JPH0282644A - Semiconductor device - Google Patents
Semiconductor deviceInfo
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- JPH0282644A JPH0282644A JP23358088A JP23358088A JPH0282644A JP H0282644 A JPH0282644 A JP H0282644A JP 23358088 A JP23358088 A JP 23358088A JP 23358088 A JP23358088 A JP 23358088A JP H0282644 A JPH0282644 A JP H0282644A
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- fillers
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(概要]
本発明はプラスティックタイプの半導体装置の改良に関
し、
41重量を小さくして、ハンドリング中や運送中の輸送
用梱包の中で、半導体装置が、梱包材料と衝突した場合
、或いは、それ自体同士が相互に衝突した場合に、外リ
ードの変形・損傷が少なく、口、熱放散が良好な半導体
装置を提供することを目的とし、
熱伝導性の良い絶縁材料よりなる中空の微小固形粒状体
をフィラーとして使用した樹脂封止剤によって半導体チ
ップが封止成形されている半導体装置をもって構成され
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Summary) The present invention relates to an improvement of a plastic type semiconductor device by reducing its weight and preventing the semiconductor device from colliding with the packaging material during handling or transportation. The purpose is to provide a semiconductor device with less deformation and damage to the outer leads and good heat dissipation when the semiconductor devices collide with each other or when they collide with each other. The device comprises a semiconductor device in which a semiconductor chip is encapsulated with a resin sealant using hollow microscopic solid particles as a filler.
本発明は、半導体装置の改良に関する。特に、エポキシ
封止剤により封止されたプラスティックタイプのパッケ
ージに搭載された半導体装置の改良に関する。The present invention relates to improvements in semiconductor devices. In particular, the present invention relates to improvements in semiconductor devices mounted in plastic-type packages sealed with epoxy sealants.
〔従来の技術]
従来のプラスティックパッケージの部分的に切断した斜
視図を第4図に示す、このパンケージは以下に説明する
ように製造される。先ず、第5図のように、42アロイ
材、銅材等よりなるシート状のリードフレーム(1)の
グイステージ(2)に半導体チップ(3)を金−シリコ
ン、銀ペースト、半田等を使用してダイスボンディング
により搭載し、次に、半導体チップ(3)のポンディン
グパッド(4)とリードフレーム(1)のインナーリー
ド(5)との間を、金線>銅線等を使用してワイヤーボ
ンディングにより接続する。BACKGROUND OF THE INVENTION A partially cut-away perspective view of a conventional plastic package is shown in FIG. 4, and is manufactured as described below. First, as shown in Fig. 5, a semiconductor chip (3) is mounted on a guide stage (2) of a sheet-shaped lead frame (1) made of 42 alloy material, copper material, etc. using gold-silicon, silver paste, solder, etc. Then, the bonding pad (4) of the semiconductor chip (3) and the inner lead (5) of the lead frame (1) are connected using gold wire>copper wire, etc. Connect by wire bonding.
次に、エポキシ封止剤を使用して、低圧トランスファー
法によりモールディングをおこなって樹脂封止をする。Next, using an epoxy sealant, molding is performed by a low pressure transfer method to perform resin sealing.
図では、樹脂封止部(20)を部分的に切断した状態を
示す。ここで、エポキシ封止剤は、通常、数/nΦ〜1
oanΦの粒度の石英(シリコン酸化物)粒子60〜8
0重量%(46〜69容量%)とエポキシ樹脂、硬化材
、触媒、離型剤、不燃剤、顔料等よりなる高分子材料2
0〜40重量%(31〜54容世%)を混合し、所定の
温度で所定の時間、混練し、いわゆるB−ステージとい
われる中間生成物として、これを例えば円筒状に圧縮成
形したものである。The figure shows a state in which the resin sealing part (20) is partially cut. Here, the epoxy sealant is usually number/nΦ~1
Quartz (silicon oxide) particles with particle size of oanΦ 60 to 8
Polymer material 2 consisting of 0% by weight (46-69% by volume), epoxy resin, curing agent, catalyst, mold release agent, nonflammable agent, pigment, etc.
0 to 40% by weight (31 to 54% by volume) are mixed and kneaded at a predetermined temperature for a predetermined time, and this is compression molded into a cylindrical shape as an intermediate product called a so-called B-stage. be.
石英粒子は溶融石英であり、また形状は無定型である。The quartz particles are fused silica and have an amorphous shape.
