JPH0281434A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JPH0281434A JPH0281434A JP23242488A JP23242488A JPH0281434A JP H0281434 A JPH0281434 A JP H0281434A JP 23242488 A JP23242488 A JP 23242488A JP 23242488 A JP23242488 A JP 23242488A JP H0281434 A JPH0281434 A JP H0281434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- plasma
- transmitting window
- thin film
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体デバイスの製造に係り、半導体基板の
プラズマＣＶＤやスパッタおよびドライエツチングなど
のプラズマ処理に好適なプラズマ発生方法に関する。
プラズマＣＶＤやスパッタおよびドライエツチングなど
のプラズマ処理に好適なプラズマ発生方法に関する。
半導体デバイス０７′２ズマ処理におけるプラズマＣＶ
Ｄ法は、真空雰囲気の処理室に原料ガスを導入してプラ
ズマを形成し、原料ガスの電離や解離過程によって化学
的に反応性の高いイオンやラジカル（中性活性種）を生
成して、半導体基板上に反応生成物としての薄膜を形成
させるものである。例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ
）の形成においては、原料ガスとしてＳｉＨ４＋ Ｎ
Ｈ３１ＳｉＨ４＋Ｎ２などの混合ガスが用いられており
、 プラズマ中で５ｉＨ−？ＮＨなどのイオンやラジカ
ルを生成する。これらのイオンやラジカルは、半導体基
板上でＳｉＨ＋ ｘＮＨ＋（１＋ｘ）Ｈ−＋ＳｉＮｘ＋
（１＋ｘ）Ｈｘなどの反応により半導体基板上にシリ
コン窒化膜（ＳｉＮｘ ）を形成する。
Ｄ法は、真空雰囲気の処理室に原料ガスを導入してプラ
ズマを形成し、原料ガスの電離や解離過程によって化学
的に反応性の高いイオンやラジカル（中性活性種）を生
成して、半導体基板上に反応生成物としての薄膜を形成
させるものである。例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ
）の形成においては、原料ガスとしてＳｉＨ４＋ Ｎ
Ｈ３１ＳｉＨ４＋Ｎ２などの混合ガスが用いられており
、 プラズマ中で５ｉＨ−？ＮＨなどのイオンやラジカ
ルを生成する。これらのイオンやラジカルは、半導体基
板上でＳｉＨ＋ ｘＮＨ＋（１＋ｘ）Ｈ−＋ＳｉＮｘ＋
（１＋ｘ）Ｈｘなどの反応により半導体基板上にシリ
コン窒化膜（ＳｉＮｘ ）を形成する。
このようにイオンやラジカルの生成や反応を利用するプ
ラズマ処理装置においては、処理速度の向上を図るため
はイオンやラジカルの濃度を高める必要があり、その九
めには高密度のプラズマを形成する必要がある。この目
的を達成する方法の一つとしてマイクμ波を用いたプラ
ズマ発生方式が提案されている。
ラズマ処理装置においては、処理速度の向上を図るため
はイオンやラジカルの濃度を高める必要があり、その九
めには高密度のプラズマを形成する必要がある。この目
的を達成する方法の一つとしてマイクμ波を用いたプラ
ズマ発生方式が提案されている。
マイクロ波によりプラズマを発生させる場合、マグネト
ロンにより発生したマイクロ波を低圧にした処理室に導
入しても、マイクロ波の電界強度が十分でないためプラ
ズマ中の電子に十分なエネルギが供給されず、プラズマ
を発生させることは困難である。その念め、マイクロ波
を用い次プラズマ発生方式では、高密度プラズマを得る
ため、例えば特開昭６０−４１５２５５号公報に示すよ
うに、２．４５ＧＨｚのマイクロ波に磁場を利用した電
子サイクロトロン共鳴（Ｅ（：Ｒ）方式のプラズマ処理
装置がある。この方式のプラズマ処理装置は、マイクロ
波の電力をプラズマ中に効率良く投入するために、ＮＣ
Ｒ条件を満たすような外部磁場を印加してプラズマ中の
電子にサイクロトロン共鳴を起こさせることによりプラ
ズマ密度の向上を図っている。
ロンにより発生したマイクロ波を低圧にした処理室に導
入しても、マイクロ波の電界強度が十分でないためプラ
ズマ中の電子に十分なエネルギが供給されず、プラズマ
を発生させることは困難である。その念め、マイクロ波
を用い次プラズマ発生方式では、高密度プラズマを得る
ため、例えば特開昭６０−４１５２５５号公報に示すよ
うに、２．４５ＧＨｚのマイクロ波に磁場を利用した電
