JPH0285825A - 電気光学装置及びその駆動方法 - Google Patents
電気光学装置及びその駆動方法Info
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- JPH0285825A JPH0285825A JP63237566A JP23756688A JPH0285825A JP H0285825 A JPH0285825 A JP H0285825A JP 63237566 A JP63237566 A JP 63237566A JP 23756688 A JP23756688 A JP 23756688A JP H0285825 A JPH0285825 A JP H0285825A
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- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は光信号及び電気信号によって駆動される電気光
学装置に関する。
学装置に関する。
［従来の技術］
従来の電気光学装置は、日経エレクトロニクスＮｏ、３
５１（１９８１）ｐ、２１１． ＳＩＤ’ ８３
ＤＩＧＥＳＴ ｐ、１５６ （１９８３）、Ｓより“
８５ＤＩＧＥＳＴ Ｐ、２７８ （１９８５）、特開昭
５５−１０５２８５、特開昭５２−１４９０９０、特開
昭５５−１６Ｉ２７３、特開昭４９−９０１５５、ＡＰ
Ｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、Ｖｏｌ、２１．Ｎｏ、８
．１５（１９７２）のように電気信号もしくは光信号だ
けで駆動されるものであった。
５１（１９８１）ｐ、２１１． ＳＩＤ’ ８３
ＤＩＧＥＳＴ ｐ、１５６ （１９８３）、Ｓより“
８５ＤＩＧＥＳＴ Ｐ、２７８ （１９８５）、特開昭
５５−１０５２８５、特開昭５２−１４９０９０、特開
昭５５−１６Ｉ２７３、特開昭４９−９０１５５、ＡＰ
Ｐｌ、Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔ、、Ｖｏｌ、２１．Ｎｏ、８
．１５（１９７２）のように電気信号もしくは光信号だ
けで駆動されるものであった。
［発明が解決しようとする課題］
しかし、従来の電気光学装置には電気信号による表示パ
ターンの入力、もしくはレーザービームやＣＲＴのよう
な光での入力を単独に行なうためにデイスプレィとして
用いた場合、簡単に加筆や修正ができなかった。
ターンの入力、もしくはレーザービームやＣＲＴのよう
な光での入力を単独に行なうためにデイスプレィとして
用いた場合、簡単に加筆や修正ができなかった。
さらに、空間フィルタリングのような光学的情報処理を
行なう場合には、電気信号パターン用の電気光学装置、
光パターン用の電気光学装置を複数を必要とした。さら
にこれらを光学的に結合させるためにリレー光学系やそ
れにともなう空間を必要とした。従来の電気光学装置は
以上のような課題があった。そこで本発明では、光導電
体層を有する基板とマトリクス画素を持つ基板で同一の
電気光学媒質を駆動することによって光でも電気入力で
もアドレスできる電気光学装置を実現することを目的と
するものである。
行なう場合には、電気信号パターン用の電気光学装置、
光パターン用の電気光学装置を複数を必要とした。さら
にこれらを光学的に結合させるためにリレー光学系やそ
れにともなう空間を必要とした。従来の電気光学装置は
以上のような課題があった。そこで本発明では、光導電
体層を有する基板とマトリクス画素を持つ基板で同一の
電気光学媒質を駆動することによって光でも電気入力で
もアドレスできる電気光学装置を実現することを目的と
するものである。
［０１題を解決するための手段］
本発明の電気光学装置は、電極上に光導電体層を形成し
た第一の基板とマトリクス画素電極を有する第二の基板
間に電気光学媒質を挟持したことを特徴とする。
た第一の基板とマトリクス画素電極を有する第二の基板
間に電気光学媒質を挟持したことを特徴とする。
またマトリクス画素電極は、第二の基板上に設置された
Ｘ−Ｙ配線によって選択されるスイッチング素子に接続
され、Ｘ−Ｙ配線に与えられる信号電圧と第一の基板上
の電極に印加する電圧と前記光導電体層に照射する光信
号によって駆動されることを特徴としている。
Ｘ−Ｙ配線によって選択されるスイッチング素子に接続
され、Ｘ−Ｙ配線に与えられる信号電圧と第一の基板上
の電極に印加する電圧と前記光導電体層に照射する光信
号によって駆動されることを特徴としている。
