JPH0280322A - ビスマス(Bi)酸化物超伝導体とその製造方法及び、そのような超伝導体からなる装置 - Google Patents
ビスマス(Bi)酸化物超伝導体とその製造方法及び、そのような超伝導体からなる装置Info
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- JPH0280322A JPH0280322A JP1106138A JP10613889A JPH0280322A JP H0280322 A JPH0280322 A JP H0280322A JP 1106138 A JP1106138 A JP 1106138A JP 10613889 A JP10613889 A JP 10613889A JP H0280322 A JPH0280322 A JP H0280322A
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4521—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing bismuth oxide
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/80—Constructional details
- H10N60/85—Superconducting active materials
- H10N60/855—Ceramic superconductors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の背景)
[発明の属する技術分野]
本発明は酸化物超伝導体およびそのようなM伝導体から
なるデバイスとシステムに間する。
なるデバイスとシステムに間する。
の公知の超伝導材料は基本的には金属元素(例え知られ
ている最高の転移温度Tcを有する材料N b3G e
) * 約1975年に超伝導性は、金属酸化物という新しい材
料に発見された(例えば、1975年の固体通信(So
lid 5tate Communications)
の第17@第27頁のニー・ダブリュ・スレート(A、
讐、5lei3ht)らの文献およびアメリカ特許第3
,932,315号を参照)。
ている最高の転移温度Tcを有する材料N b3G e
) * 約1975年に超伝導性は、金属酸化物という新しい材
料に発見された(例えば、1975年の固体通信(So
lid 5tate Communications)
の第17@第27頁のニー・ダブリュ・スレート(A、
讐、5lei3ht)らの文献およびアメリカ特許第3
,932,315号を参照)。
その文献および第3,932,315号の特許のビスマ
ス酸化物は混合B−サイト占有を有する公知のベコブス
カイト構造(ABO3構造を有し、AとBは適当な金属
元素を表わし、いわゆるA−サイトは結晶学的にはB−
サイトと非同価である)に非常に近い。これらの酸化物
は典型的には、組成り a P b + −X B :
X O:iを有し、0.05≦X≦0.3で、約13
K以上の温度で超伝導性になり、Tcは典型的には材
料の組成に依存する。最高のTcはX〜スレートらの文
献のpbビスマス酸化物(PbとB1は共にB−サイト
に位置する)の池に、第3.932.315号の特許は
さらに混合B−サイト占有、混二亘 超伝導体のどれも約13に以上のTcを有しない。
ス酸化物は混合B−サイト占有を有する公知のベコブス
カイト構造(ABO3構造を有し、AとBは適当な金属
元素を表わし、いわゆるA−サイトは結晶学的にはB−
サイトと非同価である)に非常に近い。これらの酸化物
は典型的には、組成り a P b + −X B :
X O:iを有し、0.05≦X≦0.3で、約13
K以上の温度で超伝導性になり、Tcは典型的には材
料の組成に依存する。最高のTcはX〜スレートらの文
献のpbビスマス酸化物(PbとB1は共にB−サイト
に位置する)の池に、第3.932.315号の特許は
さらに混合B−サイト占有、混二亘 超伝導体のどれも約13に以上のTcを有しない。
1986年にジェー・ジー・ベドノルツ(J、G、Be
dnorz)とケー・ニー・ミュラー(に、A、Mul
1er)は、ツァイトシュリフト・エフ・フィツク・
ビーコンデンスト・マター(Zeitschr、f、P
hysik B−Condensed Matter)
第64巻第189頁にランタン・バリウム・酸化鋼での
超伝導性の発見を報告した。この報告は世界的な研究活
動を活気づけ、急速に重要な進歩をもたらした。
dnorz)とケー・ニー・ミュラー(に、A、Mul
1er)は、ツァイトシュリフト・エフ・フィツク・
ビーコンデンスト・マター(Zeitschr、f、P
hysik B−Condensed Matter)
第64巻第189頁にランタン・バリウム・酸化鋼での
超伝導性の発見を報告した。この報告は世界的な研究活
動を活気づけ、急速に重要な進歩をもたらした。
最近Bi系超超伝導酸化物、B−サイトを置換せず、A
−サイトを適当な1価元素で置換することは、Tcおよ
び金属相領域の限界安定性の増大をもたらすことが予測
されている( 1988年のフィジカル・レビュー・ビ
ー(Physical Review B)の第37巻
第3745−3748頁のエル・エフ・マッセース(L