子サイクロトロン共鳴（Ｅ（：Ｒ）方式のプラズマ処理
装置がある。この方式のプラズマ処理装置は、マイクロ
波の電力をプラズマ中に効率良く投入するために、ＮＣ
Ｒ条件を満たすような外部磁場を印加してプラズマ中の
電子にサイクロトロン共鳴を起こさせることによりプラ
ズマ密度の向上を図っている。
しかし、上記従来技術のプラズマ処理装置においては、
電子のサイクロトロン運動がプラズマ中でのガス分子と
の衝突によって乱されるような高い圧力条件下では、マ
イクロ波電界による電子の加速効率が低下して、プラズ
マ密度は低下する。
電子のサイクロトロン運動がプラズマ中でのガス分子と
の衝突によって乱されるような高い圧力条件下では、マ
イクロ波電界による電子の加速効率が低下して、プラズ
マ密度は低下する。
また、逆にガス圧力が低くても、衝突によるガス分子の
イオン化や励起の頻度が低下するためにプラズマ密度は
低下する。すなわち、従来のＥＣＲマイクロ波プラズマ
処理装置によるプラズマ密度のガス圧力に対する変化は
、第２図の曲線（ｂ）に示すような関係にある。し次が
って、従来のＥＣＲプラズマ処理装置においては、！１
ｉＣＲ条件下でマイクロ波電力をプラズマに効率良く投
入して高密度プラズマが得られるのは、１０−２Ｔｏｒ
ｒ台のガス圧力である。
イオン化や励起の頻度が低下するためにプラズマ密度は
低下する。すなわち、従来のＥＣＲマイクロ波プラズマ
処理装置によるプラズマ密度のガス圧力に対する変化は
、第２図の曲線（ｂ）に示すような関係にある。し次が
って、従来のＥＣＲプラズマ処理装置においては、！１
ｉＣＲ条件下でマイクロ波電力をプラズマに効率良く投
入して高密度プラズマが得られるのは、１０−２Ｔｏｒ
ｒ台のガス圧力である。
プラズマＣＶＤの処理の高速化を図るには、原料ガスの
供給量すなわちガス流量を増すことが不可欠である。し
かしながら、従来のＢＣＲ方式の処理装置は高密度プラ
ズマ発生条件が１０Ｔｏｒｒ台の狭いガス圧力範囲に限
られるため、大流量のガスを流すとガス圧力が増大して
プラズマ密度が低下する。また大きなガス流量に対応し
て真空排気系を大型化することも困難であり、処理の高
速化が難しいという問題があった。
供給量すなわちガス流量を増すことが不可欠である。し
かしながら、従来のＢＣＲ方式の処理装置は高密度プラ
ズマ発生条件が１０Ｔｏｒｒ台の狭いガス圧力範囲に限
られるため、大流量のガスを流すとガス圧力が増大して
プラズマ密度が低下する。また大きなガス流量に対応し
て真空排気系を大型化することも困難であり、処理の高
速化が難しいという問題があった。
また、上記の従来技術では、共振器の中でプラズマを発
生させる構造のため、プラズマが発生するとマイクロ波
の波長がプラズマの密度により変化するので、共振条件
が満たされなくなるという問題もあった。
生させる構造のため、プラズマが発生するとマイクロ波
の波長がプラズマの密度により変化するので、共振条件
が満たされなくなるという問題もあった。
本発明の目的は、ガス圧力の高い条件においても高密度
のプラズマを形成し、処理速度の高いプラズマＣＶＤ装
置を提供することにある。
のプラズマを形成し、処理速度の高いプラズマＣＶＤ装
置を提供することにある。
上記目的は、マイクロ波の導波管とプラズマ処理室との
間に共胴共振器を設置し、該共振器を構成しかつプラズ
マ処理室に接して該処理室を真空封止するマイクロ波透
過窓（石英またはアルミナなどの誘電体）にマイクロ波
が透過し得る膜厚の金属薄膜（例えば銅であれば（ｌＬ
５μｍ程度）を形成し、共振器により強められた電磁界
を上記マイクロ波透過窓からＢＣＲ条件の磁場を印加で
きるプラズマＣＶＤ処理室に導入することにより、達成
される。
間に共胴共振器を設置し、該共振器を構成しかつプラズ
マ処理室に接して該処理室を真空封止するマイクロ波透
過窓（石英またはアルミナなどの誘電体）にマイクロ波
が透過し得る膜厚の金属薄膜（例えば銅であれば（ｌＬ
５μｍ程度）を形成し、共振器により強められた電磁界
を上記マイクロ波透過窓からＢＣＲ条件の磁場を印加で
きるプラズマＣＶＤ処理室に導入することにより、達成
される。
上記の本発明によるマイクロ波処理装置においては、導
波管より空胴共振器室に導入されたマイクロ波は、金属
薄膜を形成したマイクロ波透過窓によって反射され、あ
る特定の共振モードになるように設計された空胴共振器
内で定在波を生じて、マイクロ波の電磁界は強められる
。また、マイクロ波透過窓に形成された金属薄膜にはマ
イクロ波の電磁界に応じて表面電流が流れる。金属薄膜
の厚さが表面電流の表皮の深さ程度に薄いため、金属薄
膜を隔て空胴共振器側とは反対のプラズマ処理室側にも
′電磁界が生じる。そのため、マイクロ波はマイクロ波
