JPH0283526A - Method for driving active matrix liquid crystal display device - Google Patents

Method for driving active matrix liquid crystal display device

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JPH0283526A
JPH0283526A JP23703488A JP23703488A JPH0283526A JP H0283526 A JPH0283526 A JP H0283526A JP 23703488 A JP23703488 A JP 23703488A JP 23703488 A JP23703488 A JP 23703488A JP H0283526 A JPH0283526 A JP H0283526A
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Abstract

PURPOSE:To obtain display with high contrast without generating flicker at all even in a TFD-LCD pannel using a nonlinear resistance element having asymmetric I-V characteristics by constituting a voltage impressed to a picture element whose polarity is inverted every frames and whose ratio of the absolute values is set at an optimum ratio of the display of the device. CONSTITUTION:Each of the picture elements mounted on a lower part glass substrate 1 are arranged in a lattice state, and lead electrodes 3 are connected with each other in a transverse direction. An upper transparent electrode 9 mounted on an upper glass substrate 7 is formed belt-likely in a state of connecting to each of the picture elements in a longitudinal direction. The electrode 9 is constituted of a scanning signal (a) line, and the electrode 3 is constituted of a data signal (b) line. Thin film two terminal element type active matrix LCD(TFD-LCD) constituted as mentioned above is driven by changing the absolute value of the voltage (c) impressed to the picture element which is difference between the signals (a) and (b) in a negative and a positive frames, respectively. The ratio (optimum ratio of the display) which does not generate the flicker is detected by controlling the ratio of the absolute value of the voltage impressed to the picture element between the positive and negative frames, respectively.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、非線形抵抗素子を用いたアクティブマトリク
ス液晶表示装置の駆動方法に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for driving an active matrix liquid crystal display device using a nonlinear resistance element.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

近年、ツイスト・ネマティック型(TN型)を中心とし
た液晶表示装置(LCD)の応用が発展し、腕時計や電
卓の分野で大量に用いられている。それに加え、近年、
文字9図形等の任意の表示が可能なマトリクス型も使わ
れ始めている。このマトリクス型LCDの応用分野を広
げるためには、表示容量の増大が必要である。しかし、
従来のLCDの電圧−透過率変化特性の立上りはあまり
急峻ではないので、表示容量を増加させるためにマルチ
プレックス駆動の走査本数を増加させると、選択画素と
非選択画素との各々にかかる実効電圧比は低下するので
、選択画素の透過率増加と非選択画素の透過率低下とい
うクロストークが生じる。その結果、表示コントラスト
が著しく低下し、ある程度のコントラストが得られる視
野角も著しく狭くなる。従って、従来のLCDでは走査
本数は、60本ぐらいが限界である。このような従来の
LCDを、次に述べるアクティブマトリクスLCDと比
較して、単純マトリクスLCDと称する。
In recent years, applications of liquid crystal display devices (LCDs), mainly twisted nematic type (TN type), have been developed and are being used in large quantities in the fields of wristwatches and calculators. In addition, in recent years,
Matrix types that can display arbitrary characters such as characters and figures are also beginning to be used. In order to expand the field of application of this matrix type LCD, it is necessary to increase the display capacity. but,
The rise of the voltage-transmittance change characteristic of conventional LCDs is not very steep, so when the number of scans in multiplex drive is increased to increase display capacity, the effective voltage applied to each selected pixel and non-selected pixel increases. Since the ratio decreases, crosstalk occurs in which the transmittance of selected pixels increases and the transmittance of non-selected pixels decreases. As a result, display contrast is significantly reduced, and the viewing angle at which a certain degree of contrast can be obtained is also significantly narrowed. Therefore, in a conventional LCD, the maximum number of lines that can be scanned is about 60 lines. Such a conventional LCD is called a simple matrix LCD in comparison with an active matrix LCD described below.

