させ、センサ上での光束の重心位置から位置ず
れ量を検出する方法である。
ここで光束の光量重心としては光束断面内において、断
面内各占のその点からの位置ベクトルに川を鳴 その点の光量を乗算したものを断面全面で積分したとき
に積分値が0ベクトルになる点をとってもよいし、代表
点として光強度がピークとなる点の位置をとっても良い
。
面内各占のその点からの位置ベクトルに川を鳴 その点の光量を乗算したものを断面全面で積分したとき
に積分値が0ベクトルになる点をとってもよいし、代表
点として光強度がピークとなる点の位置をとっても良い
。
また光源としてはH8−Neし・−ザ、半導体レーザ(
LD)等のコヒーレンシーの高い光源を用いてもよいし
、発光ダイオード(LED)、xa−ランプ、水銀灯な
どコヒーレンシーの低い光源を用いてもよい。
LD)等のコヒーレンシーの高い光源を用いてもよいし
、発光ダイオード(LED)、xa−ランプ、水銀灯な
どコヒーレンシーの低い光源を用いてもよい。
この方法は位置ずれ量をグレーティングレンズ系の倍率
で拡大して検出するのでより高精度で高分解能な位置ず
れ検知が可能である。
で拡大して検出するのでより高精度で高分解能な位置ず
れ検知が可能である。
第1図(F)にグレーティングレンズ系で位置ずれ量を
拡大して検知する系の配置の模式図を示す。同図におい
ては便宜上第1物体へ光束を垂直入射したときを示して
いる。
拡大して検知する系の配置の模式図を示す。同図におい
ては便宜上第1物体へ光束を垂直入射したときを示して
いる。
第1物体1はメンブレン97に取り付けてあり、それを
アライナ−本体95にチャック96を介して支持されて
いる。本体95上部に第1゜第2物体のアライメントヘ
ッド94が配置されている。第1物体1と第2物体2の
位置合わせな行う為にアライメントマーク3及び4がそ
れぞれ第1物体と第2物体2に焼き付けられている。
アライナ−本体95にチャック96を介して支持されて
いる。本体95上部に第1゜第2物体のアライメントヘ
ッド94が配置されている。第1物体1と第2物体2の
位置合わせな行う為にアライメントマーク3及び4がそ
れぞれ第1物体と第2物体2に焼き付けられている。
光源31から出射された光ビームは投光レンズ32によ
り平行光となりビームスプリッタ−92を通り、アライ
メントマーク3へ入射される。アライメントマーク3は
透過型ゾーンプレートで、点Qへ集光する凸レンズの作
用を持つ。ウェハアライメントマーク4は反射型のゾー
ンプレートで点Qへ集光する光をセンサ38の検出面9
0上へ結像する凸面鏡の作用を持つ。
り平行光となりビームスプリッタ−92を通り、アライ
メントマーク3へ入射される。アライメントマーク3は
透過型ゾーンプレートで、点Qへ集光する凸レンズの作
用を持つ。ウェハアライメントマーク4は反射型のゾー
ンプレートで点Qへ集光する光をセンサ38の検出面9
0上へ結像する凸面鏡の作用を持つ。
・このような配置のもとで、第1物体に対し第2物体が
ΔδWだけ横ずれすると、検出面9o上の光ff1ff
i心の位置ずれΔδは次のように表わされる。
ΔδWだけ横ずれすると、検出面9o上の光ff1ff
i心の位置ずれΔδは次のように表わされる。
る。
例えばマーク3−Q間隔aw=0.5mm、マーク4−
検出面間隔bw=50mmとすれば99倍となる。尚、
この時ΔδはΔσに対し、式より明らかなように比例関
係にあり、センサの分解能が0,1μmあるとすれば検
出される位置ずれ量Δσは0.001μmの位置分解能
がある。このようにして求まった位置ずれ量Δσをもと
に物体2を動かしてやれば物体1と物体2の位置合わせ
を積度良く行うことができる。
検出面間隔bw=50mmとすれば99倍となる。尚、
この時ΔδはΔσに対し、式より明らかなように比例関
係にあり、センサの分解能が0,1μmあるとすれば検
出される位置ずれ量Δσは0.001μmの位置分解能
がある。このようにして求まった位置ずれ量Δσをもと
に物体2を動かしてやれば物体1と物体2の位置合わせ
を積度良く行うことができる。
第1図(D)はステージ部及びステージコントローラ部
のIiF細図である。アライメントピックアップヘット
