JPH0277032A - 双安定半導体レーザのリセット方法および光インバータ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［概要］ 双安定半導体レーザのリセット方法に関し、従来の光リ
セットと比べ極めてゆるやかな波長精度で光によってリ
セットできる新たな機構の双安定レーザのリセット方法
を提供することを目的とし、 利得領域と可飽和吸収領域とを有する双安定半導体レー
ザの利得領域に、該利得領域で増幅される波長の注入光
を注入して、該利得領域のキャリアを消費することによ
ってレーザ発振をリセットするように構成する。

〔産業上の利用分野コ 本発明は、光信号処理を行う光双安定素子に関し、特に
双安定半導体レーザのリセット方法に関する。

近年、光通信の高速化につれて、光信号を電気信号に変
換して信号処理し、ふたたび光信号に戻すのではなく、
光のままで信号処理することが強く望まれるようになっ
た。

双安定素子は、このような光信号処理に必要な素子の１
つであり、その重要性が増している。なかでも双安定半
導体レーザは、光双安定性に加え、それ自身が増幅機能
を有すること、オン／オフ時の信号強度比が例えば１０
ｄＢ程度と、大きいことなどの利点も有し、特に有用な
素子である。

［従来の技術］ 第１３図（Ａ＞、（Ｂ）、（Ｃ）に従来技術による双安
定半導体レーザを示す、第１３図（Ａ＞に示すように、
レーザ共振器５０が利得領域Ａと可飽和吸収領域Ｂとを
含んで構成される。内部構造としては、利得領域Ａと可
飽和吸収領域Ｂとに共通に半導体チップ内にｎ型領域５
１、活性領域５２、ｐ型頭域５３が積層されている。

利得領域Ａでは、ｎ型領域５１ａ、ｐ壁領域５３ａ上に
ｎｌＩ］！Ｉ電ｆｌｉ５４、Ｐ側電極５５が形成され、
電流を流すことによって活性領域５２ａから誘導放出を
起こす構造となっている。

可飽和吸収領域Ｂでは、少なくとも一方の電極を設けず
、電流を流さないようにしている。活性領域５２ｂは利
得領域Ａの活性領域５２ａと同じ材料で構成されるが、
電流が流れないので光に対して利得は持たない。

第１３図（Ｂ）に活性領域のキャリア濃度に対するギャ
ップ波長以下のある波長での利得（減衰）の関係を示す
、もともと半導体材料はエネルギギャップＥａに対応す
るギャップ波長λｌより短い波長の光（高いエネルギの
光）を吸収する性質を有する。グラフ左側の減衰特性が
これに対応する。

電流を流すことなどによりキャリアをボンピング（典型
的には価電子帯から伝導帯へ遷移させること）すると、
次第にキャリア濃度が増加する。増加したキャリアは発
光性再結合を行うことにより光を発光できる。誘導放出
を行なうことによりレーザ発振が起きる。この発光機能
はキャリア濃度が高いほど強い、したがって、入力光に
対する利得は、キャリア濃度が低い時は負（減衰、光吸
収）であるが、キャリア濃度の増加と共に、しだいに増
大し、やがて正になって光増幅機能を有するようになる
。

レーザ発振する状態では、第１３図（Ｂ）中のＡで示す
ように利得領域Ａには十分な電流が流れ、正の利得ｇを
有している。しかし可飽和吸収領域Ｂでは、電流が流れ
ていないので゛、第１３図（Ｂ）のＢで示すように発振
波長における利得は負（吸収）である。

第１３図（Ｃ）を参照して、可飽和吸収領域Ｂをさらに
説明する。まず、レーザ発振していないオフ状態では、
キャリアは少なく光吸収の強い状態である。可飽和吸収
領域Ｂに利得領域Ａで発した光が入射すると、可飽和吸
収領域Ｂはこの光を吸収し、光励起キャリアが生成され
る。入射光が強くなるほど、この光によって励起された
キャリアが増加すると共にキャリアの発光性再結合の確
率も増加する。従って、キャリア濃度の増加と共に吸収
は減少し、利得は負側から零に近づく、シかし、可飽和
吸収領域Ｂは他にボンピングａ横を有さないので、入射
光の波長において利得が正になることはない、このよう
な光吸収の飽和を起こす領域を可飽和吸収領域と呼ぶ、
レーザ発振しているオン状態では、入射光量が多いので
キャリア濃度が高く、オフ時より吸収の弱い状態になっ
ている。

