JPH0282681A - 半導体発光装置 - Google Patents
半導体発光装置Info
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- JPH0282681A JPH0282681A JP63235751A JP23575188A JPH0282681A JP H0282681 A JPH0282681 A JP H0282681A JP 63235751 A JP63235751 A JP 63235751A JP 23575188 A JP23575188 A JP 23575188A JP H0282681 A JPH0282681 A JP H0282681A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
大容量長距離光通信用半導体レーザに関し、高速変調時
の多モード化あるいは、チャーピングの問題を解決する
ことを目的とし、 分布帰還型または分布反射型半導体レーザにおいて、電
気的に分離され、活性層にキャリアを注入する変調部と
増幅部とを有し、該活性層における該変調部の長さは、
該増幅部の１／２以下の長さに構成する。
の多モード化あるいは、チャーピングの問題を解決する
ことを目的とし、 分布帰還型または分布反射型半導体レーザにおいて、電
気的に分離され、活性層にキャリアを注入する変調部と
増幅部とを有し、該活性層における該変調部の長さは、
該増幅部の１／２以下の長さに構成する。
本発明は、大容置長距離光通信用半導体レーザに関する
。大容量長距離光通信用半導体レーザとして、光ファイ
バの分散による伝送特性劣化を避けるため、単一軸モー
ド発振が要求されている。
。大容量長距離光通信用半導体レーザとして、光ファイ
バの分散による伝送特性劣化を避けるため、単一軸モー
ド発振が要求されている。
単一軸モード発振半導体レーザとして、従来より分布帰
還型（Ｄ Ｆ Ｂ）あるいは、分布反射型（ＤＢＲ）レ
ーザが堤供さている。
還型（Ｄ Ｆ Ｂ）あるいは、分布反射型（ＤＢＲ）レ
ーザが堤供さている。
第３Ａ図に従来の半導体レーザ構造を示す。図中、１０
０はＮｔｉ、１０１はＰｔｉ、ｌ １２ ハＰクラッド
層、＋１３は活性層、１１４は光ガイド層、１１５はコ
ルゲーション、１１６は１反、１１７はバイアス電源、
１１日はパルス発振器である。
０はＮｔｉ、１０１はＰｔｉ、ｌ １２ ハＰクラッド
層、＋１３は活性層、１１４は光ガイド層、１１５はコ
ルゲーション、１１６は１反、１１７はバイアス電源、
１１日はパルス発振器である。
これら、単一軸モード半導体レーザにおいても、高速度
調時発振波長の多モード化、さらには、単一軸発振を行
ってもチャーピングと呼ばれる軸モード幅の増大という
問題がある。
調時発振波長の多モード化、さらには、単一軸発振を行
ってもチャーピングと呼ばれる軸モード幅の増大という
問題がある。
第３Ｂ図（ａ）〜（ｃ）に、従来のレーザの入出力特性
図を示す。
図を示す。
同図（Ｃ）において、レーザのしきい値付近のＩ、にバ
イアスしておいて、矩形波の駆１Ｊ］ 電ｍ Ｉ ｐを
レーザに印加した場合、原理的には矩形波の光出力が出
るはずであるが、実際上は、同図（ｂ）に示す活性層の
キャリア密度は、規格値のＮｐよ？） オーバーシュー
トし、緩和振動が生しる。そのため、同図（ａ）の光出
力はキャリア密度の変動にともない緩和振動する。
イアスしておいて、矩形波の駆１Ｊ］ 電ｍ Ｉ ｐを
レーザに印加した場合、原理的には矩形波の光出力が出
るはずであるが、実際上は、同図（ｂ）に示す活性層の
キャリア密度は、規格値のＮｐよ？） オーバーシュー
トし、緩和振動が生しる。そのため、同図（ａ）の光出
力はキャリア密度の変動にともない緩和振動する。
このような現象が起こる゛のは、１人される電流と、発
光との間に時間遅れδｔがあるためで、駆動電流■２が
印加された時、定常の光出力Ｐ、が得られるキャリア密