そのＸ−Ｙ配線によって選択されるスイッチング素子は
、薄膜トランジスターであることを特徴とする。
、薄膜トランジスターであることを特徴とする。
さらにマトリクス画素電極は第二の基板上に設置された
Ｘ配線に接続されたスイッチング素子に接続され、Ｘ配
線に与えられる信号電圧と第一の基板上のストライプ状
Ｙ電極に印加する電圧と前記光導電体層に照射する光信
号によって駆動されることを特徴とする。
Ｘ配線に接続されたスイッチング素子に接続され、Ｘ配
線に与えられる信号電圧と第一の基板上のストライプ状
Ｙ電極に印加する電圧と前記光導電体層に照射する光信
号によって駆動されることを特徴とする。
そのＸ配線に接続されたスイッチング素子は２端子の非
線形アクティブ素子であることを特徴としている。
線形アクティブ素子であることを特徴としている。
さらに電気光学媒質は液晶であることを特徴としている
。
。
［作用］
第１の基板は基板の上に電極が設置されその上に光導電
体層が形成されている。第２の基板にはマトリクス画素
が形成され、マトリクス画素は電気的にアドレスされる
。第１と第２の基板の間には電気光学媒質が挟持され、
第１の基板の電極と第２の基板のマトリクス電極間に与
えられる電界によって光学的性質を変える。第１の基板
には光導電体層が形成されており、光によってそのイン
ピーダンスを変える。したがって光のパターンによって
電気光学媒質にパターンを書き込むことができる。つま
り電気入力と光入力の二つのパターンを独立にも同時に
も形成することができるものである。
体層が形成されている。第２の基板にはマトリクス画素
が形成され、マトリクス画素は電気的にアドレスされる
。第１と第２の基板の間には電気光学媒質が挟持され、
第１の基板の電極と第２の基板のマトリクス電極間に与
えられる電界によって光学的性質を変える。第１の基板
には光導電体層が形成されており、光によってそのイン
ピーダンスを変える。したがって光のパターンによって
電気光学媒質にパターンを書き込むことができる。つま
り電気入力と光入力の二つのパターンを独立にも同時に
も形成することができるものである。
以下、実施例により本発明の詳細を示す。
［実施例］
実施例１
第１図は本発明の電気光学装置の一部の切り欠き断面図
である。
である。
第１の基板１０１は基板１０２の上に電極１０３が設置
されその上に光導電体層１０４が形成されている。光導
電体層の上には反射型として用いる場合ミラー層１０５
が形成される。
されその上に光導電体層１０４が形成されている。光導
電体層の上には反射型として用いる場合ミラー層１０５
が形成される。
第２の基板１０６にはマトリクス画素１０７が形成され
ている。マトリクス画素は第２の基板に設置されたＸ配
線１１０、Ｙ配線１１１によって選択されるスイッチン
グ素子である薄膜トランジスター１０８（以下ＴＰＴと
称する）に接続され、電気的にアドレスされている。第
１と第２の基板の間には電気光学媒質である液晶１０９
が挟持されている。低電圧駆動ができる点で液晶が最も
適しているがＰＬＺＴ等の電気光学媒質でも原理的には
同じ動作が可能である。
ている。マトリクス画素は第２の基板に設置されたＸ配
線１１０、Ｙ配線１１１によって選択されるスイッチン
グ素子である薄膜トランジスター１０８（以下ＴＰＴと
称する）に接続され、電気的にアドレスされている。第
１と第２の基板の間には電気光学媒質である液晶１０９
が挟持されている。低電圧駆動ができる点で液晶が最も
適しているがＰＬＺＴ等の電気光学媒質でも原理的には
同じ動作が可能である。
第２図は第１図のデバイスを用いた電気光学装置の断面
図である。
図である。
第１の基板２０１は光導電体側の駆動信号源２０５に電
極を接続し、第２の基板２０２のＸ−Ｙ配線は電気入力
源であるＴＰＴの駆動回路２０６に接続されている。
極を接続し、第２の基板２０２のＸ−Ｙ配線は電気入力
源であるＴＰＴの駆動回路２０６に接続されている。
一方 ２０３は光入力源である書き込み光である。また
２０４は読みだし光である。
２０４は読みだし光である。
ここで本実施例の構成を第１表に詳説する。
第１表
第１の基板
光導電体層
ミラー層
基板
電極
第２の基板
マトリクス画素数
マトリクス画素
スイッチング素子
Ｘ配線
（データ線）
Ｙ配線
（タイミングｌ１ｌ）
基板
電気光学媒質
ａ−Ｓｉ （ホ゛ロン微量添加）
プラズマＣＶＤによる
Ｓｔ／５ｉ（ｈの誘電体多層膜
石英ガラス
低抵抗ＩＴＯ
２２０Ｘ ２４０
ＩＴＯ電極
ポリ５ｉＴＦＴ
ポリＳＬ
ＴＯ
石英ガラス
ネマティック液晶
９０°ツイストモード
