JPH0277644A - 探傷装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は探傷装置に関し、さらに詳細にいえば、鉄板等
の表面に生じた傷から発生する漏洩磁界を磁気光学的に
検出して探傷を行う探傷装置に関するものである。

〈従来の技術と発明が解決しようとする課題〉鉄板等の
表面に生じた傷を探傷する場合、２つの代表的な探傷法
が知られている。一つは磁粉探傷法、他の一つは漏洩磁
界探傷法である。

前者は、被測定体を磁化して、その表面に細がい鉄粉（
磁粉）をふりかけ、被測定体に傷があった場合に、そこ
から発生する漏洩磁界によって磁粉が盛り上がるのを目
視で測定し、傷の有無を判別する方法である。

この方法では、被測定体の全面を一度に判定できるが、
磁粉の盛り上がる高さが僅かであるため、判定に熟練を
要し、゛かつ、傷の定量的な評価ができない。

一方、後者は漏洩磁界を磁気検出素子で捕らえて電気信
号に変換し、傷の有無と傷の大きさを判定する方法であ
り、磁気検出素子を具備した探傷装置を用いて実施され
る。磁気検出素子の例として、サーチコイル、半導体ホ
ール素子がある。

サーチコイルは、磁束の変化によりコイルに発生する起
電力を測定するコイルである。このサーチコイルを使用
すれば、簡単で安価に磁気検出素子を作ることができる
。しかし、漏洩磁界探知範囲を狭くして微小な傷を測定
しようと思えば、微小なコイルを作る必要があるが、一
般にこのことは困難である。また、サーチコイルを使用
した探傷装置の検出信号が電気信号であるため、信号を
伝送するときに周囲の電界による静電誘導ノイズ、磁界
による電磁誘導ノイズを受けやすい。加えて、爆発雰囲
気中では、配線等を誤ってショートさせたり、高電圧を
かけたりすると火花が出て爆発する危険がある。

半導体ホール素子は、ホール効果を利用して磁界を検出
するものであり、素子の大きさを極めて小さくでき（ｌ
ｌＴＩＩＴＩｘＩＭ×ＩＭ程度）、局部的な漏洩磁界を
精度よく測定できる（　１　ｏｅ以下）。しかし、ホー
ル素子を使用した探傷装置の検出信号が電気信号である
ため、上記と同様静電誘導ノイズ、電磁誘導ノイズの影
響を受易く、その結果、検出信号のＳＮ比が悪いという
欠点がある。また、半導体ホール素子においても電気信
号を扱うので爆発性の雰囲気下では、スパーク等により
爆発トラブルの虞れがある。

本発明は、静電誘導、電磁誘導の影響を受けずに良好な
ＳＮ比で精度よく漏洩磁界を検出でき、かつ、スパーク
発生の虞れがなく、爆発雰囲気下でも安全に測定するこ
とのできる探傷装置を提供することを目的とする。

く課題を解決するための手段〉 上記の目的を達成するための本発明の探傷装置は、光出
射手段と、光出射手段から出射した光の光路に設けられ
たビームスプリッタと、磁化された被測定体の表面上の
傷に起因する漏洩磁界Ｈが分布された状態において被測
定体の表面と対向配置され、上記ビームスプリッタを透
過した光を導入し、被測定体と対向する面に形成した反
射膜により当該導入光を反射させるファラデー回転素子
と、上記反射膜を反射した後ファラデー回転素子から出
射した光が上記ビームスプリッタで分岐される方向に配
置され、ファラデー回転した偏光成分を取り出す第１の
検光素子と、第１の検光素子から取り出された光を受光
する第１の受光素子と、上記光出射手段から出射しビー
ムスプリッタにより分岐された光を受光する第２の受光
素子と、第１の受光素子および第２の受光素子により検
出された信号の差分をとる差信号処理回路とを具備し、
かつ、上記ビームスプリッタと第２の受光素子との間に
第２の検光素子を設け、上記第１の検光素子および第２
の検光素子を、上記被測定体の磁化に伴い生じる漏洩磁
界Ｈ′が第１の検光素子および第２の検光素子を通過す
る光が受ける共通の影響を相殺する位置に配置したもの
である。