、F、Mattheiss)らの文献を参照)、確かに
、マッセースらは、比率が0.9:0.2,0.24:
1のBa、KとBii有物および比率が0.9:0.2
:1のBa、RbとB1含有物からなるスタート材料よ
り用意された酸化物サンプルで超伝導性を観測した。サ
ンプルは13K < Tc。””<22Kを示し、ここ
でTe″″″′tは超伝導性の兆候が観測できる最高の
温度である。
−サイトを適当な1価元素で置換することは、Tcおよ
び金属相領域の限界安定性の増大をもたらすことが予測
されている( 1988年のフィジカル・レビュー・ビ
ー(Physical Review B)の第37巻
第3745−3748頁のエル・エフ・マッセース(L
、F、Mattheiss)らの文献を参照)、確かに
、マッセースらは、比率が0.9:0.2,0.24:
1のBa、KとBii有物および比率が0.9:0.2
:1のBa、RbとB1含有物からなるスタート材料よ
り用意された酸化物サンプルで超伝導性を観測した。サ
ンプルは13K < Tc。””<22Kを示し、ここ
でTe″″″′tは超伝導性の兆候が観測できる最高の
温度である。
ト材料から用意されたサンプルのみが超伝導性を示すこ
とを報告している。
とを報告している。
最近の超伝導における進歩によって引き起こされた科学
技術界の興奮は、高価な液体ヘリウムの冷却を必要とし
ない温度において超伝導性を有する物質の潜在的な美大
な技術幻影Jl!iP′、こ一部よるものである。液体
窒素は一般に、恐らく最も有効な低温冷却剤であると考
えられており、液体窒素温度での超伝導性の達成は長い
間にほとんど到達できなかった長い探索の目標であった
。
技術界の興奮は、高価な液体ヘリウムの冷却を必要とし
ない温度において超伝導性を有する物質の潜在的な美大
な技術幻影Jl!iP′、こ一部よるものである。液体
窒素は一般に、恐らく最も有効な低温冷却剤であると考
えられており、液体窒素温度での超伝導性の達成は長い
間にほとんど到達できなかった長い探索の目標であった
。
現在この目標は達成されたが、新しい超伝導酸化物の発
見にはまだ科学的および技術的興味が存在している。も
ちろん、そのような化合物は酸化物超伝導体に観測され
る高い転移温度に対応するメカニズムの解明に大いに有
効である。さらに、そのような新しい化合物の中の幾つ
かは、現在公知の高Tc材料に比べて高い転移温度を有
し、および/または1つあるいは幾つかの特性改善を示
す。例えば現在公知の高Tc材料の多くは、バルクの形
で特に磁界があるとき比較的低い電流輸送能力を有する
。またそれらの材料はもろく、少なくとも幾つかの化合
物(例えば公知の“1−2−3”化合物Y B arc
u=07)は水蒸気やCOが存在するとき比較的不安
定である。従って、新しい超伝導酸化物を発見する真剣
な努力は世界中で行なわれている。本発明はそのような
酸化物およびA−サイト置換Bi系酸化物超伝導体を作
る方法の改良を示す。
見にはまだ科学的および技術的興味が存在している。も
ちろん、そのような化合物は酸化物超伝導体に観測され
る高い転移温度に対応するメカニズムの解明に大いに有
効である。さらに、そのような新しい化合物の中の幾つ
かは、現在公知の高Tc材料に比べて高い転移温度を有
し、および/または1つあるいは幾つかの特性改善を示
す。例えば現在公知の高Tc材料の多くは、バルクの形
で特に磁界があるとき比較的低い電流輸送能力を有する
。またそれらの材料はもろく、少なくとも幾つかの化合
物(例えば公知の“1−2−3”化合物Y B arc
u=07)は水蒸気やCOが存在するとき比較的不安
定である。従って、新しい超伝導酸化物を発見する真剣
な努力は世界中で行なわれている。本発明はそのような
酸化物およびA−サイト置換Bi系酸化物超伝導体を作
る方法の改良を示す。
超伝導のいくつかの潜在的応用の概観については、例え
ば1977年プレナムプレス(Plenua+ Pre
ss)出版のビー・ビー・シュワルツ(B、B、Sch
讐artz)とニス・フォネル(S、Foner) M
集の“超伝導体の応用: SQU T DSと機械”、
および1981年プレナムプレス出版のニス・フォネル
とビー・ビー・シュワルツ編集の″超伝導材料科学、機
械学、製造および応用”を参照のこと。これらの応用は
接合デバイスと検出器の他に、送電線、回転機械および
例えば核融合の発電、MHD発電、粒子加速器、磁気浮
上列車磁気分離とエネルギー貯蔵のための超伝導磁石で
ある。もし酸化物超伝導材料が従来の超伝導体に代わっ
て利用できれば、上述およびそれ以外の超伝導性の応用
の多くは大いに利益を持つと期待されている。
ば1977年プレナムプレス(Plenua+ Pre
ss)出版のビー・ビー・シュワルツ(B、B、Sch
讐artz)とニス・フォネル(S、Foner) M
集の“超伝導体の応用: SQU T DSと機械”、
および1981年プレナムプレス出版のニス・フォネル
とビー・ビー・シュワルツ編集の″超伝導材料科学、機
械学、製造および応用”を参照のこと。これらの応用は
接合デバイスと検出器の他に、送電線、回転機械および
例えば核融合の発電、MHD発電、粒子加速器、磁気浮
上列車磁気分離とエネルギー貯蔵のための超伝導磁石で
ある。もし酸化物超伝導材料が従来の超伝導体に代わっ
て利用できれば、上述およびそれ以外の超伝導性の応用
の多くは大いに利益を持つと期待されている。