度Ｎ、より多く電流が流れ込み、キャリア密度がオーバ
ーシュートし、光は定常値Ｐ、より多く出力する。次に
この光出力にともなうキャリアの再結合で、キャリア密
度は定常値Ｎ、より減少し、それに従い光出力も減少す
る。
光との間に時間遅れδｔがあるためで、駆動電流■２が
印加された時、定常の光出力Ｐ、が得られるキャリア密
度Ｎ、より多く電流が流れ込み、キャリア密度がオーバ
ーシュートし、光は定常値Ｐ、より多く出力する。次に
この光出力にともなうキャリアの再結合で、キャリア密
度は定常値Ｎ、より減少し、それに従い光出力も減少す
る。
このようにして、キャリア密度と、光出力には緩和振動
が生じる。
が生じる。
この緩和振動によるレーザ特性への影響を第３Ｃ（ａ）
、（ｂ）図で説明する。実際には、ＤＦＢレーザにも同
図（ａ）のようにメインモードの他にこれよりしきい値
が高いいくつかのモードがある。そのため、緩和振動の
ピークが大きい場合には、メインモード以外の副次のモ
ードの発光が生じることになり、同図（ｂ）のように、
発光スペクトにメインモードＢ以外のモードＡが出現す
る。
、（ｂ）図で説明する。実際には、ＤＦＢレーザにも同
図（ａ）のようにメインモードの他にこれよりしきい値
が高いいくつかのモードがある。そのため、緩和振動の
ピークが大きい場合には、メインモード以外の副次のモ
ードの発光が生じることになり、同図（ｂ）のように、
発光スペクトにメインモードＢ以外のモードＡが出現す
る。
さらに緩和振動のもう一つの影響は、同図（ｂ）にΔλ
１と示す、スペクトル幅の広がりとして現れる。
１と示す、スペクトル幅の広がりとして現れる。
キャリア密度の変動ΔＮは、屈折率の変動へ〇を生じ、
キャリア密度が高くなると、屈折率が小さ（なる。その
ため、レーザの発光が短波長側に寄り、スペクトルの波
長の短い側に膨らみがでる。
キャリア密度が高くなると、屈折率が小さ（なる。その
ため、レーザの発光が短波長側に寄り、スペクトルの波
長の短い側に膨らみがでる。
キャリアの変動が大きいと膨らみも大きくなる。
以上のように、従来の構造では、キャリアのオーバーシ
ュートのため、ＤＦＢメインモードしきい値利得より大
きな他のモードのしきい値利得以上に全体の利得が増大
し、多モード発振するという欠点、さらに、このオーバ
ーシュートにより過剰になったキャリアのため活性領域
の屈折率が減少するためＤＦＢメインモード自身短波長
側にずれるため、スペクトル幅がΔλ、たけ増大すると
いう問題があった。
ュートのため、ＤＦＢメインモードしきい値利得より大
きな他のモードのしきい値利得以上に全体の利得が増大
し、多モード発振するという欠点、さらに、このオーバ
ーシュートにより過剰になったキャリアのため活性領域
の屈折率が減少するためＤＦＢメインモード自身短波長
側にずれるため、スペクトル幅がΔλ、たけ増大すると
いう問題があった。
従来のＤＦＢレーザあるいは、ＤＢＲレーザにおいて、
高速変調時の多モード化あるいは、チャーピングは、前
記したように、高速変調による活性領域のキャリア密度
の時間的、空間的不均一による。したがって、これらの
現象を防ぎ高速変調時にも安定な単一軸モード発振を実
現するためには、活性領域のキャリア密度変動をできる
だけ小さくする必要があり、本発明は、この問題を解決
しようとするものである。
高速変調時の多モード化あるいは、チャーピングは、前
記したように、高速変調による活性領域のキャリア密度
の時間的、空間的不均一による。したがって、これらの
現象を防ぎ高速変調時にも安定な単一軸モード発振を実
現するためには、活性領域のキャリア密度変動をできる
だけ小さくする必要があり、本発明は、この問題を解決
しようとするものである。
本発明は、分布帰還型または分布反射型半導体レーザに
おいて、電気的に分離され、活性層にキャリアを注入す
る変調部と増幅部とを存し、該活性層における該変調部
の長さは、該増幅部の１／２以下の長さとする半導体発