次に、第6図の(6)に示すアウターリード部に外装半
田メツキを施し、次にタイバー(7)及びアウターリー
ドを所定の寸法に切断し、第4図に示すパッケージ構造
が完成する。このパッケージの樹脂封止部(20)には
石英粒子(21)が混入されている。Next, exterior solder plating is applied to the outer lead portion shown in (6) of FIG. 6, and then the tie bar (7) and the outer lead are cut to a predetermined size to complete the package structure shown in FIG. 4. Quartz particles (21) are mixed into the resin sealing part (20) of this package.
次にパンケージ表面に品名その他を捺印し、最後に特性
試験を行って良品を出荷する。Next, the product name and other information are stamped on the surface of the pancake, and finally, a characteristic test is conducted and non-defective products are shipped.
(発明が解決しようとする課題)
近年、半導体ICは、多機能化、カスタム化してきてお
り、この結果、多ピン化、大チップ化が急激に進みつつ
ある。現在、ピン数は200〜300ピンに達し、また
、チップ寸法は10〜15mn+口に達し、また消費電
力も増加しており、この為これらの半導体ICを搭載す
るパッケージも多ピン化大型化してきており、中には外
形寸法が40x40x0.4鵬であり、重量が10gを
越えるものが出て来ている。(Problems to be Solved by the Invention) In recent years, semiconductor ICs have become multifunctional and customized, and as a result, the number of pins and chips are rapidly increasing. Currently, the number of pins has reached 200 to 300 pins, the chip size has reached 10 to 15 mm+, and power consumption is also increasing, so the packages in which these semiconductor ICs are mounted are also becoming larger and have more pins. Some of them have external dimensions of 40x40x0.4cm and weigh more than 10g.
この様に、パッケージが、多ピン化、大型化してくると
、以下の問題点が深刻になってくる。As described above, as the number of pins increases and the size of the package increases, the following problems become more serious.
イ1例えば、多ピンのフラットパッケージ等は、いわゆ
る、トレイ、エンボステープ等のキャリアー中に梱包さ
れるが、保管・輸送等の為にハンドリングする際に、パ
ッケージ同士或いはキャリアーとパッケージとが、接触
或いは衝突する為に、外リードの変形、損傷が生じるこ
とがある。この問題は、第4図のような100ピンのフ
ラットパッケージで最初に確認された現象であるが、そ
の後、パッケージの大型化に伴い徐々に発生率が増加し
つつあり、リード強度の改良、キャリアーの改良等を始
めとする様々な対策について検討中である。B1 For example, multi-pin flat packages are packed in so-called carriers such as trays or embossed tapes, but when handling them for storage or transportation, the packages may come into contact with each other or the carrier and the package. Otherwise, the outer lead may be deformed or damaged due to the collision. This problem was first observed in a 100-pin flat package as shown in Figure 4, but since then, the incidence has gradually increased as packages have become larger, and improvements in lead strength and carrier Various countermeasures are currently being considered, including improvements to the system.
ロ、大型パッケージを搭載したプリント板モジュール、
各種部品等は重量が増加する。これらのモジュール、部
品類は各種民生用装置の小型化、軽量化の要請に対応し
て、チップ部品等の小型化、ハイブリッド化を進めてい
るが、LSI化され益々多機能化する半導体IC用のパ
ンケージが、大型化、重量増加しており、軽量化の傾向
に逆行しているのが現状である。B. Printed board module equipped with a large package,
The weight of various parts increases. These modules and parts are being made smaller and more hybridized in response to the demand for smaller and lighter chip parts for various consumer devices. The current situation is that pan cages are becoming larger and heavier, going against the trend toward lighter weight.
ハ、パッケージが大型化するとチン7°からパンケージ
表面までの熱伝導が低下する場合もあり、熱放散性は低
下する。C. When the package becomes larger, the heat conduction from the chin 7° to the pan cage surface may decrease, resulting in a decrease in heat dissipation.
本発明の目的は、これらの問題点を解消する事にあり、
40重量が小さく、ハンドリング中や運送中に、梱包さ
れたキャリアーの中で、半導体装置が、相互に、或いは
、キャリアーと衝突して、半導体装置の外リードが変形
・損傷することがなく、口、熱放散性が良好であり、消
費電力の大きい半導体ICの搭載が可能である等の利点
を持つパンケージに搭載された半導体装置を提供するこ
とにある。The purpose of the present invention is to solve these problems,
40 The weight is small, and the outer leads of the semiconductor devices will not be deformed or damaged due to collisions between the semiconductor devices in the packaged carrier or the carrier during handling or transportation. Another object of the present invention is to provide a semiconductor device mounted in a pancase that has advantages such as good heat dissipation and the ability to mount a semiconductor IC with large power consumption.
