JPH0278910A

JPH0278910A - 磁気センサ

Info

Publication number: JPH0278910A
Application number: JP63231256A
Authority: JP
Inventors: Katsuto Nagano; 克人長野; Mitsuru Kinouchi; 充木ノ内
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1988-09-14
Filing date: 1988-09-14
Publication date: 1990-03-19

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［発明の目的コ（産業上の利用分野）本発明は磁気センサに関し、更に詳しくは回転物体や移
動物体の変位検出に好適な磁気センサに関する。

（従来の技術）この種の磁気センサの従来例を第５図を参照して説明す
る。

同図に示す磁気センサ３０は、ガラス基板３１の一方の
平面にＮｉＣｏ等の磁気抵抗効果を発揮する強磁性薄膜
を蒸着し、更に、例えばフォトエッヂングにより同一形
状の第１．第２の感磁部ＭＲ３、ＭＲ４、接続部３２．
電極部３３ａ。

３３ｂ、３３ｃからなるパターン形成を行うことにより
構成したものである。

そして、両端側の電極部３３８．３３Ｇに電源３４を接
続し、中央の電極部３３ｂから両感磁部ＭＲ３、ＭＲ４
の磁気抵抗効果に基く検出信号を取出すようになってい
る。

この磁気センサ３０は、第６図に示すように回転体３５
の外周に近接して配置され、この回転体３５の外周に設
けたＮ、Ｓの磁極からの磁界を両感磁部ＭＲ３、ＭＲ４
により検出するようになっている。

しかしながら、上記構成の磁気センサ３０においては、
両感磁部ＭＲ３、ＭＲ４を構成する強磁性薄膜の部分が
同一の幅Ｗに形成され、且つ同一の形状となっているた
め、これら両感磁部ＭＲ３。

ＭＲ４の温度特性、感磁特性が共に同一になってしまう
。

このうち、感磁特性が同一であると、両感磁部ＭＲ３、
ＭＲ４に回転体３５の磁極（例えばＮ極）から均等な磁
界が作用した場合、両感磁部ＭＲ１゜ＭＲ２の磁気抵抗
の変化が等しくなり中央の電極３３ｂに電位変動が生じ
ることはなく、この結果、このときの検出信号が得られ
ないという問題がある。

（発明が解決しようとする課題）上述したように、従来の磁気センυにおいては両感磁部
の感磁特性が同一であることに起因して十分な検出感度
が得られないという問題がある。

そこで、本発明は両感磁部の構成を改良することによっ
て、検出感度の良好な磁気センサを提供することを目的
とするものである。

［発明の構成コ（課題を解決するだめの手段）請求項１記載の磁気センサは、基板上に２つの感磁部を
直列接続状態に設け両感磁部の接続部分から検出信号取
出し用の電極部を導出した磁気センサにおいて、前記両
感磁部の温度特性が等しく感磁特性が異なる構成とした
ものである。

請求項２記載の磁気センサは、請求項１記載の両感磁部
のうち、一方の感磁部は所定の幅を有する強磁性薄膜層
により形成し、他方の感磁部を前記一方の感磁部の強磁
性薄膜層の幅と等価的に等しくなる小幅の強磁性薄膜層
群により形成したものである。

（作　用）以下に上記構成の磁気センサの作用をそれぞれ説明する
。

請求項１記載の磁気センサによれば、基板上に直接接続
状態に設けた両感磁部の温度特性が等しく感磁特性が異
なるようにしたことによって、この両感磁部に外部磁界
が作用した際温度変化の影響を受けることなく両感磁部
の接続部分から外部磁界に対応した出力信号を取出すこ
とができる。

請求項２記載の磁気センサによれば、両感磁部のうち、
一方の感磁部を所定幅の強磁性薄膜により形成し、他方
の感磁部を前記所定幅の強磁性薄膜層と等価的に等しい
幅となる小幅の強磁性薄膜層群により形成したことによ
って、これら両感磁部の温度特性が等価的に等しくなり
温度変化の影響がなくなると共に、外部磁界に対しては
所定幅を有する一方の感磁部の磁気抵抗の変化が大きく
、小幅の強磁性薄膜層群からなる他方の感磁部の磁気抵
抗の変化が小さくなる。