第１４図（Ａ＞を用いて双安定半導体レーザの特性を説
明する。第１４図（Ａ）において横軸は駆動電流、縦軸
は光出力を示す、Ｍ切電流を増加していくと、利得領域
でのキャリア濃度は増加していくが可飽和吸収領域は吸
収の強い状態なのでなかなかレーザ発振しない、電流が
発振閾値Ｉｔｈに達したとき、レーザ発振が始まり、高
強度のレーザ光が可飽和吸収領域にも入射する。これに
より可飽和吸収領域でもキャリアが励起され、第１３図
（Ｃ）に示すように光吸収が減じる。するとある程度ま
では電流を開鎖Ｉｔｈより下げても十分な光量が確保さ
れ発振は持続する。電流■がオフ値１　ｏｆｆまで下が
って、初めてレーザ発振は止まる。すると可飽和吸収領
域は再び吸収の強い状態になる。従って、ある程度まで
は電流をオフ値■ｏｆｆより上げてもレーザ発振は始ま
らない、電流が開鎖Ｉｔｈを越えるとレーザ発振が始ま
る。ＩｏｆｆとＩｔｈの間の電流値ではオンとオフとの
２つの安定状態がある。このように、可飽和吸収領域を
持つ半導体レーザはヒステリシス特性を示し、光出力に
ついて双安定状態をとることができる。

従来の双安定レーザの電気的リセットを第１４図（Ｂ）
を参照して説明する。電流１ｂをオン用間［１ｔｈとオ
フ値Ｉ　ｏｆｆとの中間に設定する。この電流値では光
出力はオン状態Ｓ１オフ状態Ｓ２の２つの安定状態を持
つ、今、光出力がオン状態Ｓ１であったとして、負極性
のパルスを印加して電流をオフ値Ｉ　ｏｆｆより低い値
まで下げる。するとレーザはオフ状態になる。その後再
び電流値をＩｏｆｆ＜Ｉｂ＜ｒｔｈを満たす状態Ｉｂま
で戻してらレーザはオフＳ２のままである。このように
してバイアス値ｒｂに対して負極性の電流パルスによっ
てレーザの電気的リセットが行われる。

セットは開鎖Ｔｔｈ以上の正極性の電流パルスで行って
も良く、また発振波長近くの励起光を入射することで行
っても良い。

最近、近接波長を用いて双安定レーザをビート状態に持
ち込みリセットする方法が提案された（昭和６３年春の
応用物理学会、講演番号３０ｐ−Ｚｌ−（−１４）、近
接した波長の２つの光は干渉し合ってビートをとること
を利用したものである。

この動作は以下のように考えられよう。

第１５図を参照して、２周波数が極めて近い場合、全体
の光出力はビート周波数に追随して変化する。光出力が
ある程度以上下がると、可飽和吸収領域でのキャリアボ
ンピングが減少する。このためキャリア濃度が低下し、
第１５図（Ｂ）に示すように光吸収が強くなってしまう
、ある程度以り光吸収が強くなるとレーザ発振を維持で
きずオフ状態にリセットする。

［発明が解決しようとする課題］ 双安定レーザを電気的にリセットする方法は、制御用の
電気信号を用いる必要があり、高速のリセットを行なお
うとすると電気的雑音を周囲に発生させる。特に集積化
装置内では電気配線間のクロスト−りが生じる。

双安定レーザをレーザ発振波長に極めて近い波長の光入
射により、ビート振動を生じさせてリセットする方法は
、キャリアの運動がビート振動の周期に追随しなければ
ならないので、双安定レーザの発振波長に対し０．１Å
以下の波長差の極めて高い精度で注入光の波長を制御し
なければならない。

このように従来技術によれば、電気的リセ、ントか、極
めて高い精度を要する光リセットしかできなかった。

本発明の目的は、従来の光リセットと比べ極めてゆるや
かな波長精度で光によってリセットできる新たなｍ梢の
双安定レーザのリセット方法及びその方法を実施する装
置を提供することである。

本発明の他の目的は、光でリセットする光出力インバー
タを提供することである。

［課題を解決するための手段］ 第１図を参照して、双安定レーザ１にリセット用光源２
から双安定レーザ１の利得領域で増幅される波長の注入
光を入射し、利得領域のキャリアを消費することによっ
て双安定レーザをリセットさせる。

