JPH0281483A - 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 - Google Patents
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子Info
- Publication number
- JPH0281483A JPH0281483A JP63232886A JP23288688A JPH0281483A JP H0281483 A JPH0281483 A JP H0281483A JP 63232886 A JP63232886 A JP 63232886A JP 23288688 A JP23288688 A JP 23288688A JP H0281483 A JPH0281483 A JP H0281483A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は青色発光の窒化ガリウム系化合物半導体発光素
子に関する。
子に関する。
従来、青色の発光ダイオードとしてＧａＮ系の化合物半
導体を用いたものが知られている。そのＧａＮ系の化合
物半導体は直接遷移であることから発光効率が高いこと
、光の３原色の１つである青色を発光色とすること等か
ら注目されている。 このようなＧａＮ系の化合物半導体を用いた発光ダイオ
ードは、サファイア基板上に直接又は窒化アルミニウム
から成るバッファ層を介在させて、Ｎ導電型のＧａＮ系
の化合物半導体から成るＮ層を成長させ、そのＮ層の上
に１導電型のＧａＮ系の化合物半導体から成る１層を成
長させた構造をとっている。
導体を用いたものが知られている。そのＧａＮ系の化合
物半導体は直接遷移であることから発光効率が高いこと
、光の３原色の１つである青色を発光色とすること等か
ら注目されている。 このようなＧａＮ系の化合物半導体を用いた発光ダイオ
ードは、サファイア基板上に直接又は窒化アルミニウム
から成るバッファ層を介在させて、Ｎ導電型のＧａＮ系
の化合物半導体から成るＮ層を成長させ、そのＮ層の上
に１導電型のＧａＮ系の化合物半導体から成る１層を成
長させた構造をとっている。
ところで、上記の発光ダイオードの発光輝度を向上させ
るためには、発光に寄与するキャリア数を多くするため
に、ＮＦＪの厚さはできるだけ厚い方が望ましい。又、
良質な１層の結晶を得るためにもＮ層の厚さは厚い方が
望ましい。 一方、動作電圧を均一にするためには、１層の膜厚は薄
く均一に精度良く制御される必要がある。 ところが、従来のＭＯＶＰＥ法だけで結晶成長させると
、結晶成長速度が遅く、厚いＮ層を形成するのに時間が
かかるという問題がある。 一方、サファイア基板上に順次Ｎ型ＧａＮ、１型ＧａＮ
をハライド気相成長法で成長させるという方法もあるが
、ハライド気相成長法では成長速度が速く１層の膜厚を
薄く均一にすることが困難であった。 本発明者らはＧａＮの結晶成長について研究を重ねてき
た結果、ハライド気相成長法で大部分のＮ層を成長させ
た後、上層部を薄＜ＭＯＶＰＥ法で成長させることによ
り、その上にＭＯＶＰＥ法により結晶性の良い１層を成
長させることができることを見出した。 本発明は、係る結論に基づいてなされたものであり、そ
の目的は、発光素子の製造速度及び発光特性を向上させ
ることである。
るためには、発光に寄与するキャリア数を多くするため
に、ＮＦＪの厚さはできるだけ厚い方が望ましい。又、
良質な１層の結晶を得るためにもＮ層の厚さは厚い方が
望ましい。 一方、動作電圧を均一にするためには、１層の膜厚は薄
く均一に精度良く制御される必要がある。 ところが、従来のＭＯＶＰＥ法だけで結晶成長させると
、結晶成長速度が遅く、厚いＮ層を形成するのに時間が
かかるという問題がある。 一方、サファイア基板上に順次Ｎ型ＧａＮ、１型ＧａＮ
をハライド気相成長法で成長させるという方法もあるが
、ハライド気相成長法では成長速度が速く１層の膜厚を
薄く均一にすることが困難であった。 本発明者らはＧａＮの結晶成長について研究を重ねてき
た結果、ハライド気相成長法で大部分のＮ層を成長させ
た後、上層部を薄＜ＭＯＶＰＥ法で成長させることによ
り、その上にＭＯＶＰＥ法により結晶性の良い１層を成
長させることができることを見出した。 本発明は、係る結論に基づいてなされたものであり、そ
の目的は、発光素子の製造速度及び発光特性を向上させ