く作用〉 この構成の探傷装置によれば、被測定体を磁化して被測
定体面の傷に起因する漏洩磁界Ｈを発生させ、ファラデ
ー回転素子を被測定体に接近させると、ビームスプリッ
タを透過し、ファラデー回転素子に導入された光は漏洩
磁界Ｈの影響で偏光面が回転する。この場合、反射膜の
形成により光を往復反射させる構造をとっているので、
被測定体の表面に対してほぼ垂直に光を入射させること
ができる。したがって、光の軌跡を光の入射方向から見
れば、はぼスポット状の点となり、微小な傷の測定に好
適となる。光をファラデー回転素子内において往復させ
るので、角度の回転量を倍加させることができる。そし
て、上記反射膜を反射した後ファラデー回転素子から出
射した光は、ビームスプリッタで分岐し、第１の検光素
子を通って回転成分が取り出され、第１の受光素子によ
り検出される。

一方、光出射手段から出射し、ビームスプリッタにより
直接分岐された光は、第２の検光素子を通り第２の受光
素子により検出される。

そして、第１の受光素子および第２の受光素子により検
出された光検出信号の差分を取ることにより、上記第１
、第２の検光素子、第１、第２の受光素子等に加えられ
る共通の影響を相殺した差動信号を得ることができる。

さらに詳述すると、もし第２の検光素子を設けなかった
場合、第１の検光素子が被測定体全体の磁化に伴い生じ
る漏洩磁界Ｈ′による影響を受けて、不要なファラデー
回転等が生じ、これが測定誤差となることがある。そこ
で、第２の検光素子を設け、第１の検光素子および第２
の検光素子を、上記漏洩磁界Ｈ′が第１の検光素子およ
び第２の検光素子を通過する光に与える影響を相殺する
位置に配置すれば、光が第１の検光素子および第２の検
光素子をそれぞれ通過する際に、光検出信号の差分をと
ることにより漏洩磁界Ｈ′の影響を相殺することができ
る。

上記「漏洩磁界Ｈ′が第１の検光素子および第２の検光
素子を通過する光に与える影響を相殺する位置」とは・
、第１の検光素子および第２の検光素子に対して、はぼ
強さの等しい漏洩磁界Ｈ′の分布を実現する位置であり
、例えば、被測定体の表面が平面であるものを想定する
ならば、第１の検光素子および第２の検光素子は、被測
定体の表面から同じ高さの位置となる。

この差動信号により、ファラデー回転角を少ない誤差で
測定することができる。

このようにして、ファラデー回転角により漏洩磁界Ｈの
強さを推定することができ、ひいては被測定体の微小な
傷の大きさを定量的、かつ高感度で探知することができ
る。

〈実施例〉 第２図は、探傷装置の基本的構成を示す図であり、光学
素子を収納するセンサケース（１１）の底部に反射型フ
ァラデー回転素子（１）を配置し、ファラデー回転素子
（１）の上部に無偏光ビームスプリッタ（ハーフミラ−
）■、偏光ビームスプリッタ（偏光し）　（３）、ロッ
ドレンズ６）を下から順に設け、ロッドレンズ（５）の
上面を発光ダイオード■の出射面に対面させている。無
偏光ビームスプリッタ■の水平横側には、光学的バイア
スを与えるｌ／２波長板（１２Ｌ偏光ビームスプリツタ
（検光素子）（４）、ロッドレンズ（６）を設け、受光
ダイオード８）の受光面に対向させている。センサケー
ス（１１）の底面は被測定体（ｌＯ）の被測定面と対向
する。

ＬＥＤ発光ダイオード（７）を出た光は、ロッドレンズ
６）により平行ビーム化され、偏光ビームスプリッタ口
）により直線偏光成分のみ取り出される。

そして、取り出された直線偏光の光は、無偏光ビームス
プリッタ■を透過してファラデー回転素子（１）の入射
面に垂直に入射する。ファラデー回転素子（１）の底面
はアルミニウム、金等による反射膜（！９）が蒸着して
あり、入射光はこの反射膜（９）により上方に反射して
再度無偏光ビームスプリッタ（２）に入射する。したが
って、反射膜（９）により、光をファラデー回転素子（
１）内において往復させるので、ファラデー回転角度の
回転量を倍加させることができる。無偏光ビームスプリ
ッタ■では、光は一部反射されて１７２波長板（１２）
に入り、偏光ビームスプリッタ（４）によりファラデー
回転した偏光のみ透過し、ロッドレンズ（６］により集
光され受光ダイオード［Ｆ］）に入射する。