マトリクスWLCDの表示容量を大幅に増加させるため
に、LCDの各画素にスイッチング素子を直列に配置し
たアクティブマトリクスLCDが考案されている。これ
までに発表されたアクティブマトリクスLCDの試作品
のスイッチング素子ニハ、アモルファスシリコンやポリ
シリコンヲ半導体材料とした薄膜トランジスタ素子(T
PT)が多く用いられている。また一方では、製造法及
び構造が比較的単純であるため、製造工程が簡略化でき
、高歩留り、低コスト化が期待される薄膜二端子素子(
以下TFDと略す)を用いたアクティブマトリクスLC
Dも注目されている。
In order to significantly increase the display capacity of matrix WLCDs, active matrix LCDs have been devised in which switching elements are arranged in series in each pixel of the LCD. The switching elements of active matrix LCD prototypes that have been announced so far, thin film transistor elements (T) using amorphous silicon or polysilicon as semiconductor materials
PT) is often used. On the other hand, since the manufacturing method and structure are relatively simple, the manufacturing process can be simplified, and thin film two-terminal elements (
Active matrix LC using TFD (hereinafter abbreviated as TFD)
D is also attracting attention.

このような薄膜二端子素子型アクティブマトリクスLC
D(以下TFD−LCDと略す)において、一番実用化
に近いと考えられているLCDは、TFDに金属−絶縁
体−金属素子(以下MIM素子又はMIMと略す)を用
いたLCDである。
Such a thin film two-terminal element type active matrix LC
D (hereinafter abbreviated as TFD-LCD), the LCD considered to be closest to practical use is an LCD using a metal-insulator-metal element (hereinafter abbreviated as MIM element or MIM) in a TFD.

TFDとして、MIMの他には、アモルファスS1のp
in  ダイオード2個を極性逆向きに並列接続したダ
イオードリング、及び、同じ(pinダイオード2個を
極性逆向きに直列接続したパック・ツー・バック・ダイ
オードが知られている。
In addition to MIM, amorphous S1 p
A diode ring in which two IN diodes are connected in parallel with opposite polarities, and a pack-to-back diode in which two PIN diodes are connected in series with opposite polarities are known.

以上のTFDは、全て、回路的には非線形抵抗素子であ
り、素子両端への印加電圧の増加に伴い、電流が非線形
的に急激に増加する。このようなTFDを液晶と直列に
接続することにより、電圧−透過率変化特性の立上りは
急峻になり、走査本数を大幅に増やすことが可能になる
All of the TFDs described above are nonlinear resistance elements in circuit terms, and as the voltage applied to both ends of the element increases, the current increases rapidly in a nonlinear manner. By connecting such a TFD in series with a liquid crystal, the rise of the voltage-transmittance change characteristic becomes steeper, making it possible to significantly increase the number of scans.

このようなMIMを用いたLCDの従来例は、論文では
デイ・アールパラフ、他、著[ジ・オンティマイゼーシ
ロン・オン・メタル・インシュレータ・メタル・ノンリ
ニア・デバイシズ・フォア・ユース・イン・マルチフレ
ックス)”−IJキッド・クリスタル・ディスプレイズ
」、アイ−イー・イー・イー・トランザクション・オン
・エレクトロン・デバイシーズ、28巻、6号、頁73
6−739(1981年発行)[D、R,Baraff
、et  al、。
A conventional example of an LCD using such an MIM is described in a paper by D. R. Paraf et al. Flex) “-IJ Kid Crystal Displays”, IE Transactions on Electron Devices, Volume 28, No. 6, Page 73
6-739 (published in 1981) [D, R, Baraff
, et al.

” The Optimization of Met
al−Insulator−Metal Non1in
ear Devices for Use inMul
tiplexed Liquid Crystal D
isplays 。
” The Optimization of Met
al-Insulator-Metal Non1in
ear Devices for Use inMul
Tiplexed Liquid Crystal D
isplays.

I EEE  Trans、 Electron De
vices、 vol、 ED−28,pp、736−
739(1981)]、及び両角伸治、他、著r250
X240画素の2チラルMIM−LCD J  テレビ
ジョン学会技術報告(I PD83−8)。
I EEE Trans, Electron De
vices, vol, ED-28, pp, 736-
739 (1981)] and Nobuharu Morozumi, et al. r250
x240 pixel 2-channel MIM-LCD J Television Society Technical Report (I PD83-8).

1)I)39−44.(1983年12月発行)に代表
的に示され、特許公開公報では特開昭52−14909
0号公報、及び特開昭55−161273号公報中に代
表的に示され、その動作原理についても詳細に述べられ
ている。
1) I) 39-44. (published in December 1983), and in the patent publication publication JP-A-52-14909.
0 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 55-161273, the principle of operation thereof is also described in detail.