光装置を提供し、光スィッチおよび増幅器として動作さ
せる際の上記従来の問題点を解決するものである。
おいて、電気的に分離され、活性層にキャリアを注入す
る変調部と増幅部とを存し、該活性層における該変調部
の長さは、該増幅部の１／２以下の長さとする半導体発
光装置を提供し、光スィッチおよび増幅器として動作さ
せる際の上記従来の問題点を解決するものである。
本発明の原理図を第１Ａ図に示している。
第１Ａ図中、１２はＰクラッド層、１３は活性層、１４
は光ガイド層、Ｉ５はコルゲーション、Ｉ６は基板であ
る。そして、１０のＮ電極、１１のＰ電極で増幅部電極
を構成し、一方２０．’２１により変調部電極を構成し
ており、増幅部電極１１と変調部電極２■とは電気的に
分離される。この電気的分離方法としては、例えば、図
示４Ｉのように高抵抗部を用いる。
は光ガイド層、Ｉ５はコルゲーション、Ｉ６は基板であ
る。そして、１０のＮ電極、１１のＰ電極で増幅部電極
を構成し、一方２０．’２１により変調部電極を構成し
ており、増幅部電極１１と変調部電極２■とは電気的に
分離される。この電気的分離方法としては、例えば、図
示４Ｉのように高抵抗部を用いる。
１７は増幅部バイアス電源、１８は変調部バイアス電源
、１９はパルス発振器である。
、１９はパルス発振器である。
第１Ａ図のレーザにおいて、増幅部電極１． Ｉ、およ
び変調部電極２１に、順方向のバイアスを印加した時の
、所要の光出力をＰｏとする。この時増幅部電極Ｉｔお
よび変調部電極２１より注入される電流密度を同一とす
る。この状態は従来例の第３Ａ図に順方向バイアスを印
加した場合と同しである。
び変調部電極２１に、順方向のバイアスを印加した時の
、所要の光出力をＰｏとする。この時増幅部電極Ｉｔお
よび変調部電極２１より注入される電流密度を同一とす
る。この状態は従来例の第３Ａ図に順方向バイアスを印
加した場合と同しである。
次に、変調部ｔｉ２１の順バイアスを減少させる。Ｐｏ
が大の場合、順バイアスを零としてもＤＦＢレーザは発
振し続けている。この時、変調部に逆バイアスを印加す
ることにより、非発振の状態にすることができる。これ
は、逆バイアス時フランツ・ケルデイシュ効果により、
変調部の光吸収による損失が増大するためである。この
非発振の状態で、変調部に順方向バイアスとなるパルス
を印加する。
が大の場合、順バイアスを零としてもＤＦＢレーザは発
振し続けている。この時、変調部に逆バイアスを印加す
ることにより、非発振の状態にすることができる。これ
は、逆バイアス時フランツ・ケルデイシュ効果により、
変調部の光吸収による損失が増大するためである。この
非発振の状態で、変調部に順方向バイアスとなるパルス
を印加する。
直接変調を行う９通のレーザの場合、緩和振動の影響が
あって、光出力が定常状態より上昇し、緩和振動する。
あって、光出力が定常状態より上昇し、緩和振動する。
本発明のレーザでも、変調部では同じことが起こるが、
全体で見るとキャリアは増幅部に多くあるから、全体を
平均して見るとキャリアの変動は小さい。
全体で見るとキャリアは増幅部に多くあるから、全体を
平均して見るとキャリアの変動は小さい。
この様子を第１８図（ａ）〜（ｄ）に示す人出力特性図
で説明する。同図（ｄ）のように１．の矩形波の駆動電
流を印加しても、同図（Ｃ）のように変調部では、従来
の場合と同様にキャリア密度に緩和振動が生じるので、
光出力にはキャリア密度の変動に応した緩和振動が生じ
る。すなわち、駆動電流が矩形で印加されても、発光に
遅れδｔがあるので、実際の活性層のキャリア密度は同
図（Ｃ）に斜線で示すように、活性層の中に溜まってし
まい、定常値Ｎ２より多（なり、δを後の発光時にはキ
ャリアの再結合によりキャリアが定常より少なくり、キ
ャリア密度の緩和振動が生じる。
で説明する。同図（ｄ）のように１．の矩形波の駆動電
流を印加しても、同図（Ｃ）のように変調部では、従来
の場合と同様にキャリア密度に緩和振動が生じるので、
