JPH0282218A - 液晶セルアレイの駆動方法 - Google Patents
液晶セルアレイの駆動方法Info
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- JPH0282218A JPH0282218A JP23357888A JP23357888A JPH0282218A JP H0282218 A JPH0282218 A JP H0282218A JP 23357888 A JP23357888 A JP 23357888A JP 23357888 A JP23357888 A JP 23357888A JP H0282218 A JPH0282218 A JP H0282218A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分計〕
この発明は、液晶を利用した面積変調が可能な液晶セル
アレイの駆動方法に関するものである。
アレイの駆動方法に関するものである。
従来、液晶は表示に用いるとともに、光の透過を制御す
る光シャッタとして使用されている。このうち、光の透
過を制御する光シャッタとして用いる場合は、光が透過
するかまたは透過しないかの2値に使うことが一般的で
ある。
る光シャッタとして使用されている。このうち、光の透
過を制御する光シャッタとして用いる場合は、光が透過
するかまたは透過しないかの2値に使うことが一般的で
ある。
このように、液晶が2値にしか使用されないのは、液晶
の配向状態を他の状態に変える遷移過程が起こる電圧幅
が比較的狭く、かつ光透過部と光非透過部を高速に動作
させることが困難なため、この遷移過程を藺って光の透
過量や反射量を中間段階に制御することはあまり研究さ
れていない。
の配向状態を他の状態に変える遷移過程が起こる電圧幅
が比較的狭く、かつ光透過部と光非透過部を高速に動作
させることが困難なため、この遷移過程を藺って光の透
過量や反射量を中間段階に制御することはあまり研究さ
れていない。
発明者等は、液晶を用いて光の透過量や反射量を中間段
階に制御できる液晶セルを先に提案した。
階に制御できる液晶セルを先に提案した。
すなわち、同一セル内を光透過部と光非透過部とすると
きには、一方の板の2個の電極は接地電圧とし、他方の
電極は使用する液晶の誘電異方性が逆転する変化点(以
下変化点とする)より低い周波数(以下低周波とする)
の電圧を印加する。次に、光透過窓を絞り状態とすると
きは、例えば−方の板の2個の電極の一方には低い周波
数の片極性の電圧を印加し、他方の電極にはそれより低
い同様の電圧を印加するとともに、その変化点より高い
周波数(以下高周波とする)を他方の板に印加するよう
にした駆動方法である。これまでに出願した発明(特願
昭61−290590号や特願昭62−24641号)
では、1つのセル当り2本の配線が必要であり、配線密
度が多く、セルの単位長あたりの個敬が6〜8個/ a
m程度が限界であった。
きには、一方の板の2個の電極は接地電圧とし、他方の
電極は使用する液晶の誘電異方性が逆転する変化点(以
下変化点とする)より低い周波数(以下低周波とする)
の電圧を印加する。次に、光透過窓を絞り状態とすると
きは、例えば−方の板の2個の電極の一方には低い周波
数の片極性の電圧を印加し、他方の電極にはそれより低
い同様の電圧を印加するとともに、その変化点より高い
周波数(以下高周波とする)を他方の板に印加するよう
にした駆動方法である。これまでに出願した発明(特願
昭61−290590号や特願昭62−24641号)
では、1つのセル当り2本の配線が必要であり、配線密
度が多く、セルの単位長あたりの個敬が6〜8個/ a
m程度が限界であった。
この発明のglI求項(1)、 (21の液晶セルアレ
イの駆動方法は、透明電極を複数側方いに電気的に独立
して並置し、各透明電極の両端に電極を設け、かつ一方
の電極を各々電気的に接続し、他方の電極を一方の電極
とは電気的に独立に各々接続した配線構成を持つ一方の
板と、各透明電極と対向する位置に複数の透明電極を独
立に駆動できる配線構造を設けた他方の板と、これら両
板の間に介在させた液晶とで構成された液晶セルアレイ
の駆動方法であって、一方の板の2個の電極に低周波電
圧または高周波電圧を印加してその間に挟まれた透明電
極に電圧勾配を設けるとともに、他方の板の電極に絞り
動作の状態に合わせた電圧を印加するものであり、更に
、光透過窓を完全に開放状態にする際に生じる透過ムラ
を解消するために、少なくとも2種類の電圧勾配を使用
するものである。
イの駆動方法は、透明電極を複数側方いに電気的に独立
して並置し、各透明電極の両端に電極を設け、かつ一方
の電極を各々電気的に接続し、他方の電極を一方の電極
とは電気的に独立に各々接続した配線構成を持つ一方の
板と、各透明電極と対向する位置に複数の透明電極を独
立に駆動できる配線構造を設けた他方の板と、これら両
板の間に介在させた液晶とで構成された液晶セルアレイ
の駆動方法であって、一方の板の2個の電極に低周波電
圧または高周波電圧を印加してその間に挟まれた透明電
極に電圧勾配を設けるとともに、他方の板の電極に絞り
動作の状態に合わせた電圧を印加するものであり、更に
、光透過窓を完全に開放状態にする際に生じる透過ムラ
を解消するために、少なくとも2種類の電圧勾配を使用
するものである。
この発明にかかる液晶セルアレイの駆動方法は、1画素
当り1本の配線と2個の共通電極により、セルの窓中に
印加電圧に応じた面積の光透過部と光非透過部ができ、
従来の駆動方法で生じた完全に光透過窓を開く際の透過
光量ムラが解消される。
当り1本の配線と2個の共通電極により、セルの窓中に
印加電圧に応じた面積の光透過部と光非透過部ができ、
従来の駆動方法で生じた完全に光透過窓を開く際の透過
光量ムラが解消される。
第1図はこの発明に使用する液晶用の基本セルの分解状
態を示す斜視図であり、この図で、1は基本セル、2は
透明の他方の板(以下便宜上、上板という) 3は透明
の一方の板(以下同じく下板、という)、4はスペーサ
、5は前記スペーサ4の透過孔、6は前記上板2の電極
、7,8は前記下板3の電極、9,10は透明電極から
なる主電極である。
態を示す斜視図であり、この図で、1は基本セル、2は
透明の他方の板(以下便宜上、上板という) 3は透明
の一方の板(以下同じく下板、という)、4はスペーサ
、5は前記スペーサ4の透過孔、6は前記上板2の電極
、7,8は前記下板3の電極、9,10は透明電極から
なる主電極である。
ここで、上板2の上および下板3の下には偏光板が各々
必要であるが、ここでは図が繁雑になるため省略しであ
る。これらの上板2とスペーサ4と下板3とを互いに密
着し、スペーサ4により生じた上板2と下板3との間に
液晶を入れたものが基本セル1である。なお、B、C,
Dは電極6゜7.8の端子(同時に端子電圧)を示すも
のとする。
必要であるが、ここでは図が繁雑になるため省略しであ
る。これらの上板2とスペーサ4と下板3とを互いに密
着し、スペーサ4により生じた上板2と下板3との間に
液晶を入れたものが基本セル1である。なお、B、C,
Dは電極6゜7.8の端子(同時に端子電圧)を示すも
のとする。
次に、この基本セル1の基本動作を説明する。