このような双安定レーザ１とリセット用光源２とを備え
た双安定レーザ装置を構成する。

リセット用光源からの注入光が、双安定レーザのレーザ
光と同軸となる場合は、注入光の波長をレーザ発振波長
より長波長の可飽和吸収領域の吸収が強くない領域から
選ぶ。

このような光信号でリセットする双安定レーザを用いて
、光入力によって光出力が反転する光インバータを構成
する。

［作用］ 双安定レーザの利得領域のキャリアはレーザ発振波長以
外の光も増幅できる。

このような増幅機能のある波長領域内の波長の光を外部
より注入すると、この注入光は利得領域で増幅され、増
幅に使用した分、利得領域内のキャリアは減少する。こ
れによりレーザ発振波長での利得を減少させ、レーザ発
振を停止させる。増幅された注入光は出力するが、注入
光のオフと共に全光出力もオフする。

注入光とレーザ発振光とが同軸の場合、注入光は可飽和
領域も照射する。注入光の波長がレーザ発振波長よりも
短いと可飽和吸収領域での光吸収が強く、注入光は主と
して可飽和吸収領域でキャリアを生成することに消費さ
れてしまう、すると、可飽和吸収領域での光吸収の減っ
た分かえってレーザ発振は安定してしまう、可飽和吸収
領域であまり吸収されず、利得領域で増幅される波長を
用いることにより、利得領域でキャリアが消費され、レ
ーザ発振をリセットできる。このために、同軸の場合は
、注入光の波長はレーザ発振波長より長波長の領域から
選ぶのがよい。

注入光とレーザ発振光とが異軸の場合は、注入光を利得
領域のみに向け、注入光の波長を利得領域で増幅される
ものに選ぶことにより、レーザ発振光を減少し、発振を
リセットできる。

光インバータの場合、注入光のある状態”１”が出力光
のない状態”ｏ”を生じさせるので、光信号のインバー
タ機能を果たす。

［実施例１ 第２図によりセット用光が双安定半導体レーザの波長光
と同軸である場合について示す、第２図中、上の概略図
に示すように、注入光は活性層に平行に入射する。

第２図中、下のグラフはある電流密度での双安定レーザ
１の波長（またはエネルギ）に対する利得のスペクトル
である。電流強度を減少させると、特性は実線のカーブ
から破線で示すカーブ、−点鎖線で示すカーブの様に変
化する。縦軸の利得は０より上の正側は増幅を意味し、
０より下の負側は吸収を意味する。利得が正の領域では
一旦誘導放射が起きるとレーザ発振を続ける可能性があ
る。

ところで双安定半導体レーザは利得領域の他に可飽和吸
収領域を有する。可飽和吸収領域ではキャリアが少ない
ので増幅は行われず、光吸収が行われる。光吸収は波長
依存性を有し、波長が短くなるほど光吸収は強くなる。

光吸収の強い波長では外から光を注入しても可飽和吸収
領域で吸収されるだけで終わってしまう、利得領域によ
る増幅と可飽和吸収領域による吸収（減衰）のバランス
の上にレーザ発振波長λｌが決まっている０発振してい
る事実からレーザ発振波長λｌでは可飽和吸収領域の吸
収は過度に強くない、レーザ発振波長λ９よりも長い波
長であれば可飽和吸収領域の吸収はさらに弱くなる。一
方ギャップ波長より長波長では実質的な利得はなくなる
。従って同軸の場合は、レーザ発振波長より長波長の利
得ある波長領域、すなわちレーザ発振波長より長波長で
、かつギャップ波長より短波長の波長が適している。

第３図に異軸の場合を示す、第３図中上の概略図に示す
ように、注入光はたとえば利得領域の活性層に垂直に入
射させる。第３図中下の利得対波長のグラフは第２図の
ものと同等である。

この場合、注入光は可飽和吸収領域には入射しないので
、可飽和吸収領域での吸収を考慮する必要がない。

利得領域で利得ある波長の光を注入し、増幅作用を行な
うことにより、利得領域のキャリアを消費し、レーザ発
振波長の光を減じ、リセットする。

注入光波長は利得領域で増幅されるものであればよい、
第３図の矢印間の領域の波長が適当である。

第４図に同軸の場合基本実施例を示す。

双安定レーザ１は、セット用光源４とリセット用光源２
ａからの光を合波器６を介して受ける。

セット用光源４は、第１４図（Ａ）に示すような中間状
態に電流バイアスされた双安定レーザ１をレーザ発振さ
せるトリガ光を発する０例えばし−ザ発振波長近傍のレ
ーザ光を発する半導体レーザで構成する。