光出力にはキャリア密度の変動に応した緩和振動が生じ
る。すなわち、駆動電流が矩形で印加されても、発光に
遅れδｔがあるので、実際の活性層のキャリア密度は同
図（Ｃ）に斜線で示すように、活性層の中に溜まってし
まい、定常値Ｎ２より多（なり、δを後の発光時にはキ
ャリアの再結合によりキャリアが定常より少なくり、キ
ャリア密度の緩和振動が生じる。
ところが、本発明の構造においては、変調部と増幅部と
が分離しており、周りの増幅部の電流密度は一定で、キ
ャリア密度は一定になっているから、レーザ全体として
みたときの活性層の平均キャリア密度は、変動のない増
幅部と変動のある変調部との平均値となり、変調部と増
幅部の大きさの割合で平均化されることになり、同図（
ｂ）に示すように、それだけ変動幅が小さくなる。例え
ば、増幅部２：変調部１の割合なら、キャリア密度の変
動幅は１／３になる。従って、光出力の変動幅も同図（
ａ）のように小さくなる。
が分離しており、周りの増幅部の電流密度は一定で、キ
ャリア密度は一定になっているから、レーザ全体として
みたときの活性層の平均キャリア密度は、変動のない増
幅部と変動のある変調部との平均値となり、変調部と増
幅部の大きさの割合で平均化されることになり、同図（
ｂ）に示すように、それだけ変動幅が小さくなる。例え
ば、増幅部２：変調部１の割合なら、キャリア密度の変
動幅は１／３になる。従って、光出力の変動幅も同図（
ａ）のように小さくなる。
上述のように、本発明によれば、キャリア密度の緩和振
動のピークが従来より小さくなるので、次の２つの作用
が得られる。
動のピークが従来より小さくなるので、次の２つの作用
が得られる。
第１ｃ図（ａ）、（ｂ）参照
■同図（ｂ）に示すように、高速変調時の多モード発振
が防止される。
が防止される。
本発明では、キャリア密度の緩和振動のピーク値が従来
より低くなるので、同図（ａ）のように基本モードより
高いしきい値をもつ他のモードのしきい値利得に達する
ことがなく、副次的モードの発振が生じない。
より低くなるので、同図（ａ）のように基本モードより
高いしきい値をもつ他のモードのしきい値利得に達する
ことがなく、副次的モードの発振が生じない。
■同図（ｂ）に示すように、高速変調時の発振スペクト
ル幅増大Δλが従来より軽減する。
ル幅増大Δλが従来より軽減する。
先に第３Ｃ図（ｂ）に関して説明したように、キャリア
密度の変動ΔＮは、屈折率の変動Δｎを生じ、キャリア
密度が高くなると、屈折率が小さくなる。そのため、レ
ーザの発光が短波長側に寄り、スペクトルの波長の短い
側に膨らみΔλ、がでる。キャリアの変動が大きいと膨
らみも大きくなる。ところが、本発明によれば従来より
共振器内のキャリア密度の変動が小さいので、第１Ｃ図
（ｂ）の発振スペクトル幅の変動Δλが小さくなる。
密度の変動ΔＮは、屈折率の変動Δｎを生じ、キャリア
密度が高くなると、屈折率が小さくなる。そのため、レ
ーザの発光が短波長側に寄り、スペクトルの波長の短い
側に膨らみΔλ、がでる。キャリアの変動が大きいと膨
らみも大きくなる。ところが、本発明によれば従来より
共振器内のキャリア密度の変動が小さいので、第１Ｃ図
（ｂ）の発振スペクトル幅の変動Δλが小さくなる。
次に、本発明において、変調部は増幅部の１７２以下の
長さに限定されることを説明する。
長さに限定されることを説明する。
増幅部と変調部との割合は、第一に発振の安定性から考
えなければならない。変調部は増幅部の１／２程度ない
しそれ以下であることが、高速変調時に安定な発振を得
るために必要である。
えなければならない。変調部は増幅部の１／２程度ない
しそれ以下であることが、高速変調時に安定な発振を得
るために必要である。
これを試算してみる。
ＤＦＢレーザにおいて、安定な忙−モード発振を維持す
る条件は、 にＬ＝０．５〜１． ０ −−−− ｆｉ１式である
ことが知られている。ここで、に：結合係数、Ｌ：キャ
ビティ長である。