(実施例の説明)
広い意味では本発明はマッセースらのA−サイト置換B
i系超伝導酸化物の拡張の発見に基づく。
i系超伝導酸化物の拡張の発見に基づく。
少なくとも本発明の数種類の超伝導体は等方性超伝導体
で、従フて非等方性超伝導体である従来の酸化物超伝導
体における限界は問題ではない。
で、従フて非等方性超伝導体である従来の酸化物超伝導
体における限界は問題ではない。
特に、本発明の超伝導化合物は化学式
%式%
nは0より大きい整数(典型的には5あるいは6より小
さい)で、i=0あるいは1である。AはX、−8□M
、M’、で、ここでMは少なくとも1つの1価あるいは
3価ドーパント原子で、M′はA−サイト原子から選択
された少なくとも1つの1価、2価あるいは3価の安定
剤原子で、XはMおよびM′と異なる少なくとも1つの
2価原子で1.へとBiは基本的にはそれぞれA−サイ
トとB−サイトのみを占有し、0≦δく!である。本発
明の化合物は少なくとも約22にの7.enae!を有
する。
さい)で、i=0あるいは1である。AはX、−8□M
、M’、で、ここでMは少なくとも1つの1価あるいは
3価ドーパント原子で、M′はA−サイト原子から選択
された少なくとも1つの1価、2価あるいは3価の安定
剤原子で、XはMおよびM′と異なる少なくとも1つの
2価原子で1.へとBiは基本的にはそれぞれA−サイ
トとB−サイトのみを占有し、0≦δく!である。本発
明の化合物は少なくとも約22にの7.enae!を有
する。
幾つかの実施例では、その化合物はベロアスカイトある
いはベロアスカイト状の結晶構造を有する。
いはベロアスカイト状の結晶構造を有する。
1:xoの比率の81と少なくとも1つの1髄元素から
なる本発明の化合物を生成する方法を発見した。この方
法は、1:x、の比率で81と少なくとも1つの1価元
素からなる前駆体材料を提供するステップ、ここでX
、> X Olおよび1価元素の部分圧が約10atn
+ (約1.01325M P a)より大きくなるよ
うに、前駆体材料を密閉系の中で加熱するステップから
なる。
なる本発明の化合物を生成する方法を発見した。この方
法は、1:x、の比率で81と少なくとも1つの1価元
素からなる前駆体材料を提供するステップ、ここでX
、> X Olおよび1価元素の部分圧が約10atn
+ (約1.01325M P a)より大きくなるよ
うに、前駆体材料を密閉系の中で加熱するステップから
なる。
特に、物質の基本的な単相(金属)特性を保ちながら、
1価置換基対Bi比を最大に増加させることが有利であ
ることがわかった。典型的には化合物Ba+−8KXB
iO3−6のサンプルには超伝導特性の改善(主により
高い7 co * @t )が観測され、ここで0.3
≦X≦0.5、またδは小さく、典型的には0≦δ≦0
.1である。これらの化合物はT 61180+〉22
Kを有することができ、またX〜0.4のとき、30に
の最大値が観測された。他のアルカリ土類金属例えばR
hとCe(LiとNaも可能かもしれない)およびこれ
らの組合せの場合にも改善が期待されている。現在、1
価A−サイト置換基は材料にフッ−キャリア(電子ある
いはホール)を提供すると思われるため、半導体技術に
使われている専門用語に習ってこられの置換基を″ドー
パント”と呼ぶことにする。
1価置換基対Bi比を最大に増加させることが有利であ
ることがわかった。典型的には化合物Ba+−8KXB
iO3−6のサンプルには超伝導特性の改善(主により
高い7 co * @t )が観測され、ここで0.3
≦X≦0.5、またδは小さく、典型的には0≦δ≦0
.1である。これらの化合物はT 61180+〉22
Kを有することができ、またX〜0.4のとき、30に
の最大値が観測された。他のアルカリ土類金属例えばR
hとCe(LiとNaも可能かもしれない)およびこれ
らの組合せの場合にも改善が期待されている。現在、1
価A−サイト置換基は材料にフッ−キャリア(電子ある
いはホール)を提供すると思われるため、半導体技術に
使われている専門用語に習ってこられの置換基を″ドー
パント”と呼ぶことにする。
A−サイトに池の種類の原子(“安定剤″と呼ばれる)
の存在は、少なくとも幾つかの場合へロブスカイト状金
属相の安定性の増加をもたらし、よってドーパン):B
a比も化合物の金属特性を損わずにさらに増加できるこ
とがわかった。安定剤はいわゆる゛1A−サイト”原子
のグループより選択される。A−サイト原子の定義につ
いては1984年のクラレンドン出版(C1arend
on Press、 0xford)の“井戸構造無機
化学(Wet Is 5tructura剤元素は、ラ
ンタンド元素、Y、Sr、Ca##vような比較的大き
い2価およ 一般には、新しい超伝導材料は化合物A B i O3
,&を有し、ここでAはX ) −、−、M xM’、
で、Mは1価あるいは3価ドーパント原子で、またM′
は1価、2価あるいは3価の安定剤原子である。当業者
によって認識されるように、3価置換基も材料にキャリ
ア(電子あるいはホール)を提供でき、従って、このよ
うな置換基も当然“ドーパント″と呼ばれる。もしMが
1価なら、M′は2価あるいは3価の方が有利で、もし
Mが3価なら、M′は1価あるいは2価の方が有利であ
る。3価Mの典型敷 例はLa、NdおよびPrのような大きい希土陰キ伽で
ある。前述のように、δは小さく、典型的には零と0.