リセット用光源２ａは、双安定レーザ１のレーザ発振を
リセットするトリガ光を発する。リセットするためには
利得領域Ａのキャリアを消費し、可飽和吸収領域Ｂで強
く吸収されないことが必要であり、例えば、第２図の矢
印で示した範囲、すなわちレーザ発振波長より長くギャ
ップ波長より短い波長のレーザ光を発する半導体レーザ
で構成する。なお、双安定レーザ１のレーザ発振波長か
らは数Å以上離す。

合波器６はセット用光源４からセット用トリガ光及びリ
セット用光源２ａからリセット用トリガ光を双安定レー
ザ１の光軸に同軸に入射させる。

合波器６は、たとえば２つの入力ボートと１つの出力ボ
ートを有する導波路構造、又はハーフミラ−ないしセク
タミラーと池の光学部品との組み合わせによる合波ｖ１
楕で構成できる。

双安定レーザ１は、利得領域Ａと可飽和吸収領域Ｂとを
有し、第１４図（Ａ）に示すようなしステリシス特性を
有し、双安定状態に電流バイアスをされる半導体レーザ
で構成できる。

セット用電源４から、セット用トリガ光を入射すると双
安定レーザ１はレーザ発振を始め、リセット用光源２ａ
からリセット用１〜リガ光を入射するとリセット用光の
増幅にキャリアを消費して、レーザ発振光が減少し、双
安定レーデ１はレーザ発振を停止する。

第５図に異軸の場合の基本実施例を示す、双安定レーザ
は、セット用光源４からのトリガ光を光軸に沿って受け
とり、リセット用光源２ｂからのトリガ光を光軸とは異
なる方向、例えば活性層に対して垂直な方向から受けと
る。セット用トリガ光は光軸に沿って入射するので、双
安定レーザ１の利得領域Ａと可飽和吸収領域Ｂの両方に
入射するが、リセット用トリガ光は双安定レーザの光軸
と角度をなして利得領域Ａに入射し、可飽和吸収領域Ｂ
には入射しない、リセット用光源２ｂは利得領域Ａのキ
ャリアを消費するものでよく、例えば第３図の矢印の範
囲すなわち、利得領域Ａで増・幅される波長の発振波長
を持つ半導体レーザで構成できる。セット用光源４は第
４図に示す同軸の場合と同様でよい。

第４図、第５図の実施例では双安定レーザのセット、リ
セットともに光で行なったが、セットはこれに限定され
ない。

第６図は電気的にセットし、光でリセットする実施例を
示す、双安定レーザ１は上述と同様のものである。セッ
ト用電極４ｂが正極性の電流パルスを双安定レーザ１に
印加すると、電流が開鎖Ｉｔｈを越えて双安定レーザ１
はレーザ発振する。リセット用光源２からリセット用ト
リガ光を利得領域に受けると、双安定レーザｌはレーザ
発振を停止する。リセット用トリガ光は第４図のように
双安定レーザ１に同軸に入射しても第５図のように異軸
に入射してもよい。

以上の実施例に用いることのできる双安定レーザを第７
図、第８図に示す。

第７図は同軸構成用の双安定レーザで中間に可飽和吸収
領域Ｂ、その両側に第１利得領域Ａ１、第２利得領域Ａ
２を有する。

ｎ型１ｎＰ基板１１上にｎ型ＩｎＰクラッド層１２が形
成され、その上にＩｎＧａＡｓＰ活性層１４、ｐ型１ｎ
Ｐクラッド層１５、ｐ＋型１ｎＧａＡｓＰキャップ層１
６か形成されている。活性層をストライプ状に残すよう
にキャップ層１６、上のクラッド層１５、活性層１４、
下のクラッド層１２の中間までメサエッチか行われ、メ
サの両側は半絶縁性１ｎＰ領域１８で埋め込まれる。基
板１１上にｎ測量［ｉ２２、キャップ層１６側表面上に
選択的ＳｉＯ□保護［２１を介してｐｆＰＩ電極２３が
形成される。活性層１４のストライプが、図中手前から
紙面裏の方向に延び、光軸を形成する。ｐ（Ｐｌ電極２
３は手前側の部分２３ａと後側の部分２３ｂとに分れ、
中間に可飽和吸収領域Ｂを画定している。この双安定レ
ーザは第４図等に示す同軸構成の実施例で使用するのに
適している。