24はスーパーフラット面10を持つ支持体261.の
スーパーフラット面10を一1定圧でスーパーフラット
ヘースプレート23に押しつける為のクランパ一部27
に取りつけられ、アライメント装置本体上部にスーパー
フラットベース23を介し載せられている。クランパ一
部27は2次元移動ステージ21上の移動支持部28と
゛V行板バネ30を介しつながっている。ステージ21
は、ベース部21B、y方向スライド部21X、y方向
スライド部21Y、x、y両方向スライドをカイトする
カイト部21G、ヘース部21Bに設けられスライド部
21X、21YをそれぞれX方向、X方向に駆動する駆
動源21MX、21MYより成る。駆動源MX、MYの
動作はヘット24を各方向に動かして所定位置にボジシ
ョニングするようコントローラ22により制御される。
のIiF細図である。アライメントピックアップヘット
24はスーパーフラット面10を持つ支持体261.の
スーパーフラット面10を一1定圧でスーパーフラット
ヘースプレート23に押しつける為のクランパ一部27
に取りつけられ、アライメント装置本体上部にスーパー
フラットベース23を介し載せられている。クランパ一
部27は2次元移動ステージ21上の移動支持部28と
゛V行板バネ30を介しつながっている。ステージ21
は、ベース部21B、y方向スライド部21X、y方向
スライド部21Y、x、y両方向スライドをカイトする
カイト部21G、ヘース部21Bに設けられスライド部
21X、21YをそれぞれX方向、X方向に駆動する駆
動源21MX、21MYより成る。駆動源MX、MYの
動作はヘット24を各方向に動かして所定位置にボジシ
ョニングするようコントローラ22により制御される。
各ステージの移動量はそれぞれレーザー測長器29X、
29Yにより精密に計測され、このデータがコントロー
ラ22に入力され、これに居いてコントローラ22がヘ
ット24の現在位置を検出し、所定位置になる様に駆動
源MX、MYに指令信号を送る事で、ヘッド24の位置
が精密に制御されている。検出位置移動後、11t「述
の如く横すれ及び間隔検出を実行し、この検出結果に基
いて、ウェハステージ25を横すれ及び間隔誤差補正方
向に移動させてアライメント及び間隔制御を完了した後
、ヘッド24はマスク、ウェハ露光の邪魔にならない様
、元の位置にもどる。アライメントピックアップヘット
24は横ずれ検知系、間隔検知系、投光系が組み込まれ
ており、光源31具体的には半導体レーザから出射され
た光ビームはコリメータレンズ32、投射用レンズ33
及び投射用ミラー34を介し、評価用マーク20へ投射
される。マークより出射された光ビームは検知用レンズ
36により検知系へ導かれ、ハーフミラ−37により分
割され、横すれ検知用受光素子38にはいり、それぞれ
の信号となる。尚、アライメントピックアップヘット2
4の投光、受光窓35には露光用光源からの光か通らな
いようなフィルターかf=t’けられている。
29Yにより精密に計測され、このデータがコントロー
ラ22に入力され、これに居いてコントローラ22がヘ
ット24の現在位置を検出し、所定位置になる様に駆動
源MX、MYに指令信号を送る事で、ヘッド24の位置
が精密に制御されている。検出位置移動後、11t「述
の如く横すれ及び間隔検出を実行し、この検出結果に基
いて、ウェハステージ25を横すれ及び間隔誤差補正方
向に移動させてアライメント及び間隔制御を完了した後
、ヘッド24はマスク、ウェハ露光の邪魔にならない様
、元の位置にもどる。アライメントピックアップヘット
24は横ずれ検知系、間隔検知系、投光系が組み込まれ
ており、光源31具体的には半導体レーザから出射され
た光ビームはコリメータレンズ32、投射用レンズ33
及び投射用ミラー34を介し、評価用マーク20へ投射
される。マークより出射された光ビームは検知用レンズ
36により検知系へ導かれ、ハーフミラ−37により分
割され、横すれ検知用受光素子38にはいり、それぞれ
の信号となる。尚、アライメントピックアップヘット2
4の投光、受光窓35には露光用光源からの光か通らな
いようなフィルターかf=t’けられている。
本実施例においては、投射光47は評価マーク1−では
平行になるように設計されており、投射領域43の横す