第１の基板の光導電体層は光によってそのインピーダン
スを変える。したがって光のパターンによって電気光学
媒質にパターンを書き込むことができる。一方第２の基
板はＴＰＴをＸ−Ｙ配線によってアドレスし、ＴＰＴに
接続されたマトリクス画素によってパターンが書き込ま
れる。この動作を組合せ、光、電気、両方のパターン形
成ができるようにした。次にこれらの動作について説明
する。
スを変える。したがって光のパターンによって電気光学
媒質にパターンを書き込むことができる。一方第２の基
板はＴＰＴをＸ−Ｙ配線によってアドレスし、ＴＰＴに
接続されたマトリクス画素によってパターンが書き込ま
れる。この動作を組合せ、光、電気、両方のパターン形
成ができるようにした。次にこれらの動作について説明
する。
第３図は第１図の装置の１マトリクス画素分の等価回路
図である。マトリクス画素である液晶層は電気容量と抵
抗の並列回路３０１で表され、この両端に光導電体層３
０２とスイッチング素子が接続されている。スイッチン
グ素子はトランジスター３０３であり、ドレイン電極を
液晶層に、ソース電極をＸ配線（データ線）３０４に、
ゲート電極はＹ配ｍ（タイミング線）３０５にそれぞれ
結線されている。光導電体層のもう一方の電極は光導電
体側の駆動信号源３０６に、Ｘ配線はデータ信号Ｎ３０
７に、Ｙ配線はタイミング信号源３０８にそれぞれ接続
されている。
図である。マトリクス画素である液晶層は電気容量と抵
抗の並列回路３０１で表され、この両端に光導電体層３
０２とスイッチング素子が接続されている。スイッチン
グ素子はトランジスター３０３であり、ドレイン電極を
液晶層に、ソース電極をＸ配線（データ線）３０４に、
ゲート電極はＹ配ｍ（タイミング線）３０５にそれぞれ
結線されている。光導電体層のもう一方の電極は光導電
体側の駆動信号源３０６に、Ｘ配線はデータ信号Ｎ３０
７に、Ｙ配線はタイミング信号源３０８にそれぞれ接続
されている。
なおミラー層は大きな電気容量と大きな等測置流抵抗を
持ち、交流的に無視できるため省略した。
持ち、交流的に無視できるため省略した。
基本的な動作は、ＴＰＴによって液晶層に電荷が蓄積さ
れ、これを光信号によってリークする形態をとる。この
動作の流れを変えることによって電気的にも光によって
もパターンの形成が可能となる。次にこれらの簡単なシ
ーケンスを示す。
れ、これを光信号によってリークする形態をとる。この
動作の流れを変えることによって電気的にも光によって
もパターンの形成が可能となる。次にこれらの簡単なシ
ーケンスを示す。
■電気入力する場合
・光導電体側の駆動信号源を一定電圧にする（液晶層の
光導電体側の電位を一定に保つ）・書き込み光を全面に
照射する（光導電体層を低インピーダンス化する） ・書き込み光の照射時間内にＸ−Ｙ配線によってＴＰＴ
をアドレスし、データをマトリクス画素に書き込む ・書き込み光の照射を止める この時のＴＰＴによる駆動は、日経エレクトロニクスＮ
Ｏ，３５１（１９８１）Ｐ、２１１． ＳＩＤ’ ８
３ ＤＩＧ Ｅ Ｓ Ｔ ｐ、１５６ （１９８３
）、ＳＩＤ’ ８５ＤＩＧＥＳ Ｔ ｐ、２７８ （１
９８５）に示すＴＰＴを用いた液晶表示体（以下ＴＰＴ
−ＬＣＤと称する）と同様に行なわれる。
光導電体側の電位を一定に保つ）・書き込み光を全面に
照射する（光導電体層を低インピーダンス化する） ・書き込み光の照射時間内にＸ−Ｙ配線によってＴＰＴ
をアドレスし、データをマトリクス画素に書き込む ・書き込み光の照射を止める この時のＴＰＴによる駆動は、日経エレクトロニクスＮ
Ｏ，３５１（１９８１）Ｐ、２１１． ＳＩＤ’ ８
３ ＤＩＧ Ｅ Ｓ Ｔ ｐ、１５６ （１９８３
）、ＳＩＤ’ ８５ＤＩＧＥＳ Ｔ ｐ、２７８ （１
９８５）に示すＴＰＴを用いた液晶表示体（以下ＴＰＴ
−ＬＣＤと称する）と同様に行なわれる。
以上のように電気入力する場合は、光導電体を低インピ
ーダンス化した点が異なるだけで、ＴＰＴ−ＬＣＤの場
合と全く同様に考えることができる。
ーダンス化した点が異なるだけで、ＴＰＴ−ＬＣＤの場
合と全く同様に考えることができる。
■光入力する場合
・一定な電圧をＸ配線とＹ配線に与え、ＴＰＴをＯＮさ
せる（液晶層のＴＦＴ側の電位を一定に保つ） ・光導電体側の駆動信号源を光書き込み可能な電圧に設
定する（交流電圧でも構わない）・書き込む光パターン
を照射する（光により画素にかかる電圧を変化させ、光
パターンを書き込む）なお、書き込み手段はレーザーに
よる走査画像やＣＲＴのような２次元画像を用いること
ができる。
せる（液晶層のＴＦＴ側の電位を一定に保つ） ・光導電体側の駆動信号源を光書き込み可能な電圧に設
