JPH0282169A - 薄膜の抵抗温度係数測定用基板 - Google Patents
薄膜の抵抗温度係数測定用基板Info
- Publication number
- JPH0282169A JPH0282169A JP23557788A JP23557788A JPH0282169A JP H0282169 A JPH0282169 A JP H0282169A JP 23557788 A JP23557788 A JP 23557788A JP 23557788 A JP23557788 A JP 23557788A JP H0282169 A JPH0282169 A JP H0282169A
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- JP
- Japan
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- thin film
- substrate
- resistance
- thermocouple
- measurement
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- Granted
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- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、薄膜の抵抗温度係数を測定するにあたり、薄
膜をコーティングして使用する薄膜の抵抗温度係数測定
用基板（以下単に測定用基板という）に関するものであ
る。
膜をコーティングして使用する薄膜の抵抗温度係数測定
用基板（以下単に測定用基板という）に関するものであ
る。
（従来の技術）
従来、半導体蒸着薄膜の抵抗温度係数を測定するには、
薄膜の電極部の蒸着終了後、真空蒸着槽内より電気炉中
に薄膜を入れ、均熱部分で温度測定と抵抗測定を別々の
素子を用いて行っていた。
薄膜の電極部の蒸着終了後、真空蒸着槽内より電気炉中
に薄膜を入れ、均熱部分で温度測定と抵抗測定を別々の
素子を用いて行っていた。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、上記測定方法では、均熱部分で温度測定と抵
抗測定を行うとしても位置が異なるので、両位置の間に
温度差が生じ、薄膜の真の温度値を測定することが困難
であった。
抗測定を行うとしても位置が異なるので、両位置の間に
温度差が生じ、薄膜の真の温度値を測定することが困難
であった。
これは温度測定素子を薄膜上に接触させて搭載すること
ができなかったからである。なぜなら温度測定素子（熱
電対）と薄膜を直接接触させてしまうと温度値と抵抗値
に誤差が生じるからである。
ができなかったからである。なぜなら温度測定素子（熱
電対）と薄膜を直接接触させてしまうと温度値と抵抗値
に誤差が生じるからである。
そこで本発明は、薄膜の抵抗温度係数を簡便且つ正確に
測定できるようにした測定用基板を提供しようとするも
のである。
測定できるようにした測定用基板を提供しようとするも
のである。
（課題を解決するための手段）
上記課題を解決するための本発明の測定用基板は、セラ
ミックス基板上に薄膜熱電対又は薄膜測温抵抗体が形成
され、その上からセラミックス基板上に０．１−１０μ
ｍの絶縁膜が形成され、その絶縁膜の上に抵抗値測定用
薄膜端子（以下単に薄膜端子という）が形成されて成る
ものである。
ミックス基板上に薄膜熱電対又は薄膜測温抵抗体が形成
され、その上からセラミックス基板上に０．１−１０μ
ｍの絶縁膜が形成され、その絶縁膜の上に抵抗値測定用
薄膜端子（以下単に薄膜端子という）が形成されて成る
ものである。
上記構成の測定用基板に於いて、薄膜熱電対はＰｔ：Ｐ
ｔ−Ｒｈ、アルメルクロメル、コンスタンタン等の材料
より、薄膜測温抵抗体はＰｔより成る。また絶縁膜は５
ｉ０２、Ａｌ２０１等の材料より成り、厚みは０．１〜
１０μｍが好適である。なぜなら０．１μｍ未満では絶
縁層の破壊により抵抗測定が不正確となり、１０μｍを
超えると熱伝導の低下により温度測定が不正確となるか
らである。
ｔ−Ｒｈ、アルメルクロメル、コンスタンタン等の材料
より、薄膜測温抵抗体はＰｔより成る。また絶縁膜は５
ｉ０２、Ａｌ２０１等の材料より成り、厚みは０．１〜
１０μｍが好適である。なぜなら０．１μｍ未満では絶
縁層の破壊により抵抗測定が不正確となり、１０μｍを
超えると熱伝導の低下により温度測定が不正確となるか
らである。
さらに薄膜端子は、Ａｕペースト、Ａｇペースト等の材
料より成る。
料より成る。
（作用）
前述の構成された本発明の測定用基板は、薄膜コーティ