れ検知用マーク41Mと間隔測定用マーク42.。とじ
て同時に投射される。この為、横すれ検知と間隔測定の
投光手段が一つの系で構成されている。
平行になるように設計されており、投射領域43の横す
れ検知用マーク41Mと間隔測定用マーク42.。とじ
て同時に投射される。この為、横すれ検知と間隔測定の
投光手段が一つの系で構成されている。
第4図は本発明の第2実施例の要部概略図である。第2
物体七のアライメントマーク4a、4bは第2図(B)
に示すパターンより成っている。
物体七のアライメントマーク4a、4bは第2図(B)
に示すパターンより成っている。
ここにアライメントマーク4a、4bは第1実施例と同
様、それぞれ第1.第2信号光束に対して、−1次回折
光が凹レンズ作用、凸レンズ作用を示す。
様、それぞれ第1.第2信号光束に対して、−1次回折
光が凹レンズ作用、凸レンズ作用を示す。
本実hh例においては第1物理光学素子3であるグレー
ティングレンズのパワーかシリンドリカルではなく、等
方向、即ちxY血内で等方向にレンズ作用(光束の収束
、発散作用)を有するもの、またはX方向、Y方向で異
なるレンズパワーを持つトーリックタイプレンズ素子な
どを第1物理光学素子に用い、第2物理光学素子に第2
図(B)に示すようなマーク配置に構成するのに好適で
ある。
ティングレンズのパワーかシリンドリカルではなく、等
方向、即ちxY血内で等方向にレンズ作用(光束の収束
、発散作用)を有するもの、またはX方向、Y方向で異
なるレンズパワーを持つトーリックタイプレンズ素子な
どを第1物理光学素子に用い、第2物理光学素子に第2
図(B)に示すようなマーク配置に構成するのに好適で
ある。
第5図は本発明の第3実7i’es例の要部概略図であ
る。第1.第2物理光学素子はいずれもオフアクシス型
1次元グレーティングレンズ(フレネルレンズ)素子で
あり、第1.第2実施例と同様の第1.第2物体に対し
、所定の角度で斜入射投光し、斜出射受光することによ
り、投光、受光光学系及びセンサ、そして光源等を1つ
の筐体中に納めたアライメントピックアップヘッドを構
成している。
る。第1.第2物理光学素子はいずれもオフアクシス型
1次元グレーティングレンズ(フレネルレンズ)素子で
あり、第1.第2実施例と同様の第1.第2物体に対し
、所定の角度で斜入射投光し、斜出射受光することによ
り、投光、受光光学系及びセンサ、そして光源等を1つ
の筐体中に納めたアライメントピックアップヘッドを構
成している。
位置合わせ、および位置ずれ検知は第5図のY軸方向に
行なう。又、第1物理光学素子3は第5図に示すように
単一パターンのグレーティングレンズから成り、第2物
理光学素f4は2種類のグレーティングレンズパターン
4a、4bから成り、第2図(C)に示すようなパター
ンを有している。
行なう。又、第1物理光学素子3は第5図に示すように
単一パターンのグレーティングレンズから成り、第2物
理光学素f4は2種類のグレーティングレンズパターン
4a、4bから成り、第2図(C)に示すようなパター
ンを有している。
第1.第2アライメント信号光束のYZ面内の光路断面
図は第1.第2実施例と同様に設定される。但し、同図
では相対位置すれ(j」0のときの光路断面図に対応し
ている。
図は第1.第2実施例と同様に設定される。但し、同図
では相対位置すれ(j」0のときの光路断面図に対応し
ている。
又、第1.第2実hb例と同様第2物理光学素子4aは
第1物理光学素子3で回折された凸パワーの光束に対し
1次回折光が凹レンズ作用を受けるように設計され、第
2物理光学素子4bは第1物理光学素子3で回折された
凹パワーの光束に対し一1次回折光が凸レンズ作用を受
けるように設定されている。
第1物理光学素子3で回折された凸パワーの光束に対し
1次回折光が凹レンズ作用を受けるように設計され、第
2物理光学素子4bは第1物理光学素子3で回折された
凹パワーの光束に対し一1次回折光が凸レンズ作用を受
けるように設定されている。
第6図は本発明の第4実施例の要部概略図である。同図
において第2物体2Fの第2物理光学素子4は、第1実
施例で一1次回折光か凹レンズ作用を示すように設定さ