MIMにおいて、最も重要な材料は、絶縁体層の材料で
ある。従来の論文、特許公開公報等に記載のMIMでは
、絶縁体層の材料にタンタル(Ta)又はシリコンの酸
化物又は窒化物が主として用いられるがこれに限定され
ない。又、金属は殆んど全ての金属を用いることが可能
であるが、主としてクロムかタンタルが用いられる。
In MIM, the most important material is that of the insulator layer. In MIMs described in conventional papers, patent publications, etc., tantalum (Ta) or silicon oxide or nitride is mainly used as the material for the insulating layer, but the material is not limited thereto. Furthermore, although almost any metal can be used, chromium or tantalum is mainly used.

非線形抵抗素子の電流−電圧(I−V)特性は、種々の
形で数式化されるが、代表的なものとして、次の式が知
られている。
The current-voltage (I-V) characteristics of a nonlinear resistance element can be expressed mathematically in various ways, but the following equation is known as a typical one.

I=A・■“ ここで、工は電流、■は電圧、αは非線形係数、Aは比
例定数である。既に述べたMIM素子等においては、α
は6以上の直をもつ。
I=A・■" Here, Δ is the current, ■ is the voltage, α is the nonlinear coefficient, and A is the proportionality constant. In the MIM elements etc. already mentioned, α
has a direct value of 6 or more.

以上述べたTFD−LCDにおいて、従来は、TN型単
純マ) IJクスLCDに用いられている駆動法と実質
的には同一の駆動方法が用いられている。従来の駆動方
法については、エレクトロニクス昭和63年4月9fp
1)42 46に詳述されている。
In the TFD-LCD described above, a driving method that is substantially the same as that used for conventional TN-type simple matrix (IJ) LCDs has been used. Regarding the conventional drive method, see Electronics April 1988, 9fp.
1) 42 46.

第2図は、注目している画素が選択画素であり、データ
信号ライン上、選択画素と非選択画素が父互に存在する
場合の駆動信号である。走交信号(a)、データ信号(
b)は、負・正の各フレームで第1表のような値をとる
。負・正の各1フレームで、1画面の走査を行い、表示
内容を書き込む。アドレス時が各画素への書き込み区間
、非アドレス時が各画素の電荷保持区間である。VDと
VPの比(VD/VP)は通常一定であり、バイアス比
とよばれる。
FIG. 2 shows drive signals when the pixel of interest is a selected pixel, and selected pixels and non-selected pixels are mutually present on the data signal line. Traffic signal (a), data signal (
b) takes values as shown in Table 1 for each negative and positive frame. One screen is scanned in each negative and positive frame, and the display contents are written. The address time is a write period for each pixel, and the non-address time is a charge retention period for each pixel. The ratio between VD and VP (VD/VP) is usually constant and is called the bias ratio.

TFD−LCDパネル1画素の等価回路は、第3図のご
とく、非線形抵抗素子13と液晶素子14とが直列に接
続され、データ信号線15と走査信号線16が両端に接
続される。これが逆でも全く問題ない。
As shown in FIG. 3, the equivalent circuit of one pixel of a TFD-LCD panel has a nonlinear resistance element 13 and a liquid crystal element 14 connected in series, and a data signal line 15 and a scanning signal line 16 connected to both ends. There is no problem even if this is the other way around.

第1表 第2表 面素印加信号(c)は、(データ信号)−(走査信号)
であり、第2表の値をとる。それに対応して、液晶電圧
(d)が変化し、表示コントラストとなる。
The second surface element applied signal (c) in Table 1 is (data signal) - (scanning signal)
and takes the values shown in Table 2. Correspondingly, the liquid crystal voltage (d) changes, resulting in display contrast.

理想的には、非線形素子のI−V特性は、電圧の正負に
対して対称のはずであるが、実際のMIM素子は非対称
性が大きい。即ち、(1)式でαは同じでも■〉0の時
のAの値A+とvく0の時のAの値A−とは異なりる。
Ideally, the IV characteristics of a nonlinear element should be symmetrical with respect to the positive and negative voltages, but actual MIM elements have a large degree of asymmetry. That is, in equation (1), even though α is the same, the value A+ of A when ■>0 is different from the value A- of A when v>0.

