JPH0275920A - 温度測定装置 - Google Patents

温度測定装置

Info

Publication number
JPH0275920A
JPH0275920A JP1187578A JP18757889A JPH0275920A JP H0275920 A JPH0275920 A JP H0275920A JP 1187578 A JP1187578 A JP 1187578A JP 18757889 A JP18757889 A JP 18757889A JP H0275920 A JPH0275920 A JP H0275920A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
circuit
signal
material built
switch
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1187578A
Other languages
English (en)
Inventor
Bruno Piai
ブルーノ・ピアイ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Pomini Long Rolling Mills SRL
Original Assignee
Pomini Farrel SpA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Pomini Farrel SpA filed Critical Pomini Farrel SpA
Publication of JPH0275920A publication Critical patent/JPH0275920A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K7/00Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements
    • G01K7/02Measuring temperature based on the use of electric or magnetic elements directly sensitive to heat ; Power supply therefor, e.g. using thermoelectric elements using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
    • G01K7/021Particular circuit arrangements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
  • Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、密閉機器内蔵材料の温度測定装置、特に、ゴ
ム、エラストマー、ポリマー等用の内部混合器に内蔵し
た材料の温度を測定する装置に関するものである。
(従来の技術) 多くの産業上の処理においては、被処理材料の監視およ
び制御が極めて重要であり、そのためには、処理が行な
われている機器の内部において直接に被処理材料の温度
を正確に測定する必要がある。
かかる必要の典型例として示すゴム、ポリマー・等の内
部混合器においては、混合乃至混成中に内部摩擦によっ
て上昇する温度を、材料に不所望の変質が生じないよう
に制御しなければならない。
そのための温度測定に用いる熱電変換器、特に熱電対に
おいては、その熱電対を構成する異種金属の一端を互い
に接続した高温接触点を温度測定対象の材料に接触させ
るとともに、他端を互いに接続した低温接触点を異なっ
た既知の温度の位置に置いて両金属間に生ずる電圧を検
出し、適切に増幅して測定対象位置の温度を指示する。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、この種の温度測定装置は、産業的環境、
特に、上述した種類の混合器における材料処理にはあま
り適しておらず、測定感度は十分であるが十分な測定精
度が得られず、熱電効果によって得られる電気信号が極
めて小さいので、近傍の電気機器によって生ずる、有効
信号より大きい値の擾乱の影響を受は易かった。
さらに、測定対象の機器から取出した温度のデータは、
例えば数メートル離れた制御盤まで伝送し得なければな
らないが、そのためには、有効な信号を弁別し得なくす
る擾乱信号を増幅することなく、データ信号を増幅し得
なければならない。
したがって、測定環境の電気的擾乱の影響を受けずに、
機器内の材料の温度を検出する測定装置を開発する必要
がある。
また、熱電対の使用に際しては、熱電対の低温接触点を
、異なった温度の位置にあってその温度が変化し、擬似
熱電対を構成し勝ちの他の回路構成要素に溶接すること
なく、所定の測定可能な温度の位置に保持しなければな
らない、という別の問題も生ずる。
さらに、熱電対温度センサの使用、特に、ゴム材の混合
器乃至混成器での使用は、一方では、温度センサと被測
定材料との密接な接触の達成を必要とするとともに、他
方では、温度センサにその保全を害する程度に耐え難い
機械的負担を与え勝ちである、という課題もあった。
(課題を解決するための手段) 本発明の目的は、上述した各課題を解決し、極めて困難
な測定環境においても必要な測定精度を確保するととも
に、被測定材料の処理によって生ずるかなりの機械的ス
トレスがあってもその機械強度を保証するに適した高度
の機械的特性を有する温度センサを備えた密閉機器内蔵
材料の温度測定装置を提供することにある。
かかる目的を達成した本発明密閉機器内蔵材料の温度測
定装置は、被測定材料に接触するとともに、隣接した前
置増幅電子回路に接続した高感度熱電対素子を装着した
プローブを備え、そのプローブを、離隔して配置すると
ともに可視化、記録および制御の各装置を組合わせた検
知出力信号増幅処理手段に接続したことを特徴とするも
のである。
特に、前記プローブは、電気的・熱的絶縁用セラミック
材料の保護用被覆筒管に収容するとともに、その筒管先
端面の直近で一端を互いに溶接した互いに異なる熱電特
性を有する2本の金属ワイヤからなる高感度熱電対素子
を備えている。
好適例においては、前記高感度熱電対素子をなす2本の
金属ワイヤがそれぞれプラチナおよびプラチナパロジウ
ムからなり、一端を溶接して熱電対の高温接触点を形成
している。
また、好適例においては、前記熱電対の金属ワイヤを収
容する筒管をなす電気的・熱的絶縁用セラミック材が、
60%乃至70%の酸化ジルコニウムおよび20%乃至
30%のアルミナの混合材からなり、熱電対を形成する
金属ワイヤの熱膨張係数に近似した熱膨張係数を存する
さらに、好適例においては、前記金属ワイヤの接触溶接
点が前記筒管の先端面下10人乃至1胴、好ましくはl
/1100III乃至5/10mmに位置する。
さらに、好適例においては、前記金属ワイヤ用セラミッ
ク材被覆筒管を、その先端面下における前記金属ワイヤ
間溶接点の所定の深さに対応した先端面下所定寸法まで
切削しである。
他の好適例においては、前記金属ワイヤ用セラミック材
被覆筒管を乾式塑製技術により所望寸法に形成する。
また、前記金属ワイヤ用セラミック材被覆筒管にシリカ
基底半融解ガラスの被覆表面層を設ければ、それに接触
して動(被測定材料に対する摩擦を減らすので有利であ
る。
また、好適例においては、前記前置増幅電子回内の低温
接触点をなす金属ワイヤ接続点が、所望の測定精度で最
大温度差が得られるとともに、温度センサが存在し得る
小面積内に固まっている。
さらに、好適例においては、前記前置増幅電子回路が、
他端を溶接して熱電対を形成した2本の金属ワイヤの遊
離端に対する接触接続点を備えたスイッチング増幅回路
からなり、前記接触接続点から第1被制御スイッチによ
り相互に接続する個別の接続線を演算増幅器の入力端に
導き、その演算増幅器の出力端に接地点接続用の第2被
制御スイッチおよび増幅出力信号用の積分回路を設けで
ある。
また、好適例においては、前記被制御スイッチが、方形
パルス発生器により、ノイズおよび安定性に関し最適範
囲の周波数で制御して前記演算増幅器の作用を援ける半
導体スイフチからなっている。
さらに、好適例においては、前記第1被制御スイッチを
方形パルスの上り・下りの勾配を形成する信号により制
御してスイッチングにより生じた!疑似ピーク電圧が当
該回路内で消滅した後に当該スイフチの切換えを行なう
また、好適例においては、構成要素組合わせの寸法およ
びその組合わせ内部の熱勾配を考慮して、前記前置増幅
電子回路をハイブリッド技術により熱伝導支持セラミッ
ク材上に構成している。
さらに、好適例においてば、前記増幅出力信号用の積分
回路が、低域通過濾波器をなし、零基準点に接続した第
2被制御スイッチと連繋して前記増幅出力信号のベース