れたパターンと凸レンズ作用を示すように設定されたパ
ターンを重ね合わせたパターンとなっており、第2図(
D)に示すようなパターンを有している。
において第2物体2Fの第2物理光学素子4は、第1実
施例で一1次回折光か凹レンズ作用を示すように設定さ
れたパターンと凸レンズ作用を示すように設定されたパ
ターンを重ね合わせたパターンとなっており、第2図(
D)に示すようなパターンを有している。
このように位置合わせ物体トの同一領域にアライメント
光束に対し作用の異なるマーク、即ち凹レンズ作用マー
クと凸レンズ作用マークを設定、配置することにより、
位置合わせ物体面の局所的な傾斜による位置すれ検知誤
差を解消することができる。更に第1.第2実7ih例
と同様、位置すれに対し符号の異なる位置ずれ拡大イΔ
率をもつ、2つのアライメント信号光束を生成すること
ができ、これをセンサ上で光量重心位置検知することに
より位置ずれに対し高利得、高分解能の位置すれか1[
検出かtif能となる。
光束に対し作用の異なるマーク、即ち凹レンズ作用マー
クと凸レンズ作用マークを設定、配置することにより、
位置合わせ物体面の局所的な傾斜による位置すれ検知誤
差を解消することができる。更に第1.第2実7ih例
と同様、位置すれに対し符号の異なる位置ずれ拡大イΔ
率をもつ、2つのアライメント信号光束を生成すること
ができ、これをセンサ上で光量重心位置検知することに
より位置ずれに対し高利得、高分解能の位置すれか1[
検出かtif能となる。
又、位置合わせ物体の平均的な傾斜に対しても同様に誤
差を解消することかできる。
差を解消することかできる。
第7図は本発明の第5実施例の要部概略図である。
本実hh例では第2物体上の反則型の第2物理光学素子
4に光源31を出射したアライメント光束が投光光学系
を通ったのち、第2物体面の法線に対し、所定の角度で
斜めに照射される。このときアライメント光束は第1物
体を単に透過するたけて回折作用などは受けない。
4に光源31を出射したアライメント光束が投光光学系
を通ったのち、第2物体面の法線に対し、所定の角度で
斜めに照射される。このときアライメント光束は第1物
体を単に透過するたけて回折作用などは受けない。
第2物理光学素f 4は第1実/i八例の第1物理光学
素子と同様のパターン形状を有する振幅位相混合型グレ
ーティングレンズ素子である。第2物理光学素子4に入
射した光束は、そこで+0次、m次で回折することによ
り、それぞれ凸パワー、凹パワー光束となる。本実施例
では+1次、−1次で回折する2光束を第1.第2アラ
イメント信号光束として利用している。
素子と同様のパターン形状を有する振幅位相混合型グレ
ーティングレンズ素子である。第2物理光学素子4に入
射した光束は、そこで+0次、m次で回折することによ
り、それぞれ凸パワー、凹パワー光束となる。本実施例
では+1次、−1次で回折する2光束を第1.第2アラ
イメント信号光束として利用している。
これら2光束は第1物体−トの第1物理光学素子3a、
3bで更に所定次数で回折し、レンズ作用を受けたのち
、センサ38,39に入射し・て、光@重心位置が検出
される。
3bで更に所定次数で回折し、レンズ作用を受けたのち
、センサ38,39に入射し・て、光@重心位置が検出
される。
木実hei例では第2物理光学素子で生成した凸パワー
光束が第1物理光学素子3aで一1次で回折して凹レン
ズ作用を受け、又第2物理光学素子で生成した凹パワー
光束が第1物理光学素子3bで−1次で回折して凸レン
ズ作用を受けるように設定されている。
光束が第1物理光学素子3aで一1次で回折して凹レン
ズ作用を受け、又第2物理光学素子で生成した凹パワー
光束が第1物理光学素子3bで−1次で回折して凸レン
ズ作用を受けるように設定されている。
アライメント光束の位置合わせ物体に対する人出射角は
第1実施例と同様に設定している。
第1実施例と同様に設定している。
第8図(A)は本発明の第6実施例の要部概略図である
。
。
本実施例では第2物理光学素子を第2図(E)に示すよ
うに2種類の非対称グレーティングレンズパターン4a
、4bで構成している。それぞれのパターンは第1実施
例と同じく一1次反射回折光か凹レンズ作用、凸レンズ