定する（交流電圧でも構わない）・書き込む光パターン
を照射する（光により画素にかかる電圧を変化させ、光
パターンを書き込む）なお、書き込み手段はレーザーに
よる走査画像やＣＲＴのような２次元画像を用いること
ができる。
以上のように光入力する場合は、ＴＰＴをＯＮした点が
異なるだけで、光導電体を用いた液晶表示体の場合と全
く同様に考えることができる。
異なるだけで、光導電体を用いた液晶表示体の場合と全
く同様に考えることができる。
もう一つの書き込み方法にＴＰＴ−ＬＣＤの場合と同じ
電荷の価電、放電モードがある。この場合の方法は次の
ように行なう。
電荷の価電、放電モードがある。この場合の方法は次の
ように行なう。
・光導電体側の駆動信号源を一定電圧にする（液晶層の
光導電体側の電位を一定に保つ）・書き込み光を全面に
照射する（光導電体層を低インピーダンス化する） ・書き込み光の照射時間内にＸ−Ｙ配線によってＴＰＴ
をアドレスし、全画素をＯＮ、 またはＯＦＦさせる ・全面の書き込み光の照射を止め、ＴＰＴをＯＦＦさせ
る ・光導電体側の駆動信号源を初期の電圧から変化させ、
書き込む光パターンを照射する（光により画素の電荷量
を変化させ、パターンを書き込む）■光電気両方の場合 ・光導電体側の駆動信号源を一定電圧にする（液晶層の
光導電体側の電位を一定に保つ）・パターンの書き込み
光を照射し、同時にＴＰＴをアドレスして画素に電荷を
書き込む （光が照射され、かつＴＦＴがＯＮしたところだけが書
き込まれる） 実施例２ 第４図は本発明の電気光学装置の一部の切り欠き断面図
である。
光導電体側の電位を一定に保つ）・書き込み光を全面に
照射する（光導電体層を低インピーダンス化する） ・書き込み光の照射時間内にＸ−Ｙ配線によってＴＰＴ
をアドレスし、全画素をＯＮ、 またはＯＦＦさせる ・全面の書き込み光の照射を止め、ＴＰＴをＯＦＦさせ
る ・光導電体側の駆動信号源を初期の電圧から変化させ、
書き込む光パターンを照射する（光により画素の電荷量
を変化させ、パターンを書き込む）■光電気両方の場合 ・光導電体側の駆動信号源を一定電圧にする（液晶層の
光導電体側の電位を一定に保つ）・パターンの書き込み
光を照射し、同時にＴＰＴをアドレスして画素に電荷を
書き込む （光が照射され、かつＴＦＴがＯＮしたところだけが書
き込まれる） 実施例２ 第４図は本発明の電気光学装置の一部の切り欠き断面図
である。
第１の基板４０１は基板４０２の上にストライプ状透明
ＹＩＥ極４０３が設置されその上に光導電体層４０４が
形成されている。光導電体層の上には反射型として用い
る場合ミラー層４０５が形成される。
ＹＩＥ極４０３が設置されその上に光導電体層４０４が
形成されている。光導電体層の上には反射型として用い
る場合ミラー層４０５が形成される。
第２の基板４０６にはマトリクス画素４０７が形成され
ている。マトリクス画素は第２の基板に設置されたＸ配
線４１０によって選択されるスイッチング素子である非
線形アクティブ素子４０８に接続され、電気的にアドレ
スされている。第１と第２の基板の間には電気光学媒質
である液晶４０９が挟持されている。
ている。マトリクス画素は第２の基板に設置されたＸ配
線４１０によって選択されるスイッチング素子である非
線形アクティブ素子４０８に接続され、電気的にアドレ
スされている。第１と第２の基板の間には電気光学媒質
である液晶４０９が挟持されている。
第２表
第１の基板
光導電体層
ミラー層
基板
Ｙ電極
第２の基板
マトリクス画素数
マトリクス画素
非線形
アクティブ素子
Ｘ配線
（データ線）
基板
電気光学媒質
ａ−ＳＬ （ホ゛ロン微量添加）
プラズマＣＶＤによる
Ｓｉ／５ｉ０２の誘電体多層膜
７０５９ガラス
低抵抗ＩＴＯ
２５０Ｘ２４０
ＩＴＯ電極
Ｔａ−Ｔａ２０ｓ−ＣｒのＭＩＭ素子
（Ｈｅｔｅｌ Ｉｎ５ｕｌａｔｅｒ Ｍｅｔａｌ）Ｃｒ
配線 ７０５９ガラス ネマティック液晶 ９０°ツイストモード ここで本実施例の構成を第２表に詳説する。
配線 ７０５９ガラス ネマティック液晶 ９０°ツイストモード ここで本実施例の構成を第２表に詳説する。
実施例１と同様、第１の基板の光導電体層は光によって
そのインピーダンスを変える。したがって光のパターン
によって電気光学媒質にパターンを書き込むことができ
る。一方、ＭＩＭ素子は第２の基板のＸ配線と第１の基
板のＹ’！極によってアドレスされ、ＭＩＭ素子に接続
されたマトリクス画素にパターンが書き込まれる。この
動作を組合せ、光、電気、両方のパターン形成ができる
ようにした。次にこれらの動作について説明する。
