JPH0279603A - 発振回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 恵呈上ｍ肛分■ 本発明は発振回路に関するものであり、より特定的には
トランジスタの出力を水晶振動子を介して入力側に正帰
還する形式の発振回路に関する。

ｌ米■及歪 このような発振回路として第３図に示すようなものがあ
る。該発振回路はトランジスタで形成された増幅器（１
）の出力を水晶振動子（２）を介して、その増幅器（１
）の入力側へ正帰還することにより発振動作を実現する
。尚、ＭＯＳ−ＩＣの場合、増幅器（１）は単にインバ
ータとして構成される。ここで、入力に対し正帰還信号
の位相がＯのときは水晶振動子固有の周波数ｆ、で発振
を行うが、位相がプラス又はマイナスにずれると、発振
周波数もそれに応じてｒ、からシフトする。このような
正帰還信号のための位相設定回路は第３図の場合、出力
側のコンデンサ（３）と入力側に設けた可変容量ダイオ
ード（４）等より構成される。尚、（５）は直流カット
用のコンデンサであり、０．１μＦ程度の大きな値をも
つ。

（６）は抵抗であり、（７）は出力端子である。上記発
振回路では可変容量ダイオード（４）に印加する電圧（
Ｖ）によって可変容量ダイオード（４）の容量値が変化
し、それによって位相の微調整が行われるようになって
いる。

（°シよ１と　る１ しかしながら、第３図の回路はＣ−ＭＯＳの■　′Ｃ基
板に形成しようとすると、可変容量ダイオードの形成自
体がＣ−ＭＯＳ基板には不向きであることから、ＩＣ化
が非常に困難であるという欠点を有している。また、バ
イポーラＩＣ基板に形成する場合であっても、第３図の
回路は直流カット用コンデンサ（５）を必要とし、しか
も直流カット用コンデンサは一般に容量値が大きいので
大面積を要しＩＣチップの小型化に対し不利な条件とな
る。

本発明はこのような点に鑑みなされたものであって位相
設定回路がＩＣ化に妨げとならないようにした発振回路
を提供することを目的とする。

ｉ　を”ンするための 上記の目的を達成するため本発明では、増幅器又はイン
バータと、該増幅器又はインバータの出力を入力側に正
帰還するように前記増幅器又はインバータの入出力端子
間に接続された水晶振動子と、前記正帰還信号の位相を
決める位相設定回路とからなる発振回路において、前記
位相設定回路に印加電圧値に応じて変化する導通時抵抗
を位相決定要素とするトランジスタを設けた構成として
いる。

作−■ このような構成によると、位相決定要素としてのトラン
ジスタのゲートに直流電圧を印加すると、該トランジス
タが導通し、その導通時の抵抗により位相設定回路の抵
抗値を形成することになる。

しかも、この抵抗値は前記ゲートに与えられる直流電圧
に応じて変化するので、位相を直流電圧によって制御し
、それによって発振周波数をコントロールすることがで
きる。

尖ＪＬＪＩ 以下、本発明の実施例について説明する。

本発明を実施した第１図において第３図の従来例と同一
部分には同一の符号を付して重複説明を省略する。本実
施例では位相設定回路における容量手段としてのコンデ
ンサ（８）の一端と基準電位点（この場合、接地点）と
の間にＮチャンネルのＭＯＳトランジスタで構成したト
ランジスタ（９）を接続し、このトランジスタ（９）の
ゲートに直流電圧（ｖ）を印加するようになっている。

そして、前記直流電圧（Ｖ）の印加によってトランジス
タ（９）はオンすると共に該直流電圧（ｖ）の値に応じ
て、その導通時の抵抗値を変える。この直流電圧はコン
ト。−ル信号発生回路から与えられるコントロール電圧
であってもよく、ＩＣに外付けされる操作手段の操作に
より可変する調整電圧であってもよい。

コンデンサ（８）は直流カット用ではなく、容量手段と
して機能するものであって、その容量値は出力側のコン
デンサ（３）と同程度の小さな値（例えば数１０９Ｆ程
度）に選ばれる。

第２図は、この第１図の回路についての具体的な実施例
をグラフにして表わしたものであって、ここでは水晶振
動子（２）の固有周波数を１６ＭＨｚ、コンデンサ（３
）（８）の値をいずれも４７　ｐ　Ｆ　＋抵抗（６）を
５．ＩＭΩとした場合に、トランジスタ（９）のゲート
に加える直流電圧（横軸）と発振周波数（縦軸）との関
係を示している。この特性は直流電圧（Ｖ）を変えてト
ランジスタ（９）の導通時抵抗を制御することにより正
帰還信号の位相が変化し、それに伴って周波数が変わる
ことによる。

本実施例では、トランジスタ（９）をＮチャンネルのＭ
ＯＳトランジスタで構成したが、これをＰチャンネルの
ＭＯＳ）ランジスタで構成してもよく、そのようにした
場合にはトランジスタ（９）の一端を第１図のような接
地点でなく、電源ラインに接続するものとする。いずれ
にしても、ＭＯ３Ｉ−ランジスタで構成する場合にはＭ
ＯＳのＩＣ基板に形成する。また、トランジスタ（９）
をバイポーラで構成する場合にはバイポーラのＩＣ基板
に形成するとよい。

光凱ｐ四果 本発明によれば、位相設定回路に直流カット用コンデン
サを必要としないので、ＩＣ化した場合、位相設定回路
の専有面積が小さくなりＩＣチップの小型化に有利とな
る。そして、発振回路をＭＯＳのＩＣ基板に形成する場
合には前記位相決定要素となるトランジスタもＭＯ３Ｉ
−ランジスタとしてＭＯＳ・ＩＣ基板に容易に作成する
ことができ、またバイポーラのＩＣ基板に形成する場合
には位相決定要素用トランジスタをバイポーラトランジ
スタで作成すれば同じように容易に作成できるので、Ｉ
Ｃ化に好都合である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施した発振回路の回路図であり、第
２図はその特性を示す図である。第３図は従来例の回路
図である。 （１）・−・増幅器、　（２）−水晶振動子。 （９）−・トランジスタ。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）増幅器又はインバータと、該増幅器又はインバー
   タの出力を入力側に正帰還するように前記増幅器又はイ
   ンバータの入出力端子間に接続された水晶振動子と、前
   記正帰還信号の位相を決める位相設定回路とからなる発
   振回路において、前記位相設定回路に印加電圧値に応じ
   て変化する導通時抵抗を位相決定要素とするトランジス
   タを設けたことを特徴とする発振回路。