バンド成分用再生回路を構成している。
また、好適例においては、離隔配置して前記可視化・記
録および制御の各装置と組合わせた前記増幅出力信号用
の増幅・変換手段が、前記前置増幅電子回路、線形化回
路および出力分離回路により電気的に隔絶して発生させ
た信号用の増幅器を備え、測定結果の温度の関数として
所定範囲内で可変の当該信号を前記可視化、記録および
制御の各装置に供給する。
(作 用) したがって、本発明密閉機器内蔵材料の温度測定装置に
おいては、測定環境の影響を受けずに、被測定材料の温
度を高精度に測定することができる。
(実施例) 以下に図面を参照して実施例につき本発明の詳細な説明
する。
特に、ゴム4、ポリマー等の内部混合器の温度制御に用
いるようにした本発明密閉機器内蔵材料の温度測定装置
は、第1図に模式的に示すように、被測定機器2に先端
部を挿入した温度検知プローブ1を備えており、そのプ
ローブ1には被測定材料に接触した高感度熱電対素子3
を装着してあり、その熱電対素子3は前置増幅電子回路
4に接続してあり、ついで、プローブ1は線形増幅回路
5を介して出力分離器6に接続され、その出力分離器6
からの信号が指示器乃至記録器7もしくは他の可視化用
および制御用の機器に供給されている。
各回路は、電源幹線9に接続され、表示および記録の各
装置に電源脈動を伝えないようにする浮遊電池部IOを
有する電源ユニット9から給電されている。
プローブ1の高感度熱電対素子3は、第2図に示すよう
に、例えば、プラチナとプラチナ・ロジウムなどの異種
金属の2木のワイヤ11.12を備え、その一端を互い
に接続して熱電対の高温接触点13を構成するとともに
、その高温接触点13の支持および熱的・電気的絶縁に
用いるセラミック材の筒管14に全体を収容している。
第2図に示すように、高温接触点13が、被覆筒管14
の端部に位置して先端面15の直近に埋込まれ、高温接
触点13の温度ができるだけ被測定材料の温度に等しく
なるようになっている。
したがって、被覆筒管14の先端面15下における高温
接触点13の埋込みの深さdは、極めて小さいが、接触
点13が露出して機械的負担がかかることがないように
しなければならない。
所望の精度により、埋込み深さdが10人乃至1mの範
囲にあれば一般に有利であり、通常は、埋込み深さdの
値を1/100 mm乃至5/lowの範囲にして使用
する。
被覆筒管14の構成については、熱容量が小さく、熱伝
導率が小さいことが要求されるのでセラミノり材を使用
し、したがって、高温接触点は、通例、内蔵材料の温度
とは相違する機器周壁の温度から絶縁されており、被測
定材料の温度変化に象、速に追随することができる。
さらに、被覆筒管14は、被測定混合材料に直接に接触
して動作するとともに、被覆する熱電対金属ワイヤと固
体接触しなければならないので、化学的および機械的に
高い抵抗性を呈するものでなければならなず、熱電対金
属ワイヤの熱膨張係数に近い熱膨張係数を有して、急激
な温度変化があっても、内部ストレスが生じないによう
にする必要がある。
所要の機械強度は、その使用目的に応じて変化させ、ゴ
ム用やポリマー用の混合器の場合には、16kg/mm
”より大きい弯曲強度を有することが望ましい。
また、被覆筒管の材料は、モールドおよび焼結により鋳
造して形成する。高温接触点13を形成するプラチナお
よびプラチナ−ロジウムのワイヤとの組合わせに適した
組成は、例えば、約65%の酸化ジルコニウムと約25
%のアルミナとを含むアルミナと酸化ジルコニウムとの
混合物である。
被覆筒管14は、高温接触点13によって相互に接続さ
れ、所定形状のサポートにより所定位置に金属ワイヤ1
1.12を保持した鋳型に液状の材料を注いで形成され
、その鋳型の断面形状は、第2図に示すようにして仕上
がり寸法より長い素材を用意し、破線で図示するように
、高温接触点の前述した埋込み深さdに対応する所望値
を超えて延在する部分を焼結後に削り落して、埋込み深
さdの精度を確保する。
なお、上述した製造技術は、有限個数の部品の製造に適
したものであり、大規模製造時、例えば、2000個の
部品の製造時には、切削を繰返さずに上述した寸法精度
特性を確保し得る乾式塑製のような他の製造技術の方が
経済的に有利である。
セラミック材と同等の熱膨張係数を有する10μm乃至
50μmの適切な厚さのシリカ基底、半融解ガラス材の
被覆筒管16をセラミック材の焼結後に施すと、被測定
材料のセンサ素子に対する滑性を、特にゴム材の場合に
改善して、温度測定の実施を不正確にする摩擦によるセ
ンサ素子の部分的過熱を防止することができる。
プローブ1のセンサ素子3は、混合機2の周壁を貫通す
る際にセンサ素子3の支持および保護の役をする支持筒
管17の端部に取付けるが、その支持筒管17は、第3
図に示すように、同軸孔19を設けたほぼ円筒形の部分
18を有しており、同軸孔19の先端部にセンサ素子3
を取付けて先端キャップ20により締付け、センサ素子
3をわずかに突出させる。
支持筒管17の混合物2の外壁とは反対側の端部には、
前置増幅回路4を収容したボックス21を取付けてあり
、その前置増幅回路4には、センサ素子3の金属ワイヤ
11.12を接続点22.23を介して接続しである。
前置増幅回路4は熱電対から供給する信号を増幅するた
めのものであり、数マイクロボルト程度の信号を数ミリ
ボルトの範囲の信号に変換し、第1図に模式的に示すよ
うに、数メートル離れた混合機2の制御盤に導(。その
制御盤には、線形増幅回路5を取付け、適切な基準に従
い、可視化、記録および制御用の機器を制御し得るよう
に信号を線形増幅する。
混合機2の電動機から近距離で動作する前置増幅回路4
は、電動機によって生ずる電気的擾乱から遮蔽しなけれ
ばならない。
第1図に示すように、前置増幅回路4は、第1被制御ス
イッチ24、演算増幅器25、第2被制御スイッチ26
および増幅出力信号に対する積分回路27を備えている
さらに、前置増幅回路4は、その内部に、熱電対の低温
接触点を形成する接続点の温度を検知するための熱セン
サ28を備えている。
前置増幅回路4の出力接続点29には、線形増幅回路5
への遠隔接続線30を接続しである。
第4図に詳細に示すように、前置増幅回路4は、金属ワ
イヤ11および12に対するそれぞれ負および正の接続
点22および23を備えており、負の接続点22は零基
準点31に接続しである。
さらに、接続点22.23は、半導体型の第1被制御ス
イッチ24により互いに接続され、ついで、演算増幅器
25の入力端に接続されており、演算増幅器25の出力
は積分回路27に供給され、さらに、+側出力端32に
接続され、また、−側出力端33にも接続され、同じく
半導体型の第2被制御スイッチ26を介して零基準点3
1に接続されている。
これらの被制御スイッチ24 、26は、方形パルス発
生器34により制御されている。
前置増幅回路4は、さらに、零設定回路35、前置増幅
器4への入力回路網36お・よび演算増幅器25の利得
を決める負帰還回路37を備えている。
金属ワイヤ11.12の人力接続点22,23 、スイ
ッチ24およびその接続点並びに第2図に一点鎖線で囲
んで示す領域38内の素子すべては、全体として熱電対
の低温接触点を構成しており、その温度は、高温接触点
の実際の温度を決定するために正確に測定しなければな
らない。
実際に得られるその測定精度は、擬似熱電対9形成を避
けるために領域38内の対をなす金属素子のすべてをそ
れぞれ同一温度に保持することによって得られ、したが
って、回路構成および熱伝導特性の技術に関し、領域3
8内の接続点の個数を最小限に減らすとともに、領域3
8の寸法をできるだけ小さくする。
前記増幅回路4を構成するに適した技術は、反復製造の
観点からしても、熱伝導性セラミックを基盤にしたハイ
プリント技(ネiであり、この技術により、回路全体の
寸法を小さくして、低温接触点を構成する溶接点の温度
の1°乃至1.5°を超えない温度差とした均一性を満
足に確保することができる。
ハイブリッド技術により、プラチナとプラチナ・ロジウ
ムとの組合わせとは異なる熱電特性を有する導電材の使
用を最小限に減らし、その結果、異種金属の接続点の存
在によって生ずる擬似熱電対の導入を避けることができ
る。
前置増幅回路4内の入力接続点22.23には、低温接
触点38とは異なる温度の高温接触点f3の熱電効果に
よって生ずる電圧からなる信号が現われるが、その信号
は、混合機の電動機およびその操作素子、近傍の他の電
気的素子並びに信号用増幅回路自体など数多くの原因に
よって生ずる擾乱の影響を受ける。
測定環境の温度変化に対応したある距離の信号伝送を可
能にする目的で、偽信号を消去しながら信号自体を増幅
するために、第1被制御スイッチ24を方形波パルス発
生器34からの第5図に示す波形の方形波パルスにより
制御するが、繰返し周期pおよび接続点22.23を短
絡するスイッチ24の閉成に対応する最大電圧ν2の期