ることである。
上記課題を解決するための発明の構成は、サファイア基
板と、サファイア基板上に直接的又は間接的に成長した
Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ Ｉ２Ｘ Ｇ
ａ ＝−Ｎ ： Ｘ＝Ｏを含む）からなるＮ層と、Ｎ層
上に成長した■型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａｌ
ｘＧａ１ ＋−ｘ Ｎ ；ｘ＝ｏを含む）からなる１層
とを有し、 Ｎ層はハライド気相成長法により成長させた膜厚の厚い
第１Ｎ層と、その第１Ｎ層の上に有機金屑化合物気相成
長法（ＭＯＶＰＥ）で成長させた膜厚の薄い第２Ｎ層と
を有し、 １層は有機金属化合物気相成長法（ＭＯＶＰＥ）で成長
させたことを特徴とする。
板と、サファイア基板上に直接的又は間接的に成長した
Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａ Ｉ２Ｘ Ｇ
ａ ＝−Ｎ ： Ｘ＝Ｏを含む）からなるＮ層と、Ｎ層
上に成長した■型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａｌ
ｘＧａ１ ＋−ｘ Ｎ ；ｘ＝ｏを含む）からなる１層
とを有し、 Ｎ層はハライド気相成長法により成長させた膜厚の厚い
第１Ｎ層と、その第１Ｎ層の上に有機金屑化合物気相成
長法（ＭＯＶＰＥ）で成長させた膜厚の薄い第２Ｎ層と
を有し、 １層は有機金属化合物気相成長法（ＭＯＶＰＥ）で成長
させたことを特徴とする。
Ｎ層の大部分はハライド気相成長法により成長されるた
め、厚いＮＦ３１が高速度で得られるので、発光素子の
製造速度が向上した。又、Ｎ層の上層部の第２Ｎ層はＭ
ＯＶＰＥ法で形成し、その上に１層をＭＯＶＰＥ法で成
長したので、１層は結晶性が良く且つその層厚が均一に
制御された。その結果、発光特性が向上した。
め、厚いＮＦ３１が高速度で得られるので、発光素子の
製造速度が向上した。又、Ｎ層の上層部の第２Ｎ層はＭ
ＯＶＰＥ法で形成し、その上に１層をＭＯＶＰＥ法で成
長したので、１層は結晶性が良く且つその層厚が均一に
制御された。その結果、発光特性が向上した。
以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。
第１実施例
第１図は本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオー
ド１の構成を示した断面図である。 主面を０面（（０００１）面）とするサファイア基板２
を硝酸で洗浄した後、更にアセトンで洗浄した。 そして、洗浄後、窒素ガスを吹き付けて軟岩させた後、
そのサファイア基板２をハライド気相成長装置のサセプ
タに取り付けた。その後、反応室の温度を９００℃とし
て、ガス流の上流側に載置された金属ＧａにＨＣ１ガス
を流し、両者の反応生成物として得られたＧａＣｊ’と
、ＮＨ，と、キャリアガスＮ、を１０００℃に加熱され
たサファイア基板２に向かって流した。流速はＧａＣｌ
１が１０ｍ１／分、ＮＨ，が１．ＯＡ／分、Ｎ、が２．
０１１７分とした。 サファイア基板２上に成長したＮ型のＧａＮから成る第
１Ｎ層４の厚さは２０即であり、その成長速度は約１虜
／分であった。 次に、第１Ｎ層４が成長したサファイア基板２をハライ
ド気相成長装置から取り出し、ＭＯＶＰＥ装置の反応室
のサセプタに載置した。そして、そして、サファイア基
板２を１０００ｔ′に加熱して、キャリアガスとしてＨ
７を２．５ｊｌ！／分、Ｎ Ｈ、を、１．５ｊ！／分、
トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を２０ｒｎｌ／分の割合
で１２分間供給し、膜厚約２虜のＮ型のＧ ａ Ｎから
成る第２Ｎ層８を形成した。 次に、サファイア基板２を９００℃にして、Ｈ２を２．
５１．７分、Ｎ Ｈ、を１．５１１／分、ＴＭＧを１５
ｎｔｌ／分、ジエチル亜鉛（ＤＥＺ）を５ＸＩＯ−’モ
ル／分の割合で５分間供給して、■型のＧａＮから戊る
１層５を膜厚１．０μｓに形成した。 次に、第１Ｎ層４及び第２Ｎ層８の側壁と１層５の上面
にアルミニウム電極６．７を蒸着して、発光ダイオード
を形成した。 このようにして得られた発光ダイオード１の第１Ｎ層４
．第２Ｎ層８及び１層５の断面の顕微鏡写真、高エネル
ギー電子線による反射回折法（ＲＩＩＩＥＥＤ）により