第1図の下板3上の電極7,8の内側の境を各々aとb
とする。また、電極7に信号電圧を入力し、電極8およ
び上板2の電極6を接地する。
とする。また、電極7に信号電圧を入力し、電極8およ
び上板2の電極6を接地する。
第2図は信号電圧を第1図の電極7に印加した時の光透
過率と、第1図のaとbの位置の関係を信号電圧をパラ
メータとして示したものである。
過率と、第1図のaとbの位置の関係を信号電圧をパラ
メータとして示したものである。
この時、信号電圧は交流信号で変調すると液晶の劣化が
少な(なり好ましい。
少な(なり好ましい。
また、基本セル1の上、下に設置する偏光板は、偏光面
が直交するように置いた状態の場合を示しである。この
偏光板の偏光面を平行すると、光透過率は上下が逆転す
る。また、液晶としてツィステッドネマチックモードの
液晶(以下TN液晶という)を使用した時の例が原理説
明として判り易いため、これを使用する。
が直交するように置いた状態の場合を示しである。この
偏光板の偏光面を平行すると、光透過率は上下が逆転す
る。また、液晶としてツィステッドネマチックモードの
液晶(以下TN液晶という)を使用した時の例が原理説
明として判り易いため、これを使用する。
2vをIE電極に印加した場合は位置aの近傍の光透過
率が一部低下し、5vではa点近傍の光はほとんど透過
しなくなる。また、8V、IOVと太き(なるに従い光
非透過部はb点の方向に移動し、光透過部の面積が減少
する。この現象は、電極7に信号電圧を印加すると接地
された電極8の方向に電流が流れ、かつ主電極10が抵
抗体として働(ため、主電極10には位置aから位置す
にほぼ直線的に降下する電圧分布が形成される。
率が一部低下し、5vではa点近傍の光はほとんど透過
しなくなる。また、8V、IOVと太き(なるに従い光
非透過部はb点の方向に移動し、光透過部の面積が減少
する。この現象は、電極7に信号電圧を印加すると接地
された電極8の方向に電流が流れ、かつ主電極10が抵
抗体として働(ため、主電極10には位置aから位置す
にほぼ直線的に降下する電圧分布が形成される。
方、液晶には下板3の主電極′10に分布して形成され
た電圧と、上板2の接地された主電極9の電圧差分の電
圧が印加される。一方、液晶は2v程度の電圧で液晶の
配向が変わり、光透過率が一部変化する。このため信号
電圧が高くなって、2v以上の電圧が液晶に加わる位置
がb点側に広がることにより光透過部が少なくなる。
た電圧と、上板2の接地された主電極9の電圧差分の電
圧が印加される。一方、液晶は2v程度の電圧で液晶の
配向が変わり、光透過率が一部変化する。このため信号
電圧が高くなって、2v以上の電圧が液晶に加わる位置
がb点側に広がることにより光透過部が少なくなる。
第3図は具体的に光を透過するセルの光透過窓の状態変
化を図示したものである。この状態を絞ゆ動作(光透過
状態と光非透過状態とが分布する状態)と呼ぶ。図中の
(i)〜(1v)は電極6の電圧V−がOVであり、(
v)(F)ミはV@=10Vとしたものである。電極7
に印加する信号電圧Vcが(i)のOVの時は光透過窓
全体が光透過状態であり(以下この部分を光透過部41
とする)、(ii)のvc−2,5Vではa点の近傍は
光透過がほとんどない部分(以下この部分を光非透過部
42とする)ができ、その右には液晶の配向が徐々に変
化して光透過が徐々に上昇する部分(以下この部分を遷
移部43とする)があり、その右には光透過部41があ
る。(iii)のVc=4Vとすると光非透過部42が
拡がす、遷移部43が少し挟まりつつ右に移動し、光透
過部41が減少する。この傾向は、(iv)のVc=7
Vでさらに顕著になった。
化を図示したものである。この状態を絞ゆ動作(光透過
状態と光非透過状態とが分布する状態)と呼ぶ。図中の
(i)〜(1v)は電極6の電圧V−がOVであり、(
v)(F)ミはV@=10Vとしたものである。電極7
に印加する信号電圧Vcが(i)のOVの時は光透過窓
全体が光透過状態であり(以下この部分を光透過部41
とする)、(ii)のvc−2,5Vではa点の近傍は
光透過がほとんどない部分(以下この部分を光非透過部
42とする)ができ、その右には液晶の配向が徐々に変
化して光透過が徐々に上昇する部分(以下この部分を遷
移部43とする)があり、その右には光透過部41があ
る。(iii)のVc=4Vとすると光非透過部42が
拡がす、遷移部43が少し挟まりつつ右に移動し、光透
過部41が減少する。この傾向は、(iv)のVc=7
Vでさらに顕著になった。
また、(v)のVc = 10 V、 V會= 10
Vでは光は全く透過しない。
Vでは光は全く透過しない。
第4図は別の条件で駆動した場合を示すもので、判り易
く図示するために第1図の構造の基本セル1の下板3を
90°回転させて(実際には第1図のように電極6,7
.8は配置されている)示した断面図と外部回路図であ
る。また、電源11と12には直流電源を用い、下板3
上の電極7と8に接続しである。この電源11と12は
次の第5図の説明の都合で直流としたものであるが、交
流に変えても同じ作用がある。また、接地の位置は第5
図の説明を判り易くするために決めたものである。
く図示するために第1図の構造の基本セル1の下板3を
90°回転させて(実際には第1図のように電極6,7
.8は配置されている)示した断面図と外部回路図であ
る。また、電源11と12には直流電源を用い、下板3
上の電極7と8に接続しである。この電源11と12は
次の第5図の説明の都合で直流としたものであるが、交
流に変えても同じ作用がある。また、接地の位置は第5
図の説明を判り易くするために決めたものである。
第5図は、第4図の主電極10上の位置と、各々の位置
における電極7と8の電圧差を示す図である。
における電極7と8の電圧差を示す図である。
図中の実線(i)と(11)は、電源11と12により
電圧を印加した場合の主電極10の電圧分布であり、実
線(11)は電源12の出力がOVの場合である。一方
、破線は液晶が透過状態から遷移状態を経て光非透過状
態に移るしきい値電圧であり、点線は遷移状態と光非透
過状態の境であり、両極性にそれぞれ存在する。ここで
、実1JL(i)と(ii)が破線と交差する部分より
電極8側は光透過部41を形成し、それより電極7側は
遷移部43を経て光非透過部42になる。ただし、第5
図には実線(i)が形成する光透過分布のみを矢印で示
す範囲で示した。この場合の実際に形成される光透過部
41の分布は、第3図の(1v)に類似している。
電圧を印加した場合の主電極10の電圧分布であり、実
線(11)は電源12の出力がOVの場合である。一方
、破線は液晶が透過状態から遷移状態を経て光非透過状
態に移るしきい値電圧であり、点線は遷移状態と光非透
過状態の境であり、両極性にそれぞれ存在する。ここで
、実1JL(i)と(ii)が破線と交差する部分より
電極8側は光透過部41を形成し、それより電極7側は
遷移部43を経て光非透過部42になる。ただし、第5
図には実線(i)が形成する光透過分布のみを矢印で示
す範囲で示した。この場合の実際に形成される光透過部
41の分布は、第3図の(1v)に類似している。
この実線(i)と(11)の違いは、電源11の電圧が
同し場合であっても電源12で電圧を印加した場合と0