ングして使用するため温度測定用の薄膜熱電対又は薄膜
測温抵抗体と薄膜とが、０．１〜１０μｍの絶縁膜を挾
んで完全に密着されることになるので、基板にコーティ
ングされる薄膜は電気炉の均熱部分のサイズに影響され
ることなく、簡便且つ正確に抵抗温度係数を測定できる
。
ングして使用するため温度測定用の薄膜熱電対又は薄膜
測温抵抗体と薄膜とが、０．１〜１０μｍの絶縁膜を挾
んで完全に密着されることになるので、基板にコーティ
ングされる薄膜は電気炉の均熱部分のサイズに影響され
ることなく、簡便且つ正確に抵抗温度係数を測定できる
。
（実施例）
本発明の測定用基板の一実施例を第１．２図によって説
明すると、長さ２００ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの
１２０３基板１上に、メタルマスクを用いてスパッタリ
ングにより厚さ １．０μｍ、幅１．Ｏｍｍ、長さ１８
０ｍｍのＰｔとＰ ｔ −Ｒｈ １３ｗｔ％の薄膜熱電
対２が平行に形成され、且つ先端部が内方に屈曲してそ
の先端が長さ２．０市重合されて接点部２ａが形成され
、基端部に出力用端子部２ｂが形成されている。この薄
膜熱電対２の上から該薄膜熱電対２の先端寄りの片半部
を被ってＡｌ１２０．基板１上に厚さ０．５μｍのＡｌ
２Ｏ，の絶縁膜３がスパッタリング法により形成されて
いる。この絶縁膜３の上に前記薄膜熱電対２と直交する
Ａｌ２Ｏ３基板１の幅方向に幅２ ｍｍ、厚さ２μｍの
Ａｕより成る薄膜端子４が２ｍｍ間隔に２本１組として
、これを１０ｍｍピッチに２組計４本形成されている。
明すると、長さ２００ｍｍ、幅１０ｍｍ、厚さ１ｍｍの
１２０３基板１上に、メタルマスクを用いてスパッタリ
ングにより厚さ １．０μｍ、幅１．Ｏｍｍ、長さ１８
０ｍｍのＰｔとＰ ｔ −Ｒｈ １３ｗｔ％の薄膜熱電
対２が平行に形成され、且つ先端部が内方に屈曲してそ
の先端が長さ２．０市重合されて接点部２ａが形成され
、基端部に出力用端子部２ｂが形成されている。この薄
膜熱電対２の上から該薄膜熱電対２の先端寄りの片半部
を被ってＡｌ１２０．基板１上に厚さ０．５μｍのＡｌ
２Ｏ，の絶縁膜３がスパッタリング法により形成されて
いる。この絶縁膜３の上に前記薄膜熱電対２と直交する
Ａｌ２Ｏ３基板１の幅方向に幅２ ｍｍ、厚さ２μｍの
Ａｕより成る薄膜端子４が２ｍｍ間隔に２本１組として
、これを１０ｍｍピッチに２組計４本形成されている。
このように構成された測定用基板５は、コーティングし
た薄膜８の抵抗温度係数の測定において、４本の薄膜端
子４の内、面内側の２本が電圧端子として第１図の如く
抵抗測定用電圧計６に接続され、外側の２本が電流端子
として抵抗測定用定電流電源７に接続され、薄膜熱電対
２の出力端子部２ｂが温度測定計に接続される。
た薄膜８の抵抗温度係数の測定において、４本の薄膜端
子４の内、面内側の２本が電圧端子として第１図の如く
抵抗測定用電圧計６に接続され、外側の２本が電流端子
として抵抗測定用定電流電源７に接続され、薄膜熱電対
２の出力端子部２ｂが温度測定計に接続される。
このようにして測定用基板５上にコーティングされた薄
膜８を電気炉中の均熱部分で抵抗温度係数を測定すると
、温度測定用の薄膜熱電対２と薄膜とが絶縁膜３を挾ん
で完全に密着しているので、電気炉の均熱部分のサイズ
に影響されることなく、簡便且つ正確に抵抗温度係数を
測定できた。
膜８を電気炉中の均熱部分で抵抗温度係数を測定すると
、温度測定用の薄膜熱電対２と薄膜とが絶縁膜３を挾ん
で完全に密着しているので、電気炉の均熱部分のサイズ
に影響されることなく、簡便且つ正確に抵抗温度係数を
測定できた。
尚、本発明の測定用基板は、測定したい薄膜をコーティ
ングした後、別途電気炉内にて抵抗温度係数を測定する
のであるが、真空槽内にて薄膜をコーティングし乍ら、
コーティング途中の抵抗値及び薄膜の温度を測定するこ
とができるので、リアルタイムに薄膜の抵抗温度係数を
測定することができる。
ングした後、別途電気炉内にて抵抗温度係数を測定する
のであるが、真空槽内にて薄膜をコーティングし乍ら、
コーティング途中の抵抗値及び薄膜の温度を測定するこ
とができるので、リアルタイムに薄膜の抵抗温度係数を
測定することができる。
また上記実施例では温度測定に薄膜熱電対を用いたが、
これに限るものではなく、第３図のように薄膜測温抵抗
体９を用いるようにしても良いもである。
これに限るものではなく、第３図のように薄膜測温抵抗
体９を用いるようにしても良いもである。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明の測定用基板は、温度測
定用の薄膜熱電対又は薄膜測温抵抗体と薄膜電極とが、
０．１〜１０μｍの絶縁膜を挾んで完全に密着された状