作用を受けるように機能している。
うに2種類の非対称グレーティングレンズパターン4a
、4bで構成している。それぞれのパターンは第1実施
例と同じく一1次反射回折光か凹レンズ作用、凸レンズ
作用を受けるように機能している。
又、第1物理光学素子3は第1実施例と同じく第8図(
A)に示すような単一パターングレーティングレンズ素
子であり、光源から出射して投光光学;f−9により平
行光となって第1物体而法線に対し斜入射した後、+1
次回折光は点(00、−z、)に集光するように出射し
、−1次回折光は点(0,0,Z+ )から出射するよ
うな発散波となって第1物理光学素子3を出射する。
A)に示すような単一パターングレーティングレンズ素
子であり、光源から出射して投光光学;f−9により平
行光となって第1物体而法線に対し斜入射した後、+1
次回折光は点(00、−z、)に集光するように出射し
、−1次回折光は点(0,0,Z+ )から出射するよ
うな発散波となって第1物理光学素子3を出射する。
第2物理光学素子4a、4bの光軸はxY座標系でそれ
ぞれ(δ、、0)、(δ2 + 0 ) 。
ぞれ(δ、、0)、(δ2 + 0 ) 。
(δ、〈0.δ2くO)の位置にZ軸に平行に存在する
。
。
第8図(B)は同図(A)の第6実施例のグレーテイン
クレンズ系の要部パワー配置図である。第1物理光学素
子3に入射した平行光束は回折作用を受けて+1次回折
光は点F1に収束するように凸パワー(収斂)光束とな
り、−1次回折光は点F2を虚像点とする発散光、月1
1ち凹パワー光束である。
クレンズ系の要部パワー配置図である。第1物理光学素
子3に入射した平行光束は回折作用を受けて+1次回折
光は点F1に収束するように凸パワー(収斂)光束とな
り、−1次回折光は点F2を虚像点とする発散光、月1
1ち凹パワー光束である。
凸パワー光束、凹パワー光束はそれぞれ第2物理光学素
子4a、4bで共に一1次の回折作用を受け、それぞれ
の像点F、、F2かセンサ而−4−の点S、、S2に光
1i重心位置として結像される。
子4a、4bで共に一1次の回折作用を受け、それぞれ
の像点F、、F2かセンサ而−4−の点S、、S2に光
1i重心位置として結像される。
点S、、S2の位置は像点F、、F2と第2物理光学素
子の光軸中心0..02をそれぞれ結ぶ直線が検出面と
交わる位置として幾何光学的に対応つけることかできる
。
子の光軸中心0..02をそれぞれ結ぶ直線が検出面と
交わる位置として幾何光学的に対応つけることかできる
。
本実/i’tr例では第2物理光学素子4の凹レンズ素
f−4aの光軸中心と、凸レンズ素子4bの光軸中心と
を、第1物理光学素子3の光軸中心位置を中心として、
それぞれX軸方向にδ0.δ2(δ1く0.δ2〈0)
ずらしたものである。
f−4aの光軸中心と、凸レンズ素子4bの光軸中心と
を、第1物理光学素子3の光軸中心位置を中心として、
それぞれX軸方向にδ0.δ2(δ1く0.δ2〈0)
ずらしたものである。
このようにすることにより、位置ずれ量0のときのそれ
ぞれのアライメント信号光束の光量重心位置の位置ずれ
検出方向距離は0とならず、所定の、値となり、2つの
アライメント信号光束間の分離が容易となる。
ぞれのアライメント信号光束の光量重心位置の位置ずれ
検出方向距離は0とならず、所定の、値となり、2つの
アライメント信号光束間の分離が容易となる。
第9図CA)は本発明の第7実施例の要部概略図である
。
。
本実施例では第2物理光学素子を第2図(F)に示すよ
うなパターンの軸対称グレーティングレンズ4a、4b
を用いている。
うなパターンの軸対称グレーティングレンズ4a、4b
を用いている。
グレーティングレンズ4a、4bの光軸中心は第2図(
F)に示すように第2物理光学素子4のマーク領域長手
方向の中心位置からそれぞれ+。
F)に示すように第2物理光学素子4のマーク領域長手
方向の中心位置からそれぞれ+。
一方向にある。本実施例では4分割点の位置にあるよう
に設定した。
に設定した。
第9図(B)は本実施例のグレーティングレンズによる
位置ずれ堅拡大検出系のパワー配置図である。第2物理
光学素子4の凹レンズ素子4aの光軸中心と、凸レンズ
