JPH0281481A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
- Publication number
- JPH0281481A JPH0281481A JP63232915A JP23291588A JPH0281481A JP H0281481 A JPH0281481 A JP H0281481A JP 63232915 A JP63232915 A JP 63232915A JP 23291588 A JP23291588 A JP 23291588A JP H0281481 A JPH0281481 A JP H0281481A
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- JP
- Japan
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- light
- light emitting
- active layer
- emitting region
- emitting device
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、ファイバ光結合効率の向上をはかった半導
体発光装置に関するものである。
体発光装置に関するものである。
（従来の技術）
第３図はＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ９
ｔｈ Ｍａｙ １９８５Ｖｏ１．２１．Ｎｏ、１０に示
された従来の半導体発光装置の断面図である。この図に
おいて、１はｎ−１ｎＰ基板で、この上にｎ−１ｎＰ下
クツクラッド。
ｔｈ Ｍａｙ １９８５Ｖｏ１．２１．Ｎｏ、１０に示
された従来の半導体発光装置の断面図である。この図に
おいて、１はｎ−１ｎＰ基板で、この上にｎ−１ｎＰ下
クツクラッド。
ＩｎＧａＡｓＰ活性層３．ｐ−ＩｎＰ上クラりド層４．
ｐ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層５を順次結晶成長させ
、エツチングによりメサ溝６をリング状に形成する。そ
の後、絶縁膜７を選択的に形成し、その上にｐ電極８を
形成し、裏面にｎ電極９を選択的に形成したものである
。１０は発光領域で、これより出射された出射光１１は
裏面より取り出される。第４図はこの時の発光領域１０
の発光輝度分布１２を示すものである。
ｐ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト層５を順次結晶成長させ
、エツチングによりメサ溝６をリング状に形成する。そ
の後、絶縁膜７を選択的に形成し、その上にｐ電極８を
形成し、裏面にｎ電極９を選択的に形成したものである
。１０は発光領域で、これより出射された出射光１１は
裏面より取り出される。第４図はこの時の発光領域１０
の発光輝度分布１２を示すものである。
次に動作について説明する。
ｐ電極８．ｎ電極９間に電圧を印加すると電流は絶！ｉ
ｌｌ！７で狭窄され、リング状のメサ溝６により形成さ
れた活性層３に注入され発光領域１０を形成する。この
時、活性層３の組成に応じて一定の波長の光が発光領域
１０で生成され、裏面より出射光１１が取り出され、そ
の光はファイバと結合され光フアイバ通信等に用いられ
る。
ｌｌ！７で狭窄され、リング状のメサ溝６により形成さ
れた活性層３に注入され発光領域１０を形成する。この
時、活性層３の組成に応じて一定の波長の光が発光領域
１０で生成され、裏面より出射光１１が取り出され、そ
の光はファイバと結合され光フアイバ通信等に用いられ
る。
〔発明が解決しようとする課題］
従来の半導体発光装置は、メサ溝６で形成された発光領
域１０での発光輝度分布１２は、メサ溝６の近くの強度
が強いという実験結果がある。このため、光ファイバへ
結合するための光の集光が難しく、光の結合効率が低い
という問題点があった。
域１０での発光輝度分布１２は、メサ溝６の近くの強度
が強いという実験結果がある。このため、光ファイバへ
結合するための光の集光が難しく、光の結合効率が低い
という問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、発光領域の中央部の発光輝度を向上させる
ことができ、光ファイバへの結合効率を向上させること
ができる半導体発光装置を得ることを目的とする。
れたもので、発光領域の中央部の発光輝度を向上させる
ことができ、光ファイバへの結合効率を向上させること
ができる半導体発光装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体発光装置は、リング状のメサ溝で
形成された発光領域の中央部付近に少なくとも１本の分
割溝を形成したものである。
形成された発光領域の中央部付近に少なくとも１本の分
割溝を形成したものである。
（作用）
この発明においては、発光領域を少なくとも１本の分割
溝により分割したことから、発光領域の中央部の発光輝
度が向上する。
溝により分割したことから、発光領域の中央部の発光輝
度が向上する。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体発光装置の断
面図である。この図において、第３図と同一符号は同一
構成部分を示し、１３は前記発光領域１０の活性層３を
分割する分割溝で、ここでは１本が形成されている。
面図である。この図において、第３図と同一符号は同一
構成部分を示し、１３は前記発光領域１０の活性層３を
分割する分割溝で、ここでは１本が形成されている。
次に動作について説明する。
ｐｉ電極、ｎ電極９間に電圧を印加すると、電流は絶縁
膜７で狭窄され、ざらに、分割溝１３で分割されて活性
層３に注入され、発光領域１０を形成する。この時、活
性層３の組成に応じて一定の波長の光が発光領域１０か
ら出射されるが、その出射光１１の発光輝度分布１４（
第２図）は分布溝１３の効果のため中央部の輝度が強ま
り、光のファイバへの結合効率が向上する。
膜７で狭窄され、ざらに、分割溝１３で分割されて活性
層３に注入され、発光領域１０を形成する。この時、活
性層３の組成に応じて一定の波長の光が発光領域１０か
ら出射されるが、その出射光１１の発光輝度分布１４（
第２図）は分布溝１３の効果のため中央部の輝度が強ま
り、光のファイバへの結合効率が向上する。
なお、上記実施例ではｎ型基板を用いた例を示したが、
ｐ型基板を用いｐ−ｎの極性を反転しても同様の効果が
得られる。また、ＧａＡｓ系の半導体装置でもよい。ま
た、活性層３を分割する分割溝１３は１木に限らず２本
以上にしても同様の効果が得られる。