、それぞれ、良好な結晶性が得られていることが分かっ
た。 特に、第１Ｎ層４をハライド気相成長法で高速に成長さ
せ、その上にＭＯＶＰＥ法で精密に成長させた第２Ｎ層
８を形成したので、１層５の結晶性は、Ｎ層をハライド
気相成長法だけで成長させたものに比べて良くなった。 又、この発光ダイオード１の発光ピークのスペクトルは
４８０ｎｍであり、発光強度（・軸上輝度）は１０ｍｃ
ｄであった。 第２実施例 第２図は第２実施例に係る発光ダイオード１０の構成を
示した断面図である。第１実施例と同様にして、主面を
０面（（０００１）面）とするサファイア基板２を硝酸
で洗浄した後、更にアセトンで洗浄した。そして、洗浄
後、窒素ガスを吹き付けて乾燥させた後、そのサファイ
ア基板２をＭＯＶＰＥ装置のサセプタに取り付けた。そ
の後、サファイア基板２を６００℃に加熱して、キャリ
アガスとしてＨりを２１２／分、ＮＨ，を１．５１／分
、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を１５−／分の割
合で６分間供給し、ＡＩＮから成るバッファ層３を厚さ
約０．１μｓに形成した。その後、第１実施例と同様な
手順にて、第１Ｎ層４．第２Ｎ層８．１層５を順次形成
して、発光ダイオード１０を作成した。 このように作成された発光ダイオード１０の第１ＮＦＪ
４．第２Ｎ層８及び１層５の断面の顕微鏡写真、高エネ
ルギー電子線による反射回折法（Ｒ１１（！ＢＤ）によ
り、それぞれ、良好な結晶性が得られていることが分か
った。 又、この発光ダイオード１の発光ピークのスペクトルは
４８０ｎｍであり、発光強度（軸上輝りは１０ｍｃｄで
あった。 第３実施例 本実施例は、第２実施例において、第２図のバッファ層
３を分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）により作成したも
のである。 第２実施例と同様にして、主面を０面（（０００１）面
）とするサファイア基板２を洗浄した後、そのサファイ
ア基板２をＭＢＥ装置のサセプタに取り付けた。その後
、サファイア基板２を５００℃に加熱して、窒素ガスプ
ラズマ中で、アルミニウムを蒸発させて、サファイア基
板２の主面上に窒化アルミニウム（ＡＩＮ）から成るバ
ッファ層３を約５００人の厚さに形成した。 その後の第１Ｎ層４．第２Ｎ層８．１層５．電極６．７
の作成方法は、第１実施例と同様である。 このようにして得られた発光ダイオードの第１Ｎ層４．
第２Ｎ層８及び１層５の断面の顕微鏡写真、高エネルギ
ー電子線による反射回折法（ＲＩＩＥＨＤ）により、良
好な結晶性が得られていることが分かった。 又、この発光ダイオード１の発光ピークのスペクトルは
４８０ｎｎ＋であり、発光強度（軸上輝度）は１０ｍｃ
’ｄであった。 尚、本発明者らの考察によれば、ＭＢＥで形成されたバ
ッファ層３では、ｍ１ＮＦｊＦ４のＧａＮの成長の核が
、バッファ層３をＭＯＶＰＥで成長させたものと比べて
、均一に分散し、そのために、第１Ｎ層４、第２Ｎ層８
及び１層５の単結晶性が良くなったと考えられる。 又、バッファ層３は、サファイア基板２を５００℃にし
てＭＢＥで形成したので、多結晶であった。 又、本発明者らは、バッファ層３は多結晶で成長させた
方が単結晶で成長させた方よりも、第１Ｎ層４、第２Ｎ
層８及び１層５の単結晶性が良いことも見出した。 このためにもＭＢＥでバッファ層３を成長させることは
効果があり、多結晶さする成長′ａ度は、室温〜−５０
０℃が望ましい。 又、第１Ｎ層４、第２Ｎ層８及び１層５の単結晶性を良
くするためには、バッファ層３の厚さは１００〜１００
０人が望ましい。 尚、上記実施例では、第１Ｎ層４、第２Ｎ層８及び１層
５をＧａＮで形成したが、ＡＩＸＧａＮで形成しても良
い。
ド１の構成を示した断面図である。 主面を０面（（０００１）面）とするサファイア基板２
を硝酸で洗浄した後、更にアセトンで洗浄した。 そして、洗浄後、窒素ガスを吹き付けて軟岩させた後、
そのサファイア基板２をハライド気相成長装置のサセプ
タに取り付けた。その後、反応室の温度を９００℃とし
て、ガス流の上流側に載置された金属ＧａにＨＣ１ガス
を流し、両者の反応生成物として得られたＧａＣｊ’と
、ＮＨ，と、キャリアガスＮ、を１０００℃に加熱され
たサファイア基板２に向かって流した。流速はＧａＣｌ
１が１０ｍ１／分、ＮＨ，が１．ＯＡ／分、Ｎ、が２．