る条件は、 にＬ＝０．５〜１． ０ −−−− ｆｉ１式である
ことが知られている。ここで、に：結合係数、Ｌ：キャ
ビティ長である。
変調時安定な単一モード動作を行うためには、レーザが
ＯＮおよびＯＦＦの両状態とも・このｆｉ１式の安定条
件を満たさなければならない。
ＯＮおよびＯＦＦの両状態とも・このｆｉ１式の安定条
件を満たさなければならない。
ＯＮ状態にＬＯＮ＝１．Ｏの上限とした場合・増幅部の
長さを２、変調部の長さを１の割合・とじたとき、 ＯＦＦ状態では、 にＬＯＦＦ ＝にｘ （２／ （２＋ １） ］ Ｌ、
Ｎ＝にＸ （２／３）Ｌ、、＝０．６６ となり、分離層の長さを考慮して、 にＬＯＦＦ ＃０． ５となる。
長さを２、変調部の長さを１の割合・とじたとき、 ＯＦＦ状態では、 にＬＯＦＦ ＝にｘ （２／ （２＋ １） ］ Ｌ、
Ｎ＝にＸ （２／３）Ｌ、、＝０．６６ となり、分離層の長さを考慮して、 にＬＯＦＦ ＃０． ５となる。
すなわち上記（１１式の範囲内であり、安定な単一モー
ド動作が行われることを示している。
ド動作が行われることを示している。
次にもっと変調部が小さい場合の試算をする。
〔試算２〕
ｏＮ状ＢにＬｏＮ＝４．０の上限とした場合、増幅部の
長さが３、変調部の長さが１の場合にＬＯＦＦ ＝にｘ
（３／ （３＋ ｉ ） ｔ、、。
長さが３、変調部の長さが１の場合にＬＯＦＦ ＝にｘ
（３／ （３＋ ｉ ） ｔ、、。
＝にＸ （３／４）＝０．７５
となり、分離層の長さを考慮しても、
０．７５＞にＬＯＦＦ ＞０． ５とでき、やはりｆｉ
１式の安定条件を満たしている。
１式の安定条件を満たしている。
この試算から明らかなように、増幅部は変調部の２倍以
上（すなわち変調部は増幅部の１７２以下）であれば、
ｉｌ１式の安定な単一モード発振条件を満たすことにな
る。
上（すなわち変調部は増幅部の１７２以下）であれば、
ｉｌ１式の安定な単一モード発振条件を満たすことにな
る。
一方、変調部は次の２つの理由により小さい方が良い。
■変調部の寸法を小さくすると、容量が小さくなり、高
速動作上有利となる。
速動作上有利となる。
■変調部が小さければそれだけ平均キャリア密度の変動
量が小さくなる。
量が小さくなる。
以上■■から、変調部は小さい程よいのだが、あまり小
さくすると、発振を有効にＯＮ、ＯＦＦできキなくなる
から、レーザ発振をＯＦＦするのに必要なｔ員失と電極
形成可能なサイズにより限界がある。
さくすると、発振を有効にＯＮ、ＯＦＦできキなくなる
から、レーザ発振をＯＦＦするのに必要なｔ員失と電極
形成可能なサイズにより限界がある。
〔実施例］
第２図にＩｎＧａＡｓＰ系ＤＦＢレーザに本発明を適用
した実施例を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）は共振器方
向断面図、（Ｃ）は共振器に垂直な断面図である。
した実施例を示す。（ａ）は平面図、（ｂ）は共振器方
向断面図、（Ｃ）は共振器に垂直な断面図である。
同図（ａ）〜（Ｃ）において、１１は増幅部電極、２１
は変調部ｉｉ極、２３はｎ−１ｎＰＪＪ板３２に至る溝
で、レーザの容量低減と共に、増幅部電極１１と変調部
電極２１を分離するものである。
は変調部ｉｉ極、２３はｎ−１ｎＰＪＪ板３２に至る溝
で、レーザの容量低減と共に、増幅部電極１１と変調部
電極２１を分離するものである。
２２は１ｎＧａＡｓＰ活性Ｊｉ３５に至らない溝で、光
路を遮断することな（増幅部電極１１＝変調部電極２１
を分離する。また、電気的分離を確実にするためプロト
ン照射により高抵抗部４１を形成している。
路を遮断することな（増幅部電極１１＝変調部電極２１
を分離する。また、電気的分離を確実にするためプロト
ン照射により高抵抗部４１を形成している。
３１はＮ電極、３３はコルゲーション、３４はＮ Ｇ
ａ１ｎＡｓＰ光ガイド層、３６はＰ−１ｎＰクラッド層
、３７はＰ １ｎＧａＡｓｐコンタクト層である。
ａ１ｎＡｓＰ光ガイド層、３６はＰ−１ｎＰクラッド層