間Cを有する方形波パルスの上り勾配および下り勾配の
期間を1/10C乃至1/100 Cとするのが有利で
ある。
このスイッチ24の開成により接続点22.23間の電
圧は周期的に零になり、その結果、前置増幅回路の入力
信号に対する零基準レベルを与えて、時間の経過に伴う
ドリフトの発生を避ける。
前述した繰返し周期Pは、ノイズおよび安定性に関して
最適の周波数範囲で前置増幅回路が動作する周期である
極めて急激な方形波形の制御信号Vpの最大値に対する
上り・下りの急勾配の存在により演算増幅器25の入力
信号は第6図に示すような波形となり、その高振幅のピ
ークおよび脈動は、有効信号より大きく、制御困難な値
より一桁大きい値ともなる。
スイッチ24の動作特性に関して上述した方形波の勾配
を減らすことにより、第7図に示すように、スイッチ2
4の切換え制御によって生した電圧パルスが、スイッチ
24の有効な切換えが達成される前に消滅している、と
いう効果が得られる。
したがって、演算増幅器25の増幅出力信号は、第8図
に示すような波形の信号によりスイッチ24と同相に制
御されるスイッチ26によって周期的に零にされたうえ
で、低域通過濾波器を構成する積分回路27に供給され
、測定に有用な部分をなすベースバンド信号成分のみが
取出される。
上述のようにしてスイッチ26により行なわれる信号の
零レベル再生により、増幅器に生ずる可能性のあるドリ
フトが消去される。
前置増幅回路4の出力信号は、数ミリボルトの大きさを
有しており、数メートル離れた産業上の環境、例えば、
混合機の制御盤に位置する従来周知の種類の線形増幅回
路5に有意の変更を施すことなく供給するに十分な大き
さであり、引続き増幅したうえで、低温接触点の温度セ
ンサ28からの信号と比較される。
線形増幅回路5は、温度センサ3に接触した材料の温度
に比例した信号を出力端に供給する従来周知の種類の線
形化回路39により線形化した信号を発生させ、ついで
、その信号を出力分離器6に供給して、電気的隔絶を施
したうえで、その被測定温度に対応した信号を、指示器
、記録器、処理器等の接続機器それぞれの制御範囲に合
わせて変化させ得る信号に変換する。
なお、線形化回路39および前置増幅回路4は、特に、
プラチナとプラチナ・ロジウムとからなり、通例約20
°C乃至250″Cのゴムやポリマー等の混合機に用い
るに適した温度範囲では直線的な熱電電圧すなわち直線
的な応答特性が得られない熱電対を使用した結果として
必要になったものである。
従来、これらの機器を用いなかったときには、上述した
ような場合の使用に必要なプローブの堅牢性および絶縁
性を可能にするセラミック材との物理化学的親和性が得
られる範囲内で被測定材料を選択していた。
また、本発明の温度測定回路にとって重要な値は、回路
構成要素、特に演算増幅器25の種類および本発明によ
る温度測定回路に使用する製造技術に基づいて決めるべ
きものである。
なお、本発明の要旨を逸脱しない限り、幾多の変更を施
して本発明を実施することができる。
(発明の効果) 以上の説明から明らかなように、本発明によれば、混合
機等の密閉機器内のゴム、ポリマー等の材料の温度を、
測定環境による種々の擾乱に影響されずに、精密かつ正
確に測定し得る、という顕著な効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、混合機内部温度の検出および増幅を行なう回
路構成全体を示すブロンク綿図、第2図は熱電対の高温
接触点近傍の構成を拡大して示す断面図、 第3図は温度検知プローブの構成を示す断面図、第4図
は測定出力信号用前置増幅回路の構成例を示す回路図、 第5図は第1スイッチ用制御信号の例を示す信号波形図
、 第6図は象、勾配によって制御した増幅器入力信号の例
を示す信号波形図、 第7図は緩勾配によって制御した増幅器人力信号の例を
示す信号波形図、 第81図は第2ステツプ用制御信号の例を示す信号波形
図。 1・・・プローブ     2・・・混合機(機器)3
・・・熱電対素子    4・・・前置増幅電子回路5
・・・線形増幅回路   6・・・出力分離器7・・・
指示器・記録器  8・・・電源ユニット9・・・電源
幹線     10・・・浮遊電池部11.12・・・
金属ワイヤ  13,22.23・・・接続点14・・
・セラミック材   15・・・先端面16・・・被覆
筒管     17・・・支持筒管18・・・円筒部 
     19・・・同軸孔20・・・先端キャップ 
  21・・・ボンクス24 、26・・・被制御スイ
ッチ 25・・・演算増幅器    27・・・積分回路28
・・・温度センサ    29・・・出力接続点30・
・・遠隔接続LjA31・・・零基準点32.33・・
・出力端子 34・・・方形波パルス発生器 35・・・零設定回路    36・・・入力回路網3
7・・・負帰還回路 38・・・低温接触部領域  39・・・線形化回路特
許比IJ1人  ポミニ・ファーレル・エンセピア過

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被測定材料に接触するとともに、隣接した前置増幅
    電子回路に接続した高感度熱電対素子を装着したプロー
    ブを備え、そのプローブを、離隔して配置するとともに
    可視化、記録および制御の各装置を組合わせた検知出力
    信号増幅処理手段に接続したことを特徴とする密閉機器
    内蔵材料の温度測定装置。 2、電気的・熱的絶縁用セラミック材料の保護用被覆筒
    管に収容するとともに、その筒管先端面の直近で一端を
    互いに溶接した互いに異なる熱電特性を有する2本の金
    属ワイヤからなる高感度熱電対素子を前記プローブに備
    えたことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の密閉
    機器内蔵材料の温度測定装置。 3、前記高感度熱電対素子をなす2本の金属ワイヤがそ
    れぞれプラチナおよびプラチナ・ロジウムからなり、一
    端を溶接して熱電対の高温接触点を形成したことを特徴
    とする特許請求の範囲第2項記載の密閉機器内蔵材料の
    温度測定装置。 4、前記熱電対の金属ワイヤを収容する筒管をなす電気
    的・熱的絶縁用セラミック材が、60%乃至70%の酸
    化ジルコニウムおよび20%乃至30%のアルミナの混
    合材からなり、熱電対を形成する金属ワイヤの熱膨張係
    数に近似した熱膨張係数を有することを特徴とする特許
    請求の範囲第2項記載の密閉機器内蔵材料の温度測定装
    置。 5、前記金属ワイヤの接触溶接点が前記筒管の先端面下
    10Å乃至1mm、好ましくは1/100mm乃至5/
    10mmに位置することを特徴とする特許請求の範囲第
    2項記載の密閉機器内蔵材料の温度測定装置。 6、前記金属ワイヤ用セラミック材被覆筒管を、その先
    端面下における前記金属ワイヤ間溶接点の所定の深さに
    対応した先端面下所定寸法まで切削したことを特徴とす
    る特許請求の範囲第5項記載の密閉機器内蔵材料の温度
    測定装置。 7、前記金属ワイヤ用セラミック材被覆筒管を乾式塑製
    技術により所望寸法に形成したことを特徴とする特許請
    求の範囲第5項記載の密閉機器内蔵材料の温度測定装置
    。 8、前記金属ワイヤ用セラミック材被覆筒管にシリカ基
    底半融解ガラスの被覆表面層を設けたことを特徴とする
    特許請求の範囲第2項記載の密閉機器内蔵材料の温度測
    定装置。 9、前記前置増幅電子回路内の低温接触点をなす金属ワ
    イヤ接続点が、所望の測定精度で最大温度差が得られる
    とともに、温度センサが存在し得る小面積内に固まって
    いることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の密閉
    機器内蔵材料の温度測定装置。 10、前記前置増幅電子回路が、他端を溶接して熱電対
    を形成した2本の金属ワイヤの遊離端に対する接触接続
    点を備えたスイッチング増幅回路からなり、前記接触接
    続点から第1被制御スイッチにより相互に接続する個別
    の接続線を演算増幅器の入力端に導き、その演算増幅器
    の出力端に接地点接続用の第2被制御スイッチおよび増
    幅出力信号用の積分回路を設けたことを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の密閉機器内蔵材料の温度測定装
    置。 11、前記被制御スイッチが方形パルス発生器により、
    ノイズおよび安定性に関し最適範囲の周波数で制御して
    前記演算増幅器の作用を援ける半導体スイッチからなる
    ことを特徴とする特許請求の範囲第10項記載の密閉機
    器内蔵材料の温度測定装置。 12、前記第1被制御スイッチを方形パルスの上り・下
    りの勾配を形成する信号により制御してスイッチングに
    より生じた擬似ピーク電圧が当該回路内で消滅した後に
    当該スイッチの切換えを行なうことを特徴とする特許請
    求の範囲第11項記載の密閉機器内蔵材料の温度測定装
    置。 13、前記前置増幅電子回路をハイブリッド技術により
    熱伝導支持セラミック材上に構成したことを特徴とする
    特許請求の範囲第10項記載の密閉機器内蔵材料の温度
    測定装置。14、前記増幅出力信号用の積分回路が、低
    域通過濾波器をなし、零基準点に接続した第2被制御ス
    イッチと連繋して前記増幅出力信号のベースバンド成分
    用再生回路を構成したことを特徴とする特許請求の範囲
    第10項記載の密閉機器内蔵材料の温度測定装置。 15、離隔配置して前記可視化・記録および制御の各装
    置と組合わせた前記増幅出力信号用の増幅・変換手段が
    、前記前置増幅電子回路、線形化回路および出力分離回
    路により電気的に隔絶して発生させた信号用の増幅器を
    備え、測定結果の温度の関数として所定範囲内で可変の
    当該信号を前記可視化、記録および制御の各装置に供給
    することを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の密閉
    機器内蔵材料の温度測定装置。
JP1187578A 1988-07-29 1989-07-21 温度測定装置 Pending JPH0275920A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT21573A/88 1988-07-29
IT2157388A IT1227708B (it) 1988-07-29 1988-07-29 Dispositivo di rilevamento della temperatura del materiale contenuto entro un apparecchio chiuso.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0275920A true JPH0275920A (ja) 1990-03-15

Family

ID=11183801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1187578A Pending JPH0275920A (ja) 1988-07-29 1989-07-21 温度測定装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4989992A (ja)
EP (1) EP0352837A3 (ja)
JP (1) JPH0275920A (ja)
IT (1) IT1227708B (ja)

Families Citing this family (379)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5349161A (en) * 1992-09-30 1994-09-20 Master Appliance Corporation Heat gun with improved temperature regulator
US5606513A (en) * 1993-09-20 1997-02-25 Rosemount Inc. Transmitter having input for receiving a process variable from a remote sensor
US5520461A (en) * 1994-03-02 1996-05-28 Alliedsignal Inc. Airtight thermocouple probe
US6045730A (en) * 1996-12-18 2000-04-04 Aki Dryer Manufactures, Inc. Process monitor for gypsum board manufacturing
US5997779A (en) * 1996-12-18 1999-12-07 Aki Dryer Manufacturer, Inc. Temperature monitor for gypsum board manufacturing
US6204484B1 (en) 1998-03-31 2001-03-20 Steag Rtp Systems, Inc. System for measuring the temperature of a semiconductor wafer during thermal processing
US6685458B2 (en) 2001-10-11 2004-02-03 Acushnet Company Split metal die assembly with injection cycle monitor
US7018096B2 (en) * 2003-04-25 2006-03-28 Universal Leaf Tobacco Company, Inc. Packed product temperature measuring device
US7131768B2 (en) * 2003-12-16 2006-11-07 Harco Laboratories, Inc. Extended temperature range EMF device
US7874726B2 (en) * 2007-05-24 2011-01-25 Asm America, Inc. Thermocouple
US20090052498A1 (en) * 2007-08-24 2009-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple
US7946762B2 (en) * 2008-06-17 2011-05-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US8262287B2 (en) 2008-12-08 2012-09-11 Asm America, Inc. Thermocouple
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8100583B2 (en) * 2009-05-06 2012-01-24 Asm America, Inc. Thermocouple
US8382370B2 (en) 2009-05-06 2013-02-26 Asm America, Inc. Thermocouple assembly with guarded thermocouple junction
US9297705B2 (en) * 2009-05-06 2016-03-29 Asm America, Inc. Smart temperature measuring device
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
FR2984495B1 (fr) * 2011-12-15 2016-04-15 Valeo Systemes De Controle Moteur Procede de mesure de la temperature
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
USD702188S1 (en) 2013-03-08 2014-04-08 Asm Ip Holding B.V. Thermocouple
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
FR3015667A1 (fr) * 2013-12-20 2015-06-26 Sc2N Sa Dispositif de mesure d’un differentiel de temperatures
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
DE102014119593A1 (de) * 2014-12-23 2016-06-23 Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co. Kg Temperaturfühler
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
KR102613349B1 (ko) 2016-08-25 2023-12-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 장치 및 이를 이용한 기판 가공 장치와 박막 제조 방법
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR102762543B1 (ko) 2016-12-14 2025-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
TWI815813B (zh) 2017-08-04 2023-09-21 荷蘭商Asm智慧財產控股公司 用於分配反應腔內氣體的噴頭總成
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
KR102695659B1 (ko) 2018-01-19 2024-08-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 플라즈마 보조 증착에 의해 갭 충진 층을 증착하는 방법
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102600229B1 (ko) 2018-04-09 2023-11-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 장치, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
US12272527B2 (en) 2018-05-09 2025-04-08 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for use with hydrogen radicals and method of using same
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI871083B (zh) 2018-06-27 2025-01-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US11499222B2 (en) 2018-06-27 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US12378665B2 (en) 2018-10-26 2025-08-05 Asm Ip Holding B.V. High temperature coatings for a preclean and etch apparatus and related methods
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR102748291B1 (ko) 2018-11-02 2024-12-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI866480B (zh) 2019-01-17 2024-12-11 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR102727227B1 (ko) 2019-01-22 2024-11-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI873122B (zh) 2019-02-20 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR102858005B1 (ko) 2019-03-08 2025-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR102762833B1 (ko) 2019-03-08 2025-02-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR102782593B1 (ko) 2019-03-08 2025-03-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR102809999B1 (ko) 2019-04-01 2025-05-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102897355B1 (ko) 2019-04-19 2025-12-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR102929471B1 (ko) 2019-05-07 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR102869364B1 (ko) 2019-05-07 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR102929472B1 (ko) 2019-05-10 2026-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7598201B2 (ja) 2019-05-16 2024-12-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7612342B2 (ja) 2019-05-16 2025-01-14 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
EP3980738B1 (en) 2019-06-05 2023-08-02 Compagnie Generale Des Etablissements Michelin Temperature sensor for use in rubber mixers
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR102918757B1 (ko) 2019-06-10 2026-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 석영 에피택셜 챔버를 세정하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR102911421B1 (ko) 2019-07-03 2026-01-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646B (zh) 2019-07-10 2026-02-10 Asmip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR102895115B1 (ko) 2019-07-16 2025-12-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102860110B1 (ko) 2019-07-17 2025-09-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
TWI826704B (zh) 2019-07-17 2023-12-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 自由基輔助引燃電漿系統和方法
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR102903090B1 (ko) 2019-07-19 2025-12-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843B (zh) 2019-07-29 2026-01-23 Asmip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
KR20210015655A (ko) 2019-07-30 2021-02-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 방법
CN112309899B (zh) 2019-07-30 2025-11-14 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900B (zh) 2019-07-30 2025-11-04 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
KR20210018761A (ko) 2019-08-09 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 장치를 포함한 히터 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7810514B2 (ja) 2019-08-21 2026-02-03 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR102928101B1 (ko) 2019-08-23 2026-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR102868968B1 (ko) 2019-09-03 2025-10-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치
KR102806450B1 (ko) 2019-09-04 2025-05-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR102733104B1 (ko) 2019-09-05 2024-11-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR102948143B1 (ko) 2019-10-08 2026-04-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TW202128273A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體注入系統、及將材料沉積於反應室內之基板表面上的方法
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR102845724B1 (ko) 2019-10-21 2025-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11996292B2 (en) 2019-10-25 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR102890638B1 (ko) 2019-11-05 2025-11-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR102861314B1 (ko) 2019-11-20 2025-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697B (zh) 2019-11-26 2025-07-29 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692B (zh) 2019-11-29 2025-08-15 Asmip私人控股有限公司 基板处理设备
CN120432376A (zh) 2019-11-29 2025-08-05 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11885013B2 (en) 2019-12-17 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride layer and structure including the vanadium nitride layer
KR102943768B1 (ko) 2019-12-19 2026-03-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP7730637B2 (ja) 2020-01-06 2025-08-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TWI887322B (zh) 2020-01-06 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102882467B1 (ko) 2020-01-16 2025-11-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TWI889744B (zh) 2020-01-29 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 污染物捕集系統、及擋板堆疊
TW202513845A (zh) 2020-02-03 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置結構及其形成方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
KR20210103953A (ko) 2020-02-13 2021-08-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 분배 어셈블리 및 이를 사용하는 방법
KR102916725B1 (ko) 2020-02-13 2026-01-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 수광 장치를 포함하는 기판 처리 장치 및 수광 장치의 교정 방법
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TWI895326B (zh) 2020-02-28 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 專用於零件清潔的系統
KR102943116B1 (ko) 2020-03-04 2026-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 정렬 고정구
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR102775390B1 (ko) 2020-03-12 2025-02-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
US12173404B2 (en) 2020-03-17 2024-12-24 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing epitaxial material, structure formed using the method, and system for performing the method
KR102755229B1 (ko) 2020-04-02 2025-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TWI887376B (zh) 2020-04-03 2025-06-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 半導體裝置的製造方法
TWI888525B (zh) 2020-04-08 2025-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR102901748B1 (ko) 2020-04-21 2025-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 방법
KR102866804B1 (ko) 2020-04-24 2025-09-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR102934380B1 (ko) 2020-04-24 2026-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 보라이드 및 바나듐 포스파이드 층을 포함한 구조체를 형성하는 방법
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202539998A (zh) 2020-04-24 2025-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 包含釩化合物之組成物與容器及用於穩定釩化合物之方法及系統
KR102783898B1 (ko) 2020-04-29 2025-03-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP7726664B2 (ja) 2020-05-04 2025-08-20 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210137395A (ko) 2020-05-07 2021-11-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 불소계 라디칼을 이용하여 반응 챔버의 인시츄 식각을 수행하기 위한 장치 및 방법
JP7736446B2 (ja) 2020-05-07 2025-09-09 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同調回路を備える反応器システム
KR102788543B1 (ko) 2020-05-13 2025-03-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR102936676B1 (ko) 2020-05-15 2026-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다중 전구체를 사용하여 실리콘 게르마늄 균일도를 제어하기 위한 방법
KR102905441B1 (ko) 2020-05-19 2025-12-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102795476B1 (ko) 2020-05-21 2025-04-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145079A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판을 처리하기 위한 플랜지 및 장치
TWI873343B (zh) 2020-05-22 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
KR20210146802A (ko) 2020-05-26 2021-12-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소 및 갈륨을 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI876048B (zh) 2020-05-29 2025-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
KR20210156219A (ko) 2020-06-16 2021-12-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 붕소를 함유한 실리콘 게르마늄 층을 증착하는 방법
TWI908816B (zh) 2020-06-24 2025-12-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TWI873359B (zh) 2020-06-30 2025-02-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12431354B2 (en) 2020-07-01 2025-09-30 Asm Ip Holding B.V. Silicon nitride and silicon oxide deposition methods using fluorine inhibitor
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TWI878570B (zh) 2020-07-20 2025-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220011092A (ko) 2020-07-20 2022-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이 금속층을 포함하는 구조체를 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202219303A (zh) 2020-07-27 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 薄膜沉積製程
KR20220020210A (ko) 2020-08-11 2022-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법
KR102915124B1 (ko) 2020-08-14 2026-01-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
TWI911263B (zh) 2020-08-25 2026-01-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 清潔基板的方法、選擇性沉積的方法、及反應器系統
TW202534193A (zh) 2020-08-26 2025-09-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法
TWI911265B (zh) 2020-08-27 2026-01-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、及裝置結構
TWI904232B (zh) 2020-09-10 2025-11-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積間隙填充流體之方法及相關系統和裝置
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
KR20220036866A (ko) 2020-09-16 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물 증착 방법
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TWI889903B (zh) 2020-09-25 2025-07-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229612A (zh) 2020-10-06 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
KR102855834B1 (ko) 2020-10-14 2025-09-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 단차형 구조 상에 재료를 증착하는 방법
KR102873665B1 (ko) 2020-10-15 2025-10-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자의 제조 방법, 및 ether-cat을 사용하는 기판 처리 장치
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202229620A (zh) 2020-11-12 2022-08-01 特文特大學 沉積系統、用於控制反應條件之方法、沉積方法
TW202229795A (zh) 2020-11-23 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具注入器之基板處理設備
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
KR20220077875A (ko) 2020-12-02 2022-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 샤워헤드 어셈블리용 세정 고정구
US12255053B2 (en) 2020-12-10 2025-03-18 Asm Ip Holding B.V. Methods and systems for depositing a layer
US12159788B2 (en) 2020-12-14 2024-12-03 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures for threshold voltage control
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202232639A (zh) 2020-12-18 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具有可旋轉台的晶圓處理設備
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
KR20220090438A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전이금속 증착 방법
KR20220090435A (ko) 2020-12-22 2022-06-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 전구체 캡슐, 용기 및 방법
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
USD1099184S1 (en) 2021-11-29 2025-10-21 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1060598S1 (en) 2021-12-03 2025-02-04 Asm Ip Holding B.V. Split showerhead cover

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5533689A (en) * 1979-06-27 1980-03-08 Fujikura Ltd Formation method of thermal contact end portion of thermocouple wire
JPS5855727A (ja) * 1981-09-29 1983-04-02 Toshiba Corp 熱電対装置
JPS61213735A (ja) * 1985-03-20 1986-09-22 Nakamura Kogyosho:Kk 投入型温度計

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3282107A (en) * 1965-05-21 1966-11-01 Jr Regner A Ekstrom Surface temperature thermocouple fixture
US3580078A (en) * 1969-04-16 1971-05-25 American Standard Inc Thermocouple failure indicating device
US3713339A (en) * 1971-10-12 1973-01-30 Honeywell Inc Sensing apparatus for measuring the temperature of a heated rubber material during its curing process and method for making same
US3843290A (en) * 1972-12-18 1974-10-22 Sender Ornamental Iron Works Extrusion die
FR2265080A1 (en) * 1974-03-21 1975-10-17 Noller Hans System to measure the temperature of an object - uses two thermocouples and differential amplification circuit and a temperature compensating resistor
GB2018434B (en) * 1978-04-05 1982-07-28 Hawker Siddeley Dynamics Eng Measuring temperature
EP0078265A4 (en) * 1980-12-11 1983-05-16 Commw Of Australia I.r. radiation pyrometer.
DE3047696A1 (de) * 1980-12-18 1982-07-01 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt "temperaturfuehler mit kleiner zeitkonstante"
US4423968A (en) * 1981-05-26 1984-01-03 Cole-Parmer Instrument Company Accurate hand-held digital readout thermometer
US4488824A (en) * 1982-05-14 1984-12-18 Mit Trading Corporation Method and apparatus for precision temperature measurement
US4627745A (en) * 1983-11-21 1986-12-09 Rockwell International Corporation Fast responding temperature transducer circuit
GB2176611B (en) * 1985-06-20 1989-07-19 Thor Ceramics Ltd Constant temperature probe
US4721534A (en) * 1985-09-12 1988-01-26 System Planning Corporation Immersion pyrometer
DE3636468C1 (de) * 1986-10-25 1987-09-17 Heraeus Gmbh W C Manteldrahtthermoelement

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5533689A (en) * 1979-06-27 1980-03-08 Fujikura Ltd Formation method of thermal contact end portion of thermocouple wire
JPS5855727A (ja) * 1981-09-29 1983-04-02 Toshiba Corp 熱電対装置
JPS61213735A (ja) * 1985-03-20 1986-09-22 Nakamura Kogyosho:Kk 投入型温度計

Also Published As

Publication number Publication date
IT8821573A0 (it) 1988-07-29
EP0352837A3 (en) 1990-10-17
IT1227708B (it) 1991-05-06
US4989992A (en) 1991-02-05
EP0352837A2 (en) 1990-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0275920A (ja) 温度測定装置
US4279142A (en) Technique for in situ calibration of a gas detector
EP3519786B1 (en) Heat flux sensor
US5161893A (en) Temperature measurement
US3321974A (en) Surface temperature measuring device
US6068400A (en) Temperature compensated adapter for a DMM
CN201016950Y (zh) 一种半导体热电性能测试仪
US11841277B2 (en) Skin-point temperature measurement assembly
US5066140A (en) Temperature measurement
CN112534226A (zh) 温度测量装置和用于确定温度的方法
US5711607A (en) Temperature measurement technique with automatic verification of contact between probe and object
US4247380A (en) Technique for in situ calibration of a gas detector
CN102353468B (zh) 一种太阳能电池烧结炉温度测定装置及其使用方法
JPH07294541A (ja) 計測装置
WO1999060579A2 (en) Three-wire rtd interface
US5161892A (en) Temperature measurement in R.F. locations
CN107436200A (zh) 一种基于热电偶传感器的温度测量通路地面测试方法
US4967603A (en) Inductive flow probe for measuring the flow velocity of a stream of liquid metal
US7031861B2 (en) Apparatus and method for calibrating a resistance thermometer and gas analyzer employing same
JPH0517625Y2 (ja)
JP3118621B2 (ja) 測温機能付きカプセル型ひずみゲージ
JPH08233665A (ja) 熱電温度計
JP3558141B2 (ja) 温度測定装置
RU2081400C1 (ru) Способ определения уровня жидких сред и устройство для его осуществления
IBARI Sensors and Instrumentation: This course is intended for students of the third year electronic license