そのインピーダンスを変える。したがって光のパターン
によって電気光学媒質にパターンを書き込むことができ
る。一方、ＭＩＭ素子は第２の基板のＸ配線と第１の基
板のＹ’！極によってアドレスされ、ＭＩＭ素子に接続
されたマトリクス画素にパターンが書き込まれる。この
動作を組合せ、光、電気、両方のパターン形成ができる
ようにした。次にこれらの動作について説明する。
第５図は第４図の装置の１画素分の等価回路図である。
液晶層５０１の両端に光導電体層５０２とＭＩｙ素子５
０３が接続されている。ＭＩＭ素子は一方の電極を液晶
層に、もう一方の電極をＸ配線５０４にそれぞれ結線さ
れている。光導電体層のＹ電極５０５はタイミング信号
Ｒ５０８に、Ｘ配線はデータ信号源５０７にそれぞれ接
続されている。なおミラー層は大きな電気容量と大きな
等測置流抵抗を持ち、交流的に無視できるため省略した
。
０３が接続されている。ＭＩＭ素子は一方の電極を液晶
層に、もう一方の電極をＸ配線５０４にそれぞれ結線さ
れている。光導電体層のＹ電極５０５はタイミング信号
Ｒ５０８に、Ｘ配線はデータ信号源５０７にそれぞれ接
続されている。なおミラー層は大きな電気容量と大きな
等測置流抵抗を持ち、交流的に無視できるため省略した
。
基本的な動作は、ＭＩＭ素子によって液晶層に電荷が蓄
摂され、これを光信号によってリークする形態をとる。
摂され、これを光信号によってリークする形態をとる。
この動作の流れを変えることによって電気的にも光によ
ってもパターンの形成が可能となる。次にこれらの簡単
なシーケンスを示す。
ってもパターンの形成が可能となる。次にこれらの簡単
なシーケンスを示す。
■電気入力する場合
・Ｙ電極を選択し、順次一定電圧にする（液晶層の光導
電体側の電位を一定に保つ） ・書き込み光を全面に照射する（光導電体層を低インピ
ーダンス化する） ・書き込み光の照射時間内にＸ配線によってＭＩＭ素子
をＯＮＬ、データをマトリクス画素に書き込む ・書き込み光の照射を止める この時のＭＩＭ素子による駆動は、特開昭５２−１４０
９０、特開昭５５−１６１２７３、Ｊａｐａｎ Ｄｉｓ
ｐｌａｙ’８３．ｐ、４０４（１９８３）に示すＭＩＭ
素子を用いたＬＣＤと同様に行なわれる。
電体側の電位を一定に保つ） ・書き込み光を全面に照射する（光導電体層を低インピ
ーダンス化する） ・書き込み光の照射時間内にＸ配線によってＭＩＭ素子
をＯＮＬ、データをマトリクス画素に書き込む ・書き込み光の照射を止める この時のＭＩＭ素子による駆動は、特開昭５２−１４０
９０、特開昭５５−１６１２７３、Ｊａｐａｎ Ｄｉｓ
ｐｌａｙ’８３．ｐ、４０４（１９８３）に示すＭＩＭ
素子を用いたＬＣＤと同様に行なわれる。
以上のように電気入力する場合は、光導電体を低インピ
ーダンス化した点が異なるだけで、通常のＭＩＭ−ＬＣ
Ｄの場合と全く同様に考えることができる。
ーダンス化した点が異なるだけで、通常のＭＩＭ−ＬＣ
Ｄの場合と全く同様に考えることができる。
■光入力する場合
・ＨＩＭ素子をＯＮさせる一定な電圧をＸ配線とＹ配線
に与える ・書き込む光パターンを照射する（光により液晶画素に
かかる電圧を変化させ、光パターンを書き込む） なお； 書き込み手段はレーザーによる走査画像やＣＲ
Ｔのような２次元画像を用いることができる。
に与える ・書き込む光パターンを照射する（光により液晶画素に
かかる電圧を変化させ、光パターンを書き込む） なお； 書き込み手段はレーザーによる走査画像やＣＲ
Ｔのような２次元画像を用いることができる。
以上のように光入力する場合は、ＭＩＭ素子をＯＮＬ、
た点が異なるだけで、光導電体を用いた液晶表示体の場
合と全く同様に考えることができる。
た点が異なるだけで、光導電体を用いた液晶表示体の場
合と全く同様に考えることができる。
もう一つの書き込み方法にＭＩＭ−ＬＣＤの場合と同じ
電荷の価電、放電モードがある。この場合の方法は次の
ように行なう。
電荷の価電、放電モードがある。この場合の方法は次の
ように行なう。
・ＭＩＭ素子をＯＮ、またはＯＦＦさせる一定な電圧を
Ｘ配線とＹ配線に与える ・書き込み光を全面に照射しく光導電体層を低インピー
ダンス化する）、全画素をＯＮ、またはＯＦＦさせる ・全面の書き込み光の照射を止め、ＭＩＭ素子をＯＦＦ
させる ・Ｙ電極とＸ電極を初期の電圧から変化させ、書き込む
光パターンを照射する（光により画素の電荷量を変化さ
せ、パターンを書き込む）■光電気両方の場合 ・パターンの書き込み光を照射し、同時にＭＩＭ素子を
アドレスして画素に電荷を書き込む（光が照射され、か
