JPH0283925A - マイクロ波プラズマクリーニング方法 - Google Patents

マイクロ波プラズマクリーニング方法

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JPH0283925A
JPH0283925A JP23503588A JP23503588A JPH0283925A JP H0283925 A JPH0283925 A JP H0283925A JP 23503588 A JP23503588 A JP 23503588A JP 23503588 A JP23503588 A JP 23503588A JP H0283925 A JPH0283925 A JP H0283925A
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JP
Japan
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microwave
cleaning method
plasma
magnetic field
plasma cleaning
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Kazuo Takada
和男 高田
Ryoji Hamazaki
良二 濱崎
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本ｘＩｔ明はマイクロ波プラズマクリーニング方法に関
するものである。
〔従来の技術〕
従来のマイクロ波プラズマクリーニング技術としては、
例えば、特開昭６１−２４７０３１号公報等に記載のよ
うなものが知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕
上記従来技術は真空容器内で発生したプラズマの均一化
の点について配慮がされておらず、エツチングによって
真空容器内に付着した反応生成物をプラズマクリーニン
グで除去した場合にプラズマの不均一が原因で除去され
るところと除去されない部分が生じるという問題が１１
１１りた。
本発明の目的は、真空容器内を均一にプラズマクリーニ
ングできるマイクロ波プラズマクリーニング方法を提供
することにある。
〔課題を解決するための手段〕
上記目的は、マイクロ波電界と磁界との相乗作用により
処理ガスをプラズマ化し、該プラズマで真空容器内をク
リーニングするに際し、上記磁界を発生させる磁界発生
手段への供給電流を時間的に変化させ、かつ、マイクロ
波パワーを変化させることにより達成される。
〔作　　用〕
マイクロ波による電界と磁界発生手段による磁界との相
乗作用により処理ガスはプラズマ化される。ここで磁界
発生手段への供給電流を時間的に変化させ、かつ、マイ
クロ波パワーを制御することで真空容器内の磁界分布が
均一化される。それによって真空容器内では均一化され
たプラズマが得られ、これにより真空容器内は均一にク
リーニングされる。
〔実　施　例〕
以下、本発明の一実施例を！＠１図から第３図により説
明する。
第１図で、真空室！内には試料、例えば、Ｓｉ１板１０
を載置する試料台３が設けられており、それに対向して
、真空室ｌ上部に石英ベルジャ２が取り付けである。真
空室ｌ内には図示しない処理ガス供給源につながり真空
室ｌ内に処理ガスを供給する処理ガス導入管７と図示し
ない真空ポンプミニつながり真空室Ｉ内を所定圧力ζこ
減圧排気するためのＮ＃７０９が設けである。
石英ベルジャ２を囲んで導波管４が取り付けてあり、導
波管４の端部にマグネトロン５が取り付けである。石英
ベルジャ２の回りには導波管４を介して磁界発生手段で
あるコイル６が設けである。
試料台３には高周波ｔｉｌｌ１８がつながる。
上記構成の装置により、処理ガス導入管７より真空室１
内に処Ｊｌ　カス、例えば、０２．　ＳＦａ＋　Ｃ１２
等を４０〜６０１１ｃｃＭ導入し、真空室ｌ内を０．０
０５〜０．１　Ｔｏｒｒに保持してマグネトロン５によ
りマイクロ波を発生させ、石英ベルジャ２内に導入し、
コイル６によって石英ベルジャ２内に８００〜１０００
ガウスの磁場を作用させる。これにより石英ベルジャ２
内でマイクロ波により放電した処理ガスに磁場が作用し
プラズマ中で電子が円運動をする。
ここで、第２図に示すように、コイル６に流す給電ｉｔ
ｉｍを制御してマイクロ波パワーを変化させる。このよ
うにすると、第３図に示すように石英ベルジャ２内での
プラズマ中の電子の円運動が均一化された放電になり、
石英ベルジャ内に付着した反応生成物は均一に除去され
る。このように、石英ベルジャ２内に付着した反応生成
物を均一に除去できるので、低３！塵化を図ることがで
き、例えば、試料がエツチングされる場合、そのエツチ
ング性能を向上させることができる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、真空容器内で均一化されたプラズマを
得ることができるので、真空容器内を均一にクリーニン
グできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例のマイクロ波プラズマエプ
チング装置の構成図、第２図は、第１図装置でのコイル
、マグネトロンへの供給電流と時間との関係模式図、第
３図は、プラズマ中の電子の運動状況の模式図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、マイクロ波電界と磁界との相乗作用により処理ガス
    をプラズマ化し、該プラズマにより真空容器内をクリー
    ニングする方法において、前記磁界を発生させる磁界発
    生手段への供給電流を時間的に変化させ、かつ、マイク
    ロ波パワーを制御することを特徴とするマイクロ波プラ
    ズマクリーニング方法。 ２、前記処理ガスとして酸素、フッ素系ガス、塩素系ガ
    スを用いる第１請求項に記載のマイクロ波プラズマクリ
    ーニング方法。 ３、前記処理ガスの圧力を０．００５〜０．１Ｔｏｒｒ
    に調節する第２請求項に記載のマイクロ波プラズマクリ
    ーニング方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111441034A (zh) * 2020-03-31 2020-07-24 上海征世科技有限公司 基片台及用等离子体原位清洗的方法
CN115948795A (zh) * 2022-11-30 2023-04-11 航天科工(长沙)新材料研究院有限公司 一种自动清洗的mpcvd设备以及该设备的清洗方法

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CN111441034A (zh) * 2020-03-31 2020-07-24 上海征世科技有限公司 基片台及用等离子体原位清洗的方法
CN111441034B (zh) * 2020-03-31 2024-01-30 上海征世科技股份有限公司 基片台及用等离子体原位清洗的方法
CN115948795A (zh) * 2022-11-30 2023-04-11 航天科工(长沙)新材料研究院有限公司 一种自动清洗的mpcvd设备以及该设备的清洗方法

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