、３７はＰ １ｎＧａＡｓｐコンタクト層である。
ここで、共振器長Ｌ９は４００μｍ１増幅部電極の長さ
／Ｉ＋は６０μｍ、変調部電極の長さ１ｔは６０μｍ２
分離部幅ｌ。は２０μｍである。
／Ｉ＋は６０μｍ、変調部電極の長さ１ｔは６０μｍ２
分離部幅ｌ。は２０μｍである。
本実施例で共振器部を中央に設けたのは、各増幅部での
順方向バイアス時、ＤＦＢ発光を抑制するためである。
順方向バイアス時、ＤＦＢ発光を抑制するためである。
本実施例では、全領域に電流を均一に流した時のしきい
値Ｉいは、３０ｍＡ、光出力５ｍＷとするためには、５
０ｍＡの駆動電流を要した。この状態で、変調部に２ｖ
の逆バイアスを印加することにより、非発光状態にする
ことができ、順方向に３．３ｖのパルス電圧を印加する
ことにより、パルス発振（ピーク光出力５ｍＷ）を得る
ことができ、５ Ｇ ｂ／Ｓ変調時単一軸モード発振が
得られ、チャーピングによる軸モード広がりも２０ｄＢ
ダウン幅で、従来０．８ｎｍであったものを０．４ｎｍ
まで狭くすることができた。
値Ｉいは、３０ｍＡ、光出力５ｍＷとするためには、５
０ｍＡの駆動電流を要した。この状態で、変調部に２ｖ
の逆バイアスを印加することにより、非発光状態にする
ことができ、順方向に３．３ｖのパルス電圧を印加する
ことにより、パルス発振（ピーク光出力５ｍＷ）を得る
ことができ、５ Ｇ ｂ／Ｓ変調時単一軸モード発振が
得られ、チャーピングによる軸モード広がりも２０ｄＢ
ダウン幅で、従来０．８ｎｍであったものを０．４ｎｍ
まで狭くすることができた。
以上説明したように、本発明によれば、高速変調時のキ
ャリア変動を有効に抑制でき、安定な瑣−軸発振が可能
となる。また、チャーピングによる軸モード広がりも抑
制することができる。
ャリア変動を有効に抑制でき、安定な瑣−軸発振が可能
となる。また、チャーピングによる軸モード広がりも抑
制することができる。
第１Ａ図は、本発明の原理図、
第１Ｂ図（ａ）〜（ｄ）は本発明の装置の入出力特性図
、 第１Ｃ図（ａ）、（ｂ＞は本発明の装置のしきい値利得
と発振スペクトル図、 第２図は本発明の一実施例の構成図であり、（ａ）は平
面図、（ｂ）は共振器方向断面図、（Ｃ）は共振器に垂
直な断面図、 第３Ａ図は、従来例のレーザの要部断面図、第３Ｂ図（
ａ）〜（ｃ）は従来例の人出力特性図、 第３Ｃ図（ａ）、（ｂ）は従来のしきい値利得と発振ス
ペクトル図である。 １０はＮ電極 １１はＰ電極 Ｉ２はＰクラフト層 １３は活性層 １４は光ガイド層 １５はコルゲーション ６は基板 ７は増幅部バイアス電源 ８は変調部バイアス電源 ９はパルス発振器 ０．２１は変調部電極 ２．２３は溝 ｌはＮ電極 ２はＮ−［ｎＰクラッド層 ３はコルゲーション ４はＮ−Ｇａ１ｎＡｓＰ光ガイド層 ５は活性層 ６はＰ−１ｎＰクランド層 ７はＰ−１ｎＧａＡｓＰコアタクト層 ｌは高抵抗部 ００はＮ電極 ０１はＰｉ４ｉ １２は２９９７６層 １３は活性層 １４は光ガイド層 １５はコルゲーション １１６は基板 １１７はバイアス′＠源 １１８はパルス発振器
、 第１Ｃ図（ａ）、（ｂ＞は本発明の装置のしきい値利得
と発振スペクトル図、 第２図は本発明の一実施例の構成図であり、（ａ）は平
面図、（ｂ）は共振器方向断面図、（Ｃ）は共振器に垂
直な断面図、 第３Ａ図は、従来例のレーザの要部断面図、第３Ｂ図（
ａ）〜（ｃ）は従来例の人出力特性図、 第３Ｃ図（ａ）、（ｂ）は従来のしきい値利得と発振ス
ペクトル図である。 １０はＮ電極 １１はＰ電極 Ｉ２はＰクラフト層 １３は活性層 １４は光ガイド層 １５はコルゲーション ６は基板 ７は増幅部バイアス電源 ８は変調部バイアス電源 ９はパルス発振器 ０．２１は変調部電極 ２．２３は溝 ｌはＮ電極 ２はＮ−［ｎＰクラッド層 ３はコルゲーション ４はＮ−Ｇａ１ｎＡｓＰ光ガイド層 ５は活性層 ６はＰ−１ｎＰクランド層 ７はＰ−１ｎＧａＡｓＰコアタクト層 ｌは高抵抗部 ００はＮ電極 ０１はＰｉ４ｉ １２は２９９７６層 １３は活性層 １４は光ガイド層 １５はコルゲーション １１６は基板 １１７はバイアス′＠源 １１８はパルス発振器