透過窓を透過してプラズマ処理室に導入される。プラズ
マ処理室にはＥＣＲ条件の磁場が形成されている。
波管より空胴共振器室に導入されたマイクロ波は、金属
薄膜を形成したマイクロ波透過窓によって反射され、あ
る特定の共振モードになるように設計された空胴共振器
内で定在波を生じて、マイクロ波の電磁界は強められる
。また、マイクロ波透過窓に形成された金属薄膜にはマ
イクロ波の電磁界に応じて表面電流が流れる。金属薄膜
の厚さが表面電流の表皮の深さ程度に薄いため、金属薄
膜を隔て空胴共振器側とは反対のプラズマ処理室側にも
′電磁界が生じる。そのため、マイクロ波はマイクロ波
透過窓を透過してプラズマ処理室に導入される。プラズ
マ処理室にはＥＣＲ条件の磁場が形成されている。
本発明によれば、１ｉＩＣＲ条件におけるマイクロ波の
電磁界強度が強いため、電子がサイクロトロン運動中に
ガス分子を励起あるいは電離させるに十分なエネルギを
得るまでの時間が短かくなる。そのため、電子の衝突ま
での飛行時間が短かくなる高いガス圧力においても、高
密度プラズマを形成することができ、処理速度の高いプ
ラズマＣＶＤ装置を得ることができる。
電磁界強度が強いため、電子がサイクロトロン運動中に
ガス分子を励起あるいは電離させるに十分なエネルギを
得るまでの時間が短かくなる。そのため、電子の衝突ま
での飛行時間が短かくなる高いガス圧力においても、高
密度プラズマを形成することができ、処理速度の高いプ
ラズマＣＶＤ装置を得ることができる。
以下、本発明の一実施例をｉ＠１図によシ説明する。第
１図は、本発明によるプラズマＣＶＤ装置の構成を示す
処理室の断面を示す。第１図において、１は空胴共振器
であり、導波管２を介して１４５ＧＨｚのマイクロ波発
生器であるマグネトロン３が取り付けられている。また
、空胴共振器１は石英あるいはアルミナ等の誘電体から
成るマイクロ波透過窓４を介して処理室５に接続されて
おり、大気圧の空胴共振器１と真空雰囲気の処理室５と
は分離されている。マイクロ波透過窓４には、アルミニ
ウムを九は銀、銅などの金属薄膜６が蒸着あるいはメツ
キ等により表面電流表皮の深さ程度の厚さ（例えば鋼で
あれば（Ｌ５μｍ程度）で形成され、かつ空胴共振器１
に電気的導通が取れる構造で密着接続されている。処理
室５の内部には、下部電極７が絶縁カバー８によりアー
ス電位の処理室５とは電気的に絶縁されて設置されてお
り、高周波電源９が接続されている。上記下部電極７に
はプラズマ処理される半導体基板１０が載置される。処
理室５の外部には同軸コイル１１゜１２が設置され、処
理室５内部に８７５Ｇの磁場を印加することができる。
１図は、本発明によるプラズマＣＶＤ装置の構成を示す
処理室の断面を示す。第１図において、１は空胴共振器
であり、導波管２を介して１４５ＧＨｚのマイクロ波発
生器であるマグネトロン３が取り付けられている。また
、空胴共振器１は石英あるいはアルミナ等の誘電体から
成るマイクロ波透過窓４を介して処理室５に接続されて
おり、大気圧の空胴共振器１と真空雰囲気の処理室５と
は分離されている。マイクロ波透過窓４には、アルミニ
ウムを九は銀、銅などの金属薄膜６が蒸着あるいはメツ
キ等により表面電流表皮の深さ程度の厚さ（例えば鋼で
あれば（Ｌ５μｍ程度）で形成され、かつ空胴共振器１
に電気的導通が取れる構造で密着接続されている。処理
室５の内部には、下部電極７が絶縁カバー８によりアー
ス電位の処理室５とは電気的に絶縁されて設置されてお
り、高周波電源９が接続されている。上記下部電極７に
はプラズマ処理される半導体基板１０が載置される。処
理室５の外部には同軸コイル１１゜１２が設置され、処
理室５内部に８７５Ｇの磁場を印加することができる。
また、処理室５には図示しないガス供給装置が接続され
、供給されたガスは排気口１３から図示しない排気装置
によ）排気される。そして、処理室５の圧力は処理中所
定の圧力に制御される。
、供給されたガスは排気口１３から図示しない排気装置
によ）排気される。そして、処理室５の圧力は処理中所
定の圧力に制御される。
以上の構成により、半導体基板１０をプラズマＣＶＤＫ
よ〕成膜処理する場合の動作について説明する。処理室
５にＣＶＤ原料ガス（シリコン窒化膜の場合には例えば
ＳｉＨ４＋Ｎ２など）を供給し、所定の圧力に制御する
。続いて、マグネトロンＳによｐ２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波を発生させ、導波管２を経て空胴共振器に導入す
る。空胴共振器１に導入されたマイクロ波は、マイクロ
波透過窓４上に形成した金属薄膜６により反射される。
よ〕成膜処理する場合の動作について説明する。処理室