ｐ型基板を用いｐ−ｎの極性を反転しても同様の効果が
得られる。また、ＧａＡｓ系の半導体装置でもよい。ま
た、活性層３を分割する分割溝１３は１木に限らず２本
以上にしても同様の効果が得られる。
（発明の効果〕
以上説明したようにこの発明は、活性層に少なくとも１
本の分割溝を形成することにより発光領域を分割形成し
たので、中央部の発光輝度を高めることができ、ファイ
バへの光結合効率を向上することができる効果が得られ
る。
本の分割溝を形成することにより発光領域を分割形成し
たので、中央部の発光輝度を高めることができ、ファイ
バへの光結合効率を向上することができる効果が得られ
る。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体発光装置の断
面図、第２図は、第１図の発光領域の輝度分布を示す図
、第３図は従来の半導体発光装置を示す断面図、第４図
は、第３図の発光領域の輝度分布を示す図である。 図において、１はｎ−１ｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＰ下ク
ラッド層、３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ−１ｎＰ
上クチクラッド５はｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層、６
はメサ溝、７は絶縁膜、８はｐ電極、９はｎ電極、１０
は発光領域、１１は出射光、１３は分割溝、・１４は発
光輝度分布である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 刃 ◆ 第１図 第２図 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）１４七１度
分布 第 図 １、事件の表示 特願昭８３−２３２９１５号 ２、発明の名称 半導体発光装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 ５、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄および図面６、補正の内
容 （１）明細書の第５頁１２〜１３行の「５ばｐＩｎＧａ
Ａｓコノタクト層」を、「ｐ −ｒ ｎ Ｇ ａＡｓＰ
コノタクト層Ｊと補正する。 （２）図面中、第１図を別紙のように補正するつ以
上 第 図 ’Ｄ ： ｐ−１ｎＧａＡｓＰ）ンタクト漕６、メサ
溝 ］］：出射光 １３：分割清
面図、第２図は、第１図の発光領域の輝度分布を示す図
、第３図は従来の半導体発光装置を示す断面図、第４図
は、第３図の発光領域の輝度分布を示す図である。 図において、１はｎ−１ｎＰ基板、２はｎ−ＩｎＰ下ク
ラッド層、３はＩｎＧａＡｓＰ活性層、４はｐ−１ｎＰ
上クチクラッド５はｐ−ＩｎＧａＡｓコンタクト層、６
はメサ溝、７は絶縁膜、８はｐ電極、９はｎ電極、１０
は発光領域、１１は出射光、１３は分割溝、・１４は発
光輝度分布である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 刃 ◆ 第１図 第２図 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）１４七１度
分布 第 図 １、事件の表示 特願昭８３−２３２９１５号 ２、発明の名称 半導体発光装置 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号名
称 （６０１）三菱電機株式会社代表者志岐守哉 ４、代理人 住所 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 ５、補正の対象 明細書の図面の簡単な説明の欄および図面６、補正の内
容 （１）明細書の第５頁１２〜１３行の「５ばｐＩｎＧａ
Ａｓコノタクト層」を、「ｐ −ｒ ｎ Ｇ ａＡｓＰ
コノタクト層Ｊと補正する。 （２）図面中、第１図を別紙のように補正するつ以
上 第 図 ’Ｄ ： ｐ−１ｎＧａＡｓＰ）ンタクト漕６、メサ
溝 ］］：出射光 １３：分割清
Claims (1)
- 半導体基板主面上に下クラッド層、活性層、上クラッド
層を順次積層し、前記下クラッド層まで達するリング状
の溝により発光領域を形成した半導体発光装置において
、前記発光領域内の活性層を分割する少なくとも１本の
分割溝を形成したことを特徴とする半導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232915A JPH0281481A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63232915A JPH0281481A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 半導体発光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281481A true JPH0281481A (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=16946832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63232915A Pending JPH0281481A (ja) | 1988-09-17 | 1988-09-17 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0281481A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108281528A (zh) * | 2013-03-18 | 2018-07-13 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
-
1988
- 1988-09-17 JP JP63232915A patent/JPH0281481A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108281528A (zh) * | 2013-03-18 | 2018-07-13 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
| CN108281528B (zh) * | 2013-03-18 | 2021-06-29 | 晶元光电股份有限公司 | 发光元件 |
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