つＭＩＭ素子がＯＮＬ、たところだけが書き込まれる） 以上実施例を述べたが、本発明は単に光による加筆、電
気信号による書換えといった多機能デイスプレィとして
の応用に留まらず、空間フィルタリングのような光学的
情報処理用のデバイスとしての応用も可能である。
Ｘ配線とＹ配線に与える ・書き込み光を全面に照射しく光導電体層を低インピー
ダンス化する）、全画素をＯＮ、またはＯＦＦさせる ・全面の書き込み光の照射を止め、ＭＩＭ素子をＯＦＦ
させる ・Ｙ電極とＸ電極を初期の電圧から変化させ、書き込む
光パターンを照射する（光により画素の電荷量を変化さ
せ、パターンを書き込む）■光電気両方の場合 ・パターンの書き込み光を照射し、同時にＭＩＭ素子を
アドレスして画素に電荷を書き込む（光が照射され、か
つＭＩＭ素子がＯＮＬ、たところだけが書き込まれる） 以上実施例を述べたが、本発明は単に光による加筆、電
気信号による書換えといった多機能デイスプレィとして
の応用に留まらず、空間フィルタリングのような光学的
情報処理用のデバイスとしての応用も可能である。
さらに、本発明は反射読みだし型の実施例を挙げたが、
透過型でも読みだし光が光導電体に影響を与えないよう
な場合には同様に実施することができる。（例えば二つ
の光の波長を影響のない波長に変える等の方法がある） ［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、光または電気信号に
よって加筆、修正が簡単にできる。
透過型でも読みだし光が光導電体に影響を与えないよう
な場合には同様に実施することができる。（例えば二つ
の光の波長を影響のない波長に変える等の方法がある） ［発明の効果］ 以上述べたように本発明によれば、光または電気信号に
よって加筆、修正が簡単にできる。
さらに、空間フィルタリングのような光学的情報処理を
行なう場合には、空間フィルター 画像のレジスター
インコヒーレント−コヒーレント変換等の複合機能素子
として汎用かつ多重利用できる電気光学装置を実現でき
る。さらに光学的に結合させるためにリレー光学系や空
間を減らせる効果もある。
行なう場合には、空間フィルター 画像のレジスター
インコヒーレント−コヒーレント変換等の複合機能素子
として汎用かつ多重利用できる電気光学装置を実現でき
る。さらに光学的に結合させるためにリレー光学系や空
間を減らせる効果もある。
また異機能の複数枚パネル積層するものは位置合わせが
必要となるが、本発明の電気光学装置はこの必要がない
。
必要となるが、本発明の電気光学装置はこの必要がない
。
以上のように、本発明は従来にない新しい効果を有して
いる。
いる。
第１図は本発明の電気光学装置の切り欠き断面図である
。 第２図は第１図のデバイスを用いた電気光学装置の断面
図である。 第３図は第１図の装置の１＠素分の等価回路図である。 第４図は本発明の電気光学装置の切り欠き断面図である
。 第５図は第４図の装置の１画素分の等価回路図である。 １０１．２０°１，４０１・・・第１の基板１０２．４
０２・・・基板 １０３・・・電極 １０４．４０４・・・光導電体層 １０５．４０５・・・ミラー層 １０６．２０２，４０６・・・第２の基板１０７．４０
７・・・マトリクス画素 １０８・・・ＴＰＴ １０９．４０９・・・液晶 １１０．３０４，４１０，５０４・・・Ｘ配線１１１．
３０５・・・Ｙ配線 ２０３・・・光入力源 ２０４・・・読みだし光 ２０５・・・光導電体側の駆動信号源 ３０１．５０１・・・液晶層の等価回路３０２．５０２
・・・光導電体層 ３０３・・・ トランジスター ３０８・・・光導電体側の駆動信号源 ３０７．５０７・・・データ信号源 ３１８．５０８・・・タイミング信号源４０６・・・ス
トライプ状Ｙ電極 ４０８・・・非線形アクティブ素子 ５０３・・・ＭＩＭ素子 以上 ｌ１ｌ） 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳雅誉（他１名） 団
。 第２図は第１図のデバイスを用いた電気光学装置の断面
図である。 第３図は第１図の装置の１＠素分の等価回路図である。 第４図は本発明の電気光学装置の切り欠き断面図である
。 第５図は第４図の装置の１画素分の等価回路図である。 １０１．２０°１，４０１・・・第１の基板１０２．４
０２・・・基板 １０３・・・電極 １０４．４０４・・・光導電体層 １０５．４０５・・・ミラー層 １０６．２０２，４０６・・・第２の基板１０７．４０
７・・・マトリクス画素 １０８・・・ＴＰＴ １０９．４０９・・・液晶 １１０．３０４，４１０，５０４・・・Ｘ配線１１１．