1の間である。XはM′と異なる1つあるいはそれ以上
の2価元素で、典型的にはBa、SrおよびCaからな
るグループより選択される0本発明の化合物は比較的高
い転移温度を有し、To n a @ Iは約22に以
上である。ここで述べられたすべての化合物では、Aで
表わされるものがA−サイトに配置され、B−サイトは
基本的にはBのみによって占有される。
の存在は、少なくとも幾つかの場合へロブスカイト状金
属相の安定性の増加をもたらし、よってドーパン):B
a比も化合物の金属特性を損わずにさらに増加できるこ
とがわかった。安定剤はいわゆる゛1A−サイト”原子
のグループより選択される。A−サイト原子の定義につ
いては1984年のクラレンドン出版(C1arend
on Press、 0xford)の“井戸構造無機
化学(Wet Is 5tructura剤元素は、ラ
ンタンド元素、Y、Sr、Ca##vような比較的大き
い2価およ 一般には、新しい超伝導材料は化合物A B i O3
,&を有し、ここでAはX ) −、−、M xM’、
で、Mは1価あるいは3価ドーパント原子で、またM′
は1価、2価あるいは3価の安定剤原子である。当業者
によって認識されるように、3価置換基も材料にキャリ
ア(電子あるいはホール)を提供でき、従って、このよ
うな置換基も当然“ドーパント″と呼ばれる。もしMが
1価なら、M′は2価あるいは3価の方が有利で、もし
Mが3価なら、M′は1価あるいは2価の方が有利であ
る。3価Mの典型敷 例はLa、NdおよびPrのような大きい希土陰キ伽で
ある。前述のように、δは小さく、典型的には零と0.
1の間である。XはM′と異なる1つあるいはそれ以上
の2価元素で、典型的にはBa、SrおよびCaからな
るグループより選択される0本発明の化合物は比較的高
い転移温度を有し、To n a @ Iは約22に以
上である。ここで述べられたすべての化合物では、Aで
表わされるものがA−サイトに配置され、B−サイトは
基本的にはBのみによって占有される。
マッセースらの化合物のすべてはベロアスカイト状結晶
構造を有する。第4図は典型的な理想ペロブスカイト格
子の概略を示し、そこで大きい球(41て表わされてい
る)はA−サイト占有物を、小さい球(43)はB−サ
イト占有物を表わし、酸素原子は八面体の頂点42に配
置される。矢44.45と46はペロブスカイト構造を
記述するのに通$用いられる座標系の軸を表わす。
構造を有する。第4図は典型的な理想ペロブスカイト格
子の概略を示し、そこで大きい球(41て表わされてい
る)はA−サイト占有物を、小さい球(43)はB−サ
イト占有物を表わし、酸素原子は八面体の頂点42に配
置される。矢44.45と46はペロブスカイト構造を
記述するのに通$用いられる座標系の軸を表わす。
t44図かられかるように、酸素とB−サイト原子は三
次元ネットワークを形成する。B1−0複合体三次元ネ
ットワークはTc以上とTc以下の両方の場合、伝導プ
ロセスに役立つと思われる。ネットワークの等方性特性
のため、これらの材料の伝導率は、Y B a2c u
307のような酸化物超伝導体と違って等方性であると
期待されている。等方性伝導率は少なくとも幾つかの場
合では、強い非等方性伝導率より有利であると期待され
ている。
次元ネットワークを形成する。B1−0複合体三次元ネ
ットワークはTc以上とTc以下の両方の場合、伝導プ
ロセスに役立つと思われる。ネットワークの等方性特性
のため、これらの材料の伝導率は、Y B a2c u
307のような酸化物超伝導体と違って等方性であると
期待されている。等方性伝導率は少なくとも幾つかの場
合では、強い非等方性伝導率より有利であると期待され
ている。
例えば前者は、比較的大きい臨界電流を有するバルクサ
ンプルの生成を簡単にするかもしれない。
ンプルの生成を簡単にするかもしれない。
新しいA−サイト置換B1系化合物について述べる。そ
れは層構造を有し、比較的高い(約30に以上)転移温
度を有する物質を含むと思われる。
れは層構造を有し、比較的高い(約30に以上)転移温
度を有する物質を含むと思われる。
新しい化合物は一般化学式A 、、l+ t B i
n O3□+4に対応し、ここてnは1より大きい定数
(典型的には5あるいは6以下)で、δは零に近く、典
型的には0.1以下である。前述のように、一般にAは
X +−x−vM xM y ’の形を取り、ここでX
、MおよUM’は前に定義された通りで、Xとyは生成
された物質が金属伝導性を示すように選択され、0〈x
<1.0≦y<1.x+y<1である。これらの物質の
構造は第4図に示された構造に基づき、や原子からなる
面は、第4図に概略的に示された形のnB1−0FF(
A−サイトにA原子を有する)を 分離す
る。
n O3□+4に対応し、ここてnは1より大きい定数
(典型的には5あるいは6以下)で、δは零に近く、典
型的には0.1以下である。前述のように、一般にAは
X +−x−vM xM y ’の形を取り、ここでX
、MおよUM’は前に定義された通りで、Xとyは生成
された物質が金属伝導性を示すように選択され、0〈x
<1.0≦y<1.x+y<1である。これらの物質の
構造は第4図に示された構造に基づき、や原子からなる
面は、第4図に概略的に示された形のnB1−0FF(
A−サイトにA原子を有する)を 分離す
る。
本発明の超伝導酸化物はしばしばNa、 K、 Rb、
C5(Liも可能)のような比較的揮発性元素を含む、
処理には揮発性成分の損失を最少にする新しい製造法の
使用を必要とすると思われる。典型的にこれは、基本的
に不活性密閉容器の中でスタート材料(例えばBaO1
KO,およびB i203)を熱処理するステップを必
要とする。ここて“不活性”という用語は、処理温度で