ファラデー回転素子（１）の底部に鉄板等の被測定体く
ＩＯ）を配置し水平に磁化すると、被ｎ１定体（１０）
の表面に傷がなければ、漏洩磁界Ｈは生じない。

ところが、被測定体（ｌＯ）に傷があれば、漏洩磁界Ｈ
が生じる。漏洩磁界Ｈの垂直方向成分は、ファラデー回
転素子（１）を通過する光と相互作用を起こし光の偏光
面は回転する。その回転角はθ、は、θＦ−２ｖ、Ｈｖ
Ｌ て与えられる。ここに、■　はベルデ定数、Ｈｖｅ はファラデー回転素子（１）内の垂直方向の漏洩磁界Ｈ
の強さ、Ｌはファラデー回転素子（１）の垂直方向の厚
みである。光は、反射膜（９）により反射され往復する
ので係数２がついている。ファラデー回転素子（１）を
構成する材料は、ベルデ定数Ｖ　の太きなものが好まし
く、例えばＣｄＭｎＴｅ５ＹＩＧがあげられる。

このように偏光面の回転した光は、無偏光ビームスプリ
ッタ■を反射して偏光ビームスプリッタ（４）を透過す
るときに、回転角に応じた減衰を受ける。すなわち、回
転角が０の場合は、光はまったく透過しないように偏光
ビームスプリッタ（４）の偏光方向が調整されている。

もし、ファラデー回転角θ、が存在すると、検出光の振
幅Ａは、Ａ−Ａｓ１ｎθＦ となる。Ａ　は、もとの光の振幅である。したがって、
ファラデー回転による変調度ｍは、ｍｍｓｉｎ　θＦ となる。したがって、偏光ビームスプリッタ（４）を透
過した光は、上記変調度ｍによる振幅変調を受けること
になる。

次に、第３図を参照して、上記の探傷装置を用いて漏洩
磁界を測定する場合の検出感度等について定量的に説明
する。

被ｎ１定体として溶接構造用圧延鉄板（ＳＭ　５０Ａ）
（３１）を用い、これに深さ　０．３ｍｍ５幅０．３ｍ
ｍｑ長さＯＪｍｍの傷（３２）をつける。電磁石（３３
）によりこの鉄板（３１）の長さ方向に飽和磁界（約１
５０００ｏｅ）をかける。この傷による漏洩磁界の大き
さは、垂直成分Ｈが約６　ｏｅｓ水平成分Ｈが約１２ｏ
ｅ、磁界ｘ 分布の高さが約０．５Ｍである。

この状態における探傷装置の検出感度を計算する。光の
波長を８５Ｏｎｍ　ｓファラデー回転素子（１）の材料
としてＣｄ　Ｍ　ｎ　Ｔ　ｅを用いると、ベルデ定数Ｖ
　は１．５ａ＋ｉｎ／　ｏｅ　ｃａ＋となる。ｗｉｎは
角度の単位（１７６０度）である。ファラデー回転素子
（１）の厚みＬを０．０９０１とすると、変調度ｍは、
ｍｍ５１ｎ２Ｖ　　ＨＬ ＝ｓ１ｎ　　（２Ｘ１．５ｘ６Ｘ０．０９ｘｌ／８０）
−ｓｌｎ　０．０２７　”　ｍｏ、０４５％。

通常、変調度ｍ　−０，００４％の場合、３ｄＢのＳＮ
比で検出できるので、ｍ　＝　０．０４５％ならば十分
な感度で検出できることが明らかとなる。

以上のことから、漏洩磁界Ｈの強さを容易に推定するこ
とができ、ひいては被測定体（ｌＯ）の表面に生じた微
小な傷の大きさを定量的に探知できることが分かる。

しかも、被測定体（ｌＯ）の表面に垂直に光を入射させ
ているので、微小な傷の測定に最適である。

また、光をファラデー回転素子（１）内において往復さ
せるので、角度の回転量を倍加させ、測定感度を上げる
ことができる。

このほか、次のような利点もある。すなわち、探傷時に
被測定体（ｌＯ）の全体を外部磁石（３３）で磁化する
ので、被測定体（ｌＯ）の表面近傍には、被測定体（ｌ
Ｏ）の表面と平行な漏洩磁界Ｈ′が発生する。