第８図に、第５図等の異軸構成の実施例で使用するのに
適した双安定レーザの上面図を示す、利得領域Ａは１つ
の領域にまとめられている。利得領域の中に電極２３と
ｐ＋キャップ層１６の無い開口２５ａ、２５ｂ、２５ｃ
か形成され、上方から活性層にリセット光を注入できる
ようにＩｌｌ！成されている。

なお、双安定レーザ及び双安定レーザに光を導入する機
構としては上述の他、従来知られた種々の構成を用いる
ことができるのは当業者に自明であろう。

第４図に示す同軸構成の実施例の具体例の性能について
以下に示す。

双安定レーザ１としてはファブリベロータイプの２電極
型のものを用いた。２つの電極に流す電流をＩ　、■　
とすると、ｌ２＝３８．０ｎＡのとき第９図（Ｂ）に示
すようにＩ　　　＝８．３１八、ｏｎ Ｉ　　　＝６．０ｎＡであった。バイアス電流１ｂｏｆ
ｆ として１１をヒステリシスの中に設定し、レーザ発振オ
ン状態からオフ状態にするのに必要な光強度の波長依存
性を測定した。結果を第９図（Ａ）に示す、横軸が波長
、縦軸がリセットに必要な最低光強度を示す、双安定レ
ーザ１の発振波長が１゜３０２３μｍであり、ここでは
リセット用光として１．３１５０−１．３１５８μｍの
光を注入した。バイアスの位置により光注入でリセット
できる波長範囲は異なるがＩｂを６．１１Ａとした時は
、テストした８人幅の全波長領域でリセットでき、Ｉｂ
を６．５１Ａとした時は２人の波長範囲でリセットでき
、Ｉｂ＝６．９１Ａの時は１人の波長範囲でリセットで
きた。

第１０図に光信号の信号波形を示す、セット光は１．３
０４４μｍ、リセット光は１．３１５４μｍの波長とし
た。また、それぞれの注入光強度は３０μＷ、９０μＷ
であった。セット光の立上がりと共に双安定レーザの光
出力も立上がり、リセット光が入射すると出力に変化が
表れ、リセット光の立下がりとほぼ同時に光出力も立下
がる。

ここで、双安定レーザとしてファブリベロータイプのも
のを、また注入光の光源には単一モードレーザを用いた
が双安定レーザであれば任意の共振器を有するものでよ
く、また注入光源もマルチモード発振するものでもよい
。

以上観測されたリセット動作をモデル的に示すと第１１
図（Ａ＞−（Ｄ＞のように示せるであろう、（Ａ）はリ
セット光である波長λｒの光入力、（Ｂ）は双安定レー
ザからの波長λ「の光出力、（Ｃ）は双安定レーザの発
振光波長であるλｌの光出力、（Ｄ）は双安定レーザか
らの全光出力を示す。

双安定レーザが第１１図（Ｃ）で示すようにレーザ発振
している時にλｒのリセット光が第１１図（Ａ）で示す
ように入射される。すると双安定レーザの利得領域はリ
セット光に対して増幅機能を発揮し、第１１図（Ｂ）で
示すようにλ「の光は増幅されて出力する。このため、
キャリアが消費され、第１１図（Ｃ）で示すように双安
定レーザの発振波長λｌでの光出力はなくなる。全光出
力は、第１１図（Ｄ＞で示すようにリセット波長λ「の
光がなくなる時になくなる。

このようにリセット光によって容易に双安定レーザをリ
セットできる。

第１２図はこの動作を利用した光出力インバータを示す
。

双安定レーザ１はセット用電源４ｂからの電流パルスま
たはセラ１〜周光源４からの光パルスによってセットさ
れ、リセット用光源２からのリセット光パルスでリセッ
トされる。

セット動作を自動的に行ない、リセット光パルスを入力
信号とする。入力信号であるリセット光パルスがない（
０°°）場合、光出力はｌ続（°１°°）シ、入力信号
であるリセット光パルスがある（”１”）場合、光出力
はリセットされてなくなる（”ｏ’”）、このように光
信号のインバータが構成される。