A−)A+の時、液晶に印加される電圧は、負フレーム
の方が、絶対値が大きくなる。液晶のコントラストは、
液晶電圧(d)の実効値で決まるため、このような場合
は、画面のチラッキ、即ち、フリッカが目につきやすく
なる。
A-) At A+, the absolute value of the voltage applied to the liquid crystal becomes larger in the negative frame. The contrast of the LCD is
Since it is determined by the effective value of the liquid crystal voltage (d), in such a case, flickering on the screen becomes more noticeable.

尚、第2表中で、非アドレス時の値が、全て〔〕付にな
っているのは、データ信号の内容が、選択か、非選択か
らにより、画素印加電圧が〔〕内の値をとる、という意
味である。
In Table 2, all non-address values are marked with [ ] because the pixel applied voltage changes to the value in [ ] depending on whether the data signal is selected or not selected. It means to take.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

以上述べたように、従来のTFD−LCDにはフリッカ
が起こりやすいという欠点があった。
As described above, conventional TFD-LCDs have the disadvantage of being susceptible to flickering.

本発明の目的は、7リツカが生じないTFD−LCDの
駆動方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a method for driving a TFD-LCD that does not cause 7-flash.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明によれば、非線形抵抗素子を用いたアクティブマ
) IJクス液晶表示装置の駆動方法において、画素印
加電圧をフレームごとに極性が反転し、かつ、その絶対
値の比が表示最適比値に設定された画素印加電圧とする
ことを特徴とするアクティブマドIJクス液晶表示装置
の駆動方法が得られる。
According to the present invention, in a method for driving an active polymer (IJ) liquid crystal display device using a non-linear resistance element, the polarity of the pixel applied voltage is reversed for each frame, and the ratio of the absolute values is set to the optimal display ratio value. A method for driving an active matrix IJ liquid crystal display device is obtained, which is characterized in that a set pixel applied voltage is applied.

〔作用〕[Effect]

本発明による駆動方法を第1図に示す。基本的には、第
2図の従来型と同じであるが、負フレームと正フレーム
とで、走査信号(a)とデータ信号(b)の差である画
素印加電圧(c)の絶対値を変えた点が特徴である。即
ち、vPの値は正フレームと負フレームでVpと■P′
とになり、VDの値はVDとVn’になる。A−>A”
t−仮定t ル(!: 、Vp>Vp ’。
A driving method according to the present invention is shown in FIG. Basically, it is the same as the conventional type shown in Fig. 2, but the absolute value of the pixel applied voltage (c), which is the difference between the scanning signal (a) and the data signal (b), is calculated between the negative frame and the positive frame. The feature is that it has changed. That is, the value of vP is Vp and ■P' for positive frames and negative frames.
Therefore, the value of VD becomes VD and Vn'. A->A”
t - Assumption t le(!: , Vp>Vp'.

vD>vD’と設定すると、正・負フレーム間の液晶電
圧(d)の絶対値は等しくすることが可能になる。
If vD>vD' is set, the absolute values of the liquid crystal voltage (d) between positive and negative frames can be made equal.

これらの値は、第3表にまとめである。These values are summarized in Table 3.

通常、バイアス比は正・負フレームで一定にする(Vo
/Vp=Vn’/Vp’) が、コレハ、本質的なこと
ではない。
Normally, the bias ratio is kept constant for positive and negative frames (Vo
/Vp=Vn'/Vp') However, this is not essential.

正・負フレーム間の画素印加電圧の絶対値の比であるV
p/Vp’、(Vp−2Vo)/(Vp’−2v、、’
)を各々調整することにより、フリッカが無くなる比が
みつけられる。この比を表示最適比値とよぶ。
V, which is the ratio of the absolute value of the pixel applied voltage between positive and negative frames
p/Vp', (Vp-2Vo)/(Vp'-2v,,'
), a ratio that eliminates flicker can be found. This ratio is called the display optimum ratio value.

バイアス比が一定の場合は%VP/VP’を表示最適比
値に設定すればよい。
If the bias ratio is constant, %VP/VP' may be set to the display optimum ratio value.

画素印加′に圧(c)は、(データ信号)−(走査信号
)であり、第4表にまとめた。
The pressure (c) applied to the pixel is (data signal) - (scanning signal) and is summarized in Table 4.

第3表 第4表 〔実施例〕 以下、実施例に基づいて説明する。Table 3 Table 4 〔Example〕 The following will explain based on examples.