素子4bの光軸中心とを位置ずれ量0時、第1物理光学
素子3の光軸中心位置を基準としてそれぞれX軸方向に
δ3.δ2(δ1〉0.δ2く0)ずらしたものである
。
位置ずれ堅拡大検出系のパワー配置図である。第2物理
光学素子4の凹レンズ素子4aの光軸中心と、凸レンズ
素子4bの光軸中心とを位置ずれ量0時、第1物理光学
素子3の光軸中心位置を基準としてそれぞれX軸方向に
δ3.δ2(δ1〉0.δ2く0)ずらしたものである
。
このように位置ずれ量0時においても位置ずれ信号光束
を第1物体への入射面外に光路をねしることにより、入
射面内で生じる不要な回折光(第1.第2物理光学素子
のフラウンホーファ回折光)とアライメント信号光との
クロストークを回避することかできるばかりでなく、位
置合わせ光学系中の投光、受光光学系及びセンサの位置
と第1.第2物体系との位置の間に変動が起こっても位
置ずれ量検出誤差を解消することができる。
を第1物体への入射面外に光路をねしることにより、入
射面内で生じる不要な回折光(第1.第2物理光学素子
のフラウンホーファ回折光)とアライメント信号光との
クロストークを回避することかできるばかりでなく、位
置合わせ光学系中の投光、受光光学系及びセンサの位置
と第1.第2物体系との位置の間に変動が起こっても位
置ずれ量検出誤差を解消することができる。
第10図は本発明の第8実施例の要部概略図であり、本
実施例は半導体露光製造装置のマスク(或はレチクル)
とウェハとの位置合わせに通用したものである。同図に
おいてアライメントピックアップヘッド24から出射さ
れた光ビームは、マスクl及びウェハ2上のマーク20
上へ照射され、反射あるいは回折された光は再びアライ
メントピックアップヘット24へ出射される。アライメ
ントピックアップヘッド24は第1図(C:) 、 (
D)に示すようにステージ21へ取り付けられアライメ
ント領域に応じて自由に2次元的に移動できるように構
成されておりステージコントロール部22により制御さ
れる。このとき、ステージ21はスーパーフラットベー
スプレート23でカイトされており、ピッチング、ヨー
イングは生じないように設計されている。ステージコン
トロール部22はアライメント及び間隔制御開始時にス
テージ21を駆動させてヘット24をあらかじめ記憶さ
れているマスク及ぶウェハの評価用マーク20の照明及
び検出の為の位置へ移動させる。
実施例は半導体露光製造装置のマスク(或はレチクル)
とウェハとの位置合わせに通用したものである。同図に
おいてアライメントピックアップヘッド24から出射さ
れた光ビームは、マスクl及びウェハ2上のマーク20
上へ照射され、反射あるいは回折された光は再びアライ
メントピックアップヘット24へ出射される。アライメ
ントピックアップヘッド24は第1図(C:) 、 (
D)に示すようにステージ21へ取り付けられアライメ
ント領域に応じて自由に2次元的に移動できるように構
成されておりステージコントロール部22により制御さ
れる。このとき、ステージ21はスーパーフラットベー
スプレート23でカイトされており、ピッチング、ヨー
イングは生じないように設計されている。ステージコン
トロール部22はアライメント及び間隔制御開始時にス
テージ21を駆動させてヘット24をあらかじめ記憶さ
れているマスク及ぶウェハの評価用マーク20の照明及
び検出の為の位置へ移動させる。
尚、本発明の適用は半導体製造装置の位置合わせ機構に
限定されるものではなく、例えばホログラムの露光、再
生時のホログラム素子セツティングの際の位置合わせ、
多色印刷機械の位置合わせ、半導体チップのポンディン
グ工程、プリント基板、回路の検査装置における位置合
わせ工程、その他、光学部品、光計測システムの調整時
の位置合わせ、間隔測定など広く適用可能である。
限定されるものではなく、例えばホログラムの露光、再
生時のホログラム素子セツティングの際の位置合わせ、
多色印刷機械の位置合わせ、半導体チップのポンディン
グ工程、プリント基板、回路の検査装置における位置合
わせ工程、その他、光学部品、光計測システムの調整時
の位置合わせ、間隔測定など広く適用可能である。
(発明の効果)
以上のように本発明によれば位置合わせを行なう第1.