この漏洩磁界Ｈ′は、ファラデー回転素子（１）を進行
する光と垂直である。したがって、光の進行方向と漏洩
磁界Ｈ′とのスカラー積は０となり、ファラデー回転は
生じないので、漏洩磁界Ｈ′の影響をほとんど受けるこ
となく測定することができる。

ところで、ファラデー回転素子（１）から出射した後、
無偏光ビームスプリッタ（２）で一部反射された光は、
被測定体（１０）の表面とほぼ平行に進行するので、偏
光ビームスプリッタ（４）等を通過するときに上記ａＪ
洩磁界Ｈ′により僅かのファラデー回転が生じ、これが
測定に誤差を与えることがある。

第４図は、この点を考慮して構成された探傷装置を示す
構成図である。この探傷装置では、被測定体（１０）の
全体を外部磁石で磁化したことにより生じる漏洩磁界Ｈ
′の上記悪影響をなくすため、ＬＥＤ発光ダイオードを
１個追加し、この追加したＬＥＤ発光ダイオードから取
り出された光を、漏洩磁界Ｈ′の影響を打ち消すための
補正光として利用している。

同図に示すように、センサケース（１１）の底面に反射
型ファラデー回転素子（１）を置き、その上部に、２枚
のガラス板（２Ｂ）（２７）を重ねてほぼ斜め４５″に
配置し、さらにその上部に偏光ビームスプリッタ（２３
）、ロッドレンズ（２２）　（２５）を配置し、それぞ
れ第１の発光ダイオード（２１）、第２の発光ダイオー
ド（２４）の出射面に対面させている。ガラス板（２６
）（２７）の片面にはそれぞれ反射膜（２６ａ）　（２
７ａ）がコートされており、これらの反射膜（２８ａ）
　（２７ａ）が互いに向き合っている。ガラス板（２Ｂ
）の水平横側には、偏光ビームスプリッタ（１３）、ロ
ッドレンズ（１４）を設け、ロッドレンズ（１４）を受
光ダイオード（１５）の受光面に対向させている。また
、ガラス板（２７）の水平横側には偏光ビームスプリッ
タ（４）、ロッドレンズ（６）を設け、受光ダイオード
［Ｆ］）の受光面に対向させている。（ＩＢ）は、両受
光ダイオード（８）（１５）の検出信号の差に比例した
信号を得るための合成器である。

上記偏光ビームスプリッタ（４）、（１３）はセンサケ
ース（１１）の底面から等しい高さに配置されている。

上記第１の発光ダイオード（２１）から照射された光は
、偏光ビームスプリッタ（２３）を通して反射型ファラ
デー回転素子（１）に直接入光できるよう配置され、フ
ァラデー回転素子（１）から反射された光は、ガラス板
（２７）の反射膜（２７ａ）により反射され、偏光ビー
ムスプリッタ（４）に入射可能となるよう配置されてい
る。また上記第２の発光ダイオード（２４）を出た光は
偏光ビームスプリッタ（２３）を通してガラス板（２６
）の反射膜（２６ａ）により反射され、偏光ビームスプ
リッタ（１３）に入射されるようになっている。

上記のように構成したので、第１の発光ダイオード（２
１）を出た光は、ロッドレンズ（２２）により平行ビー
ム化され、偏光ビームスプリッタ（２３）により直線偏
光成分のみ取り出される。そして、取り出された直線偏
光の光は、ファラデー回転素子（１）の入射面にほぼ垂
直に入射し、反射膜（９）により反射され、ファラデー
回転素子（１）から再び出射される。そして、ガラス板
（２７）の反射膜（２７ａ）により反射され、偏光ビー
ムスプリッタ（４）に入射し、ロッドレンズ（６）を通
して受光ダイオード［Ｆ］）により受光される。一方、
第２の発光ダイオード（２４）を出た光は、ロッドレン
ズ（２５）により平行ビーム化され、偏光ビームスプリ
ッタ（２３）により直線偏光成分のみ取り出され、ガラ
ス板（２Ｂ）の反射膜（２６ａ）により反射される。そ
して、反射光は偏光ビームスプリッタ（１３）に入射し
、ロッドレンズ（１４）を通して受光ダイオードにより
受光される。両受光ダイオード［Ｆ］）　（１５）の検
出信号は合成器（１Ｂ）において差を取られ、差に比例
した信号が合成器（１６）から出力される。