〔実施例1〕 代表的なM I M −L CDの構造、作製法は以下
のとうりである。
[Example 1] The structure and manufacturing method of a typical MIM-L CD are as follows.

まず、下部ガラス基板1上の膜形成、MIM素子の製作
について述べる。第4図において、下部ガラス基板lを
Tag Os 、 5ift等のガラス保護膜2で被覆
する。この保藤膜2は、不可欠なものではないので、被
覆を省略する仁ともできる。次にこの上にリード電極3
、絶縁体層4を形成する。
First, film formation on the lower glass substrate 1 and fabrication of the MIM element will be described. In FIG. 4, a lower glass substrate 1 is coated with a glass protective film 2 such as Tag Os, 5ift or the like. Since this Hoto membrane 2 is not essential, it may be possible to omit the coating. Next, on top of this, lead electrode 3
, to form the insulator layer 4.

絶縁体層4の窒化シリコンは、種々の方法で形成するこ
とが可能であるが、本実施例においては、窒素ガス、シ
ランガス、水素ガスなどの混合ガスによるプラズマCV
D法を用いて約100OAに形成した。
The silicon nitride of the insulator layer 4 can be formed by various methods, but in this example, plasma CV using a mixed gas such as nitrogen gas, silane gas, and hydrogen gas is used.
It was formed to about 100 OA using method D.

上部電極5はCrとし、抵抗加熱法により形成し、通常
のフォトリングラフィによりパターン化した。下部透明
電極6は、酸化インジウム−酸化スズ(通称ITO)と
し、マグネティック・スパッタリングにより形成し、通
常のフォトリングラフィ法によりパターン化した。
The upper electrode 5 was made of Cr, formed by a resistance heating method, and patterned by ordinary photolithography. The lower transparent electrode 6 was made of indium oxide-tin oxide (commonly known as ITO), was formed by magnetic sputtering, and patterned by ordinary photolithography.

上部ガラス基板7上の膜形成、パターン化は通常の単純
マルチプレックスLCDと#1とんど同一である。上部
ガラス基板7は、5iO−等のガラス保護膜8で被覆さ
れているが、この保護膜8は不可欠ではない。上部透明
電極9も、下部透明電極6と同じく酸化インジウム−酸
化スズであり、マグネティック・スパッタリングにより
形成し通常のフォトリングラフィ法によりパターン化し
た。
The film formation and patterning on the upper glass substrate 7 are almost the same as those of the ordinary simple multiplex LCD #1. The upper glass substrate 7 is coated with a glass protective film 8 such as 5iO-, but this protective film 8 is not essential. The upper transparent electrode 9 was also made of indium oxide-tin oxide, like the lower transparent electrode 6, and was formed by magnetic sputtering and patterned by the usual photolithography method.

下部ガラス基板1と上部ガラス基板7とは、ガラスファ
イバー等のスペーサを介して張り合わされ、通常のエポ
キシ系接着剤によりシールした。
The lower glass substrate 1 and the upper glass substrate 7 were pasted together with a spacer such as glass fiber interposed therebetween, and sealed with a common epoxy adhesive.

セル厚は8μmとした。The cell thickness was 8 μm.

両ガラス基板1,7はラビングにより配向処理をした。Both glass substrates 1 and 7 were subjected to alignment treatment by rubbing.

こめ場合、ポリイミド等の配向処理膜を塗、布すること
が多いが不可欠ではないので、81図では省略した。
In this case, an alignment treatment film such as polyimide is often applied, but it is not essential, so it is omitted in Figure 81.

上記のセルに、ツイスト・ネマティック型液晶であるZ
LI−1565(メルク製)を注入孔より注入して、液
晶層10とした。注入孔を接着剤で封止することにより
TFD−LCDを完成した。
In the above cell, there is Z, which is a twisted nematic type liquid crystal.
LI-1565 (manufactured by Merck) was injected through the injection hole to form the liquid crystal layer 10. A TFD-LCD was completed by sealing the injection hole with adhesive.