[課題を解決するための手段〕
上記の目的は、熱伝導性の良い絶縁材料よりなる中空の
微小固形粒状体をフィラーとして使用した樹脂封止剤に
よって半導体装ノブが封止成形されている半導体装置に
よって達成される。[Means for Solving the Problems] The above object is to manufacture a semiconductor whose semiconductor knob is sealed with a resin sealant using as a filler hollow fine solid particles made of an insulating material with good thermal conductivity. achieved by the device.
ここで、フィラーとしては、例えばシリコン酸化物とア
ルミニウム酸化物とを含む組成物の絶縁材料よりなり外
形が10〜1日0nΦ程度であり見掛は密度が0.7〜
0.8g/cffl程度である中空球(昭和電工■が販
売している商品名「ショーバルーンBSJ )等が使用
できる。この樹脂封止剤をなす組成物の組成比、すなわ
ち、フィラーとエポキシ樹脂、硬化材、触媒、離型剤、
不燃剤、顔料等よりなる高分子材料との組成比は、前者
が46〜69容量%、後者が31〜54容量%の範囲が
適当である。この範囲以外では、フィラーが少なすぎる
と、上記の目的を達成する効果がなく、また、エポキシ
樹脂を始めとする高分子材料が少なすぎると、成形不可
能だからである。なお、アルミニウム酸化物等の金属酸
化物や金属窒化物は熱伝導性が良いことは知られており
、本発明に係る樹脂封止剤は、熱伝導性が良いアルミニ
ウム酸化物等の金属酸化物や金属窒化物を含む組成物よ
りなる熱伝導性の良い絶縁材料で形成され\ばよく、ま
た、樹脂封止後も中空状態を保つ微小固形粒状体をもっ
て構成され\ばよい。また、アルミニウム酸化物は熱膨
張率が小さく好ましい。Here, the filler is made of an insulating material of a composition containing, for example, silicon oxide and aluminum oxide, has an outer diameter of about 10 to 0nΦ, and has an apparent density of 0.7 to 0.0nΦ.
A hollow ball (trade name "Show Balloon BSJ" sold by Showa Denko ■) with a weight of about 0.8 g/cffl can be used. , hardening agent, catalyst, mold release agent,
The appropriate composition ratio of the polymeric material consisting of a flame retardant, pigment, etc. is in the range of 46 to 69% by volume for the former and 31 to 54% by volume for the latter. Outside this range, if the amount of filler is too small, there will be no effect of achieving the above object, and if the amount of polymeric material including epoxy resin is too small, molding will not be possible. It is known that metal oxides and metal nitrides such as aluminum oxide have good thermal conductivity, and the resin sealant according to the present invention is made of metal oxides such as aluminum oxide that have good thermal conductivity. It may be formed of an insulating material with good thermal conductivity, such as a composition containing a metal nitride or a metal nitride, and may be formed of fine solid particles that maintain a hollow state even after resin sealing. Further, aluminum oxide is preferable because it has a small coefficient of thermal expansion.
上記のように、本発明に係る樹脂封止剤は、中空の微小
固形粒状体を含存するので、樹脂封止部内に多数の中空
部が形成され、樹脂封止部の軽量化が図られる。更に、
その微小固形粒状体は熱伝導性の良い絶縁材料よりなる
ので、中空部が形成されても、良好な熱放散特性を維持
することかできる。As described above, since the resin sealant according to the present invention contains hollow microscopic solid particles, a large number of hollow parts are formed within the resin sealing part, and the weight of the resin sealing part can be reduced. Furthermore,
Since the fine solid particles are made of an insulating material with good thermal conductivity, good heat dissipation characteristics can be maintained even if a hollow portion is formed.
°〔実施例〕
以下、図面を参照しつ\、本発明の一実施例に係る半導
体装置について説明する。[Embodiment] Hereinafter, a semiconductor device according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
本実施例のパッケージを部分的に切断した斜視図を第1
図に示す。樹脂封止部(22)の中には、熱伝導性の良
い絶縁材料よりなる中空の微小固形粒状体(23)が混
入されている。このパッケージの製造方法を以下に説明
する。The first perspective view is a partially cutaway view of the package of this example.
As shown in the figure. Inside the resin sealing part (22), hollow fine solid particles (23) made of an insulating material with good thermal conductivity are mixed. The method for manufacturing this package will be explained below.