被測定体（１０）の周囲には、傷による漏洩磁界Ｈの外
に、被測定体（１０）の全体を磁化したことにより生じ
る漏洩磁界Ｈ′が分布している。これがビームスプリッ
タ（４）に作用してファラデー回転を生じさせ、傷によ
る漏洩磁界Ｈの検出誤差として作用する。そこで、偏光
ビームスプリッタ（４）、偏光ビームスプリッタ（１３
）を利用して、それぞれ漏洩磁界Ｈ′によるほぼ等量の
ファラデー回転を生じさせる。そして合成器（ｉｌｌ）
において、受光ダイオード（１５）の出力信号と、前述
した受光ダイオード８）の出力信号との差を取り、合成
器（１Ｂ）から差に比例した信号のみを出力することに
より、偏光ビームスプリッタ（４）（１３）を通過する
時に生じるファラデー回転を相殺する。これにより漏洩
磁界Ｈ′の影響をなくすことができ、測定の精度をさら
に向上させることができる。

第１図は、第４図の探傷装置と同じ目的を達成する、他
の探傷装置を示す構成図である。この探傷装置では、Ｌ
ＥＤ発光ダイオードを１個のみ使用し、この発光ダイオ
ードから取り出された光を２つに分割して、一方の光を
漏洩磁界Ｈ′の影響を打ち消すための補正光として利用
している。

センサケース（１１）の底部に反射型ファラデー回転素
子（１）を配置し、ファラデー回転素子（１）の上部に
無偏光ビームスプリッタ（ｚ、偏光ビームスプリッタ（
３）、ロッドレンズ（５）を下から順に設け、ロッドレ
ンズ■の上面を発光ダイオード（７）の出射面に対面さ
せている。無偏光ビームスプリッタ■の水平右側には、
第１の検光素子としての偏光ビームスプリッタ（４］、
ロッドレンズ■を設け、第１の受光素子としての受光ダ
イオード３）の受光面に対向させている。一方、無偏光
ビームスプリッタ（２の水平左側には、第２の検光素子
としての偏光ビームスプリッタ（１３）、ロッドレンズ
（１４）を設け、第２の受光素子としての受光ダイオー
ド（１５）の受光面に対向させている。偏光ビームスプ
リッタ（４）と偏光ビームスプリッタ（１３）とはセン
サケース（１１）の底面から同じ高さに配置されている
。

ＬＥＤ発光発光ダイオード比た光は、ロッドレンズ（５
）により平行ビーム化され、偏光子Ｇ）により直線偏光
成分のみ取り出される。そして、取り出された直線偏光
した光は、無偏光ビームスプリッタ（２）を透過してフ
ァラデー回転素子（１）の入射面に垂直に入射し、反射
膜（９）で反射する。反射膜（９）で反射した光は再度
無偏光ビームスプリッタ■に入射する。無偏光ビームス
プリッタ■では、光は一部反射されて、偏光ビームスプ
リッタ（４）に入り、ファラデー回転した偏光のみ透過
し、ロッドレンズ（６）を経て受光ダイオード［Ｆ］）
に入射する。

一方、偏光ビームスプリッタ（３）より出射する光は、
無偏光ビームスプリッタ■において一部が水平方向に反
射され、偏光ビームスプリッタ（１３）を通り、ロッド
レンズ（１４）を通して受光ダイオード（１５）で受光
される。したがって、受光ダイオード（１５）には、漏
洩磁界Ｈによる変調を何ら受けない光・（補正光）が検
出される。

上記の探傷装置には、傷による漏洩磁界Ｈの外に、被測
定体（ｌＯ）の全体を磁化する主磁界の漏洩磁界Ｈ′が
分布している。これが偏光ビームスプリッタ（４）にフ
ァラデー回転等を生じさせ、傷による漏洩磁界Ｈの検出
誤差として作用する。そこで、第４図の実施例と同じく
、偏光ビームスプリッタ（１３）を通過する補正光を利
用して、主磁界の漏洩磁界Ｈ′の影響を相殺することが
でき、測定精度を向上させることができる。