容器の物質が処理中で元素あるいは化合物と実質上相互
作用しない、特に容器内で形成された超伝導酸化物を゛
汚染″しないことを意味する。密閉容器での熱処理は比
較的高い圧力の揮発性元素蒸気の存在をもたらし、これ
は現在新しい技術の重要な一面であると思われる。具体
的には用意されるべき化合物に依存するが、熱処理の幾
つかの段階で少なくとも約10 atmのアルカリ部分
圧の達成が有利であると思われる。
C5(Liも可能)のような比較的揮発性元素を含む、
処理には揮発性成分の損失を最少にする新しい製造法の
使用を必要とすると思われる。典型的にこれは、基本的
に不活性密閉容器の中でスタート材料(例えばBaO1
KO,およびB i203)を熱処理するステップを必
要とする。ここて“不活性”という用語は、処理温度で
容器の物質が処理中で元素あるいは化合物と実質上相互
作用しない、特に容器内で形成された超伝導酸化物を゛
汚染″しないことを意味する。密閉容器での熱処理は比
較的高い圧力の揮発性元素蒸気の存在をもたらし、これ
は現在新しい技術の重要な一面であると思われる。具体
的には用意されるべき化合物に依存するが、熱処理の幾
つかの段階で少なくとも約10 atmのアルカリ部分
圧の達成が有利であると思われる。
本発明の#fi伝導体を生成するのに用いられる新しい
処理技術の一例として、混合されたBaO、−ブを室温
まで冷却することによフて単相Bat−。
処理技術の一例として、混合されたBaO、−ブを室温
まで冷却することによフて単相Bat−。
K、BiO3を生成した。スタート材、!−1が化学量
論ベロアスカイト比で混合されたとき、X線回折によっ
て単相が現れる材料でも、しばしば数パーセントの超伝
導性しか観測されなかった。しかし、スタート材料の中
に過剰なアルカリを提供することは、生成された単相ベ
ロアスカイト物質の中の超伝導性の量を劇的に増加させ
る。過剰なアルカリの使用は一般に本発明の超伝導酸化
物の生成に有利であると思われる。
論ベロアスカイト比で混合されたとき、X線回折によっ
て単相が現れる材料でも、しばしば数パーセントの超伝
導性しか観測されなかった。しかし、スタート材料の中
に過剰なアルカリを提供することは、生成された単相ベ
ロアスカイト物質の中の超伝導性の量を劇的に増加させ
る。過剰なアルカリの使用は一般に本発明の超伝導酸化
物の生成に有利であると思われる。
上述の典型的な混合されたスタート材料の熱処理は典型
的には色が赤あるいは茶色で、超伝導でない物質をもた
らす。超伝導物質を生成するために、このように合成さ
れた非超伝導物質は適当な酸素処理に当てられなければ
ならない、典型的にはこのような処理は合成された物質
を粉にするステップ、次に475℃で流動酸素の中で約
45公開熱処理するステップ、さらに比較的に速く(例
えば5分間)室温まで冷却するステップからなる。合成
された物質のすべての熱処理は、材料からのアルカリ損
失が最少になるように選択された比較的低温、および比
較的短い時間で行なわれるのが1要であると思われる。
的には色が赤あるいは茶色で、超伝導でない物質をもた
らす。超伝導物質を生成するために、このように合成さ
れた非超伝導物質は適当な酸素処理に当てられなければ
ならない、典型的にはこのような処理は合成された物質
を粉にするステップ、次に475℃で流動酸素の中で約
45公開熱処理するステップ、さらに比較的に速く(例
えば5分間)室温まで冷却するステップからなる。合成
された物質のすべての熱処理は、材料からのアルカリ損
失が最少になるように選択された比較的低温、および比
較的短い時間で行なわれるのが1要であると思われる。
このように生成された典型的な粉末は濃いブルー/黒色
を有し、例えばペレットあるいは他の有用な形にプレス
できる。従来のセラミック技術によってテープあるいは
他のものを生成し、スクリーンプリントあるいは他の適
当な技術によって基板上に導体を形成し、あるいは細長
基板(例えば全導線あるいはリボン)をコートするのに
、従来の超伝導酸化物粉末と同じ方法は実質上使用でき
る。“緑パの物質は密閉されたシステムの中で、場合に
よって酸素中および/または高アルカリ圧で焼結される
のが有利である。本発明の超伝導体は実質上従来の酸化
物超伝導体の方法で薄膜状に堆積できると期待されてい
る。薄膜堆積の典型的な方法は当業者で公知であり、M
BE、スパッタリングおよび蒸着からなる。
を有し、例えばペレットあるいは他の有用な形にプレス
できる。従来のセラミック技術によってテープあるいは
他のものを生成し、スクリーンプリントあるいは他の適
当な技術によって基板上に導体を形成し、あるいは細長
基板(例えば全導線あるいはリボン)をコートするのに
、従来の超伝導酸化物粉末と同じ方法は実質上使用でき
る。“緑パの物質は密閉されたシステムの中で、場合に
よって酸素中および/または高アルカリ圧で焼結される
のが有利である。本発明の超伝導体は実質上従来の酸化
物超伝導体の方法で薄膜状に堆積できると期待されてい
る。薄膜堆積の典型的な方法は当業者で公知であり、M
BE、スパッタリングおよび蒸着からなる。
第1図は本発明の物質の2つの典型的なサンプルの反磁
性(擬似理想反磁性サンプル、1000外部磁界と比較
して)を示す。曲線10は前述されたように用意された
(化合物B ao、 6K O,dB i O3−f;
の)粉末より用意されたサンプルに間するものである0
曲線11は同じ化合物、しかし流動酸素中で425℃で
45分間処理された粉末より用意されたサンプルに間す
るものであり、これに対して前述のサンプルの粉末は4
75℃で処理された。また第基本的には共に単相ベロア
スカイト物質(結晶構造を決定するのに用いられる粉末
X線の標準分析法の分解能以内では立方晶系)で、約4