態になるので、電気炉の均熱部分のサイズに影響される
ことなく、簡便且つ正確にコーティングされる薄膜の抵
抗温度係数を測定できる。
定用の薄膜熱電対又は薄膜測温抵抗体と薄膜電極とが、
０．１〜１０μｍの絶縁膜を挾んで完全に密着された状
態になるので、電気炉の均熱部分のサイズに影響される
ことなく、簡便且つ正確にコーティングされる薄膜の抵
抗温度係数を測定できる。
第１図は本発明の測定用基板の一例を示す平面図、第２
図は第１図のＡ−Ａ線拡大断面図、第３図は本発明の測
定用基板の他の例を示す平面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社
図は第１図のＡ−Ａ線拡大断面図、第３図は本発明の測
定用基板の他の例を示す平面図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (1)
- １、セラミックス基板上に薄膜熱電対又は薄膜測温抵抗
体が形成され、その上からセラミックス基板上に０．１
〜１０μｍの絶縁膜が形成され、その絶縁膜の上に抵抗
値測定用薄膜端子が形成されて成る薄膜素子の抵抗温度
係数測定用基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557788A JP2661718B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 薄膜の抵抗温度係数測定用基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23557788A JP2661718B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 薄膜の抵抗温度係数測定用基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282169A true JPH0282169A (ja) | 1990-03-22 |
| JP2661718B2 JP2661718B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=16988053
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23557788A Expired - Lifetime JP2661718B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 薄膜の抵抗温度係数測定用基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2661718B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102520252A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-06-27 | 广州杰赛科技股份有限公司 | 一种测试模具及其制作方法及薄膜电阻基板单位阻值检测方法 |
| CN114535780A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-27 | 南京大学 | 钙钛矿表面瞬时局部加热并原位表征真空激光装置及方法 |
| CN115011915A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-09-06 | 哈尔滨理工大学 | 一种冗余薄膜热电偶的制备方法 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP23557788A patent/JP2661718B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102520252A (zh) * | 2011-12-29 | 2012-06-27 | 广州杰赛科技股份有限公司 | 一种测试模具及其制作方法及薄膜电阻基板单位阻值检测方法 |
| CN114535780A (zh) * | 2022-02-17 | 2022-05-27 | 南京大学 | 钙钛矿表面瞬时局部加热并原位表征真空激光装置及方法 |
| CN115011915A (zh) * | 2022-04-22 | 2022-09-06 | 哈尔滨理工大学 | 一种冗余薄膜热电偶的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2661718B2 (ja) | 1997-10-08 |
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