０１１７分とした。 サファイア基板２上に成長したＮ型のＧａＮから成る第
１Ｎ層４の厚さは２０即であり、その成長速度は約１虜
／分であった。 次に、第１Ｎ層４が成長したサファイア基板２をハライ
ド気相成長装置から取り出し、ＭＯＶＰＥ装置の反応室
のサセプタに載置した。そして、そして、サファイア基
板２を１０００ｔ′に加熱して、キャリアガスとしてＨ
７を２．５ｊｌ！／分、Ｎ Ｈ、を、１．５ｊ！／分、
トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を２０ｒｎｌ／分の割合
で１２分間供給し、膜厚約２虜のＮ型のＧ ａ Ｎから
成る第２Ｎ層８を形成した。 次に、サファイア基板２を９００℃にして、Ｈ２を２．
５１．７分、Ｎ Ｈ、を１．５１１／分、ＴＭＧを１５
ｎｔｌ／分、ジエチル亜鉛（ＤＥＺ）を５ＸＩＯ−’モ
ル／分の割合で５分間供給して、■型のＧａＮから戊る
１層５を膜厚１．０μｓに形成した。 次に、第１Ｎ層４及び第２Ｎ層８の側壁と１層５の上面
にアルミニウム電極６．７を蒸着して、発光ダイオード
を形成した。 このようにして得られた発光ダイオード１の第１Ｎ層４
．第２Ｎ層８及び１層５の断面の顕微鏡写真、高エネル
ギー電子線による反射回折法（ＲＩＩＩＥＥＤ）により
、それぞれ、良好な結晶性が得られていることが分かっ
た。 特に、第１Ｎ層４をハライド気相成長法で高速に成長さ
せ、その上にＭＯＶＰＥ法で精密に成長させた第２Ｎ層
８を形成したので、１層５の結晶性は、Ｎ層をハライド
気相成長法だけで成長させたものに比べて良くなった。 又、この発光ダイオード１の発光ピークのスペクトルは
４８０ｎｍであり、発光強度（・軸上輝度）は１０ｍｃ
ｄであった。 第２実施例 第２図は第２実施例に係る発光ダイオード１０の構成を
示した断面図である。第１実施例と同様にして、主面を
０面（（０００１）面）とするサファイア基板２を硝酸
で洗浄した後、更にアセトンで洗浄した。そして、洗浄
後、窒素ガスを吹き付けて乾燥させた後、そのサファイ
ア基板２をＭＯＶＰＥ装置のサセプタに取り付けた。そ
の後、サファイア基板２を６００℃に加熱して、キャリ
アガスとしてＨりを２１２／分、ＮＨ，を１．５１／分
、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）を１５−／分の割
合で６分間供給し、ＡＩＮから成るバッファ層３を厚さ
約０．１μｓに形成した。その後、第１実施例と同様な
手順にて、第１Ｎ層４．第２Ｎ層８．１層５を順次形成
して、発光ダイオード１０を作成した。 このように作成された発光ダイオード１０の第１ＮＦＪ
４．第２Ｎ層８及び１層５の断面の顕微鏡写真、高エネ
ルギー電子線による反射回折法（Ｒ１１（！ＢＤ）によ
り、それぞれ、良好な結晶性が得られていることが分か
った。 又、この発光ダイオード１の発光ピークのスペクトルは
４８０ｎｍであり、発光強度（軸上輝りは１０ｍｃｄで
あった。 第３実施例 本実施例は、第２実施例において、第２図のバッファ層
３を分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）により作成したも
のである。 第２実施例と同様にして、主面を０面（（０００１）面
）とするサファイア基板２を洗浄した後、そのサファイ
ア基板２をＭＢＥ装置のサセプタに取り付けた。その後
、サファイア基板２を５００℃に加熱して、窒素ガスプ
ラズマ中で、アルミニウムを蒸発させて、サファイア基
板２の主面上に窒化アルミニウム（ＡＩＮ）から成るバ
ッファ層３を約５００人の厚さに形成した。 その後の第１Ｎ層４．第２Ｎ層８．１層５．電極６．７
の作成方法は、第１実施例と同様である。 このようにして得られた発光ダイオードの第１Ｎ層４．
第２Ｎ層８及び１層５の断面の顕微鏡写真、高エネルギ
ー電子線による反射回折法（ＲＩＩＥＨＤ）により、良
好な結晶性が得られていることが分かった。 又、この発光ダイオード１の発光ピークのスペクトルは
４８０ｎｎ＋であり、発光強度（軸上輝度）は１０ｍｃ
’ｄであった。 尚、本発明者らの考察によれば、ＭＢＥで形成されたバ
ッファ層３では、ｍ１ＮＦｊＦ４のＧａＮの成長の核が
、バッファ層３をＭＯＶＰＥで成長させたものと比べて
、均一に分散し、そのために、第１Ｎ層４、第２Ｎ層８
及び１層５の単結晶性が良くなったと考えられる。 又、バッファ層３は、サファイア基板２を５００℃にし