第5図に、下部ガラス基板l上の1画素の素子パターン
を示す。このように下部透明電極6は、1画素毎に分離
されている。リード電極3は陽極酸化により前面が絶縁
体層4で覆われており、又、リード電極3からは各画素
に対応して小さな突起がでている。この突起状の電極1
1は、上部電極5と交差しており、この交差部がMIM
素子になりている。
FIG. 5 shows the element pattern of one pixel on the lower glass substrate l. In this way, the lower transparent electrode 6 is separated for each pixel. The front surface of the lead electrode 3 is covered with an insulating layer 4 by anodic oxidation, and a small projection is formed from the lead electrode 3 corresponding to each pixel. This protruding electrode 1
1 intersects with the upper electrode 5, and this intersection is the MIM
It has become an element.

第6図に、本実施例TFD−LCDの構造の一部を示す
。このように、第5図に示した下部ガラス基板1上の各
画素が格子状に並び、リード電極3は横につながり、端
部で端子部12tl−構成している。第4図における上
部ガラス基板7上の上部透明電極9は、図示のように各
画素を縦につなげた形で帯状に形成されている。この上
部透明電極9の形状は、単純マルチプレックス駆動のL
CDの電極形状とほぼ同一である。
FIG. 6 shows a part of the structure of the TFD-LCD of this embodiment. In this way, each pixel on the lower glass substrate 1 shown in FIG. 5 is arranged in a lattice pattern, and the lead electrodes 3 are connected laterally to form a terminal portion 12tl at the end. The upper transparent electrode 9 on the upper glass substrate 7 in FIG. 4 is formed into a band shape in which each pixel is vertically connected as shown. The shape of this upper transparent electrode 9 is L
The shape of the electrode is almost the same as that of a CD.

第6図の構造のパネルに、第3図の電圧印加方法をとる
場合、上部透明電極が走査信号線であり、リード電極が
データ信号線である。
When applying the voltage shown in FIG. 3 to the panel having the structure shown in FIG. 6, the upper transparent electrode is the scanning signal line, and the lead electrode is the data signal line.

第1図に示された本発明の駆動法において、VP=16
v、VP′=19V、バイアス比=9とした駆動波形を
、上記パネルに印加することにより、コントラスト比2
0以上で、クロストークが無く、フリッカも全く無い高
コントラストの表示が得られた。即ち、この場合、表示
最適比値(=Vp/Vp’)は0.842rあった。
In the driving method of the present invention shown in FIG.
By applying a drive waveform with v, VP' = 19V, and bias ratio = 9 to the above panel, the contrast ratio is 2.
0 or more, a high contrast display with no crosstalk and no flicker was obtained. That is, in this case, the display optimum ratio value (=Vp/Vp') was 0.842r.

ここで、第1図に示された本発明の駆動法では、走査信
号もデータ信号も、Oを中心に信号がふれている(この
電圧を中心電圧とよぶ)。しかし、この方法では、正負
側電源が必要であるので、複雑になる。又、通常、TN
W単純マトリクスLCD駆動方法においては、第1図の
液晶印加信号を電位差としては変えないようにして、フ
レームごとに、走査信号、データ信号台々の中心電圧を
かえることにより、必要な電源の数を減らしている(い
わゆる位相差駆動法)。このような方法は、本発明の駆
動方法にも適用可能である。
Here, in the driving method of the present invention shown in FIG. 1, both the scanning signal and the data signal fluctuate around O (this voltage is called the center voltage). However, this method is complicated because it requires positive and negative power supplies. Also, usually TN
In the W simple matrix LCD driving method, the number of required power supplies can be reduced by changing the center voltage of each scanning signal and data signal for each frame without changing the liquid crystal applied signal shown in Fig. 1 as a potential difference. (so-called phase difference drive method). Such a method is also applicable to the driving method of the present invention.

〔実施例2〕 本発明による駆動法に位相差駆動法を適用した場合の走
査信号とデータ信号を第5表に記す。これを、実施例1
のTPT−LCDパネルに印加した場合、Vp =l 
6V、  Vp’ =19V、  バイアx比=9の条
件で、コントラスト比が20以上で、クロストークが無
く、フリッカも全く無い高コントラスト表示が得られた
[Example 2] Table 5 shows scanning signals and data signals when the phase difference driving method is applied to the driving method according to the present invention. Example 1
When applied to a TPT-LCD panel of
Under the conditions of 6V, Vp' = 19V, and via x ratio = 9, a high contrast display with a contrast ratio of 20 or more, no crosstalk, and no flicker was obtained.