５にＣＶＤ原料ガス（シリコン窒化膜の場合には例えば
ＳｉＨ４＋Ｎ２など）を供給し、所定の圧力に制御する
。続いて、マグネトロンＳによｐ２．４５ＧＨｚのマイ
クロ波を発生させ、導波管２を経て空胴共振器に導入す
る。空胴共振器１に導入されたマイクロ波は、マイクロ
波透過窓４上に形成した金属薄膜６により反射される。
空胴共振器１の管長ｔは特定共振モード（例えばＴｌ０
１１モード）になる様に設計されており、空胴共振器１
では設計モードのマイクロ波の定在波が生じて、マイク
ロ波はその電磁界が強められる。
１１モード）になる様に設計されており、空胴共振器１
では設計モードのマイクロ波の定在波が生じて、マイク
ロ波はその電磁界が強められる。
この時、金属薄Ｍ６にはマイクロ波の電磁界に応じて表
面電流が流れるが、金属薄膜６の膜厚が表皮の厚さ程度
に薄いので、上記表面電流による電界が処理室５側にも
発生して、マイクロ波はマイクロ波透過窓４を透過して
処理室に放射される。
面電流が流れるが、金属薄膜６の膜厚が表皮の厚さ程度
に薄いので、上記表面電流による電界が処理室５側にも
発生して、マイクロ波はマイクロ波透過窓４を透過して
処理室に放射される。
このとき、処理室５には、同軸コイル１１＋１２によ、
ｊ５）ｉｔｃＲ条件の磁場が印加されるので、１１Ｃ子
のサイクロトロン共鳴によるＣＶＤ原料ガスの高密度の
プラズマが形成される。
ｊ５）ｉｔｃＲ条件の磁場が印加されるので、１１Ｃ子
のサイクロトロン共鳴によるＣＶＤ原料ガスの高密度の
プラズマが形成される。
ここで、本実施例の場合には、従来のΣＣＲ方式に比ベ
マイクロ波の電磁界強度が強いために短時間で電子が原
料ガスを励起あるいは電離させるに十分なエネルギを得
るので、高いガス圧力においても高密度のプラズマを維
持することができる。
マイクロ波の電磁界強度が強いために短時間で電子が原
料ガスを励起あるいは電離させるに十分なエネルギを得
るので、高いガス圧力においても高密度のプラズマを維
持することができる。
さらに、処理中には下部電極７には高周波電源９よりＩ
ＡＳ４Ｍ）ｌｚの高周波電力が印加され、印加電力の制
御により半導体基板１０に入射するイオンのエネルギを
制御することにより、イオン衝撃によるダメージを抑え
なから膜質の緻密性を得るなどの制御を行うことができ
る。
ＡＳ４Ｍ）ｌｚの高周波電力が印加され、印加電力の制
御により半導体基板１０に入射するイオンのエネルギを
制御することにより、イオン衝撃によるダメージを抑え
なから膜質の緻密性を得るなどの制御を行うことができ
る。
第２図は、本実施例によるプラズマ密度のガス圧力に対
する変化（曲線−））を従来のＥＣＲ方式（曲線（ｂ）
）と比較して示した。
する変化（曲線−））を従来のＥＣＲ方式（曲線（ｂ）
）と比較して示した。
本実施例によれば、第２図に示すように電子のサイクロ
トロン運動が衝突により乱される様な高いガス圧力領域
においても高密度のプラズマが維持でき、かつイオンの
エネルギが任意に制御できるので、高速で良質のＣＶＤ
膜を得ることができる。
トロン運動が衝突により乱される様な高いガス圧力領域
においても高密度のプラズマが維持でき、かつイオンの
エネルギが任意に制御できるので、高速で良質のＣＶＤ
膜を得ることができる。
本発明は、単にプラズマＣＶＤによる成膜処理のみに適
用されるものではなく、半導体基板のプラズマ酸化やド
ライエツチングなどプラズマを用いた処理に適用可能な
ことは明らかである。
用されるものではなく、半導体基板のプラズマ酸化やド
ライエツチングなどプラズマを用いた処理に適用可能な
ことは明らかである。
本発明によれば、ＥＣＲ方式により形成したプラズマの
密度が低下する様な高いガス圧力領域においても高密度
のプラズマが発生できるので、処理速度の高いプラズマ
処理を実現できるという効果がある。
密度が低下する様な高いガス圧力領域においても高密度
のプラズマが発生できるので、処理速度の高いプラズマ
処理を実現できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例によるプラズマ処理装置の処
理室縦断面図、第２図は本発明のプラズマ処理装置と従
来のＥＣＲ方式におけるプラズマ密度のガス圧力の変化
に対する関係の比較図である。 １・・・・・・空胴共振器、２・・・・・・導波管、５
・・・・・・マグネトロン、４・・・・・・マイクロ波
透過窓、５・・・・・・処理室、６・・・・・・金属薄
膜、７・・・・・・下部電極、８・・・・・・絶縁カバ
ー、９・・・・・・高周波電源、１０・・・・・・半導
体基板、１１．１２・・・・・・同軸コイル、１３・・
・・・・排気口。
理室縦断面図、第２図は本発明のプラズマ処理装置と従