Claims (1)
- 分布帰還型または分布反射型半導体レーザにおいて、電
気的に分離され、活性層にキャリアを注入する変調部と
増幅部とを有し、該活性層における該変調部の長さは、
該増幅部の１／２以下の長さとしたことを特徴とする半
導体発光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63235751A JP2631716B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63235751A JP2631716B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0282681A true JPH0282681A (ja) | 1990-03-23 |
| JP2631716B2 JP2631716B2 (ja) | 1997-07-16 |
Family
ID=16990688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63235751A Expired - Lifetime JP2631716B2 (ja) | 1988-09-20 | 1988-09-20 | 半導体発光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2631716B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0632550A3 (en) * | 1993-06-30 | 1995-04-26 | Fujitsu Ltd | Modulation of laser diodes. |
| KR100429531B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2004-05-03 | 삼성전자주식회사 | 분포귀환형 반도체 레이저 |
| EP1705812A1 (en) * | 2005-03-25 | 2006-09-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device |
Citations (2)
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| JPS5190770U (ja) * | 1975-01-17 | 1976-07-20 | ||
| JPS5878488A (ja) * | 1981-11-05 | 1983-05-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 分布帰還形半導体レーザの駆動方法 |
-
1988
- 1988-09-20 JP JP63235751A patent/JP2631716B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
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| JPS5190770U (ja) * | 1975-01-17 | 1976-07-20 | ||
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| EP1705812A1 (en) * | 2005-03-25 | 2006-09-27 | Fujitsu Limited | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2631716B2 (ja) | 1997-07-16 |
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