３０５・・・Ｙ配線 ２０３・・・光入力源 ２０４・・・読みだし光 ２０５・・・光導電体側の駆動信号源 ３０１．５０１・・・液晶層の等価回路３０２．５０２
・・・光導電体層 ３０３・・・ トランジスター ３０８・・・光導電体側の駆動信号源 ３０７．５０７・・・データ信号源 ３１８．５０８・・・タイミング信号源４０６・・・ス
トライプ状Ｙ電極 ４０８・・・非線形アクティブ素子 ５０３・・・ＭＩＭ素子 以上 ｌ１ｌ） 出願人 セイコーエプソン株式会社 代理人 弁理士 上柳雅誉（他１名） 団
Claims (6)
- （１）電極上に光導電体層を形成した第一の基板とマト
リクス画素電極を有する第二の基板間に電気光学媒質を
挟持したことを特徴とする電気光学装置。 - （２）前記マトリクス画素電極は、前記第二の基板上に
設置されたＸ−Ｙ配線によって選択されるスイッチング
素子に接続され、Ｘ−Ｙ配線に与えられる信号電圧と前
記第一の基板上の電極に印加する電圧と前記光導電体層
に照射する光信号によって駆動されることを特徴とする
請求項１記載の電気光学装置。 - （３）前記Ｘ−Ｙ配線によって選択されるスイッチング
素子は薄膜トランジスターであることを特徴とする請求
項２記載の電気光学装置。 - （４）前記マトリクス画素電極は前記第二の基板上に設
置されたＸ配線に接続されたスイッチング素子に接続さ
れ、Ｘ配線に与えられる信号電圧と前記第一の基板上の
ストライプ状Ｙ電極に印加する電圧と前記光導電体層に
照射する光信号によって駆動されることを特徴とする請
求項１記載の電気光学装置。 - （５）前記Ｘ配線に接続されたスイッチング素子は２端
子の非線形アクティブ素子であることを特徴とする請求
項４記載の電気光学装置。 - （６）前記電気光学媒質は液晶であることを特徴とする
請求項１記載の電気光学装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23756688A JP2689518B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 電気光学装置及びその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23756688A JP2689518B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 電気光学装置及びその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0285825A true JPH0285825A (ja) | 1990-03-27 |
| JP2689518B2 JP2689518B2 (ja) | 1997-12-10 |
Family
ID=17017212
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23756688A Expired - Lifetime JP2689518B2 (ja) | 1988-09-22 | 1988-09-22 | 電気光学装置及びその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2689518B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06181358A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-06-28 | Toshiba Corp | レーザ光制御装置 |
| US5536933A (en) * | 1993-12-20 | 1996-07-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light information device and method for producing the same |
| US5657100A (en) * | 1992-02-03 | 1997-08-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical transmittance adjusting device having a matrix of electrodes each connected to a photoconductor smaller than the electrode |