来のＥＣＲ方式におけるプラズマ密度のガス圧力の変化
に対する関係の比較図である。 １・・・・・・空胴共振器、２・・・・・・導波管、５
・・・・・・マグネトロン、４・・・・・・マイクロ波
透過窓、５・・・・・・処理室、６・・・・・・金属薄
膜、７・・・・・・下部電極、８・・・・・・絶縁カバ
ー、９・・・・・・高周波電源、１０・・・・・・半導
体基板、１１．１２・・・・・・同軸コイル、１３・・
・・・・排気口。
Claims (1)
- １、マイクロ波によるプラズマ発生手段、処理ガス供給
手段、排気手段より成るプラズマ処理装置において、プ
ラズマ発生手段が空胴共振器とプラズマ処理室、及び空
胴共振器とプラズマ処理室とを真空分離するマイクロ波
透過窓とから成り、該マイクロ波透過窓に金属薄膜を形
成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23242488A JPH0281434A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23242488A JPH0281434A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281434A true JPH0281434A (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=16939047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23242488A Pending JPH0281434A (ja) | 1988-09-19 | 1988-09-19 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0281434A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1992022085A1 (en) * | 1991-05-24 | 1992-12-10 | Lam Research Corporation | Window for microwave plasma processing device |
| US5304277A (en) * | 1990-09-28 | 1994-04-19 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus using plasma produced by microwaves |
| US5785807A (en) * | 1990-09-26 | 1998-07-28 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma processing method and apparatus |
| US5804033A (en) * | 1990-09-26 | 1998-09-08 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma processing method and apparatus |
| US6622650B2 (en) * | 1999-11-30 | 2003-09-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US7997152B2 (en) | 2007-01-02 | 2011-08-16 | Azuma Shokai Co., Ltd. | Magnetostrictive torque sensor and torque detection method |
-
1988
- 1988-09-19 JP JP23242488A patent/JPH0281434A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5785807A (en) * | 1990-09-26 | 1998-07-28 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma processing method and apparatus |
| US5804033A (en) * | 1990-09-26 | 1998-09-08 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma processing method and apparatus |