てＭＢＥで形成したので、多結晶であった。 又、本発明者らは、バッファ層３は多結晶で成長させた
方が単結晶で成長させた方よりも、第１Ｎ層４、第２Ｎ
層８及び１層５の単結晶性が良いことも見出した。 このためにもＭＢＥでバッファ層３を成長させることは
効果があり、多結晶さする成長′ａ度は、室温〜−５０
０℃が望ましい。 又、第１Ｎ層４、第２Ｎ層８及び１層５の単結晶性を良
くするためには、バッファ層３の厚さは１００〜１００
０人が望ましい。 尚、上記実施例では、第１Ｎ層４、第２Ｎ層８及び１層
５をＧａＮで形成したが、ＡＩＸＧａＮで形成しても良
い。
第１図は本発明の具体的な一実施例に係る発光ダイオー
ドの構成を示した構成図である。第２図は他の実施例に
係る発光ダイオードの構成を示した構成図である。 １゜ １０ ・発光ダイオード ２ ・サファイア基板バッフ
ァ層 ４ 第１Ｎ層 ８ 第２Ｎ層■層 特許出願人 豊田合戊株式会社 同 名古屋大学長 同 新技術開発事業団 代 理 人 藤 谷
修第１
ドの構成を示した構成図である。第２図は他の実施例に
係る発光ダイオードの構成を示した構成図である。 １゜ １０ ・発光ダイオード ２ ・サファイア基板バッフ
ァ層 ４ 第１Ｎ層 ８ 第２Ｎ層■層 特許出願人 豊田合戊株式会社 同 名古屋大学長 同 新技術開発事業団 代 理 人 藤 谷
修第１
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 サファイア基板と、 前記サファイア基板上に直接的又は間接的に成長したＮ
型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａｌ＿ｘＧａ＿１＿
−＿ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなるＮ層と、前記Ｎ層上
に成長したＩ型の窒化ガリウム系化合物半導体（Ａｌ＿
ｘＧａ＿１＿−＿ｘＮ；Ｘ＝０を含む）からなるＩ層と
を有し、 前記Ｎ層はハライド気相成長法により成長させた膜厚の
厚い第１Ｎ層と、その第１Ｎ層の上に有機金属化合物気
相成長法（ＭＯＶＰＥ）で成長させた膜厚の薄い第２Ｎ
層とを有し、 前記Ｉ層は有機金属化合物気相成長法（ＭＯＶＰＥ）で
成長させたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導
体発光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23288688A JP3140751B2 (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23288688A JP3140751B2 (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Related Child Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11203574A Division JP2000040843A (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP20357299A Division JP3402460B2 (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法 |
| JP11203573A Division JP2000040842A (ja) | 1999-07-16 | 1999-07-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0281483A true JPH0281483A (ja) | 1990-03-22 |
| JP3140751B2 JP3140751B2 (ja) | 2001-03-05 |
Family
ID=16946381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23288688A Expired - Lifetime JP3140751B2 (ja) | 1988-09-16 | 1988-09-16 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3140751B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5278433A (en) * | 1990-02-28 | 1994-01-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound with double layer structures for the n-layer and/or the i-layer |