.28人の格子パラメータa。を有し、観測された格子
パラメータの小さい差はより高い処理温度では酸素取込
の増加をもたらすと思われる。
性(擬似理想反磁性サンプル、1000外部磁界と比較
して)を示す。曲線10は前述されたように用意された
(化合物B ao、 6K O,dB i O3−f;
の)粉末より用意されたサンプルに間するものである0
曲線11は同じ化合物、しかし流動酸素中で425℃で
45分間処理された粉末より用意されたサンプルに間す
るものであり、これに対して前述のサンプルの粉末は4
75℃で処理された。また第基本的には共に単相ベロア
スカイト物質(結晶構造を決定するのに用いられる粉末
X線の標準分析法の分解能以内では立方晶系)で、約4
.28人の格子パラメータa。を有し、観測された格子
パラメータの小さい差はより高い処理温度では酸素取込
の増加をもたらすと思われる。
第2図は実質上475℃でKを含む第一図のサンプルと
して用意される化合物B ao、 elK o、 aB
i O34のサンプルの磁化を表わす。図示されるよ
うに、Kの代りにRbをドーパントとして用いることは
少し低い”l’ j n l″1をもたらす。しかし、
Rbを含むサンプルは実質上より小さい超伝導体積比を
有する。
して用意される化合物B ao、 elK o、 aB
i O34のサンプルの磁化を表わす。図示されるよ
うに、Kの代りにRbをドーパントとして用いることは
少し低い”l’ j n l″1をもたらす。しかし、
Rbを含むサンプルは実質上より小さい超伝導体積比を
有する。
第3図は化合物BaO,aKo、4B to 3−5の
粉末から用意されたサンプルの磁化率を温度関数とじて
示している0曲線30は、粉末から作られ、密閉銀チュ
ーブの中で3日間675℃で反応された、しかしそれ以
降熱処理を受けていないサンプルに間するものであり、
これに対して曲線31と32は粉末から作られ、またそ
れぞれ酸素中で425℃と475℃で熱処理されたサン
プルに間するものである。
粉末から用意されたサンプルの磁化率を温度関数とじて
示している0曲線30は、粉末から作られ、密閉銀チュ
ーブの中で3日間675℃で反応された、しかしそれ以
降熱処理を受けていないサンプルに間するものであり、
これに対して曲線31と32は粉末から作られ、またそ
れぞれ酸素中で425℃と475℃で熱処理されたサン
プルに間するものである。
反応されたサンプルの弱常磁性磁化率へのキューリ・ワ
イス寄与は反応されていなかった少量(約0.1%)の
KO2の存在によると思われる。他の2つのサンプルに
見られる小さい低温上昇も同じ原因によると思われる。
イス寄与は反応されていなかった少量(約0.1%)の
KO2の存在によると思われる。他の2つのサンプルに
見られる小さい低温上昇も同じ原因によると思われる。
(以下余白)
スタート
材料
Ba、7K 、45BiOx
Ba4K 、e BibX
Ba、65K 、52B10 X
Ba、65K 、7810 x
Ba、6K 、8BiO。
Ba、5K 、75BiOx
Ba、6Rb、6BiOx
Ba、5Rb、75Bio x
Ba、5Rb、75BIO。
表1
反応 反応
温度 時間
酸素アニール Tc 反磁性
温度 %
3日 475
3日 475
3日 425
3日 475
3日 425
2.5時間 425
3日 425
3日 425
2.5時間 425
29.2
29.8
28.3
29.2
28.0
29.8
24.7
26.5
28.6
28.5
25.5
表1は本発明の典型的なり a−(K 、 RblB
i−0材料の反応条件および超伝導特性のまとめを示す
。
i−0材料の反応条件および超伝導特性のまとめを示す
。
材料のすべてが密閉されたAgチューブの中で反応され
る。後述するように、すべてのスタート+、を料は過剰
のアルカリを有することができる。つまり、スタート材
料はB−サイト原子より多いA−サイト原子を含み、ス
タート材料でのドーパント原子対Ba比は生成された本
発明の材料でのものより大きいことを意味する。
る。後述するように、すべてのスタート+、を料は過剰
のアルカリを有することができる。つまり、スタート材
料はB−サイト原子より多いA−サイト原子を含み、ス
タート材料でのドーパント原子対Ba比は生成された本
発明の材料でのものより大きいことを意味する。
本発明の材料は実質上従来の酸化物超伝導体と同じ方法
、例えばスラリーに混入され、セラミック技術によって
テープのようなものに形成される方法で超伝導体に処理
できる。それらはペーストに混入され、シルクスクリー
ンや焼結によって基板上にパターン化された超伝導体も
形成できる。
、例えばスラリーに混入され、セラミック技術によって
テープのようなものに形成される方法で超伝導体に処理
できる。それらはペーストに混入され、シルクスクリー
ンや焼結によって基板上にパターン化された超伝導体も
形成できる。
超伝導線材を作るために、スラリーは適当な不活性線材
(例えば、Ag線材)をコートするのにも使用できる。
(例えば、Ag線材)をコートするのにも使用できる。
ざらに、本発明の材料は、例えばスパッタリングや金属
成分の蒸発および堆積物の酸化によって薄膜状に堆積で
きると期待されている。
成分の蒸発および堆積物の酸化によって薄膜状に堆積で
きると期待されている。
本発明の超伝導体は基本的には、従来の超伝導体が利用
されている応用の多くに有用である。第3図〜第6図は
典型的な可能の応用を示す。
されている応用の多くに有用である。第3図〜第6図は
典型的な可能の応用を示す。
第5図に示される構造はビー・ビー・シュワルツとニス
・フォネル編集のパ超伝導体の応用:5QUIDSと機
械” (ブレナム・プレス、ニューヨーク、1977)