以上の実施例において、リセット信号に光を用いている
ため電気的クロストークがない、集積化した場合集積度
の向上に有効である。またキャリア濃度を減少させるた
めに誘導放出を利用しているため、キャリア寿命に制限
されないリセット時間が達成できる。また注入光の波長
の設定精度ら数人〜数十人またはそれ以上と荒くですむ
、これにより超高速の光双安定レーザを容易に高密度に
集積化可能となる。

なお、いくつかの実施例について説明したが、発明の精
神を逸脱することなく種々の組合わせ、変更、修正等が
可能なことは当業者には自明であろう。

［発明の効果］ 双安定レーザを光信号によって容易にリセットできる。

光信号のインバータが構成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の原理図、 第２図は、同軸構成の場合の好適波長を示すグラフ、 第３図は、異軸構成の場合の好適波長を示すグラフ、 第４図は、同軸構成の光セヅト／リセント双安定レーザ
装置を示すブロック図、 第５図は、異軸構成の光セント／リセット双安定レーザ
装置を示すブロック図、 第６図は、電気的セット／光リセットの双安定レーザ装
置を示すブロック図、 第７図は、同軸構成用双安定レーザの斜視図、第８図は
、異軸構成用双安定レーザの上面図、第９図（Ａ）、（
Ｂ）は同軸構成の例の実験結果を示すグラフとバイアス
条件を示すグラフ、第１０図は、光出力波形を示すグラ
フ、第１１図（Ａ）−（Ｄ）は光入力によるリセッ１−
動作をモデル的に説明する波形図、第１２図は、光信号
インバータのブロック図、第１３図（Ａ）、（Ｂ）、（
Ｃ）は従来技術による双安定半導体レーザを説明する図
であり、（Ａ＞は断面構造を示す断面図、（Ｂ）は利得
のキャリア濃度依存性を示すグラフ、（Ｃ）は可飽和吸
収領域の利得変化を示すグラフ、 第１４図（Ａ＞、（Ｂ）は従来技術による電気的リセッ
トを説明する図であり、（Ａ　）は光出力対電流の特性
を示すグラフ、（Ｂ）はリセット電流パルスの波形図、 第１５図（Ａ）、（Ｂ）は従来技術による光り七ノ１〜
を示す図であり、（Ａ）は隣接波長光によるビートを示
すグラフ、（Ｂ）は可飽和吸収領域の利得変化を示すグ
ラフである。 図において １　　　　　　　双安定レーザ 八　　　　　　　利得領域 Ｂ　　　　　　　可飽和吸収領域 ２．２ａ、２ｂ　リセット用光源 ４　　　　　　　セット用光源 ４ｂ　　　　　　セント用電源 ６　　　　　　　合波器 、・″、１＼＼、 Ａ　利得領域　　　　　　　　　Ｂ　可飽和吸収ｇｉ域
木本発明原理図 第１図 第２図　　　　第３図 第４図 第５図 第６図 第７図　　　　第８図 （Ａ）　　リセット光強度分布　　　　　　　　（Ｂ）
　　特性とバイアス第９図 ５０ｎｓ／ｄｉｖ。 第１０図 光入力によるリセット動作 第１１図 光信号インバータ 第１２図 （曖収） （Ｂ）　　利得のキャリア濃度依存性

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）、利得領域（Ａ）と可飽和吸収領域（Ｂ）とを有
   する双安定半導体レーザの利得領域（Ａ）に、該利得領
   域（Ａ）で増幅される波長の注入光を注入して、該利得
   領域（Ａ）のキャリアを消費することによってレーザ発
   振をリセットすることを特徴とする双安定半導体レーザ
   のリセット方法。
2. （２）、前記注入光が、前記双安定半導体レーザの光軸
   に同軸に入射し、該注入光の波長がレーザ発振波長（λ
   ＿ｌ）より長い波長に選ばれていることを特徴とする請
   求項１記載の双安定半導体レーザのリセット方法。
3. （３）、光軸上に利得領域と可飽和吸収領域とを有する
   双安定半導体レーザ（１）と、 該半導体レーザ（１）を発振状態にセットする手段と、 該半導体レーザ（１）の利得領域（Ａ）に注入光を注入
   するリセット用光源で、注入光の波長がレーザ発振波長
   （λ＿ｌ）と異なり、かつ該利得領域で増幅される波長
   に選ばれているリセット用光源（２）と を含むことを特徴とする光インバータ。