■の場合では、点線で示したしきい値電圧を横切る位置
が異なり、光透過部41の範囲が実線(i)の方が狭く
なる。この時、主電極1oが消費する電力は実線(i)
の方が実!(ii)より少なくなる特徴がある。しかし
、欠点としては、実線(i)は破線と点線を横切る範囲
が増加し、遷移部43の領域が増加することである。こ
れらの動作は両極性の交流電圧を用いても同様の結果に
なる。
同し場合であっても電源12で電圧を印加した場合と0
■の場合では、点線で示したしきい値電圧を横切る位置
が異なり、光透過部41の範囲が実線(i)の方が狭く
なる。この時、主電極1oが消費する電力は実線(i)
の方が実!(ii)より少なくなる特徴がある。しかし
、欠点としては、実線(i)は破線と点線を横切る範囲
が増加し、遷移部43の領域が増加することである。こ
れらの動作は両極性の交流電圧を用いても同様の結果に
なる。
以上がこの発明の基本動作であるが、TNi晶を用いた
この方法は、旋光状態から非旋光状態に変わる速度が0
.1〜10ミリ秒程度の高速になるが、逆に非旋光状態
から旋光状態に変わる速度はそれの1〜2桁程度遅い低
速である。このため、後述する光プリンタ用の光スィッ
チとして使用するには動作が遅い欠点がある。これに対
し駆動電源の交流の周波数が低い場合は正の誘電異方性
を示し、周波数が高い場合は負の誘電異方性を示す液晶
を用いて周波数を変えることにより高速動作が可能にな
る。
この方法は、旋光状態から非旋光状態に変わる速度が0
.1〜10ミリ秒程度の高速になるが、逆に非旋光状態
から旋光状態に変わる速度はそれの1〜2桁程度遅い低
速である。このため、後述する光プリンタ用の光スィッ
チとして使用するには動作が遅い欠点がある。これに対
し駆動電源の交流の周波数が低い場合は正の誘電異方性
を示し、周波数が高い場合は負の誘電異方性を示す液晶
を用いて周波数を変えることにより高速動作が可能にな
る。
第6図は駆動周波数に対する誘電異方性を示す液晶の特
性例であl)、10KHz以下では正、それ以上では負
の誘電異方性を示している。この境になる点を以後変化
点と呼ぶことにする。
性例であl)、10KHz以下では正、それ以上では負
の誘電異方性を示している。この境になる点を以後変化
点と呼ぶことにする。
次に、これを使用したセルを駆動するこの発明の駆動方
法を説明する。
法を説明する。
変化点以下の低周波の電圧印加では正の誘電異方性を示
し、液晶はホメ第1・ロピックの配列となり、光非透過
状態となる。
し、液晶はホメ第1・ロピックの配列となり、光非透過
状態となる。
一方、変化点以上の高周波の電圧印加では負の誘電異方
性を示し、液晶はホモジニアス配列となり、光透過状態
となる。これを利用すると光非透過状態と光透過状態に
交互に変わる速度を高速にすることが可能になる。
性を示し、液晶はホモジニアス配列となり、光透過状態
となる。これを利用すると光非透過状態と光透過状態に
交互に変わる速度を高速にすることが可能になる。
第6図の特性を持つ液晶として、例えば電界制御複屈折
効果を示すECB型セルを作製し、第7図の外部回路を
1史用した場合によって具体例を説明する。
効果を示すECB型セルを作製し、第7図の外部回路を
1史用した場合によって具体例を説明する。
ここで示したセルは、第4図と同じ条件のセルであるが
、各々電極6,7,8には電源13,14.15が接続
しである。
、各々電極6,7,8には電源13,14.15が接続
しである。
ここで、セルの上下に設置する偏光板は偏光面が直交す
るように置いた。電源13,14,15は低周波または
高周波の交番電圧を交互に出力でき、電源14と15は
交番電圧の位相が同じであるが、異なる実効電圧を出力
とする。
るように置いた。電源13,14,15は低周波または
高周波の交番電圧を交互に出力でき、電源14と15は
交番電圧の位相が同じであるが、異なる実効電圧を出力
とする。
次に実際の動作を説明する。
まず、第1ステツプとして電源14.15は接地状態と
し、電源13は低周波電圧を発生させ、セルを光非透過
状態とする。このとき、電源14と15が低周波を発生
し、電源13が接地状態であっても同様にセルは光非透
過状態となる。
し、電源13は低周波電圧を発生させ、セルを光非透過
状態とする。このとき、電源14と15が低周波を発生
し、電源13が接地状態であっても同様にセルは光非透
過状態となる。
次に、第2ステツプとしてi4源13は第1ステツプと
同じか別の低周波電圧とし、電源14を電源15の電圧
以上の高周波電圧とすると、第3図に示したのとは光透
過特性が逆であるが絞り動作がなされる。これは、第8
図の電圧の分布図に示すように、実線(II)で示した
低周波に対して位置aから位置すへ向って減少する高周
波電圧による破線(i)で示す勾配が形成される。この
時、低周波電圧が高周波電圧に比べて低い領域は光透過
部41となり、逆の領域では光非透過部42となり、絞
り動作がなされる。
同じか別の低周波電圧とし、電源14を電源15の電圧
以上の高周波電圧とすると、第3図に示したのとは光透
過特性が逆であるが絞り動作がなされる。これは、第8
図の電圧の分布図に示すように、実線(II)で示した
低周波に対して位置aから位置すへ向って減少する高周
波電圧による破線(i)で示す勾配が形成される。この
時、低周波電圧が高周波電圧に比べて低い領域は光透過
部41となり、逆の領域では光非透過部42となり、絞
り動作がなされる。
この方法の特徴は、電源13の低周波電圧を変えること
により第8図に示した破線(りが実線(11)と交わる
点が移動し、絞り動作の光透過部41の面積が任意に変
えることができることである。
により第8図に示した破線(りが実線(11)と交わる
点が移動し、絞り動作の光透過部41の面積が任意に変
えることができることである。
また、絞り動作と閉動作がともに0.1〜2ミリ秒程度
の高速動作になる特徴がある。この動作速度の幅は印加
電圧に依存しており、高周波と低周波の実効電圧の差が
大きいほど高速に動作する。このため、電極8の近傍が
最も動作速度が早く、第8図の破線(i)と破1ll(
ii)の交差点付近が最も動作が遅くなる。
の高速動作になる特徴がある。この動作速度の幅は印加
電圧に依存しており、高周波と低周波の実効電圧の差が
大きいほど高速に動作する。このため、電極8の近傍が
最も動作速度が早く、第8図の破線(i)と破1ll(
ii)の交差点付近が最も動作が遅くなる。
ここで、第8図の電圧分布図に示すように、低周波電圧
による実線(11)の電圧分布と高周波電圧による、例
えば位置aから位置すへ向って減少する電圧勾配(破線
(i))を形成したが、この低周波と高周波の関係を逆
転させ、実線(11)は高周波とし、電圧勾配は低周波
としても絞り動作がなされる。ここで、前者の方法を高
周波勾配法と呼ぶことにし、後者の方法を低周波勾配法
と呼び、両者を区別することにする。
による実線(11)の電圧分布と高周波電圧による、例
えば位置aから位置すへ向って減少する電圧勾配(破線
(i))を形成したが、この低周波と高周波の関係を逆
転させ、実線(11)は高周波とし、電圧勾配は低周波
としても絞り動作がなされる。ここで、前者の方法を高
周波勾配法と呼ぶことにし、後者の方法を低周波勾配法
と呼び、両者を区別することにする。