の中のジー・ボグナー(G、Bogner)の文献“超
伝導体の大規模応用”に詳しく述べられている。簡単に
言うと、示される構造は外被51、熱絶縁層52aと5
2b、疎開環状IW53aと53b、スペーサ54、窒
素充填環状FF55、熱シールド56および冷却剤F’
57 aと57bからなる。素子5日は、適当な低温
液体で充填された環状フライスタット61および本発明
の超伝導材料の巻線62からなる超伝導磁石である。端
子63と64はコイルから現われるように示されている
。
・フォネル編集のパ超伝導体の応用:5QUIDSと機
械” (ブレナム・プレス、ニューヨーク、1977)
の中のジー・ボグナー(G、Bogner)の文献“超
伝導体の大規模応用”に詳しく述べられている。簡単に
言うと、示される構造は外被51、熱絶縁層52aと5
2b、疎開環状IW53aと53b、スペーサ54、窒
素充填環状FF55、熱シールド56および冷却剤F’
57 aと57bからなる。素子5日は、適当な低温
液体で充填された環状フライスタット61および本発明
の超伝導材料の巻線62からなる超伝導磁石である。端
子63と64はコイルから現われるように示されている
。
第7図の構造は、ニス・フォネルとビー・ビー・シュワ
ルツ編集の“超伝導材料科学、機械学、製造および応用
” (ブレナム・プレス、ニューヨーク、1981)の
中のアール・ニー・バイン<R,A、Hen)とデイ−
・ニー・ガプサ(0,(j、Gubser)の文献“ア
メリカでの応用″に述べられている。第7図で巻き71
として示される超伝導素子は本発明の材料で作られてい
る。第7図の構造は、核融合反応の閉じ込めに広い応用
があると期待される典型例と考えられている。
ルツ編集の“超伝導材料科学、機械学、製造および応用
” (ブレナム・プレス、ニューヨーク、1981)の
中のアール・ニー・バイン<R,A、Hen)とデイ−
・ニー・ガプサ(0,(j、Gubser)の文献“ア
メリカでの応用″に述べられている。第7図で巻き71
として示される超伝導素子は本発明の材料で作られてい
る。第7図の構造は、核融合反応の閉じ込めに広い応用
があると期待される典型例と考えられている。
第8図は超伝導薄膜デバイス、ジョセフソン接合の概略
を示す、この構造はトンネリングバリャ83によって分
離される2つの超伝導層81と82からなる。81と8
2への本発明の(同じである必要がない)材料の利用は
、従来のBi系酸化物超伝導体が可能の温度より高い温
度でのジョセフソン動作を可能にする。ジョセフソン接
合デバイスは、パ超伝導体の応用:5QUIDSと機械
”の中のエム・アール・ビースリ(M、R,Beasl
eン)とシー・ジェー・キルシエ(C,J、にi rc
her)の文献″ジョセフソン接合エレクトロニクス:
材料問題と製造技術″に述べられている。
を示す、この構造はトンネリングバリャ83によって分
離される2つの超伝導層81と82からなる。81と8
2への本発明の(同じである必要がない)材料の利用は
、従来のBi系酸化物超伝導体が可能の温度より高い温
度でのジョセフソン動作を可能にする。ジョセフソン接
合デバイスは、パ超伝導体の応用:5QUIDSと機械
”の中のエム・アール・ビースリ(M、R,Beasl
eン)とシー・ジェー・キルシエ(C,J、にi rc
her)の文献″ジョセフソン接合エレクトロニクス:
材料問題と製造技術″に述べられている。
第9図は超伝導ストリップライン断面の透視図である0
図示されるタイプの構造は、相互接続(数キロメートル
の長距離伝送ではなく)として有用であるかもしれない
、このような構造は現在市販の装置よりかなり速い速度
で動作できると期待されている。この構造(1978年
1月のジャーナル・オプ・アプライド・フィツクス(J
ournal ofApplied Physics)
第49巻第1号第308頁に示されている)は絶IIF
!92によって超伝導基板91から絶縁される超伝導ス
トリップ90からなる。
図示されるタイプの構造は、相互接続(数キロメートル
の長距離伝送ではなく)として有用であるかもしれない
、このような構造は現在市販の装置よりかなり速い速度
で動作できると期待されている。この構造(1978年
1月のジャーナル・オプ・アプライド・フィツクス(J
ournal ofApplied Physics)
第49巻第1号第308頁に示されている)は絶IIF
!92によって超伝導基板91から絶縁される超伝導ス
トリップ90からなる。
構造の大きさはそれぞれの応用に依存し、−船釣には上
記参考文献に述べられている。
記参考文献に述べられている。
第1図と第2図は本発明の典型的な材料の磁化データを
示す図、 第3図は本発明の材料の典型的な常態磁化率データを示
す図、 第4図はペロブスカイト結晶格子の概略図、第5図は典
型的な超伝導ケーブルの概略口、第6図は典型的な超伝
導磁石の概略図、第7図は超伝導磁石コイルを有する核
融合発電システムの素子の概略図、 第8図と第9図はそれぞれ超伝導薄膜デバイス、ジョセ
フソン接合と伝送線の概略図である。 51・・・外被、 52a、32b・・・熱絶fil’!。 53 a、53b・・・疎開環状層、 54・・・スペーサ、 55・・・窒素充填環状層、 56・・・熱シールド、 57a、57b−−−冷却剤層、 58・・・素子、 61・・・環状クライオスタット、 62・・・巻線、 63.64・・・端子、 71・・・巻き、 81.82・・・超伝導層、 83・・・トンネリングバリャ、 90・・・超伝導ストリップ、 9】・・・絶縁層、 92・・・超伝導基板 FIG、 1 温度 囚 FIG、 2 温度 囚 FIG、 3 温度 囚 FTo、 9
示す図、 第3図は本発明の材料の典型的な常態磁化率データを示
す図、 第4図はペロブスカイト結晶格子の概略図、第5図は典