| US5290393A (en) * | 1991-01-31 | 1994-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo K.K. | Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor |
| US5408120A (en) * | 1992-07-23 | 1995-04-18 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device of gallium nitride compound semiconductor |
| US5633192A (en) * | 1991-03-18 | 1997-05-27 | Boston University | Method for epitaxially growing gallium nitride layers |
| US5686738A (en) * | 1991-03-18 | 1997-11-11 | Trustees Of Boston University | Highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films |
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| US5734182A (en) * | 1992-11-20 | 1998-03-31 | Nichia Chemical Industries Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconducor device |
| US6081399A (en) * | 1995-08-01 | 2000-06-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Disk drive having double heads and method for controlling head switching |
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| US6362017B1 (en) | 1990-02-28 | 2002-03-26 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound |
| US6830992B1 (en) | 1990-02-28 | 2004-12-14 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing a gallium nitride group compound semiconductor |
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| KR100595177B1 (ko) * | 2000-02-10 | 2006-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 발광소자 제조방법 |
| JP2008063221A (ja) * | 2007-09-25 | 2008-03-21 | Sony Corp | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物層およびそれを用いた基板 |
| JP2013028533A (ja) * | 2012-10-26 | 2013-02-07 | Nokodai Tlo Kk | ＡｌＧａＮの気相成長方法及びＡｌＧａＮの気相成長方法で製造されたＡｌＧａＮ結晶の厚膜基板 |
Citations (2)
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