しかも、第４図の実施例と異なり、単一のＬＥＤ発光ダ
イオードを使用し、無偏光ビームスプリッタ０において
２つの光束に分割し、１つを補正光として利用している
ので、ＬＥＯ発光ダイオードおよびロッドレンズを１組
装備すればよく、構成が簡単化されるという利点がある
。

なお、上記の各実施例ではＬＥＤ発光ダイオード（７）
と偏光ビームスプリッタＧ）との組合わせにより光出射
手段を構成していたが、光出射手段は直線偏光光を照射
するレーザ装置であってもよい。

レーザ光線を使用するとビームを絞ることが容易にでき
るので、微小な傷を探傷するのに有利である。その他、
この発明の要旨を変更しない範囲内において、種々の設
計変更を施すことが可能である。

〈発明の効果〉 以上のように、本発明の探傷装置によれば、磁化された
被測定体表面の傷に起因する漏洩磁界に基づく、光学的
なファラデー回転効果を利用して探傷しているので、被
測定体の傷の大きさを良好な感度で定量的に探知するこ
とができる。しかも、光学的に検出を行うので、周囲の
電磁誘導の影響を受けずに済み、かつ、電気のショート
によるスパーク発生の虞れがなく、爆発雰囲気下でも安
全に測定することができる。

また、ビームスプリッタを使用し、かつ、ファラデー回
転素子に反射膜を形成して光を正反射させることにより
、微小な傷の探知も容易になり、また、ファラデー回転
角を倍加するので検出感度を向上させることができる。

さらに、検光素子を２つ設け、第１の受光素子および第
２の受光素子により検出された光信号の差分を取ること
により、各検光素子に対する、被測定体全体の磁化に伴
い生じる漏洩磁界Ｈ′の影響を相殺した信号を得゛るこ
とができ、測定の誤差は一層減少する。

【図面の簡単な説明】

第１図は単一の光源を用いて漏洩磁界Ｈ′の影響を相殺
する実施例を示す構成図、 第２図は探傷装置の一実施例を示す構成図、第３図は磁
化された被測定体の表面における傷を探知する説明図、 第４図は光源を１つ付加して漏洩磁界Ｈ′の影響を相殺
する実施例を示す構成図である。 Ｈ・・・傷に起因する漏洩磁界、 Ｈ′・・・被ｎ１定体の磁化に伴い生じる漏洩磁界、（
１）・・・ファラデー回転素子、 ■・・・無偏光ビームスプリッタ、 （３）（４）（１３）・・・偏光ビームスプリッタ、（
７）　（２１）　（２４）・・・ＬＥＤ発光ダイオード
、（８）（２０）・・・受光ダイオード、（９）・・・
反射膜、（１０）・・・被測定体、（３２）・・・傷特
許出願人　住友電気工業株式会社 第１図 第２図 第３図 専 第４図 １只

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光出射手段と、光出射手段から出射した光の光路に
   設けられたビームスプリッタと、磁化された被測定体の
   表面上の傷に起因する漏洩磁界Ｈが分布された状態にお
   いて被測定体の表面と対向配置され上記ビームスプリッ
   タを透過した光を導入し、被測定体と対向する面に形成
   した反射膜により当該導入光を反射させるファラデー回
   転素子と、上記反射膜を反射した後ファラデー回転素子
   から出射した光が上記ビームスプリッタで分岐される方
   向に配置され、ファラデー回転した偏光成分を取り出す
   第１の検光素子と、 第１の検光素子から取り出された光を受光する第１の受
   光素子と、上記光出射手段から出射しビームスプリッタ
   により分岐された光を受光する第２の受光素子と、 第１の受光素子および第２の受光素子により検出された
   信号の差分をとる差信号処理回路とを具備し、かつ、上
   記ビームスプリッタと第２の受光素子との間に第２の検
   光素子を設け、上記第１の検光素子および第２の検光素
   子を、上記被測定体の磁化に伴い生じる漏洩磁界Ｈ′が
   第１の検光素子および第２の検光素子を通過する光が受
   ける共通の影響を相殺する位置に配置したことを特徴と
   する探傷装置。