型的な超伝導ケーブルの概略口、第6図は典型的な超伝
導磁石の概略図、第7図は超伝導磁石コイルを有する核
融合発電システムの素子の概略図、 第8図と第9図はそれぞれ超伝導薄膜デバイス、ジョセ
フソン接合と伝送線の概略図である。 51・・・外被、 52a、32b・・・熱絶fil’!。 53 a、53b・・・疎開環状層、 54・・・スペーサ、 55・・・窒素充填環状層、 56・・・熱シールド、 57a、57b−−−冷却剤層、 58・・・素子、 61・・・環状クライオスタット、 62・・・巻線、 63.64・・・端子、 71・・・巻き、 81.82・・・超伝導層、 83・・・トンネリングバリャ、 90・・・超伝導ストリップ、 9】・・・絶縁層、 92・・・超伝導基板 FIG、 1 温度 囚 FIG、 2 温度 囚 FIG、 3 温度 囚 FTo、 9
Claims (7)
- (1)少なくとも1つの超伝導成分からなり、その超伝
導成分は2つの非同値格子サイト(それぞれA−サイト
とB−サイトと呼称する)からなる結晶構造で、化学式
A_n_+_iBi_nO_3_n_+_i_−_δを
有し、ここでnは0より大きく6より小さい整数で、i
は0か1であり、AはX_1_−_x_−_yM_xM
_yで、Mは少なくとも1つの1価あるいは3価のドー
パント原子で、M´はA−サイト原子からなるグループ
より選択された少なくとも1つの1価、2価あるいは3
価の安定剤原子で、XはM及びM´と異なる少なくとも
1つの2価原子で、AとBiは基本的にはそれぞれA−
サイトとB−サイトのみを占有し、0≦δ≦0.1であ
り、その超伝導成分は少なくとも約22Kの転移温度T
_c^o^n^s^e^tを有することを特徴とする酸
化物超伝導体。 - (2)i=0、n=1で、結晶構造はペロブスカイト結
晶構造あるいはペロブスカイト状結晶構造であることを
特徴とする請求項1記載のビスマス酸化物超伝導体。 - (3)y=0で、Mは、Na、K、Rb及びCsからな
るグループより選択されることを特徴とする請求項1あ
るいは請求項2記載のビスマス酸化物超伝導体。 - (4)XはBa、Br及びCaからなるグループより選
択されることを特徴とする請求項1、請求項2あるいは
請求項3のいずれかに記載のビスマス酸化物超伝導体。 - (5)XはBa、MはK、xは約0.4であることを特
徴とする請求項2記載のビスマス酸化物超伝導体。 - (6)その動作が請求項1から請求項5記載の素子を通
過する電流に依存することを特徴とするビスマス酸化物
超伝導体からなる装置。 - (7)1:x_eの比率でBiと少なくとも1つの1価
元素を含むビスマス酸化物超伝導体を製造する方法にお
いて、 (a)超伝導酸化物が形成される一定量の前駆体材料を
提供するステップ、 その前駆体材料は、少なくともBiを含む成分と、少な
くとも1価元素を含む成分からなり、(b)その前駆体
材料は実質上1:x_eの比率でBiと1価元素を含み
、ここでx_eはx_oより大きく、 (c)1価元素の部分圧は約10atmより大きくなる
ように、前駆体材料を密閉系の中で加熱するステップか
らなるプロセスによって、前駆体材料から超伝導酸化物
を生成するステップ からなることを特徴とするビスマス酸化物超伝導体の製
造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US18709888A | 1988-04-28 | 1988-04-28 | |
| US187098 | 1988-04-28 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0280322A true JPH0280322A (ja) | 1990-03-20 |
Family
ID=22687586
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1106138A Pending JPH0280322A (ja) | 1988-04-28 | 1989-04-27 | ビスマス(Bi)酸化物超伝導体とその製造方法及び、そのような超伝導体からなる装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0339886A2 (ja) |
| JP (1) | JPH0280322A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01278423A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-08 | American Teleph & Telegr Co <Att> | ビスマス酸化物超伝導体と、この超伝導体からなる装置 |
-
1989
- 1989-04-21 EP EP89304000A patent/EP0339886A2/en not_active Withdrawn
- 1989-04-27 JP JP1106138A patent/JPH0280322A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01278423A (ja) * | 1988-04-25 | 1989-11-08 | American Teleph & Telegr Co <Att> | ビスマス酸化物超伝導体と、この超伝導体からなる装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0339886A2 (en) | 1989-11-02 |
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