次に、第3ステツプとして、第1ステツプと同じ条件の
電圧を印加するとセルは急速に光非透過状態に戻る。
電圧を印加するとセルは急速に光非透過状態に戻る。
このようにして、絞り動作を任意のタイミングに任意の
面積の光透過部41を持つ絞り動作を高速に起こすこと
が可能である。
面積の光透過部41を持つ絞り動作を高速に起こすこと
が可能である。
以下、液晶セルアレイを用いて、この発明の液晶セルア
レイの駆動方法の一実施例を説明する。
レイの駆動方法の一実施例を説明する。
第9図(a)、(b)はこの発明の液晶セルアレイの一
実施例を示す部分平面図で、これまでの基本セル1を複
数の光透過窓を持つ液晶セルアレイを構成するための上
板2と下板3の配線6と主電極9.10の構成を示した
図であり、これを用いて第1図と同様に液晶セルを形成
し、液晶セルアレイとする。なお、以下の説明では個別
に示す必要があるときは各符号のアルファベットによる
添字を付は位置を区別する。
実施例を示す部分平面図で、これまでの基本セル1を複
数の光透過窓を持つ液晶セルアレイを構成するための上
板2と下板3の配線6と主電極9.10の構成を示した
図であり、これを用いて第1図と同様に液晶セルを形成
し、液晶セルアレイとする。なお、以下の説明では個別
に示す必要があるときは各符号のアルファベットによる
添字を付は位置を区別する。
ところで、これまで説明したように(第1図)、このセ
ルの下板3は主電′極1oの両側に電極7゜8を持ち、
かつ上板2が1つの電極6を持ち、合計3個の電極と3
個の駆Tlh回路が必要となる。このため、単純にこの
セルをアレイ状に並べるとセル1個に対し3個ずつの電
極と駆動回路が必要になり、配線密度の増加によるセル
の窓の配列密度の減少、および駆動回路の増大に伴う不
経済化が起こる。これに対し、第9図およびそれ以後に
示した液晶セルアレイの構成では、上板2の配線はセル
の数に等しく、同数の駆動回路で画像信号の駆動が可能
であるとともに、下板3は2本の配線と2個の駆動回路
のみで共通信号の制御ができるため、製造が容易化する
とともに駆動回路の経済化ができる特徴がある。
ルの下板3は主電′極1oの両側に電極7゜8を持ち、
かつ上板2が1つの電極6を持ち、合計3個の電極と3
個の駆Tlh回路が必要となる。このため、単純にこの
セルをアレイ状に並べるとセル1個に対し3個ずつの電
極と駆動回路が必要になり、配線密度の増加によるセル
の窓の配列密度の減少、および駆動回路の増大に伴う不
経済化が起こる。これに対し、第9図およびそれ以後に
示した液晶セルアレイの構成では、上板2の配線はセル
の数に等しく、同数の駆動回路で画像信号の駆動が可能
であるとともに、下板3は2本の配線と2個の駆動回路
のみで共通信号の制御ができるため、製造が容易化する
とともに駆動回路の経済化ができる特徴がある。
次に、第9図について詳しく説明する。
ここで、この図に示した下板3の10−a〜10−eに
示した主電極は、上板2の9−a〜9−eまでの主電極
と重なり、各々が光透過窓23−a〜23−e(図示は
省略、一般的には単に23を用いる)となるセルアレイ
を形成するものとして以後の説明をする。また、6−A
〜6−Eは前記主電極9−a〜9−eの配線を示す。
示した主電極は、上板2の9−a〜9−eまでの主電極
と重なり、各々が光透過窓23−a〜23−e(図示は
省略、一般的には単に23を用いる)となるセルアレイ
を形成するものとして以後の説明をする。また、6−A
〜6−Eは前記主電極9−a〜9−eの配線を示す。
次に、各光透過窓23を独立に駆動する駆動波形につい
て説明する。ここでは例として、第9図(alt (b
3の上板2と下板3で形成するセルアし・イのうち光透
過窓23−aから23−Cを独立に駆動する方法を説明
する。
て説明する。ここでは例として、第9図(alt (b
3の上板2と下板3で形成するセルアし・イのうち光透
過窓23−aから23−Cを独立に駆動する方法を説明
する。
まず、高周波勾配型駆動法を説明する。
第10図のC1と02は、第9図(b)の下板3の各々
の配線7,8に入力する共通信号用の電圧波形であり、
第10図のり、、D、、D3は、第9図(a)C7)上
板2の各々の配置516−A、 6−B、 5−Cに入
力する画像信号用の波形の例であり、第10図のFは説
明のための範囲を示す図である。
の配線7,8に入力する共通信号用の電圧波形であり、
第10図のり、、D、、D3は、第9図(a)C7)上
板2の各々の配置516−A、 6−B、 5−Cに入
力する画像信号用の波形の例であり、第10図のFは説
明のための範囲を示す図である。
光透過窓23が閉じた状態のS、の範囲では、低周波の
電圧波形C1と02が同じ位相で入力している。一方、
電圧波形D1.D2.D、は電圧がOVである。
電圧波形C1と02が同じ位相で入力している。一方、
電圧波形D1.D2.D、は電圧がOVである。
次に、絞り動作をする■、で示す範囲で、光透過窓23
−aを絞り状態にする時、電圧波形C1は高電圧の高周
波の電圧とし、電圧波形C2は低電圧の高周波電圧印加
状態とする。さらに、電圧波形DtからD3は低周波の
必要な電圧を印加する。
−aを絞り状態にする時、電圧波形C1は高電圧の高周
波の電圧とし、電圧波形C2は低電圧の高周波電圧印加
状態とする。さらに、電圧波形DtからD3は低周波の
必要な電圧を印加する。
ここで、高周波は長方形の図形にX印を入れた部分で示
した。とれについては以後の説明においても同様とする
。
した。とれについては以後の説明においても同様とする
。
この11の範囲では高周波による電圧勾配が光透過窓2
3−aから23−Cに形成されるが、光透過窓23−c
に印加される電圧は全て高周波の電圧であるため、窓全
体が光透過状態となる。一方、低周波の電圧波形D1と
D2の電圧が印加されている光透過窓23−aと23−
bは均一に低周波が印加される中で高周波が電圧勾配を
生じているため、第8図のような電圧分布が形成され、
絞り動作状態となる。また、Dlの低周波の電圧波形は
D2のそれより高いため、Dlの光透過部41の面積は
D2より狭くなり、D、の低周波の電圧波形が高い場合
は窓は全て光不透過状態になる。
3−aから23−Cに形成されるが、光透過窓23−c
に印加される電圧は全て高周波の電圧であるため、窓全
体が光透過状態となる。一方、低周波の電圧波形D1と
D2の電圧が印加されている光透過窓23−aと23−
bは均一に低周波が印加される中で高周波が電圧勾配を
生じているため、第8図のような電圧分布が形成され、
絞り動作状態となる。また、Dlの低周波の電圧波形は
D2のそれより高いため、Dlの光透過部41の面積は
D2より狭くなり、D、の低周波の電圧波形が高い場合
は窓は全て光不透過状態になる。
次に、光透過窓23が絞り動作から閉じるS。
の範囲では、Slと同じ状態になるため、高速に光非透
過状態になる。この場合も絞り状態と光非透過状態の切
換えが高速である。
過状態になる。この場合も絞り状態と光非透過状態の切
換えが高速である。
次に、低周波勾配型駆動法を説明する。
第11図のC1と02は、第9図(b)の下板3の各々
の配線7,8に入力する共通信号用の電圧波形であり、
第11図のり、、 2.D、は、第9図(alの上板
2の各々の配線6−人、 6−B、 6−Cに入力する