第2物体面上の一方の物体面上に一つの素子で同時に凸
レンズ素子と凹レンズ素子として機能する711.−、
−のパターンを有するアライメントマークとしての第1
物理光学素子を設け、該第1物理光学素子からの符号の
異なる回折次数の光束を凸レンズ素子用のパターンと凹
レンズ素子用のパターンを他方の物体面上に形成した第
2#埋光学素子を介し、又は第1.第2物理光学素子を
通過する光束の順序を逆にして用いることにより、第1
物体と第2物体との相対的な位置ずれ量に対して符号の
異なる拡大倍率でセンサ面上で光■重心位置が変位する
2つのアライメント信号光束を生成し、その光量重心位
置間距離を検出することにより、 (イ)反射面である位置合わせ物体のウニ八而が傾斜す
るか、或はレジストの塗布むらや、露光プロセス中に生
じるそりなどのローカルな傾き等によってアライメント
光の重心位置が変動しても2つのアライメント信号光の
相対的な重心位置検知を行うことにより、ウニ凸面の傾
斜に左右されずに正確に位置ずれを検出することができ
る。
第2物体面上の一方の物体面上に一つの素子で同時に凸
レンズ素子と凹レンズ素子として機能する711.−、
−のパターンを有するアライメントマークとしての第1
物理光学素子を設け、該第1物理光学素子からの符号の
異なる回折次数の光束を凸レンズ素子用のパターンと凹
レンズ素子用のパターンを他方の物体面上に形成した第
2#埋光学素子を介し、又は第1.第2物理光学素子を
通過する光束の順序を逆にして用いることにより、第1
物体と第2物体との相対的な位置ずれ量に対して符号の
異なる拡大倍率でセンサ面上で光■重心位置が変位する
2つのアライメント信号光束を生成し、その光量重心位
置間距離を検出することにより、 (イ)反射面である位置合わせ物体のウニ八而が傾斜す
るか、或はレジストの塗布むらや、露光プロセス中に生
じるそりなどのローカルな傾き等によってアライメント
光の重心位置が変動しても2つのアライメント信号光の
相対的な重心位置検知を行うことにより、ウニ凸面の傾
斜に左右されずに正確に位置ずれを検出することができ
る。
(ロ)アライメントヘットの位置かマスクに対して相対
的に変動した為に、アライメント信号光のセンサLの重
心位置が変動しても2つのアライメント信号光の相対的
なf■重心位置検知行うことにより、アライメントヘッ
ドの位置ずれに左右されない。
的に変動した為に、アライメント信号光のセンサLの重
心位置が変動しても2つのアライメント信号光の相対的
なf■重心位置検知行うことにより、アライメントヘッ
ドの位置ずれに左右されない。
(ハ)同一のアライメントマークで倍率符号の異なる2
系統の系を構成し、総合倍率をかせぐことができ、各系
統単独の場合と比較し約2倍の感度のアライメント信号
を得ることができる。
系統の系を構成し、総合倍率をかせぐことができ、各系
統単独の場合と比較し約2倍の感度のアライメント信号
を得ることができる。
(ニ)位置合わせ物体に対し、アライメント光束を斜入
射投光、位置合わせ物体からアライメント光束を斜出射
して、これを受光するように構成することかでき、位置
合わせ投光光学系及び受光光学系、センサ等を1つの筐
体中に納め位置ずれ検出系をコンパクトにすることがで
きる。更に半導体露光プロセスにおいて、位置合わせ完
了後、露光領域から上記位置ずれ検出系を退避する必要
かなく、露光プロセスのスルーブツト向上、退避に伴な
う振動等の防止を可能としている。
射投光、位置合わせ物体からアライメント光束を斜出射
して、これを受光するように構成することかでき、位置
合わせ投光光学系及び受光光学系、センサ等を1つの筐
体中に納め位置ずれ検出系をコンパクトにすることがで
きる。更に半導体露光プロセスにおいて、位置合わせ完
了後、露光領域から上記位置ずれ検出系を退避する必要
かなく、露光プロセスのスルーブツト向上、退避に伴な
う振動等の防止を可能としている。
(ホ)位置合わせマークの一方が単一パターンである為
、マーク構成がシンプルで形成も容易となる。
、マーク構成がシンプルで形成も容易となる。
等の特長を有した位置合わせ装置を達成することができ
る。
る。
?!1図(A)は本発明の第1実施例の要部概略図、第
1図(H) 、 (C) 、 (D)は本発明の第1実
施例を半導体製造用の露光装置に適用したときの要部概
略図、第1図(E)は本発明に係る位置合わせに関する
フローチャート図、第1図(F)は本発明に係る位置合
わせ装置における位置ずれ量を検出する際の模式図、第
2図(A)〜(H)は本発明に係る物理光学素子の一実
施例の説明図、第3図は第1図の一部分の光路の概略図
、第4図、第5.第6図、第7図、第8図(A)。 第9図(A)、第10図は順に本発明の第2〜第8実施
例の要部概略図、第8図(B)、第9図(B)は第6.