| US5903371A (en) * | 1995-10-19 | 1999-05-11 | Pirelli Cavi S.P.A. | Transparent optical self-healing-ring communication network |
| JP2008110587A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Fukuoka Technoken Kogyo:Kk | 画像形成方法と画像形成装置及びその画像形成方法に用いる記録媒体 |
| JP2008185656A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光書き込み型表示素子の駆動装置および駆動方法、並びに光書き込み型表示装置 |
| JP2011008173A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Seiko Epson Corp | 光書き込み型表示装置とその駆動方法、及び電子機器 |
| US8988331B2 (en) | 2009-06-29 | 2015-03-24 | Seiko Epson Corporation | Optical recording display device, driving method of the optical recording display device, electro-optical device and electronic apparatus |
-
1988
- 1988-09-22 JP JP23756688A patent/JP2689518B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5657100A (en) * | 1992-02-03 | 1997-08-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical transmittance adjusting device having a matrix of electrodes each connected to a photoconductor smaller than the electrode |
| JPH06181358A (ja) * | 1992-10-06 | 1994-06-28 | Toshiba Corp | レーザ光制御装置 |
| US5536933A (en) * | 1993-12-20 | 1996-07-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light information device and method for producing the same |
| US5903371A (en) * | 1995-10-19 | 1999-05-11 | Pirelli Cavi S.P.A. | Transparent optical self-healing-ring communication network |
| JP2008110587A (ja) * | 2006-10-31 | 2008-05-15 | Fukuoka Technoken Kogyo:Kk | 画像形成方法と画像形成装置及びその画像形成方法に用いる記録媒体 |
| JP2008185656A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Fuji Xerox Co Ltd | 光書き込み型表示素子の駆動装置および駆動方法、並びに光書き込み型表示装置 |
| JP2011008173A (ja) * | 2009-06-29 | 2011-01-13 | Seiko Epson Corp | 光書き込み型表示装置とその駆動方法、及び電子機器 |
| US8988331B2 (en) | 2009-06-29 | 2015-03-24 | Seiko Epson Corporation | Optical recording display device, driving method of the optical recording display device, electro-optical device and electronic apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2689518B2 (ja) | 1997-12-10 |
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