画像信号用の波形の例であり、第11図のFは説明のた
めの範囲を示す図である。
の配線7,8に入力する共通信号用の電圧波形であり、
第11図のり、、 2.D、は、第9図(alの上板
2の各々の配線6−人、 6−B、 6−Cに入力する
画像信号用の波形の例であり、第11図のFは説明のた
めの範囲を示す図である。
光透過窓23が閉じた状態の81の範囲では、低周波の
電圧波形C1と02が同じ位相で、かつ同じ波高で入力
している。一方、電圧波形D!。
電圧波形C1と02が同じ位相で、かつ同じ波高で入力
している。一方、電圧波形D!。
D2.D3は電圧がOvである。
次に、絞り動作をする■1で示す範囲で、光透過窓23
−aを絞り状態にする時、電圧波形CIは高電圧の低周
波の電圧とし、電圧波形C2は低電圧の低周波電圧印加
状態とする。さらに、電圧波形D0からD3は高周波の
必要な電圧を印加する。
−aを絞り状態にする時、電圧波形CIは高電圧の低周
波の電圧とし、電圧波形C2は低電圧の低周波電圧印加
状態とする。さらに、電圧波形D0からD3は高周波の
必要な電圧を印加する。
この11の範囲では低周波による電圧勾配が光透過窓2
3−aから23−Cに形成されるが、光透過窓23−C
に印加される電圧は全て低周波の電圧であるため窓全体
が光非透過状態となる。しかし、低周波電圧波形D□と
D2の電圧が印加されている光透過窓23−aと23−
bは均一に高周波が印加される中で低周波が電圧勾配を
生じているため、絞り動作状態となる。また、D、の高
周波電圧はD3のそれより高いため、D8の光透過部の
面積はD2より広くなり、充分にDlの高周波電圧が高
い場合は窓は全て光透過状態になる。
3−aから23−Cに形成されるが、光透過窓23−C
に印加される電圧は全て低周波の電圧であるため窓全体
が光非透過状態となる。しかし、低周波電圧波形D□と
D2の電圧が印加されている光透過窓23−aと23−
bは均一に高周波が印加される中で低周波が電圧勾配を
生じているため、絞り動作状態となる。また、D、の高
周波電圧はD3のそれより高いため、D8の光透過部の
面積はD2より広くなり、充分にDlの高周波電圧が高
い場合は窓は全て光透過状態になる。
次に、光透過窓23が絞り動作から閉じるS2の範囲で
は、Slと同じ状態になるため、高速に光非透過状態に
なる。この場合も絞り状態と光非透過状態の切換えが高
速である。
は、Slと同じ状態になるため、高速に光非透過状態に
なる。この場合も絞り状態と光非透過状態の切換えが高
速である。
しかし、これらの第10図と第11図の駆動波形を用い
て窓全体を光透過状態とすると、高周波電圧と低周波電
圧の差が大きい所では光透過状態になる速度が速く、そ
の差が小さいところでは光透過状態になる速度が遅いた
め、感光体の露光は前者のが後者に比べて光量が多(な
り、窓全体が均一な露光にならないことが判った。この
ため第10図の波形では電圧波形C1を印加した電極7
側が明るく、電圧波形C2を印加した電極8側が多少暗
い画像が形成された。また、第11図の波形では、第1
0図とは逆に電圧波形C1を印加した側が電圧C2を印
加した側より暗く画像が形成された。これは文字などの
白と黒で形成されている画面を記録する場合、文字の細
りゃ白地のカブリなどの問題を生じるため、このまま使
用すると、品質の悪い画像が形成される。
て窓全体を光透過状態とすると、高周波電圧と低周波電
圧の差が大きい所では光透過状態になる速度が速く、そ
の差が小さいところでは光透過状態になる速度が遅いた
め、感光体の露光は前者のが後者に比べて光量が多(な
り、窓全体が均一な露光にならないことが判った。この
ため第10図の波形では電圧波形C1を印加した電極7
側が明るく、電圧波形C2を印加した電極8側が多少暗
い画像が形成された。また、第11図の波形では、第1
0図とは逆に電圧波形C1を印加した側が電圧C2を印
加した側より暗く画像が形成された。これは文字などの
白と黒で形成されている画面を記録する場合、文字の細
りゃ白地のカブリなどの問題を生じるため、このまま使
用すると、品質の悪い画像が形成される。
この問題を解決するため、窓全体を光透過状態にする場
合に露光量が全体で均一になる駆動波形を次に説明する
。まず、この原理の概略を説明する。
合に露光量が全体で均一になる駆動波形を次に説明する
。まず、この原理の概略を説明する。
第12図の(1)、(21と第13図の(11,(2)
は第8図と同様な各々、高周波勾配型と低周波勾配型の
期間■における電圧分布図である。
は第8図と同様な各々、高周波勾配型と低周波勾配型の
期間■における電圧分布図である。
第12図の(2)は高周波勾配型の窓全体を光透過状態
とするときの電圧分布であり、破線−)で示した高周波
の勾配と、接地電圧とした低周波(1りにより、a側で
は光透過状態に立上がる速度が早く、b側では光透過状
態になる速度が遅い。これを改善するため、第12図の
(1)の補償用の状態をまず形成し、次に(2)の状態
とする駆動波形とした。
とするときの電圧分布であり、破線−)で示した高周波
の勾配と、接地電圧とした低周波(1りにより、a側で
は光透過状態に立上がる速度が早く、b側では光透過状
態になる速度が遅い。これを改善するため、第12図の
(1)の補償用の状態をまず形成し、次に(2)の状態
とする駆動波形とした。
乙の方法を用いると(1)の状態ではb側がa側に比べ
て電圧が高いため、期間Sの光非透過状態から光透過状
態への立上がり速度がb側はど速くなる。
て電圧が高いため、期間Sの光非透過状態から光透過状
態への立上がり速度がb側はど速くなる。
これにつづき、(2)の状態にすると、a側がb側に比
べて電圧が高いため、この期間ではa側の立上がりが速
くなる。しかし、b側は(1)の状態より先行して立上
がっているため、+11と(2)の状態の印加電圧と時
間を調節することにより、a側とb側の感光体の露光量
がほぼ等しくなり、均一なN光がされた画素が形成でき
る。
べて電圧が高いため、この期間ではa側の立上がりが速
くなる。しかし、b側は(1)の状態より先行して立上
がっているため、+11と(2)の状態の印加電圧と時
間を調節することにより、a側とb側の感光体の露光量
がほぼ等しくなり、均一なN光がされた画素が形成でき
る。
一方、第13図の(2)は低周波勾配型の窓全体を光透
過状態とするときの電圧分布であり、実線(11)で示
した低周波の勾配と、それより高い電圧の破線(11)
で示した高周波−)によりb側では光透過状態に立上が
る速度が速く、a側では光透過状態になる速度が遅くな
る。これを改善するため、第12図と同様に第13図の
(1)の状態をまず形成し、次に(2)の状態とする駆
動波形とした。この方法では、(1)の状態ではb側が
a側に比べて高周波と低周波の電圧差が大きいため、期
rIR8の光非透過状態から光透過状態への立上がり速
度がa側はど早くなる。これにつづき、(2)の状態に
するとa側がb側に比べて電圧差が小さいため、この期
間ではb側の立上がりが早くなる。これにより第12図
での説明と同様に、a側は(1)の状態により先行して
立上がっているため、(1)と(2)の状態の印加電圧
と時間を調節することによりa側とb側の感光体の露光
量がほぼ等しくなり、均一な露光がされた画素が形成で
きる。