第7実施例の第1.第2物理光学素子の要部パワー配置
図、第11.第12図は従来の位置合わせ装置の概略図
である。 図中、1は第1物体、2は第2物体、3は第1物理光学
素子、4は第2物理光学素子、4a。 4bは第1.第2アライメントマーク、9は投射用レン
ズ、31は光源、38.39はセンサである。
1図(H) 、 (C) 、 (D)は本発明の第1実
施例を半導体製造用の露光装置に適用したときの要部概
略図、第1図(E)は本発明に係る位置合わせに関する
フローチャート図、第1図(F)は本発明に係る位置合
わせ装置における位置ずれ量を検出する際の模式図、第
2図(A)〜(H)は本発明に係る物理光学素子の一実
施例の説明図、第3図は第1図の一部分の光路の概略図
、第4図、第5.第6図、第7図、第8図(A)。 第9図(A)、第10図は順に本発明の第2〜第8実施
例の要部概略図、第8図(B)、第9図(B)は第6.
第7実施例の第1.第2物理光学素子の要部パワー配置
図、第11.第12図は従来の位置合わせ装置の概略図
である。 図中、1は第1物体、2は第2物体、3は第1物理光学
素子、4は第2物理光学素子、4a。 4bは第1.第2アライメントマーク、9は投射用レン
ズ、31は光源、38.39はセンサである。
Claims (2)
- (1)第1物体と第2物体とを対向させて相対的な位置
決めを行なう際、該第1物体面上と該第2物体面上に各
々第1、第2物理光学素子を形成し、該第1物理光学素
子に光を入射させたときに生ずる回折光を該第2物理光
学素子に入射させ、該第2物理光学素子により所定面上
に生ずる回折パターンの光束位置を検出手段により検出
することにより、該第1物体と該第2物体との相対的な
位置決めを行なう際、該第1又は第2物理光学素子のう
ち一方の物理光学素子Aを単一のマーク形状を有するレ
ンズ素子より構成すると共に該物理光学素子Aから生ず
る異なる次数の2つの回折光が所定面上で該第1物体と
第2物体の相対的な位置ずれ量に対し、互いに符号の異
なる倍率で変位するように構成したことを特徴とする位
置合わせ装置。 - (2)前記第1又は第2物理光学素子のうち他方の物理
光学素子Bを複数のマーク形状を有するレンズ素子より
構成し、該物理光学素子Bにより入射光束を所定の次数
で回折させることにより該2つの物理光学素子A、Bに
より各々凹レンズ作用と凸レンズ作用を有する凹凸検出
系と凸レンズ作用と凹レンズ作用を有する凸凹検出系の
2つの検出系を構成し、該2つの検出系によって生ずる
回折光を検出手段により検出し、該検出手段からの出力
信号を利用して該第1物体と第2物体との位置決めを行
っていることを特徴とする請求項1記載の位置合わせ装
置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63225808A JP2513282B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 位置合わせ装置 |
| EP89309097A EP0358514B1 (en) | 1988-09-09 | 1989-09-07 | Position detecting method and apparatus |
| DE68929270T DE68929270T2 (de) | 1988-09-09 | 1989-09-07 | Vorrichtung und Gerät zur Positionsdetektion |
| US07/832,612 US5160848A (en) | 1988-09-09 | 1992-02-12 | Device for detecting the relative position between opposed first and second objects |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63225808A JP2513282B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 位置合わせ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0274806A true JPH0274806A (ja) | 1990-03-14 |
| JP2513282B2 JP2513282B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=16835118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63225808A Expired - Fee Related JP2513282B2 (ja) | 1988-09-09 | 1988-09-09 | 位置合わせ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513282B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115172243A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-10-11 | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 | 一种晶圆键合对准方法及其装置 |
-
1988
- 1988-09-09 JP JP63225808A patent/JP2513282B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN115172243A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-10-11 | 上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司 | 一种晶圆键合对准方法及其装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2513282B2 (ja) | 1996-07-03 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |