JPH0276407A - 高周波増幅器のａｇｃ回路 - Google Patents
高周波増幅器のａｇｃ回路Info
- Publication number
- JPH0276407A JPH0276407A JP22955988A JP22955988A JPH0276407A JP H0276407 A JPH0276407 A JP H0276407A JP 22955988 A JP22955988 A JP 22955988A JP 22955988 A JP22955988 A JP 22955988A JP H0276407 A JPH0276407 A JP H0276407A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- agc
- current
- diode
- high frequency
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- Pending
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- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、カスケード接続された第１及び第２トランジ
スタにより構成される高周波増幅器の利得を制御するＡ
ＧＣ回路に関し、特にフォワードＡＧＣのＡＧＣ回路に
係る。
スタにより構成される高周波増幅器の利得を制御するＡ
ＧＣ回路に関し、特にフォワードＡＧＣのＡＧＣ回路に
係る。
（ロ）従来の技術
チューナの高周波増幅器としては、前段と後段とにそれ
ぞれソース接地型のＦＥＴ（電界効果トランジスタ）と
ゲート接地型のＦＥＴとを、あるいはエミッタ接地型の
トランジスタとベース接地型のトランジスタとを、ある
いはソース接地型のＦＥＴとベース接地型のトランジス
タとを互いにカスケード接続し、前段のトランジスタの
ゲートあるいはベースにアンテナ回路からの高周波信号
を入力する様に構成されたものが知られている。
ぞれソース接地型のＦＥＴ（電界効果トランジスタ）と
ゲート接地型のＦＥＴとを、あるいはエミッタ接地型の
トランジスタとベース接地型のトランジスタとを、ある
いはソース接地型のＦＥＴとベース接地型のトランジス
タとを互いにカスケード接続し、前段のトランジスタの
ゲートあるいはベースにアンテナ回路からの高周波信号
を入力する様に構成されたものが知られている。
この種の高周波増幅器は、ソース接地型のＦＥＴ１ある
いはエミッタ接地型のトランジスタの利得が大きく、雑
音特性が良く、入力インピーダンスが高いという利点と
ゲート接地型のＦＥＴ、あるいはベース接地型のトラン
ジスタの安定性が高いという利点とを巧みに組合せた特
性を得ることが出来る。
いはエミッタ接地型のトランジスタの利得が大きく、雑
音特性が良く、入力インピーダンスが高いという利点と
ゲート接地型のＦＥＴ、あるいはベース接地型のトラン
ジスタの安定性が高いという利点とを巧みに組合せた特
性を得ることが出来る。
ところで、上述の如き高周波増幅器は、例えば特開昭６
２−１２２３０７号公報に示される如く、後段のＦＥＴ
のゲート、あるいはトランジス夕のベースに受信信号レ
ベルに応じたＡＧＣ電圧が印加される様に構成されたも
のが知られている。この高周波増幅器は、入力信号レベ
ルが所定値以上であれば、入力信号レベルに応じてＡＧ
Ｃ電圧が印加され、後段のトランジスタに流れる電流が
変化されることによって利得を制御することが出来る。
２−１２２３０７号公報に示される如く、後段のＦＥＴ
のゲート、あるいはトランジス夕のベースに受信信号レ
ベルに応じたＡＧＣ電圧が印加される様に構成されたも
のが知られている。この高周波増幅器は、入力信号レベ
ルが所定値以上であれば、入力信号レベルに応じてＡＧ
Ｃ電圧が印加され、後段のトランジスタに流れる電流が
変化されることによって利得を制御することが出来る。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述の如く後段のＦＥＴのゲート電圧、
あるいはトランジスタのベース電圧を変化させると、そ
の電圧変化に応じて前記ＦＥＴのソース電圧、あるいは
前記トランジスタのエミッタ電圧が変化する為、前段の
ＦＥＴのドレイン電圧、あるいはトランジスタのコレク
タ電圧が変化してしまう。その為、歪を最小にする様に
ＦＥＴ１あるいはトランジスタの動作点を設定しておい
てもその動作点が変動してしまうという欠点があった。
あるいはトランジスタのベース電圧を変化させると、そ
の電圧変化に応じて前記ＦＥＴのソース電圧、あるいは
前記トランジスタのエミッタ電圧が変化する為、前段の
ＦＥＴのドレイン電圧、あるいはトランジスタのコレク
タ電圧が変化してしまう。その為、歪を最小にする様に
ＦＥＴ１あるいはトランジスタの動作点を設定しておい
てもその動作点が変動してしまうという欠点があった。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は、上述の点に鑑み成きれた高周波増幅器のＡＧ
Ｃ回路を提供せんとするもので、カスケード接続された
第１及び第２トランジスタにより構成される高周波増幅
器において、制御端子にＡＧＣ電圧が印加される制御ト
ランジスタと、アノードが前記第１及び第２トランジス
タ間に接続されていると共に前記制御トランジスタによ
り流される電流が制御されるダイオードとを備え、該ダ
イオードを介して流れる電流に応じて前記第２トランジ
スタのバイアス電流を変化させることにより利得を制御
する様にしている。
Ｃ回路を提供せんとするもので、カスケード接続された
第１及び第２トランジスタにより構成される高周波増幅
器において、制御端子にＡＧＣ電圧が印加される制御ト
ランジスタと、アノードが前記第１及び第２トランジス
タ間に接続されていると共に前記制御トランジスタによ
り流される電流が制御されるダイオードとを備え、該ダ
イオードを介して流れる電流に応じて前記第２トランジ
スタのバイアス電流を変化させることにより利得を制御
する様にしている。
（＊）作用
本発明は、第２トランジスタのバイアス電流を変化させ
て利得を制御するのに際し、ダイオードを介して流れる
電流を制御トランジスタにより制御すると共に前記第２
トランジスタのバイアス電流の変化分を前記ダイオード
を介して流し、その電流の変化分が第１トランジスタに
流れ込まない様にしてフォワードＡＧＣ動作させている
。
て利得を制御するのに際し、ダイオードを介して流れる
電流を制御トランジスタにより制御すると共に前記第２
トランジスタのバイアス電流の変化分を前記ダイオード
を介して流し、その電流の変化分が第１トランジスタに
流れ込まない様にしてフォワードＡＧＣ動作させている
。
（へ）実施例
第１図は本発明の一実施例を示す回路図で、（１）はア
ンテナ回路（図示せず）により同調された高周波信号が
入力される入力端子、（２）は該入力端子（１）に入力
される高周波信号を増幅するソース接地型のＦＥＴ、（
３）はエミッタが寄生発振防止用のドレイン抵抗（４）
を介して前記ＦＥＴ（２）のドレインに接続され、該Ｆ
ＥＴ（２）にカスケード接続されたベース接地型のトラ
ンジスタ、（５）は該トランジスタ（３）のベースを交
流的に接地するコンデンサ、（６） 、 （７）及び（
８）は前記トランジスタ（３）のベースにバイアス電圧
を印加る為の抵抗、（９）は一端が寄生発振防止用のコ
レクタ抵抗（１０）を介して前記トランジスタ（３）の
コレクタに接続されている共に他端がコンデンサ（１１
）を介して接地され、かつ抵抗（６）を介して電源に接
続された第１コイル、（１２）は該第１コイル（９）に
相互誘導結合された第２コイル（１３）と該第２コイル
（１３）に並列に接続されたコンデンサ（１４）とから
成る同調回路、（１５）は前記第２コイル（１３）の中
間タップに接続され、後段の混合段（図示せず）に出力
信号を導出する出力端子、（１６）は中間周波増幅段（
図示せず）に発生する出力信号を整流して得られるＡＧ
Ｃ電圧が入力される制御端子、（１７）は該制御端子（
１６）に入力されるＡＧＣ電圧が抵抗（１８）及び（１
９〉により分圧されてベースに印加されるエミッタ接地
型の制御トランジスタ、（２０）はアノードがトランジ
スタ（３）のエミッタに接続されると共にカソードが抵
抗（２１）を介して前記制御トランジスタ（１７）のコ
レクタに接続されたダイオードである。尚、前記トラン
ジスタ（３）としては、コレクタ電流対増幅率の変化の
大きいフォワードＡＧＣ用トランジスタが使用され、該
トランジスタ（３）はコレクタ電流が増幅すると増幅率
が減少する様にバイアスが設定されている。また、前記
ダイオード（２０）としては、高周波特性の優れたピン
ダイオードが使用されている。
ンテナ回路（図示せず）により同調された高周波信号が
入力される入力端子、（２）は該入力端子（１）に入力
される高周波信号を増幅するソース接地型のＦＥＴ、（
３）はエミッタが寄生発振防止用のドレイン抵抗（４）
を介して前記ＦＥＴ（２）のドレインに接続され、該Ｆ
ＥＴ（２）にカスケード接続されたベース接地型のトラ
ンジスタ、（５）は該トランジスタ（３）のベースを交
流的に接地するコンデンサ、（６） 、 （７）及び（
８）は前記トランジスタ（３）のベースにバイアス電圧
を印加る為の抵抗、（９）は一端が寄生発振防止用のコ
レクタ抵抗（１０）を介して前記トランジスタ（３）の
コレクタに接続されている共に他端がコンデンサ（１１
）を介して接地され、かつ抵抗（６）を介して電源に接
続された第１コイル、（１２）は該第１コイル（９）に
相互誘導結合された第２コイル（１３）と該第２コイル
（１３）に並列に接続されたコンデンサ（１４）とから
成る同調回路、（１５）は前記第２コイル（１３）の中
間タップに接続され、後段の混合段（図示せず）に出力
信号を導出する出力端子、（１６）は中間周波増幅段（
図示せず）に発生する出力信号を整流して得られるＡＧ
Ｃ電圧が入力される制御端子、（１７）は該制御端子（
１６）に入力されるＡＧＣ電圧が抵抗（１８）及び（１
９〉により分圧されてベースに印加されるエミッタ接地
型の制御トランジスタ、（２０）はアノードがトランジ
スタ（３）のエミッタに接続されると共にカソードが抵
抗（２１）を介して前記制御トランジスタ（１７）のコ
レクタに接続されたダイオードである。尚、前記トラン
ジスタ（３）としては、コレクタ電流対増幅率の変化の
大きいフォワードＡＧＣ用トランジスタが使用され、該
トランジスタ（３）はコレクタ電流が増幅すると増幅率
が減少する様にバイアスが設定されている。また、前記
ダイオード（２０）としては、高周波特性の優れたピン
ダイオードが使用されている。
入力端子（１）にアンテナ回路により選択された高周波
信号が入力されると、その高周波信号はＦＥＴ（２）に
より増幅され、更にトランジスタ（３）により増幅され
て第１コイル（９）に供給される。そして、第２コイル
（１３）には、同調回路（婬）により同調され、かつ前
記第１コイル（９）に流れる高周波信号に応じた信号が
発生される。その為、出力端子（１５）からは、入力端
子（１）に入力された高周波信号を増幅し、選択した高
周波信号が導出される。
信号が入力されると、その高周波信号はＦＥＴ（２）に
より増幅され、更にトランジスタ（３）により増幅され
て第１コイル（９）に供給される。そして、第２コイル
（１３）には、同調回路（婬）により同調され、かつ前
記第１コイル（９）に流れる高周波信号に応じた信号が
発生される。その為、出力端子（１５）からは、入力端
子（１）に入力された高周波信号を増幅し、選択した高
周波信号が導出される。
ところで、中間周波増幅段に発生する出力信号レベルが
所定値以上の受信信号レベルが大のとき、その信号レベ
ルに応じたＡＧＣ電圧が制御端子（１６）に印加され、
制御トランジスタ（１７〉の導通状態が制御される。そ
の為、トランジスタ（３）は、前記制御トランジスタ（
１７）の導通状態に応じてダイオード（２０）を介して
流れる電流分だけコレクタ電流が増加する。ここで、前
記トランジスタ（３）はコレクタ電流の増加に伴って増
幅率が減少する様に設定しであるので、制御端子（１６
）に印加されるＡＧＣ電圧の増加に伴って前記トランジ
スタ（３）の増幅率は減少する。したがって、第１図の
回路は、ＦＥＴ（１）のドレイン電圧が変動することな
く、フォワードＡＧＣにより利得が制御されることにな
る。
所定値以上の受信信号レベルが大のとき、その信号レベ
ルに応じたＡＧＣ電圧が制御端子（１６）に印加され、
制御トランジスタ（１７〉の導通状態が制御される。そ
の為、トランジスタ（３）は、前記制御トランジスタ（
１７）の導通状態に応じてダイオード（２０）を介して
流れる電流分だけコレクタ電流が増加する。ここで、前
記トランジスタ（３）はコレクタ電流の増加に伴って増
幅率が減少する様に設定しであるので、制御端子（１６
）に印加されるＡＧＣ電圧の増加に伴って前記トランジ
スタ（３）の増幅率は減少する。したがって、第１図の
回路は、ＦＥＴ（１）のドレイン電圧が変動することな
く、フォワードＡＧＣにより利得が制御されることにな
る。
一方、中間周波増幅段に発生する出力信号レベルが所定
値未満の受信信号レベルが小のとき、制御端子（１６）
にはＡＧＣ電圧が印加されないので、制御トランジスタ
（１７）はオフ状態にある。その為、このときダイオー
ド（２０）はオフしているので、トランジスタ（３）の
コレクタ電流を変化させる為の制御トランジスタ（１７
〉や抵抗（２１）等のＡＧＣ用の素子が高周波信号を伝
送する信号路から完全に分離される。したがって、前記
ＡＧＣ用の素子が高周波信号に悪影響を及ぼすことがな
い。
値未満の受信信号レベルが小のとき、制御端子（１６）
にはＡＧＣ電圧が印加されないので、制御トランジスタ
（１７）はオフ状態にある。その為、このときダイオー
ド（２０）はオフしているので、トランジスタ（３）の
コレクタ電流を変化させる為の制御トランジスタ（１７
〉や抵抗（２１）等のＡＧＣ用の素子が高周波信号を伝
送する信号路から完全に分離される。したがって、前記
ＡＧＣ用の素子が高周波信号に悪影響を及ぼすことがな
い。
尚、上述の実施例において、請求の範囲における第１及
び第２トランジスタとしてそれぞれＦＥＴ及びトランジ
スタを使用しているがこれに限られない。
び第２トランジスタとしてそれぞれＦＥＴ及びトランジ
スタを使用しているがこれに限られない。
第２図は本発明の別の実施例を示す回路図で、第１図の
回路を改良したものである。第２図において、第１図と
同一素子には同一の図番を付しており、第１図と相異す
る点はダイオード（２０）のカソードにコンデンサ（２
２）が接続された点にある。
回路を改良したものである。第２図において、第１図と
同一素子には同一の図番を付しており、第１図と相異す
る点はダイオード（２０）のカソードにコンデンサ（２
２）が接続された点にある。
この様にすることによりＦ Ｅ Ｔ （２）のドレイン
に発生する高周波信号が前記ダイオード（２０）及びコ
ンデンサ（２２）を介して流れるので、トランジスタ（
３）に入力される信号を小とすることが出来る。
に発生する高周波信号が前記ダイオード（２０）及びコ
ンデンサ（２２）を介して流れるので、トランジスタ（
３）に入力される信号を小とすることが出来る。
すなわち、前記ダイオード（２０〉を流れる電流に応じ
てオン抵抗が反比例する様に発生するので、該オン抵抗
とドレイン抵抗（４）との分圧によって、トランジスタ
（３）に入力される信号は減衰されることになる。その
為、コレクタ電流の増加に応じて敏感にトランジスタ（
３）の増幅率が減少する様にする必要がないので、該ト
ランジスタ（３）の動作点を厳密に設定する必要がない
し、また、前記トランジスタ（３）として広いダイナミ
ックレンジの汎用のトランジスタを使用することが出来
る。
てオン抵抗が反比例する様に発生するので、該オン抵抗
とドレイン抵抗（４）との分圧によって、トランジスタ
（３）に入力される信号は減衰されることになる。その
為、コレクタ電流の増加に応じて敏感にトランジスタ（
３）の増幅率が減少する様にする必要がないので、該ト
ランジスタ（３）の動作点を厳密に設定する必要がない
し、また、前記トランジスタ（３）として広いダイナミ
ックレンジの汎用のトランジスタを使用することが出来
る。
また、前記トランジスタ（３）を小振幅動作に出来るの
で、該トランジスタ（３）におけるリニアな入力電圧範
囲が拡大出来る。尚、その他のＡＧＣ動作は第１図の回
路と同一である。
で、該トランジスタ（３）におけるリニアな入力電圧範
囲が拡大出来る。尚、その他のＡＧＣ動作は第１図の回
路と同一である。
（ト）発明の効果
以上述べた如く、本発明に依れば、第２トランジスタの
バイアス′ｗＬ流の変化分をダイオードを介して流し、
その電流の変化分が第１トランジスタに流れ込まない様
にしているので、該第１トランジスタのバイアスを変化
させずにＡＧＣ動作を行うことが出来ると共にＡＧＣ動
作が行われない受信信号レベルの小のとき、ＡＧＣを行
う為の素子がダイオードにより切り離されるので、その
ときの動作が安定な高周波増幅器のＡＧＣ回路が提供出
来る。
バイアス′ｗＬ流の変化分をダイオードを介して流し、
その電流の変化分が第１トランジスタに流れ込まない様
にしているので、該第１トランジスタのバイアスを変化
させずにＡＧＣ動作を行うことが出来ると共にＡＧＣ動
作が行われない受信信号レベルの小のとき、ＡＧＣを行
う為の素子がダイオードにより切り離されるので、その
ときの動作が安定な高周波増幅器のＡＧＣ回路が提供出
来る。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図、第２図は本発
明の別の実施例を示す回路図である。 主な図番の説明 （１）・・・ＦＥＴ、 （３）・・・トランジスタ、
（１７）・・・制御トランジスタ、 （２０）・・・
ダイオード、 （２２）・・・コンデンサ。
明の別の実施例を示す回路図である。 主な図番の説明 （１）・・・ＦＥＴ、 （３）・・・トランジスタ、
（１７）・・・制御トランジスタ、 （２０）・・・
ダイオード、 （２２）・・・コンデンサ。
Claims (1)
- （１）カスケード接続された第１及び第２トランジスタ
により構成される高周波増幅器において、制御端子にＡ
ＧＣ電圧が印加される制御トランジスタと、アノードが
前記第１及び第２トランジスタ間に接続されていると共
に前記制御トランジスタにより流される電流が制御され
るダイオードとを備え、該ダイオードを介して流れる電
流に応じて前記第２トランジスタのバイアス電流を変化
させることにより利得を制御する様にしたことを特徴と
する高周波増幅器のＡＧＣ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22955988A JPH0276407A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | 高周波増幅器のａｇｃ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22955988A JPH0276407A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | 高周波増幅器のａｇｃ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276407A true JPH0276407A (ja) | 1990-03-15 |
Family
ID=16894069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22955988A Pending JPH0276407A (ja) | 1988-09-13 | 1988-09-13 | 高周波増幅器のａｇｃ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0276407A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260287A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Fujitsu Ltd | 増幅器 |
| JP2009272879A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Fujitsu Ltd | 増幅回路 |
-
1988
- 1988-09-13 JP JP22955988A patent/JPH0276407A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005260287A (ja) * | 2004-03-09 | 2005-09-22 | Fujitsu Ltd | 増幅器 |
| JP2009272879A (ja) * | 2008-05-07 | 2009-11-19 | Fujitsu Ltd | 増幅回路 |
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