過状態とするときの電圧分布であり、実線(11)で示
した低周波の勾配と、それより高い電圧の破線(11)
で示した高周波−)によりb側では光透過状態に立上が
る速度が速く、a側では光透過状態になる速度が遅くな
る。これを改善するため、第12図と同様に第13図の
(1)の状態をまず形成し、次に(2)の状態とする駆
動波形とした。この方法では、(1)の状態ではb側が
a側に比べて高周波と低周波の電圧差が大きいため、期
rIR8の光非透過状態から光透過状態への立上がり速
度がa側はど早くなる。これにつづき、(2)の状態に
するとa側がb側に比べて電圧差が小さいため、この期
間ではb側の立上がりが早くなる。これにより第12図
での説明と同様に、a側は(1)の状態により先行して
立上がっているため、(1)と(2)の状態の印加電圧
と時間を調節することによりa側とb側の感光体の露光
量がほぼ等しくなり、均一な露光がされた画素が形成で
きる。
これらの駆動条件とこれまでに説明した絞り動作を両立
させる駆動波形を、第14図から第17図を用いて次に
説明する。
させる駆動波形を、第14図から第17図を用いて次に
説明する。
第14図は高周波勾配型駆動法の波形である。
第14図の01と02は第9図(b)の下板3の各々の
配線7,8に入力する共通信号用の電圧波形であり、第
14図のり、、C2,C3は、第9図(a)の上板2の
各々の配置1[6−A、 8−B、 6−Cニ入力する
画像信号用の波形の例であり、第14図のFは説明のた
めの範囲を示す図である。
配線7,8に入力する共通信号用の電圧波形であり、第
14図のり、、C2,C3は、第9図(a)の上板2の
各々の配置1[6−A、 8−B、 6−Cニ入力する
画像信号用の波形の例であり、第14図のFは説明のた
めの範囲を示す図である。
ここで、低周波と高周波は各々長方形の図形にOvの基
準電圧を点線で入れた場合と、X印を入れた図形で区別
した。
準電圧を点線で入れた場合と、X印を入れた図形で区別
した。
光透過窓23が閉じた状態のS、の範囲では、低周波の
電圧波形り、、C2,Dlが同じ位相で入力している。
電圧波形り、、C2,Dlが同じ位相で入力している。
一方、電圧波形C,C2ば電圧がOvである。
次に、窓全体を均一に光透過状態とするための第12図
の(1)に対応する電圧分布を形成する補償用信号を押
入する期間をP、として示した。この場合は、電圧波形
C1はOvであり、C2は低い高周波を印加した状態で
ある。このとき、C2は窓全体を光透過状態とする信号
であり、Ovである。この波形により第12図の(1)
の状態が形成される。一方、DlとC3は各々絞り状態
と光非透過状態を形成する信号であり、期間S1と同じ
低周波が印加されている。この状態では窓は光非透過状
態を継続する。次に期間11では、C0はC2より高い
高周波電圧となり、第12図の(2)の高周波電圧勾配
を形成する。
の(1)に対応する電圧分布を形成する補償用信号を押
入する期間をP、として示した。この場合は、電圧波形
C1はOvであり、C2は低い高周波を印加した状態で
ある。このとき、C2は窓全体を光透過状態とする信号
であり、Ovである。この波形により第12図の(1)
の状態が形成される。一方、DlとC3は各々絞り状態
と光非透過状態を形成する信号であり、期間S1と同じ
低周波が印加されている。この状態では窓は光非透過状
態を継続する。次に期間11では、C0はC2より高い
高周波電圧となり、第12図の(2)の高周波電圧勾配
を形成する。
ここで、Dlは第8図に示す電圧分布図となり、絞り状
態となる。C2は第12図の(2)の状態となり、窓全
体が均一な光透過状態になる。またC3は光非透過状態
を持続する。ここで、第12図の(1)と(2)ではb
側の電圧が異なった状態になっているが、第14図では
C2信号を同じ電圧で示した。
態となる。C2は第12図の(2)の状態となり、窓全
体が均一な光透過状態になる。またC3は光非透過状態
を持続する。ここで、第12図の(1)と(2)ではb
側の電圧が異なった状態になっているが、第14図では
C2信号を同じ電圧で示した。
この差は駆動の都合により同じ電圧であっても異なって
いてもかまわない。
いてもかまわない。
以上説明した波形を繰り返すことにより、高周波勾配型
駆動方法により絞り動作と均一な露光量の光透過状態と
光非透過状態が形成できる。
駆動方法により絞り動作と均一な露光量の光透過状態と
光非透過状態が形成できる。
第15図は、期間S!における低周波電圧をclとC2
に印加してDt 、Dl 、Ds倍信号単純化した波形
である。この波形により液晶に印加される電圧は第14
図と全く同じになる。
に印加してDt 、Dl 、Ds倍信号単純化した波形
である。この波形により液晶に印加される電圧は第14
図と全く同じになる。
第16図は低周波勾配型駆動法の波形であり、Ci 、
Ct 、Dt p C2、C3の電圧波形を印加する電
極は、第14図と同じである。
Ct 、Dt p C2、C3の電圧波形を印加する電
極は、第14図と同じである。
光透過窓23が閉じた状態のS、の範囲では、低周波の
電圧波形C8とC2が同じ位相で入力している。一方、
電圧波形り0.C2,C3は電圧がOVである。
電圧波形C8とC2が同じ位相で入力している。一方、
電圧波形り0.C2,C3は電圧がOVである。
次に、窓全体を均一に光透過状態とするための第13図
の(1)に対応する電圧分布を形成する信号を期間P□
に示した。乙の場合は、電圧波形C8は電圧波形C2に
比べて低い電圧の低周波であり、C2は期間S8より低
い電圧の低周波を印加した状態である。このとき、C2
は窓全体を光透過状態をとする信号であり、高い電圧の
高周波である。
の(1)に対応する電圧分布を形成する信号を期間P□
に示した。乙の場合は、電圧波形C8は電圧波形C2に
比べて低い電圧の低周波であり、C2は期間S8より低
い電圧の低周波を印加した状態である。このとき、C2
は窓全体を光透過状態をとする信号であり、高い電圧の
高周波である。
この波形により第13図の(1)の状態が形成される。
一方、Dlとり、は各々絞り状態と光非透過状態を形成
する信号であり、期間SRと同じ<OVである。この状
態では、窓は光非透過状態を継続する。次に期間■、で
は、C8はC2より高い低周波電圧となり、C2により
第13図の(2)の高周波電圧勾配を形成する。
する信号であり、期間SRと同じ<OVである。この状
態では、窓は光非透過状態を継続する。次に期間■、で
は、C8はC2より高い低周波電圧となり、C2により
第13図の(2)の高周波電圧勾配を形成する。
また、Dlは低周波勾配型の絞り状態となり、D、は光
非透過状態を持続する。
非透過状態を持続する。
以上説明した波形を繰り返すことにより、低周波勾配型
wA動方法により均一な露光量の光透過状態と絞り動作
と光非透過状態が形成できる。
wA動方法により均一な露光量の光透過状態と絞り動作
と光非透過状態が形成できる。
第17図では期間Sに印加する低周波電圧を第16図の
C□ C2からり、、D、、D、に移した波形であり、
液晶に印加される電圧は第16図と同じであり、効果も
同じである。
C□ C2からり、、D、、D、に移した波形であり、
液晶に印加される電圧は第16図と同じであり、効果も
同じである。