（実施例）以下に本発明の実施例を第１図、第２図を参照して説明
する。

尚、第１図に示す磁気センサ１において、前記磁気セン
サ３０と同一の機能を有するものには同一の符号を付し
て示す。

この磁気センサ１が前記磁気センサ３０と異なる点は、
第２図にも示すように２箇所の直線状部分からなる第１
の感磁部ＭＲｚの感磁領域の幅Ｌｏを例えば３０μｍと
し、また、２箇所の直線状部分からなる第２の感磁部Ｍ
Ｒ２を、それぞれ幅Ｌ１＝１０μｍ、間隔ｔｔ＝１０μ
ｍの３条の小幅部分により構成したことである。

第１．第２の感磁部ＭＲ１，ＭＲ２の形成方法は従来例
の場合と同様ＮｉＣｏの強磁性薄膜層のフォトエツチン
グによるものであるが、本実施例においては、特に第２
の感磁部ＭＲ２の感磁領域の幅を、まず（３Ｌ１＋２ｔ
１）としておき、この領域に幅ｔ１の間隔部分２箇所を
フォトエツチングにより形成してこの感磁領域の強磁性
薄膜層部分の合計幅３Ｌ１が第１の感磁部ＭＲ１の感磁
領域の幅Ｌｏと等しくすることが特徴である。

上記構成の磁気センサ１の作用を第３図をも参照して説
明する。

この磁気センサ１の第１．第２の感磁部ＭＲ１。

ＭＲ２に従来例に示す回転体外周の例えばＮ極からの磁
束が作用したものとする。

このとき、第１．第２の感磁部ＭＲ１，ＭＲ２は直列接
続の状態であり、且つ、この磁気センサ１の両感磁部Ｍ
ＲＩ　、ＭＲ２における感磁領域の強磁性薄膜層の幅は
等価的に等しいので両感磁領域の温度特性も等しくなり
、周囲の温度変化は両感磁部ＭＲｔ　、ＭＲ２により打
消されてこの磁気センサ１は温度変化の影響を受けるこ
とはない。

一方、Ｎ極からの磁束に対しては、第１の感磁部ＭＲＩ
を構成する磁区のスピンが大きく、第２の感磁部ＭＲ２
を構成する磁区のスピンはこの領域が小幅であるため小
さくなり、この結果、両感磁部ＭＲ１、ＭＲ２の感磁特
性は第３図に示すように第１の感磁部ＭＲ１が大きく変
化し、第２の感磁部ＭＲ２が小さく変化する。

このような両感磁部ＭＲ１、ＭＲ２の感磁特性の相違に
より、中央の電極部３３ｂからＮ極からの磁束に応じた
出力信号を感度良く得ることができる。

上述した磁気センサ１の動作はＳ極からの磁束が両感磁
部ＭＲ１，ＭＲ２に作用する場合にも同様であることは
言うまでもない。

本発明は上述した実施例に限定されるものではなく、そ
の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。

第４図は本発明の変形例を示すものでおり、同図に示す
磁気センサ１Ａは、第２の感磁部ＭＲ２’の間隔部分の
方向を前記磁気センサ１の第２の感磁部ＭＲ２の間隔部
分と直交するような方向としたことが前記磁気センサ１
と相違している。

このような磁気センサ１Ａによっても、前記磁気センサ
１と同様の作用を発揮させることかできる。

［発明の効果］以上詳述した本発明によれば、温度変化の影響を受ける
ことがなく、しかも、検出感度の良好な磁気センサを提
供することができる。

また、請求項２記載の発明によれば、両感磁部の温度特
性が等しく、且つ、感磁特性は一方が大きく他方が小さ
い磁気センサを提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の磁気センサの実施例を示す平面図、第
２図は同上の部分拡大平面図、第３図は第１図に示す磁
気センサの特性図、第４図は本発明の変形例を示す平面
図、第５図は従来の磁気センサの平面図、第６図は磁気
センサの使用例を示す斜視図である。１・・・磁気センサ、　　　３１・・・基板、３３ａ、
３３ｂ、３３ｃ・・・電極部、ＭＲｚ・・・第１の感磁
部、ＭＲ２・・・第２の感磁部。蔓穢幻手吐

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に２つの感磁部を直列接続状態に設け両感
磁部の接続部分から検出信号取出し用の電極部を導出し
た磁気センサにおいて、前記両感磁部の温度特性が等し
く感磁特性が異なる構成としたことを特徴とする磁気セ
ンサ。
（２）前記両感磁部のうち、一方の感磁部は所定の幅を
有する強磁性薄膜層により形成され、他方の感磁部は前
記一方の感磁部の強磁性薄膜層の幅と等価的に等しくな
る小幅の強磁性薄膜層群により形成されるものである請
求項１記載の磁気センサ。