第2図のように、42アロイ材、銅材等よりなるシート
状のリードフレーム(8)のダイステージ(9)に、半
導体チップを、金−シリコン、銀ペースト、半田等を使
用して、ダイスボンディング法により搭載し、次に、半
導体チップ(10)のポンディングパッド(11)とリ
ードフレーム(8)のインナーリード(12)との間を
、金線、銅線等を使用してワイヤーポンディング法によ
り接続する。As shown in Fig. 2, a semiconductor chip is mounted on a die stage (9) of a sheet-shaped lead frame (8) made of 42 alloy material, copper material, etc. using gold-silicon, silver paste, solder, etc. It is mounted using the die bonding method, and then a wire is connected between the bonding pad (11) of the semiconductor chip (10) and the inner lead (12) of the lead frame (8) using a gold wire, copper wire, etc. Connect by bonding method.
次に、エポキシ封止剤を使用し、いわゆる低圧トランス
ファーモールディング法により封止成形を行い、第3図
に示す構造を有するパンケージを製造する。Next, sealing is performed using an epoxy sealant by a so-called low-pressure transfer molding method to produce a pancake having the structure shown in FIG.
ここで、本実施例において使用されるエポキシ封止材は
、(イ)中空の微小固形粒状体(23)として例えば昭
和電工■が販売している商品名[シボ−バルーンBS、
の型式SLのセラミックスの多量の粒(46〜69容量
%)とエポキシ樹脂、硬化材、触媒、離型剤、不燃剤、
顔料等よりなる高分子材料(31〜54容量%)とを混
合し、(ロ)所定の温度で所定の時間混練して、いわゆ
るB−ステージと呼ばれる中間反応物を製造し、(ハ)
この中間反応物を、例えば円筒状に圧縮成形したもので
ある。このセラミックス粒は内部が空洞であり、その壁
厚はセラミックス粒の直径の1/10程度である。Here, the epoxy sealing material used in this example is (a) hollow fine solid particles (23) sold by Showa Denko, for example, under the trade name [Chibo Balloon BS,
A large amount of ceramic particles (46 to 69% by volume) of type SL, epoxy resin, hardening agent, catalyst, mold release agent, nonflammable agent,
A polymeric material (31 to 54% by volume) consisting of a pigment, etc. is mixed, (b) kneaded at a predetermined temperature for a predetermined time to produce an intermediate reaction product called a so-called B-stage, and (c)
This intermediate reaction product is compression molded, for example, into a cylindrical shape. The ceramic grains are hollow inside, and the wall thickness is about 1/10 of the diameter of the ceramic grains.
上記の昭和電工■が販売している商品名「シラーバルー
ンBS、の組成と特性は下記に表記するとおりである。The composition and characteristics of the product name ``Shiller Balloon BS'' sold by Showa Denko ■ are as shown below.
1Oz A1□ 03 Fe、 ○。1oz A1□ 03 Fe, ○.
ilt
第1表
組成
57.5−61.0%
29.0−32.5
3.0− 4.0
第2表
特性
54−56%
0.5− 1
1.5−2.5
粒径
密度
1〇−
0,71
100μmΦ
0.78g/cポ
10− 180μmΦ
0.68 −0.70g/cJ
例えば、前記した従来技術の場合、エポキシ封止剤は、
比重が約1.2である高分子材料(46〜69容量%)
と比重が約2.1であるフィラー(31〜54容量%)
との混合物であり、封止成形されたパッケージの比重は
1.8〜2.0程度である。ilt Table 1 Composition 57.5-61.0% 29.0-32.5 3.0- 4.0 Table 2 Properties 54-56% 0.5- 1 1.5-2.5 Particle size density 10-0.71 100μmΦ 0.78g/cPo10-180μmΦ 0.68 -0.70g/cJ For example, in the case of the prior art described above, the epoxy sealant is
Polymer material with a specific gravity of approximately 1.2 (46-69% by volume)
and a filler with a specific gravity of approximately 2.1 (31 to 54% by volume)
The specific gravity of the sealed package is about 1.8 to 2.0.
本発明に係るエポキシ封止剤においては、フィラーと高
分子材料との混合比率は従来と同程度の容量比で構成さ
れているが、一方、本発明に係るエポキシ封止剤のフィ
ラーの比重は概ね0.68〜0.78であり、従来のフ
ィラーの比重の約33〜38%である為、本発明に係る
半導体1cを搭載したパッケージの重量は従来技術に係
るパンケージの重量の約58〜63%程度になる。In the epoxy sealant according to the present invention, the mixing ratio of the filler and the polymeric material is similar to that of the conventional one, but on the other hand, the specific gravity of the filler in the epoxy sealant according to the present invention is Since the specific gravity is approximately 0.68 to 0.78, which is approximately 33 to 38% of the specific gravity of conventional fillers, the weight of the package in which the semiconductor 1c according to the present invention is mounted is approximately 58 to 0.78% of the weight of the pan cage according to the conventional technology. It will be around 63%.