これまでの説明では、絞り動作の大きさの制御は、電圧
波形の波高の制御によっていた。これに対し、電圧は一
定とし、高周波のパルス幅(デユーティ)を変えること
により絞り動作の大きさが変えられる。このためこの方
法は、パルス幅制御を用いてもこれまでに説明した方法
に適用可能である。
波形の波高の制御によっていた。これに対し、電圧は一
定とし、高周波のパルス幅(デユーティ)を変えること
により絞り動作の大きさが変えられる。このためこの方
法は、パルス幅制御を用いてもこれまでに説明した方法
に適用可能である。
このように、実質的な電圧印加時間を制御して絞り動作
部の面積を変える方法は、一定の電圧を(資)用してデ
ィジタル回路により制御が容易であるため、電圧制御に
よる絞り状態部の面積を変える方法に比べ、駆動回路が
容易になる利点がある。
部の面積を変える方法は、一定の電圧を(資)用してデ
ィジタル回路により制御が容易であるため、電圧制御に
よる絞り状態部の面積を変える方法に比べ、駆動回路が
容易になる利点がある。
また、これまでは両極性の信号を用いて絞り動作を制御
する方法を説明したが、片極性を用いた絞り動作の制御
も可能である。
する方法を説明したが、片極性を用いた絞り動作の制御
も可能である。
次に、このセルの応用例について説明する。
第18図はこれまでに説明した液晶セルアレイを用いて
、光プリンタ用の光スィッチとし応用した構成図である
。
、光プリンタ用の光スィッチとし応用した構成図である
。
光源25を出た光はレンズ26により集光され、偏光板
27を通って露光用光スイツチアレイ22に達する。こ
こで光は、光透過窓23の光偏光分布に従い偏光される
。露光用光スイツチアレイ22を通った光は、基板24
に設けた穴28と偏光板29を通過し、偏光面が合って
いる光のみが偏光板29を通過する。この光は、自己集
束性ファイバ30により感光体31に集光される。
27を通って露光用光スイツチアレイ22に達する。こ
こで光は、光透過窓23の光偏光分布に従い偏光される
。露光用光スイツチアレイ22を通った光は、基板24
に設けた穴28と偏光板29を通過し、偏光面が合って
いる光のみが偏光板29を通過する。この光は、自己集
束性ファイバ30により感光体31に集光される。
この発明のセルを用いた露光用光スイツチアレイ22を
用いると、1画素内の光分布を制御した光が感光体31
上に形成され、印刷における網点印刷のように面積変調
をした画像が得られろ。ここで、感光体31としては、
銀塩写真、電子写真2ジアゾ写真などがあげられる。ま
た、これまでの説明では光透過型液晶セルのみについて
述べたが、反射型液晶セルについても同様である。
用いると、1画素内の光分布を制御した光が感光体31
上に形成され、印刷における網点印刷のように面積変調
をした画像が得られろ。ここで、感光体31としては、
銀塩写真、電子写真2ジアゾ写真などがあげられる。ま
た、これまでの説明では光透過型液晶セルのみについて
述べたが、反射型液晶セルについても同様である。
次に具体例について説明する。
〔具体例1〕
第9図の構成のセルアレイを次のように作成した。主電
極9は表面抵抗が50Ωの酸化インジュウム膜とし、主
電極10は表面抵抗が100にΩの酸化スズ膜とし、配
!s7,8はニッケル無電解メツキにより形成した。ま
た、各々の窓は250μ請角の大きさとした。上板2と
下板3間は6Bのポリエステル製のスペーサ4を用い、
このスペーサ4により形成された空隙に2周波駆動用の
液晶を入れて液晶セルアレイとした。また、偏光板は、
上板2の上と下板3の下の2個所に入れ、上から順に偏
光面が直交するようにした。各配@7.8には独立した
駆動回路を接続した。
極9は表面抵抗が50Ωの酸化インジュウム膜とし、主
電極10は表面抵抗が100にΩの酸化スズ膜とし、配
!s7,8はニッケル無電解メツキにより形成した。ま
た、各々の窓は250μ請角の大きさとした。上板2と
下板3間は6Bのポリエステル製のスペーサ4を用い、
このスペーサ4により形成された空隙に2周波駆動用の
液晶を入れて液晶セルアレイとした。また、偏光板は、
上板2の上と下板3の下の2個所に入れ、上から順に偏
光面が直交するようにした。各配@7.8には独立した
駆動回路を接続した。
駆動波形としては第14図の波形を印加し、各配線6に
印加するそれぞれの波形りを信号に従い制御しな。第1
4図の01と02とDの波形の周波数は次の条件とした
。
印加するそれぞれの波形りを信号に従い制御しな。第1
4図の01と02とDの波形の周波数は次の条件とした
。
C1と02の波形に用いた低周波の周波数は1.3KH
zとし、高周波の周波数は150KHzとし、低周波の
波高は±30Vとし、高周波の波高はC□7が±30V
、C2が±15Vとした。
zとし、高周波の周波数は150KHzとし、低周波の
波高は±30Vとし、高周波の波高はC□7が±30V
、C2が±15Vとした。
乙の結果、各光透過窓23が任意の大きさで絞り動作を
するとともに、均一な露光の光透過状態が形成できた。
するとともに、均一な露光の光透過状態が形成できた。
〔具体例2〕
具体例1と同じセルを用いた。
駆動波形としては第16図の波形を印加し、各配線6に
印加するそれぞれの波形りを信号に従い制御した。第1
6図のC工と02とDの波形の周波数は次の条件とした
。
印加するそれぞれの波形りを信号に従い制御した。第1
6図のC工と02とDの波形の周波数は次の条件とした
。
C1と02の波形に用いた低周波の周波数は1.5KH
zとし、低周波の波高は期間Sでは±30vとし、期間
p−c’はC,を+15V、C,を+25Vとし、期間
IではC1を±25V、C2を±IOVとした。
zとし、低周波の波高は期間Sでは±30vとし、期間
p−c’はC,を+15V、C,を+25Vとし、期間
IではC1を±25V、C2を±IOVとした。
また、第16図のり、とD2とD3の高周波の周波数は
150KHzで、波高はO■〜±30Vとして光透過窓
23を制御した。
150KHzで、波高はO■〜±30Vとして光透過窓
23を制御した。
この結果、各光透過窓23が任意の大きさで絞り動作を
するとともに、均一な露光の光透過状態が形成できた。
するとともに、均一な露光の光透過状態が形成できた。
以上説明したように、この発明の液晶セルアL・イの駆
動方法によると、液晶セルアレイを構成する配線数が従
来形に絞り動作セルアレイの約半分に減少させることが
可能になり、配線密度の減少によるセルアレイの配線密
度の向上が容易になるとともに、各窓の駆動回路も約半
分に減少する利点がある。
動方法によると、液晶セルアレイを構成する配線数が従
来形に絞り動作セルアレイの約半分に減少させることが
可能になり、配線密度の減少によるセルアレイの配線密
度の向上が容易になるとともに、各窓の駆動回路も約半
分に減少する利点がある。
また、この発明の駆動方法を用いることにより、液晶セ
ルの窓の絞り動作状態の光透過分布を形成することが可
能になる。
ルの窓の絞り動作状態の光透過分布を形成することが可
能になる。
また、液晶セルの窓を光透過状態とした時に生じる光量
の不均一性を均一化することが可能になる。
の不均一性を均一化することが可能になる。
第1図はこの発明の液晶用の基本セルの分解状態を示す
斜視図、第2図は基本セルにおける電圧と光透過率との