| US5304277A (en) * | 1990-09-28 | 1994-04-19 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus using plasma produced by microwaves |
| WO1992022085A1 (en) * | 1991-05-24 | 1992-12-10 | Lam Research Corporation | Window for microwave plasma processing device |
| US5234526A (en) * | 1991-05-24 | 1993-08-10 | Lam Research Corporation | Window for microwave plasma processing device |
| US6622650B2 (en) * | 1999-11-30 | 2003-09-23 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
| US7997152B2 (en) | 2007-01-02 | 2011-08-16 | Azuma Shokai Co., Ltd. | Magnetostrictive torque sensor and torque detection method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR920002864B1 (ko) | 플라즈마 처리방법 및 그 장치 | |
| EP0395415B1 (en) | Apparatus for and method of processing a semiconductor device using microwave-generated plasma | |
| US4599135A (en) | Thin film deposition | |
| EP0264913B1 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JP3706027B2 (ja) | プラズマ処理方法 | |
| KR0174070B1 (ko) | 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 방법 | |
| KR930005012B1 (ko) | 마이크로파 플라스마 에칭방법 및 장치 | |
| JPH0319332A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH01184923A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPH0281434A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US5366586A (en) | Plasma formation using electron cyclotron resonance and method for processing substrate by using the same | |
| US7779783B2 (en) | Plasma processing device | |
| JPS63103088A (ja) | エッチング方法及びその装置 | |
| JPH07135093A (ja) | プラズマ処理装置及び処理方法 | |
| KR930001857B1 (ko) | 플라즈마 처리장치 및 플라즈마 처리방법 | |
| JPH0368771A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP3156492B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JPH01236629A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6390132A (ja) | 表面処理装置 | |
| JPH0331480A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPH1074730A (ja) | 表面処理装置 | |
| JP2800766B2 (ja) | プラズマ処理方法及びその装置 | |
| JP2633849B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPS6267822A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2777657B2 (ja) | プラズマ付着装置 |