第5表 〔実施例3」 毒実施例21−の選択画素のデータ信号の時間幅を階調
に応じて変調する方法(即ち、パルス幅変調方式)によ
り、中間調を実現した。即ち、映像信号を4ビツトのA
/D変換により、ディジタル化し、液晶のコントラスト
曲線に合わせてパルス幅を変化させ、16階調を実現し
た。
Table 5 [Example 3] Halftones were realized by the method of modulating the time width of the data signal of the selected pixel according to the gradation (ie, pulse width modulation method) of Example 21-. In other words, the video signal is converted into a 4-bit A
/D conversion was used to digitize the image, and by changing the pulse width to match the contrast curve of the liquid crystal, 16 gradations were achieved.

疵にA/D変換のビット数を増加させれば、よプ高VI
t調が可能になった。
However, if the number of bits of A/D conversion is increased, the VI will be higher.
T key is now possible.

尚、上記いずれの実施例においてもV p / V p
の値は液晶表示装置の画面を見ながら、フリッカが無く
なるようy4整して定めた。
In addition, in any of the above embodiments, V p / V p
The value was determined by adjusting y4 to eliminate flicker while looking at the screen of the liquid crystal display device.

〔効果〕〔effect〕

本発明の駆動法を用いれば、非対称I−V特性の非線形
抵抗素子を用いたTFD−LCDパネルにおいてもフリ
ッカの全く無い高コントラストの表示が得られる。
If the driving method of the present invention is used, a high-contrast display with no flicker can be obtained even in a TFD-LCD panel using a nonlinear resistance element with an asymmetric IV characteristic.

又、以上の実施例においては、非線形素子に窒化シリコ
ン系MIM素子を用いた例のみ述べた。
Further, in the above embodiments, only examples in which a silicon nitride MIM element is used as a nonlinear element have been described.

しかし、非線形素子に他の材料のMIM素子、及び、ダ
イオード・りング、バック・ツー・バックφダイオード
を用いても、はぼ同じフリッカの無い表示性能が得られ
た。
However, even when MIM elements made of other materials, diode rings, and back-to-back φ diodes were used as nonlinear elements, almost the same flicker-free display performance was obtained.

1・・・・・・下部ガラス基板、2,8・・・・・・ガ
ラス保護膜、3・・・・・・リード電極、4・・・・・
・絶縁体層、5・・・・・・上部電極、6・・・・・・
下部透明電極、7・・・・・・上部ガラス基板、9・・
・・・・上部透明電極、10・・・・・・液晶層、11
・・・・・・突起状の電極、12・・・・・・端子部、
13・・・・・・非線形抵抗素子、】4・・・・・・液
晶素子、15・・・・・・データ信号線、16・・・・
・・走査信号線。
1... Lower glass substrate, 2, 8... Glass protective film, 3... Lead electrode, 4...
・Insulator layer, 5... Upper electrode, 6...
Lower transparent electrode, 7... Upper glass substrate, 9...
... Upper transparent electrode, 10 ... Liquid crystal layer, 11
...Protruding electrode, 12...Terminal part,
13...Nonlinear resistance element, ]4...Liquid crystal element, 15...Data signal line, 16...
...Scanning signal line.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 液晶素子から成る各画素に、非線形抵抗素子から成るス
イッチング素子が直列に接続されているアクティブマト
リクス液晶表示装置の各画素に印加する画素印加電圧を
フレームごとに極性を反転する駆動方法において、極性
の異なる画素印加電圧の絶対値の比が、液晶素子に加わ
る電圧の絶対値が各フレーム間で等しくなるように設定
されたことを特徴とするアクティブマトリクス液晶表示
装置の駆動方法。
In a driving method in which the polarity of the pixel applied voltage applied to each pixel of an active matrix liquid crystal display device is inverted every frame, in which a switching element consisting of a nonlinear resistance element is connected in series to each pixel consisting of a liquid crystal element, 1. A method for driving an active matrix liquid crystal display device, characterized in that a ratio of absolute values of voltages applied to different pixels is set such that the absolute values of voltages applied to a liquid crystal element are equal between frames.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH02179608A (en) * 1988-12-29 1990-07-12 Seiko Instr Inc Driving system for display device

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JPS5814891A (en) * 1981-07-20 1983-01-27 セイコーエプソン株式会社 Driving of liquid crystal display
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