関係を示す図、第3図は印加電圧と光を透過する光透過
窓の状態を示す図、第4図はこの発明の一実施例を説明
するためのセルの断面図と駆動回路を示す図、第5図、
第8図、第12図、第13図は電圧分布図、第6図はこ
の発明が使用する液晶の駆動周波数に対する誘電異方性
の関係を示す図、第7図はこの発明の他の実施例を説明
するための断面図と駆動回路を示す図、第9図はこの発
明の液晶セルアレイの実施例を示す上板と下板の構成図
、第10図、第11図、第14図、第15図、第16図
、第17図はこの発明のセルアレイを駆動するための波
形を示す図、第18図は同じく光プリンタの断面略図で
ある。 図中、1は基本セル、2は上板、3は下板、4はスペー
サ、6〜8は電極、9,10は主電極、11〜15は電
源、23は光透過窓、41は光透第1図 第2図 一位置 第3図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 13〜15 電源 第 図 第 図 ←SI−+−11→52−J、−Tz−H−−Sコーー
ーーーーー→第 図 第 図 す 第 図 第 図 シ+P1−)−11−1−52 +−+!2÷ −時間 第 図 S1±P1千■1+ +P2+12+ 第 図 S1+R+ 11+ 52 + P2÷r2+第 図 S1÷h÷11+52+←12+ 第 図
斜視図、第2図は基本セルにおける電圧と光透過率との
関係を示す図、第3図は印加電圧と光を透過する光透過
窓の状態を示す図、第4図はこの発明の一実施例を説明
するためのセルの断面図と駆動回路を示す図、第5図、
第8図、第12図、第13図は電圧分布図、第6図はこ
の発明が使用する液晶の駆動周波数に対する誘電異方性
の関係を示す図、第7図はこの発明の他の実施例を説明
するための断面図と駆動回路を示す図、第9図はこの発
明の液晶セルアレイの実施例を示す上板と下板の構成図
、第10図、第11図、第14図、第15図、第16図
、第17図はこの発明のセルアレイを駆動するための波
形を示す図、第18図は同じく光プリンタの断面略図で
ある。 図中、1は基本セル、2は上板、3は下板、4はスペー
サ、6〜8は電極、9,10は主電極、11〜15は電
源、23は光透過窓、41は光透第1図 第2図 一位置 第3図 第 図 第 図 第 図 第 図 第 図 13〜15 電源 第 図 第 図 ←SI−+−11→52−J、−Tz−H−−Sコーー
ーーーーー→第 図 第 図 す 第 図 第 図 シ+P1−)−11−1−52 +−+!2÷ −時間 第 図 S1±P1千■1+ +P2+12+ 第 図 S1+R+ 11+ 52 + P2÷r2+第 図 S1÷h÷11+52+←12+ 第 図
Claims (2)
- (1)透明電極の両側に2個の電極を持つ窓形成部を直
線状に複数個配列し、各々の前記窓形成部の前記2個の
電極の一方の電極を電気的に各々接続する配線と、前記
一方の電極の配線とは独立に他方の前記電極を電気的に
各々接続した配線を設けた一方の板と、前記配列した窓
形成部に対応した位置に形成する複数の透明電極からな
る窓形成部群と各々の前記窓形成部を互いに独立に駆動
可能にする配線群を設けた他方の板とを有し、これらの
板の間に誘電異方性が周波数により逆転する液晶を挾ん
だ液晶セルアレイにおいて、前記液晶セルアレイの全窓
を光非透過状態とする期間Sでは、前記一方の板の全て
の透明電極と前記他方の板の全ての透明電極の間に低周
波電圧を印加し、補償用信号を印加する期間Pでは前記
一方の板上の前記2本の配線の一方に印加する高周波電
圧を他方の配線に印加する高周波電圧より高くし、絞り
動作をする期間Iではその電圧の関係を逆転させた高周
波電圧を前記一方の板の2本の配線に印加することを特
徴とする液晶セルアレイの駆動方法。 - (2)透明電極の両側に2個の電極を持つ窓形成部を直
線状に複数個配列し、各々の前記窓形成部の前記2個の
電極の一方の電極を電気的に各々接続する配線と、前記
一方の電極の配線とは独立に他方の前記電極を電気的に
各々接続した配線を設けた一方の板と、前記配列した窓
形成部に対応した位置に形成する複数の透明電極からな
る窓形成部群と各々の前記窓形成部を互いに独立に駆動
可能にする配線群を設けた他方の板とを有し、これらの
板の間に誘電異方性が周波数により逆転する液晶を挾ん
だ液晶セルアレイにおいて、前記液晶セルアレイの全窓
を光非透過状態とする期間Sでは、前記一方の板の全て
の透明電極と前記他方の板の全ての透明電極の間に低周
波電圧を印加し、補償用信号を印加する期間Pでは前記
一方の板上の前記2本の配線の一方に印加する低周波電
圧を、他方の配線に印加する低周波電圧より高くし、絞
り動作をする期間Iではその電圧の関係を逆転させた低
周波電圧を前記一方の板の2本の配線に印加することを
特徴とする液晶セルアレイの駆動方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23357888A JPH0282218A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 液晶セルアレイの駆動方法 |
| US07/280,925 US4896945A (en) | 1987-12-14 | 1988-12-07 | Liquid crystal cell array and method for driving the same |
| EP88120565A EP0321797B1 (en) | 1987-12-14 | 1988-12-08 | Liquid crystal cell array and method for driving the same |
| DE3853271T DE3853271T2 (de) | 1987-12-14 | 1988-12-08 | Flüssigkristallzelle und deren Steuerungsverfahren. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23357888A JPH0282218A (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 液晶セルアレイの駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282218A true JPH0282218A (ja) | 1990-03-22 |
Family
ID=16957267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23357888A Pending JPH0282218A (ja) | 1987-12-14 | 1988-09-20 | 液晶セルアレイの駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282218A (ja) |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP23357888A patent/JPH0282218A/ja active Pending
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