一方、アルミニウム酸化物(アルミナ)の熱伝導率は約
0.30 W/cm −degであり、シリコン酸化物
(シリカ)の熱伝導率の約0.014 W/cm・de
gに対して約21倍大きい。この為、本発明に係るプラ
スティックパッケージは中空の微小固形粒状体であり、
そのため、無数の空洞(従って相当な容積をしめる空洞
)を内包するにも拘らず、実験の結果によれば、パッケ
ージの熱抵抗は従来技術に係るプラスティックパッケー
ジの約90%であり、従来技術に係るプラスティックパ
ッケージの場合と同程度である。On the other hand, the thermal conductivity of aluminum oxide (alumina) is about 0.30 W/cm-deg, which is about 0.014 W/cm-deg of the thermal conductivity of silicon oxide (silica).
It is about 21 times larger than g. Therefore, the plastic package according to the present invention is a hollow microscopic solid granule,
Therefore, although it contains countless cavities (therefore, cavities occupying a considerable volume), experimental results show that the thermal resistance of the package is about 90% of that of the conventional plastic package, which is lower than that of the conventional plastic package. This is about the same as in the case of such plastic packages.
次に、第3図の(13)に示すアウターリード部に電解
メツキ法により外装半田メツキを施し、次に、タイバー
(14)及びアウターリードを所定の寸法に切断し、第
1図に示す構造を有するパッケージが完成する。Next, the outer lead part shown in (13) in Fig. 3 is soldered by electrolytic plating, and then the tie bar (14) and the outer lead are cut to predetermined dimensions to form the structure shown in Fig. 1. A package with
次に、パッケージ表面に品名その他を捺印し、最後に特
性試験を行って不良品を取り除いて半導体装置が完成す
る。Next, the product name and other information are stamped on the surface of the package, and finally a characteristic test is performed to remove defective products and the semiconductor device is completed.
本発明の半導体装置においては、樹脂封止部中に多数の
中空部が形成されるので、軽量化が図られ、そのため、
半導体装置のハンドリング中に半導体装置が、相互に衝
突することが少なく、また、輸送中に輸送用梱包の中等
で、半導体装置が、相互に、または、梱包材料と衝突す
ることが少ない。In the semiconductor device of the present invention, since many hollow parts are formed in the resin sealing part, weight reduction is achieved, and therefore,
Semiconductor devices are less likely to collide with each other during handling, and semiconductor devices are less likely to collide with each other or with packaging materials during transportation, such as when packaged for transportation.
また、万一衝突した場合にも、外リードの変形、損傷等
の虞が少ない。更に、中空部を有するフィラーは熱伝導
性の良い絶縁材料よりなる固形体よりなるので、熱放散
も良好になされる。Furthermore, even in the event of a collision, there is little risk of deformation or damage to the outer lead. Furthermore, since the filler having a hollow portion is made of a solid body made of an insulating material with good thermal conductivity, heat dissipation is also improved.
第1図は、本発明の一実施例に係る半導体装置の斜視図
である。
第2図は、本発明の一実施例に係る半導体チップを搭載
したリードフレームの平面図である。
第3図は、本発明の一実施例に係る半導体装置本体をt
δ赦したリードフレームを樹脂封止した状態の平面図で
ある。
第4図乃至第6図は、従来技術に係る半導体装置を説明
するための、斜視図と、平面図と、平面図とである。
4.11・
5.12・
6.13・
7.14・
ポンディングパッド、
インナーリード、
アウターリード、
タイバーFIG. 1 is a perspective view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a plan view of a lead frame mounted with a semiconductor chip according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 shows a semiconductor device main body according to an embodiment of the present invention.
FIG. 7 is a plan view of the lead frame sealed with resin. 4 to 6 are a perspective view, a plan view, and a plan view for explaining a semiconductor device according to the prior art. 4.11・ 5.12・ 6.13・ 7.14・ Ponding pad, inner lead, outer lead, tie bar
Claims (1)
をフィラーとして使用した樹脂封止剤によって半導体チ
ップが封止成形されてなることを特徴とする半導体装置
。A semiconductor device characterized in that a semiconductor chip is encapsulated with a resin encapsulant using as a filler hollow fine solid particles made of an insulating material with good thermal conductivity.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23358088A JPH0282644A (en) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23358088A JPH0282644A (en) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282644A true JPH0282644A (en) | 1990-03-23 |
Family
ID=16957297
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23358088A Pending JPH0282644A (en) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0282644A (en) |
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